JP4304280B2 - プラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法 - Google Patents
プラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4304280B2 JP4304280B2 JP2006328259A JP2006328259A JP4304280B2 JP 4304280 B2 JP4304280 B2 JP 4304280B2 JP 2006328259 A JP2006328259 A JP 2006328259A JP 2006328259 A JP2006328259 A JP 2006328259A JP 4304280 B2 JP4304280 B2 JP 4304280B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- hollow
- discharge
- hole
- dielectric plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Description
また、同じ電子温度であってもその中には様々エネルギーの電子が分布しており、高エネルギー電子(>10 eV程度)が多いほどダメージが増えることが知られている。そこで低電子温度化と高エネルギー電子の抑制のため、放電ガスの圧力を上げて電子・分子衝突を頻繁に起こし、電子のエネルギー損失を増やすことが行われている(高圧力放電方式)。
一方、同じ圧力であってもマイクロ波放電の方が、容量結合型RF放電や誘導結合型RF放電よりも電子温度が低い(マイクロ波放電方式)。また、放電電極やアンテナから遠いほど電子温度が下がるので、プラズマ生成領域からできるだけ離れた位置に基板を置く方式(リモートプラズマ方式)が有効である。
一方、マイクロ波プラズマ方式では、スロットアンテナ板と誘電体板を積層して放電させる技術が、大面積・高密度プラズマ生成法として注目されている。この場合、誘電体版とプラズマの界面を伝わる表面波がプラズマ生成に重要な役割を果たしている。マイクロ波パワーが低いときは表面波がたたないのでプラズマ不均一となり、パワーをあげていくと表面波のモードが変るたびにプラズマ密度がジャンプしながら不連続的に増加するという問題があった。このプラズマの不均一と密度ジャンプの問題を解決するために、通常の表面がフラットな誘電体板のかわりに、線に沿う凹凸の周期構造をもつ誘電体板が提案され、その有効性が確認されている(特許文献1及び2参照)。
この線状凹凸表面は、プラズマの均一化・安定化に効果があるが、電子温度や高エネルギー電子については通常のフラットな誘電体板の場合と変らず、電子の低エネルギー化のための新技術が求められている。
前記誘電体板の放電容器側には、ホロー放電を起こすための、まばらに配置されたホロー状穴が複数設けられており、
上記ホロー放電は、前記ホロー状穴の周りにマイクロ波が集中し、マイクロ波が穴側面を伝わる表面波となり穴側面からパワーを供給する放電であり、
上記ホロー放電によってホロー状穴の中に濃いプラズマを作り、穴の外にプラズマが拡散して出てくるように構成されていることを特徴とする。
なお、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
図1に示されるプラズマ処理装置は、マイクロ波電源1から供給された電力により発生したマイクロ波をその内側22に沿って伝達させる導波管20と、この導波管20に連結されるとともに内部に収容した基板15等に対しマイクロ波により励起されたプラズマを用いて処理を行うための放電容器10とを備えている。
導波管20の放電容器10側には、スロットアンテナ板21が設けられている。また、スロットアンテナ板21には複数のスロットアンテナが形成されており、そのスロットアンテナを閉塞する誘電体板30が取り付けられている。誘電体板30は例えば石英ガラスから形成されている。なお、スロットアンテナ板と誘電体板とが積層したものを、ここでは誘電体部材という。
このようなプラズマ処理装置においては、次のようにしてプラズマ処理を行う。予め被処理物の基板15を処理台14の上に載置する。次に、排気ポート12から放電容器10内の空気を排気し、減圧する。また、ガス供給管13からガスを導入する。発振器により生成されたマイクロ波が導波管20から導入される。マイクロ波はマイクロ波透過窓のスロットアンテナから誘電体板30を透過して放電容器10内に導入される。
図3 (a)は、誘電体内のガス配管を通してホロー状穴のガス噴出口からガスを噴出す方法を示す。この場合、スロットアンテナ板とホロー誘電体板とが積層して形成され、ガス噴出口に繋がるガス配管が誘電体板の内部に配設されている。ガス配管内をプラズマ生成用原料ガスが供給されるので、各ホロー状穴に均等に供給される。
図3(b)は、スロットアンテナ板内のガス配管を通してホロー状穴に、プラズマ生成用原料ガスを噴出す方法を示す図である。この場合、スロットアンテナ板とホロー誘電体板とが積層して形成され、ガス噴出口に繋がるガス配管がスロットアンテナ板の内部に配設されている。ガス配管がスロットアンテナ板の内部に配設されている場合、スロットアンテナ板が金属からなり、ガス配管がマイクロ波電界に晒されないため、ガス配管内部での放電の危険性が低下する。なお、ガス配管がホロー誘電体板の内部に配設されている場合、ガス配管がスロットアンテナ板の内部に配設されている場合に比べて、板厚が厚いのでガス配管が容易になる。
このようにプラズマ生成用原料ガスが、ガス配管を介して供給される場合、図1に示すガス供給管13は、必要に応じて廃棄してもよい。図1に示す方法の場合、密度・温度が低い拡散プラズマを原料ガスが通過しながら分解されていくのに対し、図3に示す方法では、ホロー状穴に原料ガスが入射し、ホロー内の高密度プラズマを通過するので、高利率的に原料ガスを分解することになる。
以下、更に具体化した実施例1を説明する。
