情報通信機器、特に携帯端末などの個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これを構成するメモリ素子やロジック素子などは、高集積化、高速化、低電力化など、一層の高性能化が要求されている。特に不揮発性メモリはユビキタス時代に必要不可欠だと考えられている。電源の消耗やトラブル、サーバーとネットワークが何らかの障害により切断された場合でも、不揮発性メモリは個人の重要な情報を保護できる。また、最近の携帯機器は不要の回路ブロックをスタンバイ状態にしてできるだけ消費電力を抑えるよう設計されているが、高速のワークメモリと大容量ストレージメモリを兼ねることができる不揮発性メモリが実現できれば消費電力とメモリの無駄を無くすことができる。また電源を入れると瞬時に起動できる「インスタント・オン」機能も高速の大容量不揮発性メモリが実現できれば可能になってくる。
不揮発性メモリとしては、半導体を用いたフラッシュメモリや、強誘電体を用いたFRAM(Ferro electric Random Access Memory)などが挙げられる。しかしながら、フラッシュメモリは、書き込み速度がμ秒のオーダーと遅いという欠点がある。一方、FRAMは、書き換え可能回数が1テラ(T)回〜100テラ(T)回で完全にSRAM、DRAMを置き換えるには耐久性が低いという問題点があり、また強誘電体キャパシタの微細加工が難しいという問題点が指摘されている。
これらの欠点を有さない不揮発性メモリとして注目されているのが、MRAMとよばれる磁気メモリである。この磁気メモリは、近年のTMR(Tunnel Magnetoresistance)材料の特性向上により、注目を集めるようになってきている(例えば、非特許文献1参照。)。
MRAMは、構造が単純であるため高集積化が容易であり、また磁気モーメントの回転により記録を行うために書き換え可能回数が大である。またアクセス時間についても非常に高速であることが予想され、既に100MHzで動作可能であることが報告されている(例えば、非特許文献2参照。)。
ここで、一般的なMRAMの構成を図23の模式的斜視図によって説明する。
図23に示すように、シリコン基板等からなる半導体基体110には素子分離層102が形成され、この素子分離層102により分離された領域に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタが形成されている。すなわち、半導体基体110上にゲート絶縁膜(図示せず)を介してゲート電極101が形成され、そのゲート電極101の一方側に半導体基体110にドレイン領域108が形成され、他方側に半導体基体110にソース領域107が形成されている。また、ゲート電極101の上方には、ゲート電極のゲート幅方向に延びるワード線105が設けられている。上記ドレイン領域108は、二つの選択用トランジスタの共通にドレインとなっている。このドレイン領域108には、配線109が接続されている。
上記ワード線105の上方にはこのワード線105と交差するようにビット線106が形成されている。このワード線105とビット線106との間には、ビット線106に接続されるもので、磁化の向きが反転する記録層を有する磁気記憶素子103が配置されている。この磁気記憶素子103は、例えば磁気トンネル接合素子(MTJ素子)により構成されている。さらに、磁気記憶素子103の下部側には、上記ビット線106と平行に配設されたバイパス線111の一端が接続され、このバイパス線111の他端側はコンタクト104を介して上記ソース領域107に電気的に接続されている。
上記MRAMでは、ワード線105およびビット線106にそれぞれ電流を流すことにより、電流磁界を磁気記憶素子103に印加し、これにより磁気記憶素子103の記録層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うことができる。そして、MRAM等の磁気メモリにおいて、記録した情報を安定に保持するためには、情報を記録する磁性層(記録層)が、一定の保磁力を有していることが必要である。一方、記録された情報を書き換えるためには、アドレス配線にある程度の電流を流さなければならない。
ところが、MRAMを構成する素子の微細化に従い、アドレス配線も細くなるため、充分な電流が流せなくなってくる。そこで、より少ない電流で磁化反転が可能な構成として、スピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリが注目されている(例えば、特許文献1参照。)。
スピン注入による磁化反転とは、磁性体の中を通過してスピン偏極した電子を、他の磁性体に注入することにより、他の磁性体において磁化反転を起こさせるものである。例えば、巨大磁気抵抗効果素子(GMR素子)や磁気トンネル接合素子(MTJ素子)に対して、その膜面に垂直な方向に電流を流すことにより、これらの素子の少なくとも一部の磁性層の磁化の向きを反転させることができる。そして、スピン注入による磁化反転は、素子が微細化されても、電流を増やさずに磁化反転を実現することができる利点を有している。
図24は、右縦軸にスピンRAM(SpRAM)のセルサイズ(F2)、左縦軸に書き込み電流、横軸にMTJ素子の短辺サイズを採ったものである。図24に示すように、スピンRAMは、MTJ素子サイズの縮小化にともない書き込み電流も少なくなるという特徴を有している。しかも、書き込み電流は、混載DRAMと同程度のセルサイズで、書き込み電流が100μAと少なくなっている。一方従来型のMRAMは、MTJ素子サイズの縮小化にともない書き込み電流が大幅に増加するようになるという特徴を有している。しかも、6トランジスタ型のSRAM(6TSRAM)と同程度のセルサイズのとき、書き込み電流が1mA程度となっている。
上述したスピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置を図25の模式的斜視図および図26は模式的断面図によって説明する。
図25および図26に示すように、シリコン基板等からなる半導体基体160には素子分離層152が形成され、この素子分離層152により分離された領域に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタが形成されている。すなわち、半導体基体160上にゲート絶縁膜(図示せず)を介してゲート電極151が形成され、そのゲート電極151の一方側に半導体基体160にドレイン領域158が形成され、他方側に半導体基体160にソース領域157が形成されている。このゲート電極151はワード線も兼ねる。また上記ドレイン領域158は、二つの選択用トランジスタの共通にドレインとなっている。このドレイン領域158には、コンタクト154cを介して配線159が接続されている。
