JP2007179594A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群とを備える。ブートシーケンス時に、ブロック置換情報レジスタ群は、記憶部から読み出したブロック置換情報に従ってセットする(ST.5)。また、バッドブロックフラグレジスタ群は、記憶部から読み出したブロック置換情報、及びバッドブロック情報の双方に従ってセットする(ST.6及びST.8)。
【選択図】 図4
Description
標準として用意されているブロック。
予備として用意されているブロック。
製造時に不具合をきたしたブロック。ディフェクティブブロックは、リダンダントブロックに置き換える。
製造時に不具合をきたしたブロック。バッドブロックは、リダンダントブロックに置き換えない。出荷時に使用できないブロック。
まず、ブートシーケンスを実行する内部システムの一例を説明する。
次に、第1実施形態において説明したブートシーケンスの一例を実行可能な半導体集積回路装置の具体的な一例を、第2実施形態として説明する。
図8に示すように、半導体集積回路装置は、メモリセルアレイ(Cell Array)201を有する。メモリセルアレイ201は、NAND型フラッシュメモリの主記憶の部分である。メモリセルアレイ201には、不揮発性半導体メモリセルがマトリクス状に配置される。不揮発性半導体メモリセルの一例は、フラッシュメモリセルである。メモリセルアレイ201の具体的な一例を図9に示す。
制御回路(CTRL)202は、電圧制御回路(Vol)、ロウ制御回路(Row)、カラム制御回路(Col)を含む。
データバッファ(Data Buf.)206、及び出力バッファ(Output Buf)207は、IO線を介してデータキャッシュ・センスアンプ205に電気的に接続される。
ファーストバッファ(1st Buf.)208は、外部IO線(IOx<7:0>)からのコマンドデータ、アドレスデータ、及び書き込みデータの受け取りを行う。ファーストバッファ208は、データバッファ206、出力バッファ207、コマンドデコーダ210、及びアドレスバッファ211に電気的に接続される。外部IO線(IOx<7:0>)は、図示せぬ外部のホストに電気的に接続される。
コマンドデコーダ210は、ファーストバッファ208が受け取ったデータがコマンドデータであれば、コマンドデータとしてフラッシュステートマシン+周辺回路(FSM+P/F)212へ送る。
フラッシュステートマシン+周辺回路212は、フラッシュメモリ全体の管理を行う。フラッシュステートマシン+周辺回路212は、コマンドデータを受け、データの消去、データの書き込み、データの読み出し、及びデータの入出力管理を行う。このため、フラッシュステートマシン+周辺回路212は、例えば、制御回路(CTRL)202を制御する。
電源検知回路213は電源が投入されたことを検知する回路であり、図3に示した電源検知回路100に対応する。電源検知回路213には、例えば、パワーオンリセット回路が利用される。フラッシュステートマシン+周辺回路212は、ブートシーケンス時に、ブートシーケンスを制御するシーケンサ(Seq.)215を含む。シーケンサ214は、図3に示したシーケンサ101に対応する。
内部ROM(Fuse)は、ブートシーケンスに利用される情報を登録するメモリであり、図3に示した内部ROM102に対応する。本例の内部ROM(Fuse)は、メモリセルアレイ201を利用する。また、図3に示したデータキャッシュ103は、データキャッシュ・センスアンプ(Cache,S/A)205に含まれたデータキャッシュを利用する。
図20は、この発明の第3実施形態に係る半導体集積回路装置のディフェクティブブロックのアドレス情報をブロックアドレスレジスタへ転送するときの信号波形の一例を示す信号波形図である。
第2、第3実施形態で説明した半導体集積回路装置は、本実施形態で説明するような変形ができる。
第4実施形態は、リダンダントブロックにもバッドブロックフラグをセットできる。これを利用すると、1組のマスクセットから、2型式の製品を得ることも可能となる。以下、これを第5実施形態として説明する。
図22A〜図22Cは、第5実施形態に係る半導体集積回路装置が取り得る第1の型式を示す図である。
図23A〜図23Cは、第5実施形態に係る半導体集積回路装置が取り得る第2の型式を示す図である。
第5実施形態は、メモリセルアレイをノーマルアレイ、及びリダンダントアレイに分ける第1の型式、及びメモリセルアレイをノーマルアレイ、及びリダンダントアレイに分けない第2の型式のいずれか一つを選ぶことができる。これら第1の型式、又は第2の型式を持つ不揮発性半導体メモリ、例えば、NAND型フラッシュメモリは、例えば、メモリカード等の記録メディアに利用される。記録メディアはホスト機器により制御される。ホスト機器は記録メディアに対してアドレスを発行する。記録メディアは受領したアドレスに対応したアドレスに対して、データの消去、書き込み、及び読み出しを行う。
第6実施形態は、内部バス構成に関するものである。
次に、この発明の実施形態に従った不揮発性半導体メモリを利用した記録メディア、例えば、メモリカードの例を、第7実施形態として説明する。
前記複数のブロックのうち、ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、
前記ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、
前記バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群と、を備え、
ブートシーケンス時に、
前記ブロック置換情報レジスタ群は、前記記憶部から読み出した前記ブロック置換情報に従ってセットされ、
前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記記憶部から読み出した前記ブロック置換情報、及び前記バッドブロック情報の双方に従ってセットされる半導体集積回路装置。
前記複数のブロックのうち、ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、
前記ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、
前記バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群と、
入力されたブロックアドレスと前記ブロック置換情報レジスタにセットされたブロック置換情報とを比較し、前記ディフェクティブブロックがアクセスされた時、アクセス先を、前記ディフェクティブブロックから置換先のリダンダントブロックに振り替え可能なブロックリダンダンシ判定回路と、
前記バッドブロックがアクセスされた時、前記バッドブロックフラグレジスタ群にセットされたバッドブロック情報に従って、前記バッドブロックのワード線に与えられる電圧を抑制可能な電圧抑制機能付ロウデコーダと、
