CN101322224B - 处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。

Description

处理装置
技术领域
本发明涉及在对半导体晶片等实施等离子体处理、成膜处理和蚀刻处理等各种处理时所使用的单片式等离子体处理装置。
背景技术
一般而言，为了制造半导体集成电路等半导体产品，例如，对半导体晶片反复进行成膜处理，蚀刻处理，氧化扩散处理，灰化处理，改性处理等各种处理。从提高产品的成品率的观点来看，这样的各种处理，随着半导体产品的高密度化和高细微化，要求进一步提高处理的晶片面内的均匀性。
作为现有的单片式处理装置，以等离子体处理装置为例进行说明。在例如专利文献1，专利文献2，专利文献3，专利文献4等中公开了等离子体处理装置。图11为表示现有的一般的等离子体处理装置的概略结构图。
在图11中，该等离子体处理装置2，在能够抽真空的容器4内设置有载置半导体晶片W的载置台6，该载置台6采用从容器侧壁延伸的L字状的支撑臂7支撑。在与该载置台6相对的顶部上密封设置有透过微波的圆板状的顶板8，该顶板8由氮化铝、石英等构成。在处理容器4的侧壁上设置有用于向容器内导入规定的气体的气体喷嘴9。
在上述顶板8的上面设置有厚度为几mm左右的圆板状的平面天线部件10，和用于缩短在该平面天线部件10的半径方向上的微波波长的例如由电介质构成的慢波结构12。在平面天线部件10上形成有由多个例如长槽状的贯通孔构成的微波放射孔14。一般将该微波放射孔14配置成同心圆状，或配置成螺旋状。平面天线部件10的中心部与同轴导波管16的中心导体18连接，将由微波发生器20发生的例如2.45GHz的微波通过波型变换器22变换成规定的振动波型后导入平面天线部件10的中心部。然后，使微波沿天线部件10的半径方向以放射状传播，并从设置在平面天线部件10上的微波放射孔14放出，使微波透过顶板8，导入下方的处理容器4内，通过该微波将等离子体散布在处理容器4内的处理空间S中。
另外，在处理容器4的底部4A的中央部设置有排气口24，在该排气口24上安装有压力控制阀26，通过控制其阀开度来改变阀口28的开口区域的面积，从而调整处理容器4内的压力。该压力控制阀26，例如由闸阀构成，通过如箭头31所示例如沿水平方向滑动移动的阀体30，控制其阀开度，即开口区域的面积。在该压力控制阀26的气体出口侧连接有作为排气系统的真空泵的例如涡轮分子泵32，能够将处理容器4内的气氛气体抽真空。在这样的结构中，将等离子体散布在上述处理容器4内的处理空间S中，对上述半导体晶片W实施等离子体蚀刻、等离子体成膜等的等离子体处理。
专利文献1：日本专利特开平3-191073号公报
专利文献2：日本专利特开平5-343334号公报
专利文献3：日本专利特开平9-181052号公报
专利文献4：日本专利特开2002-311892号公报
发明内容
在进行上述等离子体处理时，如上所述，为了提高产品的成品率，需要在晶片面内均匀地进行规定的处理。此时，并不限于上述的等离子体处理装置，在一般的单片式处理装置中，在处理空间S内的处理气体的流动方式对处理的均匀性有很大的影响，因此，使上述排气口24和压力控制阀26的阀口28位于容器底部4A的中心部，例如以使载置台6的中心轴6A，排气口24和阀口28的中心轴一致的方式设置，由此使处理空间S的气氛气体均等地分散流动在载置台6的周边部，使气体从其下方的排气口24流下。
但是，在上述的压力控制阀26的配置结构中，虽然在阀开度为100％时，处理空间S的气氛气体均等地分布在载置台6的周边部而向下流动，但在实际的处理时，阀开度较小时，气体流发生偏倚。即，当使用上述的压力控制阀26进行压力控制时，需要能够控制性很好地对作为处理压力的控制目标压力附近的压力范围进行调整，因此，一般将处理时的阀开度的实用区域设定为5～40％左右。控制阀的制造公司也将上述实用区域的阀开度作为使用推荐区域。
换言之，如果以在阀开度过小和过大的情况下进行处理压力的控制的方式设计，相对阀开度的变化量，排气传导率(conductance)的变化量过小或过大，难以稳定地进行压力控制。因此，在实际的处理装置中，通过在其阀开度为20％附近使用压力控制阀26，能够稳定地控制在处理时的控制目标压力附近，以此方式设计整个装置。