上記ゲート電極(ワード線)151の上方にはこのゲート電極151と交差するようにビット線156が形成されている。上記ソース領域157とビット線156との間には、コンタクト154aを介してソース領域157に接続するとともに、コンタクト154bを介してビット線156に接続されるもので、スピン注入により磁化の向きが反転する記録層を有する磁気記憶素子153が配置されている。この磁気記憶素子153は、例えば磁気トンネル接合素子(MTJ素子)により構成されている。
図26に示すように、上記磁気記憶素子153は、例えば、トンネル絶縁層を挟むように磁性層161および磁性層162が形成されており、この2層の磁性層161、162のうち、一方の磁性層を磁化の向きが固定された磁化固定層として、他方の磁性層を磁化の向きが変化する磁化自由層、すなわち記録層としている。
また、磁気記憶素子153は、ビット線156およびソース領域157にコンタクト154a、154bを介して接続されていることから、磁気記憶素子153に電流を流して、スピン注入により記録層の磁化の向きを反転させることができる。このようなスピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリの場合、前記図23に示した一般的なMRAMと比較して、デバイス構造を単純化することができるという特徴も有している。また、スピン注入による磁化反転を利用することにより、外部磁界により磁化反転を行う一般的なMRAMと比較して、素子の微細化が進んでも、書き込み電流が増大しないという利点がある。
以上のように、不揮発性メモリの一つとして注目されているMRAMは、磁化反転の方式を、磁場反転型からスピン注入反転に変えることで、より一段の素子の微細化が可能となる。一方で、微細化により、配線およびビア(Via)プロセスによるダメージ起因のバラツキ増加や歩留低下といった問題が顕在化するようになり、磁気記憶素子を形成した後の配線およびビアプロセスについては以前に増して注意が必要となる。
磁気記憶素子に与える主なプロセスダメージには、磁気記憶素子の形成後に、磁気記憶素子と周辺の回路を結ぶ配線(特にビット線)を形成するプロセスによるものである。例えば、配線およびビア加工後の残渣を除去するために行われる後処理洗浄の洗浄液や、CMPのスラリー液などの薬液による磁気記憶素子の浸食がある。この侵食状態を図27(a)の電子顕微鏡による平面写真、図27(b)、(c)の電子顕微鏡による断面写真によって説明する。
図27(a)、図27(b)、(c)に示すように、磁気記憶素子(例えばMTJ素子)上に接続されるビット線の配線溝を形成するエッチング後に行う残渣除去用の後処理洗浄によってスリットが発生していることから、MTJ素子部分まで薬液が浸透して浸食を発生させたことがわかる。この浸食は、MTJ素子の加工によって窒化チタン(TiN)ピラー(Pillar)に付着した材料や、ポリマー系材料から浸透し、最終的にMTJ素子へと及ぶ。
一方、配線が形成されるトレンチをエッチングにより形成した後、後処理洗浄を行わないと、図27(d)の電子顕微鏡写真に示すように、加工後の残留ガスの影響と思われる反応生成物(異物)が付着した状態のままとなり、良好なコンタクトが得られなくなる。
特開2003−17782号公報
Wang et al.,「Feasibility of Ultra-Debse Spin-Tunneling Random Access Memory」 IEEE Transactions on Magnetics,Vol.33 November 1997, p.4498-4512
R.Scheuerlein et al.,「A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell」 2000 IEEE International Solid-State Circuits Conferance Digest of Technical Papers,Feb.2000, p.128-129,
本発明の不揮発性磁気記憶装置に係る一実施の形態の第1例を、図1の概略構成断面図および図2のレイアウト平面図によって説明する。図1は、1選択素子と1MTJ素子(1T1J型)のMRAMのメモリセルの断面構造を示した図面である。また、図2は、図1に示したMRAMの書き込みワード線、磁気記憶素子、ビット線等のレイアウトを示し、半導体基板、センス線、選択トランジスタ等の図示は省略してある。
図1および図2に示すように、半導体基板10には、素子分離領域11に囲まれた活性領域内に選択用トランジスタ20が形成されている。この選択用トランジスタ20はMOS型FETで構成されていて、具体的には、上記半導体基板10上にゲート絶縁膜21を介して形成したゲート電極22と、このゲート電極23の両側の上記半導体基板11に形成した不純物層(ソース領域)23、不純物層(ドレイン領域)24とによって構成されている。そして、上記選択用トランジスタ20は第1層間絶縁膜41により被覆されている。この第1層間絶縁膜41表面は、例えば平坦化されている。さらに、第1層間絶縁膜41上には、第2層間絶縁膜42が形成されている。
上記一方の不純物層23には、上記第1層間絶縁膜41に形成されたプラグ71aが接続され、このプラグ71aには上記第1層間絶縁膜41上に形成されたランディングパッド部72が接続されている。上記選択用トランジスタ20の他方の不純物層24にはプラグ71sを介してセンス線15が形成されている。上記ランディングパッド部72と上記センス線15とは同一層で形成することができる。
さらに第1層間絶縁膜41上には、例えば複数層(例えば2層)に第2層間絶縁膜42が形成され、この第2層間絶縁膜42には、上記ランディングパッド部72に接続するビア73、ランディングパッド74、ビア75が形成されている。上記第2層間絶縁膜42上には、書き込みワード線12が配設され、また上記ビア75に接続するランディングパッド部76が形成されている。このランディングパッド部76と上記書き込みワード線12とは同一層で形成することができる。上記書き込みワード線12は、例えばアルミニウム銅合金、銅、銅合金等の配線材料で形成されている。