さらに、マイクロ波パワー1kW、圧力100mTorrにおいて誘電体板表面から2cm離れた位置でラングミュアプローブを用いて電子のエネルギー分布関数を測定して比較した。その結果、図8に示すように、フラット誘電体板(破線)に比べると、ホロー誘電体板の場合は12eV以上の高エネルギー電子がほとんど消滅している。一方、図9に示すように電子密度は、ホロー誘電体板の方がフラット誘電体板よりも低い値になっている。この違いは、フラット誘電体板ではその表面にそって波が伝わって板の外でプラズマを作るのに対して、ホロー誘電体板ではホロー状穴の中で濃いプラズマを作り、板の外に薄いプラズマが拡散して出てくるためである。
上述の実験から、図2(a)の通常のフラット誘電体板による放電と図2(b)のホロー誘電体板による放電を比較すると、ホロー状穴部の導入によって低電子温度化と高エネルギー電子の低減がはかれることがわかる。
このことから、ホロー状穴部の中に濃いプラズマが生成され、これらの局在プラズマ生成に高エネルギー電子が消費され、ホロー状穴部から流出して拡散によって基板に到達したプラズマは、通常のフラット誘電体板の場合に比べて、電子温度が低く、高エネルギー電子が少ないことがわかる。ホロー状穴部は、ホロー状穴部内部でプラズマを安定して生成できる程度の大きさを有している必要があり、ホロー状穴部の大きさが小さくなると、プラズマを安定して生成できなくなる。
以下、更に具体化した実施例2を説明する。
ガス導入は、通常のプラズマ内部でガスを噴出す方法とホロー状穴の内部からガスを噴出す方法を比較した。通常法では、プラズマ容器内に置いた2つのリング状配管からH2ガスとSiH4ガスを噴出した。この実験では、H2をz=1 cm、SiH4をz=2 cmの位置から噴出した。一方、ホロー状穴内から噴出す方法においては、図10に示すように、H2とSiH4を混合したガスを一つひとつのホロー状穴の奥の噴出口から噴出している。
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは勿論である。
Claims (6)
- マイクロ波導入手段に沿って伝搬するマイクロ波を、スロットアンテナ板と誘電体板とが積層して形成される誘電体部材を通して放電容器内部に導き、当該放電容器内部でプラズマを発生させるプラズマ生成装置において、
前記誘電体板の放電容器側には、ホロー放電を起こすための、まばらに配置されたホロー状穴が複数設けられており、
上記ホロー放電は、前記ホロー状穴の周りにマイクロ波が集中し、マイクロ波が穴側面を伝わる表面波となり穴側面からパワーを供給する放電であり、
上記ホロー放電によってホロー状穴の中に濃いプラズマが作られ、穴の外にプラズマが拡散して出てくるように構成されていることを特徴とするプラズマ生成装置。 - 上記ホロー状穴の内側には、プラズマ生成用原料ガスを噴出するガス噴出口が設けられていることを特徴とする請求項1に記載されたプラズマ生成装置。
- 前記誘電体部材は、スロットアンテナ板と誘電体板とが積層して形成され、前記ガス噴出口に繋がるガス配管が前記誘電体板の内部に配設されていることを特徴とする請求項2に記載されたプラズマ生成装置。
- 前記誘電体部材は、スロットアンテナ板と誘電体板とが積層して形成され、前記ガス噴出口に繋がるガス配管が前記スロットアンテナ板内部に配設されていることを特徴とする請求項2に記載されたプラズマ生成装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一に記載されたプラズマ生成装置を用いて、前記放電容器に配置される被処理物を、前記ホロー状穴がまばらに配置された誘電体部材を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一に記載されたプラズマ生成装置を用いて、前記放電容器に配置される被処理物にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006328259A JP4304280B2 (ja) | 2005-12-09 | 2006-12-05 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005380894 | 2005-12-09 | ||
JP2006328259A JP4304280B2 (ja) | 2005-12-09 | 2006-12-05 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007184259A JP2007184259A (ja) | 2007-07-19 |
JP4304280B2 true JP4304280B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=38340130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006328259A Active JP4304280B2 (ja) | 2005-12-09 | 2006-12-05 | プラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4304280B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029416A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
JP5527490B2 (ja) | 2011-11-11 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用誘電体窓、およびプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3123175B2 (ja) * | 1992-01-21 | 2001-01-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JPH0850997A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Minoru Sugawara | 高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置 |
