JP2007194355A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置100の梁26には,噴射孔Aを有する横吹きガスノズル27と噴射孔Bを有する氷柱ガスノズル28とが多数固定されている。第1のガス供給部は,噴射孔Aから誘電体31近傍にアルゴンガスを噴射する。第2のガス供給部は,噴射孔Bから,ガスが過剰に解離されない位置にシランガスおよび水素ガスを噴射する。このようにして噴射された各ガスは,各誘電体パーツ31aを透過したマイクロ波によりプラズマ化される。氷柱ガスノズル28は基板G上へのプラズマの流れを妨げないように位置するため,イオン,電子は,氷柱ガスノズル28に衝突しにくくなる。この結果,氷柱ガスノズル28に堆積する反応生成物の量を抑えることができる。
【選択図】図3
Description
マイクロ波プラズマ処理装置100は,処理容器10と蓋体20とを備えている。処理容器10は,その上部が開口された有底立方体形状を有している。処理容器10と蓋体20とは,蓋体20(蓋本体21)の下面外周部と処理容器10の上面外周部との間に配設されたOリング32により密閉されていて,これにより,プラズマ処理を行う処理室Uが形成される。処理容器10および蓋体20は,たとえば,アルミニウム等の金属からなり,電気的に接地されている。
図2に示したように,誘電体31は,39枚の誘電体パーツ31aから構成されている。各誘電体パーツ31aはタイル状に形成され,13枚の誘電体パーツ31aが,1つのマイクロ波発生器40にY分岐管41を介して接続された2本の方形導波管33を跨ぐように,処理容器10の天井面にて3列に設けられている。
図3に示したように,横吹きガスノズル27および氷柱ガスノズル28は,梁26の下面にて互いに平行に梁26から垂れ下がる状態で梁26に固定されている。
つぎに,本実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置100を用いたアモルファスシリコン膜の形成について,図1および図3を参照しながら詳細に説明する。
一方,第2のガス供給部は,アルゴンガスがプラズマ着火した後,シランガス供給源43b4および水素ガス供給源43b8から第2の流路42bおよび第2のガス導入管29bを介して,梁26の所定位置に固定された複数の氷柱ガスノズル28(図2参照)にシランガスおよび水素ガスの混合ガス(第2の処理ガスに相当)を供給する。シランガスおよび水素ガスの混合ガスは,基板Gに略垂直な向き(下向き)に開口された噴射孔Bから下向きに噴射される。これにより,混合ガスは,アルゴンガスが吹き出される位置より下方であって,混合ガスが過剰に解離されない位置に噴射される。
このとき,各氷柱ガスノズル28の長手方向は,基板G上へのプラズマの流れに平行であり,その形状も棒状または板状の簡単な構造なため,基板G上へのプラズマの流れを妨にくい。また,氷柱ガスノズル28の取り付け位置も,処理容器10の天井部に設けられた梁26から氷柱状に下がった位置なので,生成された基板G上へのプラズマの流れを妨げにくい。
発明者は,上述した理由により生産性を高めることができる本実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置100を設計し,実際に,これを用いてアモルファスシリコンCVDプロセスを実行した。
図6に示した氷柱ガスノズル28は,ポーラス28P(多孔質体)とバルク28B(緻密質体)とから形成されている。具体的には,氷柱ガスノズル28のうち,第2のガス導入管29bと連結した配管部分は,バルク28Bから形成されていて,その内部には,ポーラス28Pが充填されている。また,氷柱ガスノズル28の下部では,バルク28Bからポーラス28Pが突出し,ポーラス28Pの一部が処理室Uに露出している。なお,梁26の下面であって,氷柱ガスノズル28の上部外周部には,Oリング52が装着され,これにより,処理室Uの気密性が保たれている。
また,図7に示した氷柱ガスノズル28では,その先端が球状に形成されていて,噴射孔Bが,球状の先端部28Sに放射状に設けられている。第2のガス供給部は,シランガスおよび水素ガスを各噴射孔Bから処理室U内に放射状に吹き出す。これにより,シランガスおよび水素ガスを広範囲に均一に供給することができる。
また,図8に示した氷柱ガスノズル28では,その先端が球状に形成されていて,かつ,球状に形成された先端部はポーラス28Pにより形成されている。これによれば,シランガスおよび水素ガスは,ポーラス28Pを通過して処理室U内に供給される。この結果,シランガスおよび水素ガスを,減速させながら広範囲に均一に供給することができる。
なお,一般的には,上段の噴射孔Aから噴射される処理ガス(第1の処理ガス)は,下段の(すなわち,噴射孔Aより下方に位置する)噴射孔Bから噴射される処理ガスよりも結合エネルギーが大きいガス(第2の処理ガス)であることが好ましい。
11 サセプタ
20 蓋体
21 蓋本体
26 梁
27 横吹きガスノズル
28 氷柱ガスノズル
28P ポーラス
28B バルク
29a 第1のガス導入管
29b 第2のガス導入管
30 スロットアンテナ
31 誘電体
31a 誘電体パーツ
32,52 Oリング
33 方形導波管
37 スロット
40 マイクロ波発生器
43 ガス供給源
43a4 アルゴンガス供給源
43b4 シランガス供給源
43b8 水素ガス供給源
100 マイクロ波プラズマ処理装置
U 処理室
G 基板
Claims (18)
- 導波管を伝播してスロットに通したマイクロ波を透過させる誘電体と,