上記書き込みワード線12、ランディングパッド部76を被覆するように、上記第2層間絶縁膜42上に第3層間絶縁膜43が形成されている。この第3層間絶縁膜43には、上記ランディングパッド部76に接続するビア77が形成され、このビア77には、第3層間絶縁膜43上に形成された引き出し電極(バイパス線)37を介して磁気記憶素子(例えばMTJ素子)30が接続されている。したがって、この磁気記憶素子30は、上記書き込みワード線12上方の上記引き出し電極37上に形成されている。また、上記書き込みワード線12と上記磁気記憶素子30との間隔が所定の長さとなるように、上記書き込みワード線12上の第3層間絶縁膜43の膜厚が決定されている。
上記磁気記憶素子30は、例えば、下層より、反強磁性体層32と磁化固定層33とからなる第1強磁性体層31、トンネル絶縁層34、記録層(磁化自由層)35となる第2強磁性体層とで構成されているものであり、さらに記録層35上には導電性を有するキャップ層36が形成されている。
上記磁化固定層33は、合成反強磁性結合(SAF)を有する多層構造(例えば、強磁性体材料層/金属層/強磁性体材料層)とすることができ、より具体的には、下層から一例として、Co−Fe層、Ru層、Co−Fe層の3層構造を有する。この磁化固定層33は、反強磁性体層32との交換結合によって、磁化の方向がピニング(pinning)される。
また、上記記録層35は、外部印加磁場によって、その磁化の方向が磁化固定層33に対して平行又は反平行に変えられる。
また、上記磁化固定層33、磁化自由層である記録層35は単層であっても、合成反強磁性結合(SAF:Synthetic Anti-ferromagnet)を持つ多層膜であっても良い。また、上記キャップ層36は、MTJ素子の記録層35を構成する原子とMTJ素子を接続するビット線13を構成する原子の相互拡散防止、接触抵抗の低減および記録層35の酸化防止という役割がある。したがって、例えば、銅(Cu)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、窒化チタン(TiN)、窒化タンタル(TaN)、窒化タングステン(WN)等で形成されている。さらに、上記引き出し電極37は、反強磁性体層32で兼ねることもできる。
また、上記第3層間絶縁膜43上には上記磁気記憶素子30の表面が露出するようにして上記磁気記憶素子30が埋め込まれるように第4層間絶縁膜44が形成されている。この第4層間絶縁膜44上には、上記磁気記憶素子30のキャップ層36上を被覆するように、上記磁気記憶素子30を保護するもので導電性を有する保護膜14が形成されている。この保護膜14は、少なくとも磁気記憶素子30の上面より大きく形成され、その上面を完全に被覆するように形成されている必要がある。
上記磁気記憶素子30は、その一方(例えば下方)側には上記したように引き出し電極37が接続され、他方(例えば上方)側には上記キャップ層36、保護膜14を介してビット線13が接続されている。このビット線13は、上記磁気記憶素子30を間にして上記書き込みワード線12に対して交差(例えば直交)するように配設されている。
次に、上記不揮発性磁気記憶装置1のアステロイド波形を図3に示す。図3に示すように、磁気記憶素子(MTJ素子)のアステロイド波形に乱れは生じず、均一な書込み動作が行えることがわかる。一方、保護膜14を形成しない不揮発性磁気記憶装置のアステロイド波形を図4に示す。図4に示すように、この不揮発性磁気記憶装置のアステロイド波形は大きな波形の乱れを起こし、均一な書込み動作が行えなくなっていることがわかる。
本願発明の不揮発性磁気記憶装置1では、磁気記憶素子30のセルアレイ部分に磁気記憶素子30上を被覆する保護膜14を有するため、洗浄工程、研磨工程等のウエット処理を含む工程が行われても、保護膜14によって処理液が磁気記憶素子30側に侵入できなくなっているので、ウエット処理の薬液により磁気記憶素子30が侵食を受けていないという利点がある。これによって、磁気記憶素子30を形成した後でもウエット処理ができるようになるので、エッチング生成物の除去等が行えるようになる。よって、磁気記憶素子30およびそれに接続される配線が信頼性の高いものとなり、素子性能の向上が図れる。
次に、本発明の不揮発性磁気記憶装置の製造方法に係る一実施の形態の第1例を、図5〜図15の製造工程断面図によって説明する。図5〜図15は、1選択素子と1MTJ素子(1T1J型)のMRAMのメモリセルの製造工程断面を示した図面である。
図5に示すように、半導体基板10に選択用トランジスタを形成する領域を区画する素子分離領域11を形成する。上記半導体基板10には、例えばシリコン基板を用い、上記素子分離領域11は例えばトレンチ素子分離技術、一例としてSTI(Shallow Trench Isolation)技術により形成する。なお、上記素子分離領域11は、LOCOS構造を有していてもよく、またLOCOS構造とトレンチ構造の組合せとしてもよい。
次に、上記半導体基板10表面にゲート絶縁膜21を形成する。このゲート絶縁膜21は、例えば、パイロジェニック法により半導体基板10の表面を酸化して形成する。次いで、不純物がドーピングされたゲート電極材料を上記ゲート絶縁膜21上に形成する。このゲート電極材料は、例えば化学的気相成長(CVD)法にて、ポリシリコンで形成する。その後、レジスト塗布、リソグラフィー技術によるレジストマスク(図示せず)の形成、そのレジストマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術によりゲート電極材料膜をパターニングして上記ゲート電極22を形成する。なお、上記ゲート電極22は、ポリサイドや金属シリサイドで構成することもできる。また、上記レジストマスクはエッチング後に除去される。
次に、イオン注入法により、上記半導体基板10にイオン注入を行い、LDD構造(図示せず)を形成する。次いで、上記ゲート電極22の側面にゲートサイドウォール(図示せず)を形成する。このゲートサイドウォールは、ゲート電極22を被覆するようにゲートサイドウォールを形成する絶縁膜を、例えばCVD法にて形成した後、その絶縁膜を全面にわたってエッチバックすることによって、ゲート電極13の側壁に絶縁膜を残すことで形成される。この絶縁膜には、例えば酸化シリコン(SiO2)膜を用いる。次いで、イオン注入法により、半導体基板10にイオン注入を施した後、イオン注入された不純物の活性化アニール処理を行うことによって、ゲート電極22の両側における半導体基板10に、ソース/ドレイン領域となる不純物層23、24を形成する。このようにして、選択用トランジスタ20を形成する。
次に、図6に示すように、上記選択用トランジスタ20を被覆するように、上記半導体基板10上に第1層間絶縁膜41を形成する。この第1層間絶縁膜41は、例えばCVD法により、酸化シリコン(SiO2)を堆積して形成される。その後、第1層間絶縁膜41の表面を平坦化する。この平坦化は、例えば化学的機械研磨(CMP)法により行う。次いで、通常に知られた接続孔の開口技術により上記不純物層23上の第1層間絶縁膜41に接続孔を形成した後、この接続孔内部を埋め込んでプラグ71sを形成する。同時に、上記不純物層24上の第1層間絶縁膜41に接続孔を形成した後、この接続孔内部を埋め込んでプラグ71aを形成する。そして上記第1層間絶縁膜41上に、センス線形成用の導電膜を成膜する。この導電膜は、例えば、不純物がドーピングされたポリシリコンで形成される。
次いで、通常に知られたパターニング技術によって、上記導電膜をパターニングすることで、第1層間絶縁層41上に、上記プラグ71sを介してソース/ドレイン領域となる不純物層23に接続されるセンス線15を形成する。同時に、上記導電膜を用いて上記プラグ71aに接続するランディングパッド72を形成する。
その後、上記センス線15、ランディングパッド72等を被覆するように、上記第1層間絶縁膜41上に第2層間絶縁膜42を形成する。この第2層間絶縁膜42は、例えばCVD法により、ホウ素リンシリケートガラス(BPSG)を堆積して形成される。その後、第2層間絶縁膜42の表面を平坦化する。この平坦化には、例えば900℃の窒素ガス雰囲気中で20分間、上層部分をリフローさせることで行う。さらには、必要に応じて、例えばCMP法により、第2層間絶縁膜42の頂面を研磨して平坦化してもよい。もしくは、レジストを用いたエッチバック法によって第2層間絶縁膜42を平坦化することもできる。
次に、図7に示すように、通常に知られた接続孔の開口技術により、上記不純物層24に接続するランディングパッド72上の第2層間絶縁膜42に接続孔を形成する。この接続孔を形成するエッチングは、例えば反応性イオンエッチング(RIE(Reactive Ion Etching)により行う。その後、この接続孔内部を埋め込むことでプラグ73を形成する。このプラグ73の形成は、例えばブランケットタングステンCVD法にて行う。そして、このプラグ73の頂面は上記第2層間絶縁膜42表面とほぼ同等な高さの面に形成される。なお、タングステンにて上記接続孔を埋め込む前に、チタン(Ti)膜および窒化チタン(TiN)膜を形成することが好ましい。この成膜方法としては、チタン(Ti)膜、窒化チタン(TiN)膜の順に、例えばマグネトロンスパッタリング法にて接続孔内面を含む第2層間絶縁層42上に形成することが好ましい。ここで、チタン(Ti)膜、窒化チタン(TiN)膜を形成する理由は、オーミックな低コンタクト抵抗を得ること、ブランケットタングステンCVD法における半導体基板10の損傷発生の防止、タングステンの密着性向上のためである。なお、図面においては、チタン(Ti)膜、窒化チタン(TiN)膜の図示は省略している。第2層間絶縁層42上のタングステン層、チタン(Ti)膜、窒化チタン(TiN)膜は、化学的/機械的研磨法(CMP法)にて除去してもよい。また、接続孔の埋め込み物質としては、タングステンの代わりに、不純物がドーピングされたポリシリコンを用いることもできる。
その後、第2層間絶縁層42上に、書き込みワード線およびランディングパッド部を形成するための導電膜を成膜した後、通常に知られたパターニング技術によって、この導電膜をパターニングして、書き込みワード線12およびランディングパッド部74を形成する。
次に、図8に示すように、上記書き込みワード線12およびランディングパッド部74を被覆するように、第2層間絶縁膜42上に第3層間絶縁膜43を形成する。この第3層間絶縁膜43は、例えば、高密度プラズマ(HDP:High Density Plasma)CVD法により、酸化シリコン(SiO2)を堆積して成膜する。その後、第3層間絶縁膜43の平坦化処理を行う。次いで、上記第3層間絶縁膜43のランディングパッド部74の上方部分に接続孔43hを形成する。
次に、図9に示すように、上記接続孔43hの内部に導電膜を埋め込むことでプラグ75を形成する。この導電膜の埋め込みには、例えば、ブランケットタングステンCVD法によってタングステンを埋め込む。
次に、第3層間絶縁層43上に引き出し電極形成膜81を成膜する。この引き出し電極形成膜81は、例えば、スパッタリング法によって、タンタル(Ta)膜を10nmの厚さに堆積して形成される。この成膜条件の一例としては、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を100cm3/minとし、成膜雰囲気の圧力を0.6Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを200Wに設定した。
次に、上記引き出し電極形成膜81上に反強磁性体層32を形成する。上記反強磁性体層32は、例えば白金−マンガン(Pt−Mn)合金で20nmの厚さに形成される。
さらに、図10に示すように、上記反強磁性体層32上に磁化固定層33を形成する。この磁化固定層33は、剛性反強磁性結合(SAF)を有するものいで、下層から、2nmの厚さのコバルト−鉄(Co−Fe)層、1nmの厚さのルテニウム(Ru)層、2nmの厚さのコバルト−鉄(Co−Fe)層の3層構造を有する。このようにして、反強磁性体層32と磁化固定層33とからなる第1強磁性体層31を形成する。
さらに、トンネル絶縁膜34、記録層(第2強磁性体層)35、キャップ層36を順次、成膜する。上記トンネル絶縁膜34は、例えば酸化アルミニウム(AlOX)で形成される。上記記録層(磁化自由層ともいう)35は、例えばコバルト−鉄(Co−Fe)合金、ニッケル−鉄(Ni−Fe)合金で形成される。
上記反強磁性体層32から上記キャップ層36までの成膜条件の一例を以下に説明する。
厚さ20nmのPt−Mn合金から成る反強磁性体層32の成膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を100cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.6Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを200Wに設定する。
