JP2007180491A - 半導体素子のキャパシタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体素子のキャパシタの製造方法は、層間絶縁膜32、ストレージノードコンタクトプラグ33及びエッチング停止膜34を有する半導体基板31上に絶縁膜35を形成するステップと、ホール36を形成した後、絶縁膜35にメタルソースをフラッシングし、絶縁膜35の表面をメタル物質が吸着しやすい状態に変化させるステップと、フラッシングされた絶縁膜35上にメタル系のストレージノードを形成するステップと、メタル系のストレージノード上に誘電膜及びプレート電極を順次形成するステップとを含む。
【選択図】図3B
Description
12、32 層間絶縁膜
13、33 ストレージノードコンタクトプラグ
14、34 エッチング停止膜
15 ストレージノード酸化膜
16、36 ストレージノードホール
17 ストレージノード
35 第1ストレージノード酸化膜
35A 第2ストレージノード酸化膜
37 ストレージノード用導電層
37A ストレージノード
38 誘電膜
39 プレート電極
Claims (21)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜にメタルソースをフラッシングし、前記絶縁膜の表面をメタル物質が吸着しやすい状態に変化させるステップと、
フラッシングされた前記絶縁膜上にメタル系のストレージノードを形成するステップと、
メタル系の前記ストレージノード上に誘電膜及びプレート電極を順次形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタの製造方法。 - 前記ストレージノードを形成する前記ステップが、CVDまたはALDチャンバ内で行われ、
フラッシングする前記ステップが、前記ストレージノードを形成する前記ステップの前処理として行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。 - 前記フラッシングが、1〜500秒の間に連続的に、あるいは数秒ずつ複数回に分けて行われることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記フラッシングが、100〜500℃の温度で行われることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記メタルソースが、Ti、Ta、Nb、V、Zr、及びHfからなる群の中から選択されるメタルが含まれたメタル有機ソースを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記メタルソースが、TEMAT、TDEAT、TDMAT、TTIP、TBTEMT、PEMATa、PET、HfCl4、TiCl4、及びAlCl3からなる群の中から選択されるいずれか1つのソースを含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記メタルソースをフラッシングする前記ステップの前に、前記絶縁膜にホールを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- メタル系の前記ストレージノードが、凹形状、あるいはシリンダ形状を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- メタル系の前記ストレージノードが、Ru、Pt、及びIrからなる群の中から選択されるいずれか1つの金属を用いて形成されることを特徴とする請求項1または請求項8に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜が、親水性表面を有する酸化膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記プレート電極が、Ru、Pt、及びIrからなる群の中から選択されるいずれか1つの金属を用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 半導体基板上に親水性表面を有する絶縁膜を形成するステップと、
親水性表面を有する前記絶縁膜に対してメタルソースをフラッシングし、前記絶縁膜の表面をメタル物質が吸着しやすい状態に変化させるステップと、
フラッシングされた前記絶縁膜上にメタル系のストレージノードを形成するステップと、
メタル系の前記ストレージノード上に誘電膜及びプレート電極を順次形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタの製造方法。 - 前記ストレージノードを形成する前記ステップが、CVDまたはALDチャンバ内で行われ、
フラッシングする前記ステップが、メタル系の前記ストレージノードを形成する前記ステップの前処理として行われることを特徴とする請求項12に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。 - 前記フラッシングが、1〜500秒の間に連続的に、あるいは数秒ずつ複数回に分けて行われることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記フラッシングが、100〜500℃の温度で行われることを特徴とする請求項12〜請求項14のいずれか一項に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記メタルソースが、Ti、Ta、Nb、V、Zr、及びHfからなる群の中から選択されるメタルが含まれたメタル有機ソースを含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記メタルソースが、TEMAT、TDEAT、TDMAT、TTIP、TBTEMT、PEMATa、PET、HfCl4、TiCl4、及びAlCl3からなるソース群の中から選択されるいずれか1つのソースを含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記メタルソースをフラッシングする前記ステップの前に、前記絶縁膜にホールを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、酸化膜を備えることを特徴とする請求項18に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- メタル系の前記ストレージノードが、凹形状、あるいはシリンダ形状を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
- メタル系の前記ストレージノードが、Ru、Pt、及びIrからなる群の中から選択されるいずれか1つの金属を用いて形成されることを特徴とする請求項20に記載の半導体素子のキャパシタの製造方法。
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US8025922B2 (en) * | 2005-03-15 | 2011-09-27 | Asm International N.V. | Enhanced deposition of noble metals |
US20070014919A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | Jani Hamalainen | Atomic layer deposition of noble metal oxides |
KR100670747B1 (ko) | 2005-11-28 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 제조 방법 |
KR100902103B1 (ko) * | 2007-05-14 | 2009-06-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터의 제조 방법 및 상기 캐패시터를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
US20090087339A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Asm Japan K.K. | METHOD FOR FORMING RUTHENIUM COMPLEX FILM USING Beta-DIKETONE-COORDINATED RUTHENIUM PRECURSOR |
US7968452B2 (en) * | 2009-06-30 | 2011-06-28 | Intermolecular, Inc. | Titanium-based high-K dielectric films |