但是，在压力控制阀26的阀开度为20％左右那样小的情况下，如图12所示的阀口的平面图，阀体30将阀口28的大部分关闭，实际上作为通过气体的区域的开口区域M(在图12中用斜线表示)为月牙状，位于远远偏离载置台6的中心轴6A的位置上。
因此，如图11中的箭头34所示，从载置台6的周围流下的气体流量发生偏倚，结果不能从载置台6的周边部均等地排气，因此发生晶片处理面内均匀性降低的问题。随着晶片尺寸向300mm的大型化，处理容器4也大型化，因而排气口的尺寸增大，上述问题点变得更加显著。
本发明即是着眼于以上问题点，能够有效解决该问题所作出的发明。本发明的目的在于提供一种处理装置，该处理装置通过将设置在排气口的压力控制阀从载置台的中心轴偏心设置，在实用区域中使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。
本申请涉及的发明为一种处理装置，是在规定的处理压力下对被处理体实施规定的处理的单片式处理装置，其特征在于，包括：底部具有排气口的能够抽真空的处理容器、用于载置上述被处理体而设置在上述处理容器内的载置台、与上述排气口连接并能够通过滑动式的阀体改变阀口的开口区域面积的压力控制阀、和与上述压力控制阀连接的排气系统，在该处理装置中，偏心设置上述压力控制阀，使得上述载置台的中心轴位于由上述压力控制阀的阀开度的实用区域形成的上述开口区域内。
这样，由于以偏心设置上述压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内的方式构成，因此，通过将设置在排气口的压力控制阀从载置台的中心轴偏心设置，在实用区域中使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气，这样，就能够较高地维持对被处理体进行处理的面内均匀性。
此时，例如，上述排气口相对上述载置台的中心轴偏心设置。
另外，例如，上述阀开度的实用区域为5～40％的范围内。
另外，例如，上述载置台的中心轴位于由上述开口区域形成的平面的重心的移动轨迹上。
另外，例如，上述排气系统具有涡轮分子泵，上述涡轮分子泵与上述压力控制阀相连接。
另外，例如，上述阀体以直线状滑动移动。
另外，例如，上述阀体以曲线状能够摇动地滑动移动。
另外，例如，上述载置台从上述处理容器的侧壁利用支撑臂支撑。
另外，例如，上述载置台从上述处理容器的底部利用支撑脚支撑。
如果采用本发明涉及的处理装置，如下所述，能够发挥优异的作用效果。
由于以偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的上述开口区域的方式构成，因此通过将设置在排气口的压力控制阀从载置台的中心轴偏心设置，在实用区域中使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气，这样，就能够较高地维持对被处理体进行处理的面内均匀性。
附图说明
图1为表示本发明涉及的处理装置的一个例子的结构图。
图2为说明压力控制阀的阀开度的变化的说明图。
图3为表示由开口区域形成的平面的重心的移动轨迹的一个例子的平面图。
图4为表示在本发明的处理装置中的排气气体的流动的示意图。
图5为表示压力控制阀的阀开度和处理容器内的压力以及排气传导率的关系的一个例子的图。
图6为表示压力控制阀的变形例的截面图。
图7为说明图6所示的压力控制阀的阀开度变化的说明图。
图8为表示在阀开度5～40％的范围内，由开口区域形成的平面的重心的移动轨迹的平面图。
图9为表示真空泵的安装结构的变形例的图。
图10为表示载置台的安装结构的变形例的图。
图11为表示现有的一般的等离子体处理装置的概略结构图。
图12为表示压力控制阀的阀开度为20％左右时的状态的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明涉及的处理装置的一个实施例的方式进行说明。
图1为表示本发明涉及的处理装置的一个例子的结构图，图2为说明压力控制阀的阀开度的变化的说明图，图3为表示由开口区域形成的平面的重心的移动轨迹的一个例子的平面图，图4为表示在本发明的处理装置中的排气气体的流动的示意图，图5为表示压力控制阀的阀开度和处理容器内的压力以及排气传导率的关系的一个例子的图。在此，作为处理装置，以等离子体处理装置为例进行说明。
如图所示，作为处理装置的等离子体处理装置40，具有例如侧壁和底部由铝等导体构成，整体成形为筒体状的处理容器42，内部作为被密封的处理空间而构成，在该处理空间内形成等离子体。将该处理容器42本身接地。
在该处理容器42内收容有圆板状的载置台44，在该载置台44的上面载置有作为被处理体的例如半导体晶片W。该载置台44由例如氧化铝膜处理的铝等形成为平坦的大体圆板状，通过由例如铝等形成的弯曲成L字状的支撑臂46从容器侧壁支撑。
另外，在该处理容器42的侧壁上，设置有在相对于其内部搬入搬出晶片W时开闭的闸阀48。另外，在容器底部49上设置有排出容器内的气氛气体的排气口50。
处理容器42的顶部开口，由例如Al2O3等陶瓷材料、石英构成的对微波具有透过性的顶板52隔着O形圈等密封部件54密封设置在处理容器42的顶部。考虑到耐压性，该顶板52的厚度设定为例如20mm左右。
在该顶板52的上面设置有用于将等离子体散布在上述处理容器42内的等离子体形成单元56。具体而言，该等离子体形成单元56具有设置在上述顶板52上面的圆板状的平面天线部件58，在该平面天线部件58上设置有慢波结构60。该慢波结构60具有用于缩短微波的波长的高介电常数特性。上述平面电线部件58作为覆盖上述慢波结构60的上方整个面的由导电性的中空圆筒状容器构成的导波箱62的底板而构成，与上述处理容器42内的上述载置台44相向设置。
该导波箱62和平面电线部件58的周边部一起向处理容器42导通，并且该导波箱62的上部的中心与同轴导波管64的外管64A相连接，内部导体64B通过上述慢波结构60的中心的贯通孔与上述平面电线部件58的中心部相连接。该同轴导波管64隔着波型变换器66、导波管68和具有匹配功能的匹配盒(未图示)与例如2.45GHz的微波发生器70相连接，向上述平而电线部件58传送微波。
上述平面电线部件58由例如表面镀银的铜板或铝板构成，在该圆板上形成有由例如长槽状的贯通孔构成的多个微波放射孔72。该微波放射孔72的配置方式并没有特别的限定，可以配置成例如同心圆状、漩涡状或放射状。
另外，在上述载置台44的上方，设置有用于向该处理容器42内供给需要的处理气体的气体供给单元74。具体而言，该气体供给单元74具有喷头部78，该喷头部78的例如石英制的气体流路形成为格子状，在该气体流路的中途形成有多个气体喷射孔76。
另外，在上述载置台44上设置有在晶片W的搬出搬入时使其升降的多个，例如3根未图示的升降销。另外，上述载置台44的整体由耐热材料，例如氧化铝等陶瓷所构成。
另外，在该载置台44的上面侧设置有薄的静电卡盘80，在该静电卡盘80内部具有例如配置成网眼状的导体线，在该载置台44上，详细而言，载置在静电卡盘80上的晶片W能够通过静电吸附力被吸附。该静电卡盘80的上述导体线通过用于发挥上述静电吸附力的配线82与直流电源84相连接。另外，在该配线82上连接有用于向上述静电卡盘80的导体线施加例如13.56MHz的偏压用高频电力的偏压用高频电源86。
设置在该处理容器42的底部49的上述排气口50成形为圆形，将其从在垂直方向通过上述圆板状的载置台44的中心的中心轴44A偏心形成。控制上述处理容器42内的压力的压力控制阀88的气体入口侧直接与该排气口50连接，并且该压力控制阀88的气体出口侧与构成排气系统90的真空泵92直接连接。
具体而言，该处理容器42，在处理300mm尺寸的晶片W的大小的情况下，上述排气口50的直径设定为例如200～350mm左右。与该排气口50连接的上述压力控制阀88，例如由闸阀所形成，具有例如成形为较短的圆筒状的壳体94，和在其内部滑动移动的圆板状的阀体96。上述壳体94的气体入口侧凸缘94A隔着O形圈等密封部件97用图中未示的螺栓密封接合在上述排气口50上，另外，气体出口侧凸缘94B隔着O形圈等密封部件99用图中未示的螺栓密封接合在上述真空泵92上。
在该壳体94内，形成有与上述排气口50相同大小的圆形的阀口98，相对该阀口98，以能够沿相对于排气气体的流动方向垂直相交的方向滑动移动的方式设置上述圆形的阀体96。在上述壳体94的一侧设置有阀体收容空间100，使上述阀体96能够从阀口98侧转移。
另外，在阀口98的周边部的分隔壁上，设置有由O形圈等构成的密封部件102，在全闭时，该密封部件102与阀体96接触，使阀口96以完全密封的状态关闭。在壳体94的一侧设置有驱动器(actuator)104，该驱动器104用图中未示的动作杆与上述阀体96连接，如上所述使上述阀体96能够直线状滑动移动。该驱动器104通过例如由计算机等构成的控制部106控制，根据设置在上述处理容器42内的压力检测器108的检测值来控制上述压力控制阀88的阀开度。在图2中模式地表示阀开度为0％～100％的变化状态，具体而言，关于阀开度，图2(A)表示0％(全闭状态)，图2(B)表示5％，图2(C)表示40％，图2(D)表示100％(全开状态)。
在此，作为本发明的特征，偏心设置该压力控制阀88，使得上述载置台44的中心轴44A位于由上述压力控制阀88的阀开度的实用区域形成的开口区域M内。这里，所谓开口区域M，表示在阀口98中的排起气体实际的流动区域(参照图12)，图2表示平面观察阀口98的状态，开口区域M以斜线表示。因此，该开口区域M的面积根据阀开度而有多种改变。
另外，所谓阀开度的实用区域，如此前的说明，表示当使用该压力控制阀88控制处理容器42内的压力时，在作为处理压力的控制目标压力附近的压力范围能够控制性很好地进行调整的阀开度的范围，一般为阀制造公司出示的使用推荐区域。这里，阀开度的实用区域为例如5～40％的范围。因此，在对晶片进行处理时，从图2(B)所示的阀开度5％的开口区域M到图2(C)所示的阀开度40％的开口区域M的范围内使用。因此，将该压力控制阀88偏移安装，使得上述载置台44的中心轴44A位于图2(C)所示的阀开度为40％时的开口区域M内。
在图1中，圆形的阀口98的中心轴98A(与排气口50的中心轴一致)和载置台44的中心轴44A之间的距离H1为偏移量(偏心量)。
在图2中，“×”印表示阀口98的中心轴98A的位置，“·”印表示由开口区域M形成的平面的重心G的位置。为了将处理空间S的气氛气体从载置台44的周边部更均等地排出，可使上述载置台44的中心轴44A位于由上述开口区域M形成的平面的重心的移动轨迹上。
图3表示此时的上述重心G的变化状态，在图中，G(5)表示阀开度为5％时的重心，G(10)表示阀开度为10％时的重心，G(20)表示阀开度为20％时的重心，G(40)表示阀开度为40％时的重心。
这样，重心G随着阀开度的变化而直线状移动，由于阀开度的实用区域为5～40％，因此希望以使上述载置台44的中心轴44A位于连结重心G(5)～G(40)的直线上的方式安装。更希望的是，由于在实际的晶片处理时，在阀开度为10～20％左右的范围内进行成膜处理和蚀刻处理等，因此可以以使上述中心轴44A位于连结重心G(10)～G(20)的直线上的方式安装。
回到图1，在排气系统90中使用的真空泵92，例如，能够使用能够得到高真空的涡轮分子泵，通过与该真空泵92连接的排气管110将气体排出。另外，在该排气管110的下游，设有能够与图中未示的大范围的压力区域相对的主真空泵、除害装置等。
通过例如由微机等构成的控制单元112对该等离子体处理装置40的整体的动作进行控制，进行该动作的计算机程序存储在软盘、CD(Compact Disc：光盘)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)和闪存等存储介质114中。具体而言，根据来自该控制单元112的指令，进行各处理气体的供给和流量控制、微波和高频的供给和电力控制、处理温度和处理压力的控制等。
下面，对使用如上构成的等离子体处理装置40进行的处理方法进行说明。
首先，利用搬送臂(图中未示)通过闸阀48将半导体晶片W收容在处理容器42内，通过上下移动图中未示的升降销，将晶片W载置在载置台44的上面的载置面上，然后，通过静电卡盘80静电吸附该晶片W。
在设有加热单元的情况下，通过该加热单元将该晶片W维持在规定的处理温度，将需要的处理气体，例如在进行蚀刻处理时的蚀刻气体、在进行等离子体CVD时的成膜用气体以规定的流量流动，从由喷头部78构成的气体供给单元74向处理容器42内供给，与此同时，驱动排气系统90的真空泵92，控制压力控制阀88，使处理空间42内维持在规定的处理压力。与此同时，通过驱动等离子体形成单元56的微波发生器70，将通过该微波发生器70发生的微波通过导波管68和同轴导波管64向平面天线部件58供给，将利用慢波结构60缩短波长的微波导入处理空间S，由此在处理空间S内发生等离子体，进行规定的使用等离子体的蚀刻处理。
这样，从平面天线部件58向处理容器42内导入微波，通过该微波将各气体等离子体化而使其具有活性，利用此时发生的活性种在晶片W的表面实施蚀刻处理、成膜处理等的等离子体处理。另外，在进行等离子体处理时，从偏压用高频电源86向静电卡盘80中的导体线施加偏压用高频，由此，相对晶片表面直进性良好地引入活性种等。
在上述的等离子体处理中，如上所述，驱动排气系统90的真空泵92，将处理容器42内的气氛气体抽真空，从处理空间S扩散，并向载置台44的周边部的下方流动，再通过压力控制阀88的阀口98的开口区域M(图2中以斜线表示的部分)，从排气口50流向例如由涡轮分子泵构成的真空泵92侧。用压力检测器108检测出处理容器42内的压力，驱动驱动器104调整阀体96的阀开度，维持在希望的处理压力，以这样的方式反馈控制阀控制部106。
在此，上述处理压力以根据处理的方式而处于多种压力范围内的方式设定，例如，在进行等离子体蚀刻处理时，将其设定在0.5～3Pa左右的范围内，在进行等离子体CVD处理时，将其设定在5～500Pa左右的范围内。在任何情况下，在此，阀开度的实用区域在例如由阀开度为5～40％的范围形成的开口区域M(图2(C)中的斜线部分)内，优选为相对中心轴44A偏心安装压力控制阀88，使得上述载置台44的中心轴44A位于连结图3中的重心G(10)～G(20)的移动轨迹上，因此，如图4所示，上述开口区域M的面积中心大致位于载置台44的中心部的正下面。结果，如图4中的箭头116所示，处理容器42内的处理空间S的气氛气体被均等地吸引到载置台44的周边部，因此能够使其均等地分散在该周边部而向下流动。因此，能够防止处理空间S中的气体流动发生如在现有技术装置中所发生的偏流，从而能够较高地维持晶片W处理的面内均匀性。
在此，参照图5对由闸阀构成的压力控制阀88的实际的特性的一个例子进行说明。图5(A)表示阀开度和处理容器内的压力的关系，图5(B)表示阀开度和排气传导率的关系。在此，以25sccm的流量供给N2气体，并且使用涡轮分子泵作为真空泵92(泵能力：800升/sec，最低排气传导率：5.0升/sec)。
如图5(A)所示，阀开度为0～20％左右的范围内，相对于阀开度的变化，容器内压力变化也很大，因此在该阀开度范围内比较易于进行压力控制。而阀开度为20～40％左右的范围内，相对于阀开度的变化，容器内压力变化急剧地减少，特别是阀开度增大至超过40％时，容器内压力几乎不发生变化而处于饱和状态，在该阀开度区域内几乎不能控制容器内压力。另外，如图5(B)所示，随着阀开度的增大，排气传导率呈指数函数地增大。
因此，根据图5(A)所示的特性，该压力控制阀的阀开度的实用区域为5～40％左右的范围内，优选为10～20％左右的范围内。此外，此时，压力控制阀的制造公司的阀开度使用推荐区域为5～40％。
这样，在本发明中，偏心设置压力控制阀44，使得载置台44的中心轴44A位于由压力控制阀88的阀开度的实用区域形成的开口区域M内，因此，通过将设置在排气口50的压力控制阀88从载置台44的中心轴44A偏心设置，能够在实用区域中使用阀开度时，使处理空间S的气氛气体均等地分散在载置台44的周围而进行排气，因此能较高地维持对晶片W进行处理的面内均匀性。
<压力控制阀的变形例>
接着，对滑动式的压力控制阀的变形例进行说明。
图6为表示压力控制阀的变形例的截面图，图7为说明图6所示的压力控制阀的阀开度的变化的说明图。图8为表示在阀开度为5～40％的范围内，由开口区域形成的平面的重心的移动轨迹的平面图。另外，与图1和图2所示的结构部分相同的结构部分标上相同的符号，并省略其说明。
图1和图2所示的压力控制阀88，以阀体96以直线状滑动移动的情况为例进行说明，但在这里，阀体以曲线状，例如以圆弧状，譬如能够在水平面内像振子那样摇动地滑动移动。具体而言，如图6和图7所示，在该压力控制阀120中，臂122从设置在壳体94内的阀体96的一侧延伸，该臂122的基端(rear anchor)部固定在安装在阀体收容空间100的分隔壁上的例如由旋转电动机构成的驱动器104的旋转轴104A上，通过来回旋转该旋转轴104A，使上述阀体96能够以曲线状，即，在这里，画成圆弧那样地移动。