上記磁化固定層33の成膜条件の一例としては、まず、最下層の厚さ2nmのCo−Fe合金層の成膜条件は、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を50cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.3Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを100Wに設定する。上記中間層の厚さ1nmのRu層の成膜膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を50cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.3Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを50Wに設定する。最上層の厚さ2nmのCo−Fe合金層の成膜条件は、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を50cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.3Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを100Wに設定する。
上記AlOXから成るトンネル絶縁膜の成膜は、一例として、まず、厚さが1nm〜2nmのAl膜を成膜する。この成膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を50cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.3Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを50Wに設定する。次いで成膜したアルミニウム(Al)膜を酸化させる。この酸化条件の一例としては、酸化ガスに酸素を用い、その供給流量を10cm3/minに設定し、酸化雰囲気の圧力を0.3Paに設定する。
次に、厚さ5nmのCo−Fe合金から成る記録層35の成膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を50cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.3Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを200Wに設定する。
次に、厚さ100nmのTiNから成るキャップ層36の成膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を65cm3/minに設定し、成膜雰囲気の圧力を0.3Paに設定し、スパッタリング装置のDCパワーを10kWに設定する。
上記引き出し電極形成膜81からキャップ層36までの成膜は、各成膜毎に大気にさらされることなく、例えばin−situで行われることが好ましい。
次に、図11に示すように、キャップ層36上にエッチング用のハードマスク層50を形成する。このハードマスク層50は、下層から窒化シリコン(SiN)層51、酸化シリコン(SiO2)層52の2層構造を有する。なお、ハードマスク層50を構成するその他の材料として、炭化シリコン(SiC)、窒化酸化シリコン(SiON)等を挙げることができる。また上記ハードマスク層50は単層構成であってもよい。このハードマスク層50は、リソグラフィ工程における反射防止効果や、エッチング停止、金属拡散防止等の機能を兼ねて形成される場合もある。ここでは一例として、厚さ50nmの窒化シリコン(SiN)層51を、例えば平行平板型プラズマCVD装置を用いて成膜し、酸化シリコン(SiO2)層52を、例えばバイアス高密度プラズマCVD(HDP−CVD)装置を用いて成膜する。これらの成膜条件を以下に例示する。
上記SiN層51の成膜条件の一例としては、プロセスガスにモノシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)と窒素(N2)との混合ガスを用い、それぞれの供給流量を260cm3/min、100cm3/min、4000cm3/minとする。また、成膜雰囲気の圧力を565Paに設定する。
上記SiO2層52の成膜条件の一例としては、プロセスガスにモノシラン(SiH4)と酸素(O2)とアルゴン(Ar)との混合ガスを用い、それぞれの供給流量を60cm3/min、120cm3/min、130cm3/minとする。また成膜装置のRFパワーを、例えばトップで1.5kW、サイドで3kWに設定する。
次に、図12に示すように、上記ハードマスク層50上の全面にレジスト材料を塗布した後、リソグラフィ技術によって、トンネル磁気記憶素子を形成するためのマスクとなるレジストパターン53を形成する。
次に、図13に示すように、上記レジストパターン53をエッチングマスクとして用いた反応性イオンエッチング法によって、ハードマスク層40のSiO2層52をパターニングする。このときのエッチング条件を以下に例示する。
SiO2層52のエッチング条件の一例としては、エッチングガスにオクタフルオロシクロブタン(C4F8)と一酸化炭素(CO)とアルゴン(Ar)と酸素(O2)とを用い、それぞれの供給流量を、10cm3/min、50cm3/min、200cm3/min、4cm3/minに設定する。またエッチング装置のRFパワーを1kW、エッチング雰囲気の圧力を5Pa、基板温度を20℃に設定する。
その後、レジストパターン53を除去する。この除去方法は、例えば、酸素プラズマアッシング処理および有機洗浄処理による。次に、SiO2層52をマスクとして用いて、反応性イオンエッチング法によって、ハードマスク層50を構成するSiN層51をエッチングする。このときのエッチング条件を以下に例示する。
上記SiN層51のエッチング条件の一例としては、エッチングガスにトリフルオロメタン(CHF3)とアルゴン(Ar)と酸素(O2)とを用い、それぞれの供給流量を、20cm3/min、200cm3/min、20cm3/minに設定する。またエッチング装置のRFパワーを1kW、エッチング雰囲気の圧力を6Pa、基板温度を20℃に設定する。
次に、図14に示すように、ハードマスク層50をエッチングマスクとして用いて、キャップ層36および記録層35を反応性イオンエッチング法によってパターニングする。これらのエッチング条件を以下に例示する。
上記キャップ層36のエッチング条件の一例としては、エッチングガスに塩素(Cl2)と三塩化ホウ素(BCl3)と窒素(N2)とを用い、それぞれの供給流量を、60cm3/min、80cm3/min、10cm3/minに設定する。またエッチング装置のソースパワーを1kW、バイアスパワーを150W、エッチング雰囲気の圧力を1Paに設定する。