電源投入を検知する電源投入検知回路と、
前記電源投入検知回路が電源投入を検知した後、ブートシーケンスを実行するシーケンサと、を備え、
ブートシーケンス時に、
前記ブロック置換情報レジスタ群は、前記記憶部から読み出した前記ブロック置換情報に従ってセットされ、
前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記記憶部から読み出した前記ブロック置換情報、及び前記バッドブロック情報の双方に従ってセットされる半導体集積回路装置。
前記入力されたブロックアドレスを保持するブロックアドレスレジスタと、
前記記憶部を前記ブロック置換情報レジスタ群、及び前記ブロックアドレスレジスタに電気的に接続するとともに、前記ブロック置換情報レジスタ群を前記ブロックアドレスレジスタに電気的に接続する内部バスと、を備え、
前記ブートシーケンス時に、
前記ブロック置換情報レジスタ群にセットされた前記ブロック置換情報に含まれる前記ディフェクティブブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロックアドレスレジスタに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記ディフェクティブブロックのアドレス情報に従って選択されてセットされ、
前記記憶部のバッドブロック情報登録領域に登録された前記バッドブロック情報に含まれる前記バッドブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロックアドレスレジスタに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記バッドブロックのアドレス情報に従って選択されて、さらに、セットされる半導体集積回路装置。
前記入力されたブロックアドレスを保持するブロックアドレスレジスタと、
前記記憶部を前記ブロック置換情報レジスタ群、及び前記ブロックアドレスレジスタに電気的に接続する内部バスと、を備え、
前記ブートシーケンス時に、
前記記憶部のブロック置換情報登録領域に登録されたブロック置換情報に含まれるディフェクティブブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロック置換情報レジスタ群、及び前記ブロックアドレスレジスタにパラレルに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記ディフェクティブブロックのアドレス情報に従って選択されてセットされ、
前記記憶部のバッドブロック情報登録領域に登録された前記バッドブロック情報に含まれる前記バッドブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロックアドレスレジスタに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記バッドブロックのアドレス情報に従って選択されて、さらに、セットされる半導体集積回路装置。
前記メモリセルアレイは、前記リダンダントブロックとして使用しないノーマルブロックを含むノーマルアレイ部と、前記リダンダントブロックとして使用可能なリダンダントブロックを含むリダンダントアレイ部と含み、
前記バッドブロックフラグレジスタは、前記ノーマルアレイ部に含まれるノーマルブロック、及び前記リダンダントアレイ部に含まれるリダンダントブロックに対して設けられ、
前記ブートシーケンス時に、
ブロックリダンダンシ判定回路は、前記ディフェクティブブロックのアドレス情報に従って前記バッドブロックフラグレジスタ群をセットしている間、アクセス先の振り替えをせず、前記バッドブロックのアドレス情報に従って前記バッドブロックフラグレジスタ群をセットしている間、前記アクセス先の振り替えをする半導体集積回路装置。
ベース値を含む複数の情報の登録が可能な情報登録領域を含む記憶部と、
前記複数の情報のベース値がセットされる複数のベースレジスタを含むベースレジスタ群と、
前記複数のベースレジスタを選択する第1選択信号を発生する第1選択信号発生回路と、
複数のかさ上げ値がセットされる複数のかさ上げレジスタを含むかさ上げレジスタ群と、
前記複数のかさ上げレジスタを選択する第2選択信号を発生する第2選択信号発生回路と、を備え、
ブートシーケンス時に、
前記複数の情報のベース値を、前記ベースレジスタ群にセットした後、
第1選択信号により選択されたベースレジスタにセットされたベース値と、前記第2選択信号により選択されたかさ上げレジスタにセットされたかさ上げ値とを論理演算し、
前記論理演算の結果を、前記第1選択信号により選択されたベースレジスタに返送する半導体集積回路装置。
ベース値を含む複数のトリミング情報の登録が可能なトリミング情報登録領域を含む記憶部と、
前記複数のトリミング情報のベース値がセットされる複数のベースレジスタを含むベースレジスタ群と、
前記複数のベースレジスタを選択する第1選択信号を発生する第1選択信号発生回路と、
複数のかさ上げ値がセットされる複数のかさ上げレジスタを含むかさ上げレジスタ群と、
前記複数のかさ上げレジスタを選択する第2選択信号を発生する第2選択信号発生回路と、
前記ベースレジスタにセットされたベース値と、前記かさ上げレジスタにセットされたかさ上げ値とを論理演算する演算器と、を備え、
前記複数のトリミング情報のベース値を、前記ベースレジスタ群にセットした後、
前記演算器によって、前記第1選択信号により選択されたベースレジスタにセットされたベース値と、前記第2選択信号により選択されたかさ上げレジスタにセットされたかさ上げ値とを論理演算し、
前記演算器の演算結果を、前記第1選択信号により選択されたベースレジスタに返送する半導体集積回路装置。
電源投入を検知する電源投入検知回路と、
前記電源投入検知回路が電源投入を検知した後、ブートシーケンスを実行するシーケンサとを、さらに、備え、
ブートシーケンス時に、 前記複数のトリミング情報のベース値を、前記ベースレジスタ群にセットした後、
前記演算器によって、前記第1選択信号により選択されたベースレジスタにセットされたベース値と、前記第2選択信号により選択されたかさ上げレジスタにセットされたかさ上げ値とを論理演算し、
前記演算器の演算結果を、前記第1選択信号により選択されたベースレジスタに返送する半導体集積回路装置。
前記演算器の演算結果を保持する演算結果レジスタと、
前記記憶部を前記ベースレジスタ群に電気的に接続するとともに、前記ベースレジスタ群を前記演算器に電気的に接続し、前記演算結果レジスタを前記ベースレジスタ群に電気的に接続する内部バスと、を備え、
前記ブートシーケンス時に、
前記ベースレジスタ群にセットされ、前記第1選択信号によって選択されたベースレジスタのベース値は、前記内部バスを介して前記演算器に転送され、前記第2選択信号によって選択されたかさ上げレジスタのかさ上げ値と演算後、前記演算結果レジスタに保持され、前記演算結果レジスタに保持された演算結果は、前記内部バスを介して前記第1選択信号によって選択されたベースレジスタにセットされる半導体集積回路装置。
前記かさ上げレジスタ群に含まれるかさ上げレジスタの数は、前記ベースレジスタ群に含まれるベースレジスタの数よりも少ない半導体集積回路装置。
前記メモリセルアレイは(M+N)個のブロックを含み、このメモリセルアレイは、M個のブロックを通常アレイ、N個のブロックを冗長アレイとする第1の型式、及び前記(M+N)個のブロックの全てを通常アレイとする第2の型式のいずれかに切り換えることが可能である半導体集積回路装置(ただし、M、及びNは自然数)。
前記切り換えは、コマンドの入力によって行う半導体集積回路装置。
前記複数のブロックのうち、ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、
ブートシーケンス時に、前記ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、
前記ブートシーケンス時に、前記バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群と、
入力されたブロックアドレスと前記ブロック置換情報レジスタにセットされたブロック置換情報とを比較し、前記ディフェクティブブロックがアクセスされた時、アクセス先を、前記ディフェクティブブロックから置換先のリダンダントブロックに振り替え可能なブロックリダンダンシ判定回路と、
前記バッドブロックがアクセスされた時、前記バッドブロックフラグレジスタ群にセットされたバッドブロック情報に従って、前記バッドブロックのワード線に与えられる電圧を抑制可能な電圧抑制機能付ロウデコーダと、
電源投入を検知する電源投入検知回路と、
前記電源投入検知回路が電源投入を検知した後、前記ブートシーケンスを実行するシーケンサと、
コマンドをデコードするコマンドデコーダと、を備え、
前記コマンドは、前記メモリセルアレイをノーマルアレイ、及びリダンダントアレイに分けて動作させる第1の型式を指定する第1のコマンド、及び前記メモリセルアレイの全てをノーマルアレイとして動作させる第2の型式を指定する第2のコマンドを含み、
前記コマンドデコーダは、
前記第1のコマンドを受信したとき、前記ブートシーケンス時における前記ブロック置換情報レジスタ群のセット、及び動作中における前記ブロックリダンダンシ判定回路のアクセス先の振り替え動作を許可し、
前記第2のコマンドを受信したとき、前記動作中における前記ブロックリダンダンシ判定回路のアクセス先の振り替え動作を禁止する半導体集積回路装置。
前記メモリセルアレイは、前記不揮発性半導体メモリとしてNAND型メモリセルユニットを含む半導体集積回路装置。
Claims (5)
- 不揮発性半導体メモリが集積され、複数のブロックを含むメモリセルアレイと、
前記複数のブロックのうち、ディフェクティブブロックのアドレス情報を含むブロック置換情報の登録が可能なブロック置換情報登録領域、及びバッドブロックのアドレス情報を含むバッドブロック情報の登録が可能なバッドブロック情報登録領域を含む記憶部と、
前記ブロック置換情報がセットされるブロック置換情報レジスタ群と、
前記バッドブロック情報がセットされるバッドブロックフラグレジスタ群と、
入力されたブロックアドレスと前記ブロック置換情報レジスタにセットされたブロック置換情報とを比較し、前記ディフェクティブブロックがアクセスされた時、アクセス先を、前記ディフェクティブブロックから置換先のリダンダントブロックに振り替え可能なブロックリダンダンシ判定回路と、
前記バッドブロックがアクセスされた時、前記バッドブロックフラグレジスタ群にセットされたバッドブロック情報に従って、前記バッドブロックのワード線に与えられる電圧を抑制可能な電圧抑制機能付ロウデコーダと、
電源投入を検知する電源投入検知回路と、
前記電源投入検知回路が電源投入を検知した後、ブートシーケンスを実行するシーケンサと、を備え、
ブートシーケンス時に、
前記ブロック置換情報レジスタ群は、前記記憶部から読み出した前記ブロック置換情報に従ってセットされ、
前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記記憶部から読み出した前記ブロック置換情報、及び前記バッドブロック情報の双方に従ってセットされることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記入力されたブロックアドレスを保持するブロックアドレスレジスタと、
前記記憶部を前記ブロック置換情報レジスタ群、及び前記ブロックアドレスレジスタに電気的に接続するとともに、前記ブロック置換情報レジスタ群を前記ブロックアドレスレジスタに電気的に接続する内部バスと、を備え、
前記ブートシーケンス時に、
前記ブロック置換情報レジスタ群にセットされた前記ブロック置換情報に含まれる前記ディフェクティブブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロックアドレスレジスタに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記ディフェクティブブロックのアドレス情報に従って選択されてセットされ、
前記記憶部のバッドブロック情報登録領域に登録された前記バッドブロック情報に含まれる前記バッドブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロックアドレスレジスタに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記バッドブロックのアドレス情報に従って選択されて、さらに、セットされることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記入力されたブロックアドレスを保持するブロックアドレスレジスタと、
前記記憶部を前記ブロック置換情報レジスタ群、及び前記ブロックアドレスレジスタに電気的に接続する内部バスと、を備え、
前記ブートシーケンス時に、
前記記憶部のブロック置換情報登録領域に登録されたブロック置換情報に含まれるディフェクティブブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロック置換情報レジスタ群、及び前記ブロックアドレスレジスタにパラレルに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記ディフェクティブブロックのアドレス情報に従って選択されてセットされ、
前記記憶部のバッドブロック情報登録領域に登録された前記バッドブロック情報に含まれる前記バッドブロックのアドレス情報は、前記内部バスを介して前記ブロックアドレスレジスタに転送され、前記バッドブロックフラグレジスタ群は、前記ブロックアドレスレジスタに転送された前記バッドブロックのアドレス情報に従って選択されて、さらに、セットされることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記メモリセルアレイは、前記リダンダントブロックとして使用しないノーマルブロックを含むノーマルアレイ部と、前記リダンダントブロックとして使用可能なリダンダントブロックを含むリダンダントアレイ部と含み、
前記バッドブロックフラグレジスタは、前記ノーマルアレイ部に含まれるノーマルブロック、及び前記リダンダントアレイ部に含まれるリダンダントブロックに対して設けられ、
前記ブートシーケンス時に、
ブロックリダンダンシ判定回路は、前記ディフェクティブブロックのアドレス情報に従って前記バッドブロックフラグレジスタ群をセットしている間、アクセス先の振り替えをせず、前記バッドブロックのアドレス情報に従って前記バッドブロックフラグレジスタ群をセットしている間、前記アクセス先の振り替えをすることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 不揮発性半導体メモリが集積され、複数のブロックを含むメモリセルアレイと、
ベース値を含む複数のトリミング情報の登録が可能なトリミング情報登録領域を含む記憶部と、
前記複数のトリミング情報のベース値がセットされる複数のベースレジスタを含むベースレジスタ群と、
前記複数のベースレジスタを選択する第1選択信号を発生する第1選択信号発生回路と、
複数のかさ上げ値がセットされる複数のかさ上げレジスタを含むかさ上げレジスタ群と、
前記複数のかさ上げレジスタを選択する第2選択信号を発生する第2選択信号発生回路と、
前記ベースレジスタにセットされたベース値と、前記かさ上げレジスタにセットされたかさ上げ値とを論理演算する演算器と、を備え、
前記複数のトリミング情報のベース値を、前記ベースレジスタ群にセットした後、
前記第1選択信号により選択されたベースレジスタにセットされたベース値と、前記第2選択信号により選択されたかさ上げレジスタにセットされたかさ上げ値とを、前記演算器によって論理演算し、
前記演算器の演算結果を、前記第1選択信号により選択されたベースレジスタに返送することを特徴とする半導体集積回路装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009146548A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009158018A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009217861A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Vantel Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその自己テスト方法 |
US7675776B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-03-09 | Spansion, Llc | Bit map control of erase block defect list in a memory |
JP2010176277A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | データ転送システム |
US8904088B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of managing a solid state drive, associated systems and implementations |
US9734049B2 (en) | 2007-12-28 | 2017-08-15 | Monterey Research, Llc | Relocating data in a memory device |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4284200B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶システム |
JP4570891B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 記憶装置 |
US7405989B2 (en) * | 2005-03-07 | 2008-07-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electrical fuses with redundancy |
US7652905B2 (en) * | 2007-01-04 | 2010-01-26 | Macronix International Co., Ltd. | Flash memory array architecture |
US7743303B2 (en) * | 2007-01-22 | 2010-06-22 | Micron Technology, Inc. | Defective memory block remapping method and system, and memory device and processor-based system using same |
KR20090014823A (ko) * | 2007-08-07 | 2009-02-11 | 삼성전자주식회사 | 배드 블록을 리맵핑하는 플래시 메모리 장치 및 그것의배드 블록의 리맵핑 방법 |
KR100898673B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2009-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
US8102710B2 (en) | 2007-10-17 | 2012-01-24 | Micron Technology, Inc. | System and method for setting access and modification for synchronous serial interface NAND |
JP2009146474A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7876124B2 (en) * | 2008-02-12 | 2011-01-25 | Spectra Linear, Inc. | Download sequencing techniques for circuit configuration data |
GB0811293D0 (en) * | 2008-06-19 | 2008-07-30 | Symbian Software Ltd | Memory apparatus |
US8397024B2 (en) * | 2008-10-25 | 2013-03-12 | Sandisk 3D Llc | Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device |
JP2010167740A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Seiko Epson Corp | 情報処理装置及びその制御方法、並びにコンピュータープログラム |
KR101596830B1 (ko) * | 2009-04-02 | 2016-02-24 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 쓰기 방법 |
JP5198379B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 半導体メモリカード |
KR20110031522A (ko) * | 2009-09-21 | 2011-03-29 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 이를 구비하는 메모리 시스템 및 이의 제어 방법 |
KR101692432B1 (ko) * | 2010-12-23 | 2017-01-17 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 |
US8446772B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-05-21 | Sandisk Technologies Inc. | Memory die self-disable if programmable element is not trusted |
US9081657B2 (en) * | 2011-10-13 | 2015-07-14 | Conexant Systems, Inc. | Apparatus and method for abstract memory addressing |
US8724408B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-05-13 | Kingtiger Technology (Canada) Inc. | Systems and methods for testing and assembling memory modules |
US9117552B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-08-25 | Kingtiger Technology(Canada), Inc. | Systems and methods for testing memory |
US8902657B2 (en) * | 2012-09-07 | 2014-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and controller |
JP2014063551A (ja) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2014154197A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置 |
KR20160011475A (ko) * | 2014-07-22 | 2016-02-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US10628049B2 (en) * | 2017-07-12 | 2020-04-21 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for on-die control of memory command, timing, and/or control signals |
JP6494139B1 (ja) * | 2018-01-11 | 2019-04-03 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
US10437557B2 (en) * | 2018-01-31 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Determination of a match between data values stored by several arrays |
JP2021140555A (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-16 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置とその制御方法 |
CN112579482B (zh) * | 2020-12-05 | 2022-10-21 | 西安翔腾微电子科技有限公司 | 一种非阻塞Cache替换信息表超前精确更新装置及方法 |
US11861012B2 (en) * | 2021-07-01 | 2024-01-02 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device having safety boot capability |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000276896A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2001195892A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002133898A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JP2002133894A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100478172B1 (ko) * | 1995-01-31 | 2005-03-23 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체 메모리 장치 |
US5835436A (en) * | 1995-07-03 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dynamic type semiconductor memory device capable of transferring data between array blocks at high speed |
JP3976839B2 (ja) * | 1996-07-09 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性メモリシステムおよび不揮発性半導体メモリ |
JP3688899B2 (ja) * | 1998-09-08 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
US6462985B2 (en) * | 1999-12-10 | 2002-10-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory for storing initially-setting data |
JP3916862B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2007-05-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP4413406B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ及びそのテスト方法 |
US6671204B2 (en) * | 2001-07-23 | 2003-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device with page buffer having dual registers and methods of using the same |
JP4004811B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-11-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3866627B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JP3875621B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4284200B2 (ja) | 2004-01-28 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶システム |
JP4570891B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 記憶装置 |
JP2007200457A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2005
- 2005-12-26 JP JP2005373517A patent/JP4761959B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-12-26 US US11/616,112 patent/US7388782B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-09 US US12/118,330 patent/US7515470B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000276896A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2001195892A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002133898A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JP2002133894A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009146548A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7675776B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-03-09 | Spansion, Llc | Bit map control of erase block defect list in a memory |
JP2009158018A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US9734049B2 (en) | 2007-12-28 | 2017-08-15 | Monterey Research, Llc | Relocating data in a memory device |
US11609847B2 (en) | 2007-12-28 | 2023-03-21 | Monterey Research, Llc | Relocating data in a memory device |
JP2009217861A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Vantel Corp | 不揮発性半導体記憶装置とその自己テスト方法 |
US8904088B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of managing a solid state drive, associated systems and implementations |
US9542199B2 (en) | 2008-09-30 | 2017-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of managing a solid state drive, associated systems and implementations |
JP2010176277A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | データ転送システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070147144A1 (en) | 2007-06-28 |
US7388782B2 (en) | 2008-06-17 |
JP4761959B2 (ja) | 2011-08-31 |
US7515470B2 (en) | 2009-04-07 |
US20080253192A1 (en) | 2008-10-16 |
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