JP2007214229A - 磁気記憶装置、磁気記憶装置の製造方法および半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】参照層21、トンネルバリア層22および記録層23が順に積層されたもので、電流によるスピン注入磁化反転で前記記録層23に情報が書き込まれ、電流によって前記記録層23に書き込まれた情報が読み出される磁気トンネル接合素子20を備えた磁気記憶装置1において、前記磁気トンネル接合素子20は、選択トランジスタに接続されたプラグ31上に配置され、前記磁気トンネル接合素子20の記録層23側部を被覆するサイドウォール絶縁膜24が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 参照層、トンネルバリア層および記録層が順に積層されたもので、電流によるスピン注入磁化反転で前記記録層に情報が書き込まれ、電流によって前記記録層に書き込まれた情報が読み出される磁気トンネル接合素子を備えた磁気記憶装置において、
前記磁気トンネル接合素子は、選択トランジスタに接続されたプラグ上に配置され、
前記磁気トンネル接合素子の記録層側部を被覆するサイドウォール絶縁膜が形成されている
ことを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記サイドウォール絶縁膜により大きさが規定される前記トンネルバリア層から下層の磁性層を含む膜が前記プラグと前記磁気トンネル接合素子とを接続する配線となる
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記憶装置。 - 前記サイドウォール絶縁膜の膜厚は、前記磁気トンネル接合素子と前記プラグとの合わせズレ量に合わせズレ余裕を加算した値の膜厚、および前記記録層を保護する膜厚のうち、厚い膜厚が選択されている
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記憶装置。 - 参照層、トンネルバリア層および記録層が順に積層されたもので、電流によるスピン注入磁化反転で記録層(磁化自由層)に情報が書き込まれ、電流によって記録層(磁化自由層)に書き込まれた情報が読み出される磁気トンネル接合素子を備えた磁気記憶装置の製造方法において、
前記磁気トンネル接合素子は、
選択トランジスタに接続されたプラグ上に、参照層、トンネルバリア層、記録層の各形成層を順に積層する工程と、
前記記録層形成層を加工して磁気トンネル接合素子の記録層に形成する工程と、
前記記録層の側部を被覆するサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜をマスクにして前記トンネルバリア層形成層および参照層形成層を加工して磁気トンネル接合素子のトンネルバリア層および参照層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。 - 磁気記憶装置を搭載した半導体集積回路装置において、
前記磁気記憶装置は、
参照層、トンネルバリア層および記録層が順に積層されたもので、電流によるスピン注入磁化反転で記録層に情報が書き込まれ、電流によって記録層に書き込まれた情報が読み出される磁気トンネル接合素子を備えた磁気記憶装置であって、
前記磁気トンネル接合素子は、選択トランジスタに接続されたプラグ上に配置され、
前記磁気トンネル接合素子の記録層側部を被覆するサイドウォール絶縁膜が形成されている
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006030577A JP5007509B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | 磁気記憶装置の製造方法 |
US11/700,205 US7897950B2 (en) | 2006-02-08 | 2007-01-31 | Magnetic memory, a method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006030577A JP5007509B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | 磁気記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007214229A true JP2007214229A (ja) | 2007-08-23 |
JP5007509B2 JP5007509B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=38333185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006030577A Expired - Fee Related JP5007509B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-02-08 | 磁気記憶装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7897950B2 (ja) |
JP (1) | JP5007509B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070181964A1 (en) | 2007-08-09 |
JP5007509B2 (ja) | 2012-08-22 |
US7897950B2 (en) | 2011-03-01 |
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