また記録層35のエッチング条件の一例としては、エッチングガスに塩素(Cl2)と酸素(O2)とアルゴン(Ar)とを用い、それぞれの供給流量を、50cm3/min、20cm3/min、20cm3/minに設定する。またエッチング装置のソースパワーを1kW、バイアスパワーを150W、エッチング雰囲気の圧力を1Paに設定する。
ここで、記録層35のエッチング工程では、トンネル絶縁膜34のエッチング中にエッチングが停止するように時間設定されている。なお、記録層35のエッチング工程において、トンネル絶縁膜34がエッチングされ、さらに、磁化固定層33の一部分までエッチングが進む場合であっても、エッチング生成物が記録層35およびトンネル絶縁膜34の側壁に堆積し、その結果、記録層35と磁化固定層33との間で電気的な短絡が発生するといった現象が生じることの無いようなエッチング条件設定を行う。その後、アッシング処理、水洗もしくは有機洗浄処理を行う。
上記キャップ層36および記録層35を反応性イオンエッチング法によってパターニングする代わりに、イオンミリング法(イオンビームエッチング法)に基づきパターニングすることもできる。その際、エッチング後、水洗もしくは有機系の洗浄液、エアロゾル等によって、側壁に堆積した堆積物、エッチングガス残り、パーティクル、エッチング残渣等を除去する。
次いで、エッチングにより磁化固定層33および反強磁性体層32のパターニングを行い、さらに、エッチングによってTa層からなる引き出し電極形成膜81をパターニングすることで、引き出し電極37を得る。こうして、強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層35を有する磁気記憶素子(トンネル磁気抵抗素子:MTJ素子)30を得ることができる。
次に、図15に示すように、上記磁気記憶素子30を被覆するように上記第3層間絶縁膜43上に第4層間絶縁膜44を形成する。上記第4層間絶縁膜44は、例えば、酸化シリコン(SiO2)を、例えばバイアス高密度プラズマCVD(HDP−CVD)装置を用いて成膜する。これらの成膜条件は、プロセスガスにモノシラン(SiH4)と酸素(O2)とアルゴン(Ar)との混合ガスを用い、それぞれの供給流量を60cm3/min、120cm3/min、130cm3/minとする。また成膜装置のRFパワーを、例えばトップで1.5kW、サイドで3kWに設定する。その後、第4層間絶縁膜44表面を平坦化する。この平坦化は、例えばCMPにより行う。そして、磁気記憶素子30表面(TiNからなるキャップ層36表面)を露出させる。
次に、上記第4層間絶縁膜44上に、保護膜14を形成する。この保護膜14は、後の配線形成工程、ビア形成工程等の後処理としての洗浄工程、化学的機械研磨工程等のいわゆるウエット処理を行った際に、そのウエット処理で用いる薬液に対して耐性を有する材料であればよく、例えば、チタン(Ti)膜と窒化チタン(TiN)膜との積層構造とし、例えばチタン(Ti)膜を5nmの厚さに成膜し、窒化チタン(TiN)膜を45nmの厚さに成膜して形成する。この成膜例では、チタン膜が下地に対する窒化チタン膜の密着層としての機能を有し、窒化チタン膜が保護膜の機能を有する。これらの成膜条件の一例を以下に例示する。
Ti膜の成膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンを用い、その供給流量を65cm3/minに設定する。また成膜雰囲気の圧力を0.5Pa、スパッタリング装置のDCパワーを1kWに設定する。また、TiN膜の成膜条件の一例としては、スパッタリング装置を用い、プロセスガスにアルゴンと窒素(N2)を用い、それぞれの供給流量を20cm3/minと90cm3/minとに設定する。また成膜雰囲気の圧力を0.6Pa、スパッタリング装置のDCパワーを3kWに設定する。
その後、通常のレジスト塗布、リソグラフィー技術によりレジストマスクを形成した後、このレジストマスクを用いて、例えば反応性イオンエッチング法によって、保護膜14を、上記磁気記憶素子30を被覆するように、例えば後に形成されるビット線13の形成領域に沿うようにパターニングする。したがって、保護膜14は、磁気記憶素子30よりも平面的にみて大きな面積を有している。上記エッチング条件を以下に例示する。
上記保護膜14のエッチング条件の一例としては、エッチングガスに塩素(Cl2)と三塩化ホウ素(BCl3)とを用い、それぞれの供給流量を、70cm3/minと40cm3/minに設定する。またエッチング装置のソースパワーを1.2kW、バイアスパワーを120W、エッチング雰囲気の圧力を1Paに設定する。
上記保護膜14としては、上記説明したチタン(Ti)膜と窒化チタン(TiN)膜との積層構造の他に、例えば、タンタル(Ta)膜と窒化タンタル(TaN)膜との積層構造、タングステン(W)膜と窒化タングステン(WN)膜との積層構造、上記チタン、タンタル以外の高融点金属膜とその窒化膜との積層構造、アルミニウム(Al)系金属材料、銅(Cu)系金属材料等、CMOSのBEOL(バックエンドオブライン)プロセスとの相性の良い材料を使用することが可能である。
次いで、上記保護膜14を被覆するように、上記第4層間絶縁膜44上にビット線を形成するための導電膜を成膜した後、通常のレジスト塗布、リソグラフィー技術によりビット線を形成するためのレジストからなるエッチングマスクを形成し、それを用いて上記導電膜をエッチング加工して、上記磁気記憶素子30の記録層35にキャップ層36、保護膜14を介して電気的に接続するビット線13を形成する。尚、上記ビット線13は、保護膜14を被覆する層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜にビット線が形成される配線溝を形成し、その配線溝に配線材料を埋め込むことで形成することもできる。このような溝配線技術は、上記センス線15、書き込みワード線12等にも適用することができる。
こうして、強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層35を有する磁気記憶素子(トンネル磁気抵抗素子:MTJ素子)30を備えた不揮発性磁気記憶装置1を得ることができる。
本発明の不揮発性磁気記憶装置の製造方法は、磁気記憶素子30を形成した後で磁気記憶素子30上に接続するビット線13を形成する前に、磁気記憶素子30のセルアレイ部分に磁気記憶素子30上を被覆する保護膜14を形成するため、洗浄工程、研磨工程等のウエット処理を含む工程を行っても、保護膜14によって処理液が磁気記憶素子30側に侵入できないので、ウエット処理の薬液により磁気記憶素子30が侵食を受けないという利点がある。特に、配線およびビアを加工した後の残差除去用の後処理洗浄に用いる洗浄液、化学的機械研磨時に用いる研磨スラリー液等による磁気記憶素子30への侵食を防止することができる。これによって、磁気記憶素子30上部に配線、Via等を形成する際に受けるプロセスダメージを低減させることができるので、磁気記憶素子30の信頼性が高いものとなり、素子性能の向上が図れるとともに、歩留りの向上が図れる。
次に、本発明の不揮発性磁気記憶装置に係る一実施の形態の第2例を、図16の概略構成断面図によって説明する。図16は、1選択素子と1MTJ素子(1T1J型)のMRAMのメモリセルの断面構造を示した図面である。
図16に示すように、メモリセル領域の半導体基板10には、前記図1によって説明したのと同様な構成の不揮発性磁気記憶装置1のメモリセルが構成されている。すなわち、素子分離領域11に囲まれた活性領域内に選択用トランジスタ20が形成されている。この選択用トランジスタ20はMOS型FETで構成されている。そして、上記選択用トランジスタ20は第1層間絶縁膜41により被覆されている。さらに、第1層間絶縁膜41上には、第2層間絶縁膜42、第3層間絶縁膜43が形成されている。
上記第3層間絶縁膜43上には引き出し電極37が形成され、この引き出し電極37上に磁気記憶素子30が形成されている。そして上記第1〜第3層間絶縁膜41〜43には、上記選択用トランジスタ20の不純物層23と後に説明する磁気記憶素子30に接続する引き出し電極とを接続するように、プラグ71a、ランディングパッド部72、ビア73、ランディングパッド74、ビア75、ランディングパッド部76、ビア77が形成されている。また上記選択用トランジスタ20の他方の不純物層24にはプラグ71sを介してセンス線15が形成されている。さらに第2層間絶縁膜42上には、書き込みワード線12が配設されている。
上記書き込みワード線12上方には第3層間絶縁膜43、引き出し電極37を介して、前記図1によって説明したのと同様なる磁気記憶素子(MTJ素子)30が形成されている。この磁気記憶素子30上には前記図1によって説明したのと同様なるキャップ層36が形成されている。また、上記書き込みワード線12と上記磁気記憶素子30との間隔が所定の長さとなるように、上記書き込みワード線12上の第3層間絶縁膜43の膜厚が決定されている。
上記第3層間絶縁膜43上には上記磁気記憶素子30表面(キャップ層36表面)が露出するようにして上記磁気記憶素子30が埋め込まれるように第4層間絶縁膜44が形成されている。この第4層間絶縁膜44は、メモリセル領域のみに形成されている。
上記第4層間絶縁膜44上には、上記磁気記憶素子30のキャップ層36上を被覆するように、上記磁気記憶素子30を保護するもので導電性を有する保護膜14が形成されている。この保護膜14は、少なくとも磁気記憶素子30の上面より大きく形成され、その上面を完全に被覆するように形成されている必要がある。
さらに、上記第4層間絶縁膜44上には、上記保護膜14を介して上記磁気記憶素子30のキャップ層36側に接続するビット線13が形成されている。このビット線13は、上記磁気記憶素子30を間にして上記書き込みワード線12に対して交差(例えば直交)するように配設されている。
一方、周辺回路領域の半導体基板10には、例えばMOS型FETで構成されたトランジスタ60が形成されている。そして、上記第1層間絶縁膜41、第2層間絶縁膜42、第3層間絶縁膜43は、例えば、上記トランジスタ60のソース/ドレインとなる不純物層63、64に接続されるプラグ71b、71c、プラグ71cに接続される配線65、また、別のプラグ71bに接続されるものでランディングパッド部とビアとで構成される接続部78が形成され、一方の接続部78に上記ビット線13が接続されている。また、他方の接続部78には別の配線(図示せず)が接続されている。さらに、第4層間絶縁膜44上にはビット線13を埋め込むように第5層間絶縁膜45が形成され、さらにビット線13を覆う第6層間絶縁膜46が形成されている。例えば、上記第3層間絶縁膜43〜第6層間絶縁膜46には、ランディングパッド部とビアとで構成される別の接続部79が形成され、その接続部79に接続する配線67が形成されている。
また、メモリセル領域の第6層間絶縁膜46にも配線68が形成されている。
上記メモリセル領域の構成および上記周辺回路領域の構成は一例であって、上記構成に限定されるものではない。したがって、配線、ビア、ランディングパッド部等の形成位置は、第1〜第3、第5〜第6層間絶縁膜41〜43、45〜46のいずれの位置でもよく、適宜必要に応じて形成することができる。また、各層間絶縁膜の層数も適宜選択されるもので、必要に応じて複数層に形成することができる。
上記説明したように、本願発明に係る第2例の不揮発性磁気記憶装置では、磁気記憶素子30が形成される第4層間絶縁膜44は、メモリセル領域のみに形成され、周辺回路領域には形成されていないことが特徴となっている。このように、磁気記憶素子が形成される層の層間絶縁膜(第4層間絶縁膜44)を周辺回路領域に形成しないことにより、言い換えれば、磁気記憶素子が形成される層の層間絶縁膜(第4層間絶縁膜44)はメモリセル領域のみに形成されることにより、周辺回路領域は、CMOSの配線・Viaプロセスのみとなり、シンプルな構造となる。したがって、CMOSの配線・Viaプロセスでモジュール化された低誘電率膜を使用することが容易になる。これによって、例えば、低誘電率膜を適用することが困難であったことによる、例えば信号遅延の問題を解決することができる。また、上記第1例で説明した不揮発性磁気記憶装置と同様なる作用、効果も得られる。
次に、比較例として、上記保護膜14を形成しない、従来の一般的なMRAMの断面構造図を、図17の概略構成断面図によって説明する。
図17に示すように、メモリセル領域におけるMRAMセルアレイ部分の磁気記憶素子30が形成される層間絶縁膜91(前記図16では第4層間絶縁膜44に相当)の層は、周辺回路領域では上下層間の配線92、ビア93等を接続するビア94が形成される程度であり、実質的にその層間絶縁膜91はMRAM専有となっている。そのため、周辺回路領域における絶縁層間膜91は、MRAMセルアレイ部分と同じになり、CMOSの配線・Viaプロセスでモジュール化された低誘電率膜が使用できない場合があるという不具合があった。
次に、本発明の不揮発性磁気記憶装置の製造方法に係る一実施の形態の第2例を、図18〜図22の製造工程断面図によって説明する。図18〜図22は、1選択素子と1MTJ素子(1T1J型)のMRAMのメモリセルの断面構造を示した図面である。