KR102096109B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2020-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2013026599A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP5489009B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2014-05-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 積層構造体、強誘電体ゲート薄膜トランジスター及び強誘電体薄膜キャパシター |
KR102656701B1 (ko) * | 2018-10-04 | 2024-04-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US11823896B2 (en) * | 2019-02-22 | 2023-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Conductive structure formed by cyclic chemical vapor deposition |
CN112864097B (zh) * | 2021-01-14 | 2022-06-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897280A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000077357A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sony Corp | 配線層形成方法 |
JP2000106357A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び絶縁膜の形成方法 |
JP2002076302A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
JP2002170940A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2003017561A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2004044984A2 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-27 | International Rectifier Corporation | Chip-scale schottky device |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2588732B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-03-12 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR100272160B1 (ko) * | 1996-05-11 | 2000-11-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
KR100574480B1 (ko) | 1999-08-31 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 전극 형성방법 |
KR100403611B1 (ko) | 2000-06-07 | 2003-11-01 | 삼성전자주식회사 | 금속-절연체-금속 구조의 커패시터 및 그 제조방법 |
US6664186B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method of film deposition, and fabrication of structures |
JP4053226B2 (ja) | 2000-10-18 | 2008-02-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2002222934A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100691758B1 (ko) * | 2001-03-16 | 2007-03-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 |
KR100401525B1 (ko) | 2001-12-28 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 및 그 제조방법 |
KR100423900B1 (ko) * | 2002-02-08 | 2004-03-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 형성 방법 |
KR100542247B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2006-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 배치형 챔버를 이용한 티타늄나이트라이드막의원자층증착법 및 그를 이용한 캐패시터의 제조 방법 |
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US7270884B2 (en) * | 2003-04-07 | 2007-09-18 | Infineon Technologies Ag | Adhesion layer for Pt on SiO2 |
KR100560666B1 (ko) * | 2003-07-07 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 금속막 증착 시스템 및 그 운용 방법 |
KR100541551B1 (ko) | 2003-09-19 | 2006-01-10 | 삼성전자주식회사 | 적어도 3층의 고유전막들을 갖는 아날로그 커패시터 및그것을 제조하는 방법 |
KR20050029814A (ko) | 2003-09-23 | 2005-03-29 | 삼성전자주식회사 | 루테늄막 제조방법 및 이를 이용한 mim 캐패시터의제조방법 |
US20060046378A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating MIM capacitor employing metal nitride layer as lower electrode |
KR100649973B1 (ko) | 2005-09-14 | 2006-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 전압 발생 장치 |
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-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897280A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000077357A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sony Corp | 配線層形成方法 |
JP2000106357A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び絶縁膜の形成方法 |
JP2002170940A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2002076302A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
JP2003017561A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2004044984A2 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-27 | International Rectifier Corporation | Chip-scale schottky device |
JP2006505955A (ja) * | 2002-11-06 | 2006-02-16 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | チップスケールのショットキーデバイス |
Also Published As
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