前記誘電体を支持する梁の所定位置に設けられた第1の噴射孔を有する複数の第1のガス噴射部材と,
非処理体上へのプラズマの流れを妨げないように前記梁の所定位置に取り付けられ,第1の噴射孔より下方に位置する第2の噴射孔を有する複数の第2のガス噴射部材と,
前記各第1のガス噴射部材の第1の噴射孔から処理室内の所望の位置に第1の処理ガスを噴射する第1のガス供給部と,
前記各第2のガス噴射部材の第2の噴射孔から,第1の処理ガスが噴射された位置より下方の位置に第2の処理ガスを噴射する第2のガス供給部と,
前記マイクロ波により前記第1の処理ガスおよび前記第2の処理ガスをプラズマ化させて被処理体をプラズマ処理する処理室と,を備えるプラズマ処理装置。 - 前記各第1のガス噴射部材は,前記梁の外部に取り付けられるか,または,前記梁の内部に設けられる請求項1に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材は,金属により形成される請求項1または請求項2のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材は,棒状または板状に形成される請求項1〜3のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材は,互いに平行に前記梁から氷柱状に垂れ下がるように前記梁に固定される請求項1〜4のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材は,非処理体上にプラズマが拡散される際の障壁とならない位置に設けられる請求項1〜5のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材は,前記梁から突出した長手方向の長さが30mm以下である請求項1〜6のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2の噴射孔は,第2の処理ガスが過剰に解離されない位置に噴射されるように位置付けられる請求項1〜7のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第1の噴射孔は,前記誘電体近傍にて被処理体に水平な向きに開口している請求項1〜8のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第1の噴射孔は,前記誘電体近傍にて被処理体に垂直な向きに開口している請求項1〜8のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2の噴射孔は,被処理体に垂直な向きに開口している請求項1〜10のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材の一部は,多孔質体により形成され,
前記ガス供給部は,
前記処理ガスを前記各第2のガス噴射部材に形成された多孔質体に通すことにより,その多孔質体に設けられた複数の開口を上記第2の噴射孔として,前記複数の開口から前記処理ガスを前記処理室内に吹き出す請求項1〜11のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記多孔質体は,前記各第2のガス噴射部材の先端にて球状に形成される請求項12に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記各第2のガス噴射部材は,その先端が球状に形成され,
前記各第2の噴射孔は,前記先端の球状部分に放射状に設けられ,
前記ガス供給部は,
前記処理ガスを前記各第2の噴射孔から前記処理室内に放射状に吹き出す請求項1〜11のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記第1の処理ガスまたは前記第2の処理ガスの少なくともいずれかは,複数の処理ガスを混合した混合ガスであって,前記混合ガスが過剰反応する場合を除き,
前記第1の処理ガスは,前記第2の処理ガスよりも結合エネルギーが大きいガスである請求項1〜14のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記誘電体は,複数の誘電体パーツから構成され,
前記各誘電体パーツには,被処理体と対向する面にて凹部または凸部の少なくともいずれかが形成される請求項1〜15のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 導波管を伝播してスロットに通したマイクロ波を誘電体に透過させ,
前記誘電体を支持する梁の所定位置に取り付けられた複数の第1のガス噴射部材の第1の噴射孔から処理室内の所望の位置に第1の処理ガスを噴射し,
非処理体上へのプラズマの流れを妨げないように前記梁の所定位置に取り付けられた複数の第2のガス噴射部材の第2の噴射孔であって,第1の噴射孔より下方に位置する第2の噴射孔から第1の処理ガスが噴射された位置より下方の位置に第2の処理ガスを噴射し,
前記マイクロ波により前記噴射された第1の処理ガスと前記噴射された第2の処理ガスとをプラズマ化させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理方法。 - 金属により形成された前記第2のガス噴射部材に加わる熱を冷却水配管に供給された冷却水により冷却する請求項17に記載されたプラズマ処理方法。
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