前記不揮発性磁気記憶装置の製造方法に係る一実施の形態の第1例で、図5〜図15により説明したのと同様な方法により、図18に示すように、メモリセル領域の半導体基板10に選択用トランジスタ20、センス線15、第1〜第3層間絶縁膜41〜43、書き込みワード線12、磁気記憶素子30、第4層間絶縁膜44、保護膜14等を形成する。それとともに、一部の図示はしないが、周辺回路領域の半導体基板10にトランジスタ等の素子、配線、接続部78等を形成する。
次に、図19に示すように、通常のレジスト塗布、リソグラフィー技術によりレジストマスクを形成した後、このレジストマスクを用いて、例えば反応性イオンエッチング法によって、保護膜14を、上記磁気記憶素子30を被覆するように、かつ後に形成されるビット線13の形成領域に沿うようにパターニングする。したがって、保護膜14は、磁気記憶素子30よりも平面的にみて大きな面積を有している。上記エッチング条件を以下に例示する。
上記保護膜14のエッチング条件の一例としては、エッチングガスに塩素(Cl2)と三塩化ホウ素(BCl3)とを用い、それぞれの供給流量を、70cm3/minと40cm3/minに設定する。またエッチング装置のソースパワーを1.2kW、バイアスパワーを120W、エッチング雰囲気の圧力を1Paに設定する。
上記保護膜14としては、上記説明したチタン(Ti)膜と窒化チタン(TiN)膜との積層構造の他に、例えば、タンタル(Ta)膜と窒化タンタル(TaN)膜との積層構造、タングステン(W)膜と窒化タングステン(WN)膜との積層構造、上記チタン、タンタル以外の高融点金属膜とその窒化膜との積層構造、アルミニウム(Al)系金属材料、銅(Cu)系金属材料等、CMOSのBEOL(バックエンドオブライン)プロセスとの相性の良い材料を使用することが可能である。
上記保護膜14をパターニングする際に、保護膜14の下層の第4層間絶縁膜44もパターニングする。すなわち、保護膜14下の第4層間絶縁膜44を残してその他の領域の第4層間絶縁膜44を除去する。この第4層間絶縁膜44のエッチング条件の一例としては、エッチングガスに塩素(Cl2)と三塩化ホウ素(BCl3)とを用い、それぞれの供給流量を、70cm3/minと40cm3/minに設定する。またエッチング装置のソースパワーを1.2kW、バイアスパワーを120W、エッチング雰囲気の圧力を1Paに設定する。したがって、上記保護膜14のエッチングと連続してエッチング加工を行うことができる。
なお、上記第4層間絶縁膜44の加工は、上記保護膜14をパターニングした後、上記保護膜14のエッチング加工とは別に、レジスト塗布、リソグラフィー技術によるレジストマスクの形成、このレジストマスクをエッチングマスクに用いたエッチング加工により行うこともできる。この場合、上記レジストマスクはメモリセル領域全域を覆うように形成すればよい。これによって、周辺回路領域の第4層間絶縁膜44は除去されることになる。このようにして、磁気記憶素子30が形成される第4層間絶縁膜44は、周辺回路領域から独立して形成されることになる。
次に、図20に示すように、上記保護膜14を被覆するように、上記第3層間絶縁膜43上にビット線を形成するための導電膜を成膜した後、通常のレジスト塗布、リソグラフィー技術によりビット線を形成するためのレジストからなるエッチングマスク(図示せず)を形成し、それを用いて上記導電膜をエッチング加工して、上記磁気記憶素子30の記録層35にキャップ層36、保護膜14を介して電気的に接続し、一端部は周辺回路領域に引き出されて例えば接続部78に接続し、上記書き込みワード線12に対して上記磁気記憶素子30を間にするようにして交差(例えば直交)するビット線13を形成する。
上記ビット線13の形成と同時に、例えば周辺辺回路領域において、上記第3層間絶縁膜43上に配線、ランディングパッド部等(図示せず)を形成する。
次に、図21に示すように、上記第4層間絶縁膜44、ビット線13等を埋め込むように、上記第3層間絶縁膜43上に第5層間絶縁膜45を形成する。そして、通常の配線形成技術によって、上記第3層間絶縁膜43上に形成した配線、ランディングパッド部等に接続するビア、配線、ランディングパッド部等(図示せず)を形成する。
次に、図22に示すように、上記第5層間絶縁膜45上に第6層間絶縁膜46を形成する。そして、通常の配線形成技術によって、上記第6層間絶縁膜46に、下層に形成された配線、ランディングパッド部等に接続するビア、配線67、68等(一部図示せず)を形成する。
上記説明したように、本願発明に係る第2例の不揮発性磁気記憶装置の製造方法では、磁気記憶素子30が形成される第4層間絶縁膜44をメモリセル領域のみに形成し、周辺回路領域には形成しないことが特徴となっている。このように、磁気記憶素子が形成される層の層間絶縁膜(第4層間絶縁膜44)を周辺回路領域に形成しないことにより、言い換えれば、磁気記憶素子が形成される層の層間絶縁膜(第4層間絶縁膜44)はメモリセル領域のみに形成することにより、周辺回路領域は、CMOSの配線・Viaプロセスのみとなり、シンプルな構造となる。したがって、CMOSの配線・Viaプロセスでモジュール化された低誘電率膜を使用することが容易になる。これによって、例えば、低誘電率膜を適用することが困難であったことによる、例えば信号遅延の問題を解決することができる。また、上記第1例で説明した不揮発性磁気記憶装置の製造方法と同様なる作用、効果も得られる。
本発明は、上記説明したように、ビット線形成時におけるウエット処理に対して、下層の磁気記憶素子を保護することを目的としたものであり、保護膜を形成したことに特徴を有するものである。したがって、本発明は、磁気抵抗変化型メモリ(Magneto-resistive Random Access Memory)、層変化型メモリ(Phase Change Memory)、抵抗変化型メモリ(Resistance Random Access Memory)などのEmerging Memory言われる、記憶素子及びこの記憶素子を備えたメモリに係わり、不揮発メモリに適用することができる。特に、MRAMについては、強磁性層の磁化状態を情報として記憶する記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層とから成り、電流磁場反転型MRAM(上下に配置した配線に電流を流すことで発生する磁場を利用して記憶層の磁化の向きを変化させる)、スピン注入磁場反転型MRAM(膜面に垂直に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより記憶層の磁化の向きを変化させる)に適用することができる。