另外，在上述旋转轴104A贯通壳体94的部分上，设有用于保持密封性的磁性流体密封件123。在分隔该阀口98的壳体94的内壁上，以相对上述阀体96的方向如箭头126所示能够滑动移动的方式设置有截面为L字状的环状的密封环124，在该密封环124和上述壳体94的内壁之间以及该密封环124相对阀体96的抵接面上，分别设置有由O形圈等构成的密封部件128和密封部件130。在该密封环124的一端，设置有根据来自阀控制部106(参照图1)侧的指示而动作的例如由气缸等构成的第2驱动器132，在阀完全关闭时，将上述密封环124压在上述阀体96侧，能够使阀开度设定为零。另外，在将阀打开时，首先，使该密封环124离开阀体96，然后根据阀开度控制阀体96的旋转角度。
在此，在图7中，图7(A)表示阀开度为5％的情况，图7(B)表示阀开度为40％的情况，图7(C)表示阀开度为100％的情况。在该情况下，也将压力控制阀120偏心设置，使得载置台44的中心轴44A通过的位置位于阀开度为40％时的开口区域M(图7(B))的范围内。
进而，在该情况下，由开口区域M形成的平面的重心的移动轨迹为曲线状，即大致圆弧状。因此，更优选为，如图8所示，设定载置台44的中心轴44A，使其位于在阀开度为5％时的重心G(5)和40％时的重心G(40)之间形成的移动轨迹上。
另外，在以上的实施例中，以排气系统90的真空泵92直接与上述压力控制阀88连接的情况为例进行说明，但并不限于此，如图9所示的真空泵的安装结构的变形例所示，也可以将排气系统90的排气管110直接安装连接在上述压力控制阀88上，并且在该排气管110的中途设有真空泵92。
进而，在这里以用L字状的支持臂46将载置台44支撑在处理容器42的侧壁的情况为例进行说明，但并不限于此，如图10所示的载置台的安装结构的变形例所示，也可以利用呈扩展状态的多个支撑脚140将载置台44支撑在容器底部49上。
另外，关于在容器底部49形成的排气口50，只要处于能够从处理容器42内完全面对压力控制阀88的阀口98的状态，则不论该排气口50的大小和位置。
另外，在这里，作为单片式处理装置，以等离子体处理装置为例进行说明，但与等离子体没有关系，只要是在容器底部设置有排气口的处理装置，则与成膜处理、蚀刻处理、溅射处理、氧化扩散处理、改性处理等处理方式无关，能够适用于所有的处理装置。
另外，在这里，作为被处理体，以半导体晶片为例进行说明，但并不限于此，本发明也能够适用于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。

Claims (7)

1.一种处理装置，是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，其特征在于，包括：
在底部具有排气口的能够抽真空的处理容器；
用于载置所述被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；
连接所述排气口，并且能够通过滑动式的阀体改变阀口的开口区域面积的压力控制阀；和
与所述压力控制阀连接的排气系统，
偏心设置所述压力控制阀，使得所述载置台的中心轴位于由所述压力控制阀的阀开度为5～40％的范围内的实用区域形成的所述开口区域内。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述载置台的中心轴位于由所述开口区域形成的平面的重心的移动轨迹上。
3.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述排气系统具有涡轮分子泵，所述涡轮分子泵与所述压力控制阀相连接。
4.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述阀体以直线状滑动移动。
5.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述阀体以曲线状能够摇动地滑动移动。
6.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述载置台从所述处理容器的侧壁利用支撑臂支撑。
7.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述载置台从所述处理容器的底部利用支撑脚支撑。
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