JPH10172792A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003068716A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP3723783B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2005-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2004031509A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Ulvac Japan Ltd | マイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法及び装置 |
JP2004259663A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Shimadzu Corp | プラズマ処理装置 |
US7632379B2 (en) * | 2003-05-30 | 2009-12-15 | Toshio Goto | Plasma source and plasma processing apparatus |
JP2005072347A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Toshio Goto | 処理装置 |
JP2005260186A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
-
2006
- 2006-12-05 JP JP2006328259A patent/JP4304280B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007184259A (ja) | 2007-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5520455B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI643236B (zh) | Plasma processing device | |
JP4273932B2 (ja) | 表面波励起プラズマcvd装置 | |
JP4607073B2 (ja) | マイクロ波共鳴プラズマ発生装置、該装置を備えるプラズマ処理システム | |
JP5510437B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20130192759A1 (en) | Plasma processing device | |
US6417111B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
WO2000074127A1 (fr) | Dispositif de traitement au plasma | |
WO2007020810A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20090033852A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
TW201021629A (en) | Microwave plasma containment shield shaping | |
JP2007273636A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH10223607A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4304280B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法 | |
JP2011155308A (ja) | プラズマcvd装置及びプラズマcvd装置を用いたシリコン系膜の製造方法 | |
JP2011101064A (ja) | プラズマcvd装置及びプラズマcvd装置を用いたシリコン系膜の製造方法 | |
WO2014103604A1 (ja) | マイクロ波プラズマ生成装置 | |
JP2011109141A (ja) | プラズマcvd装置及びプラズマcvd装置を用いたシリコン系膜の製造方法 | |
JP2005223079A (ja) | 表面波励起プラズマcvd装置 | |
JP2011146745A (ja) | プラズマcvd装置及びプラズマcvd装置を用いたシリコン系膜の製造方法 | |
JP2005159049A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JP2009141116A (ja) | 成膜装置 | |
JP2011129954A (ja) | プラズマcvd装置及びプラズマcvd装置を用いたシリコン系膜の製造方法 | |
JP2006173372A (ja) | プラズマソース、これを備える表面波励起プラズマcvd装置および成膜方法 | |
JP2005123389A (ja) | プラズマ処理方法、プラズマ成膜方法、プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080826 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20080826 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20081015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090331 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4304280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |