JP4284200B2 - 不揮発性半導体記憶システム - Google Patents
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Description
"TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2GBIT(256M×8BIT/128M×16BIT)CMOS NAND E2PROM"、[online]、TOSHIBA、[2004年1月23日検索]、インターネット<URL: http://www.semicon.Toshiba.co.jp/td/en/Memory/NAND_EEPROM/en_20031202_TC58NVG1S8BFT00_datasheet.pdf>
即ち、本発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶システムは、電気的に消去及び書き込みが可能な不揮発性半導体メモリセルと、複数個の前記メモリセルで構成されるメモリブロックと、複数個の前記メモリブロックで構成される第1のメモリブロック群と、複数個の前記メモリブロックで構成される第2のメモリブロック群と、を備え、複数の半導体記憶装置を含み、少なくとも前記第1のメモリブロック群は、2のn乗個のメモリブロックとN個(N<2のn乗)のメモリブロックで構成され、前記第1のメモリブロック群の論理ブロックアドレスと前記第2のメモリブロック群の論理ブロックアドレスは空虚論理ブロックアドレスを挟んで非連続であり、前記第1のメモリブロック群の前記論理ブロックアドレスは連続であり、前記第2のメモリブロック群の前記論理ブロックアドレスは連続であり、前記第1のメモリブロック群は、前記複数の半導体記憶装置のうちの第1の半導体記憶装置に含まれており、前記第2のメモリブロック群は、前記複数の半導体記憶装置のうちの第2の半導体記憶装置に含まれており、前記複数の半導体記憶装置のそれぞれは、外部と、書き込みデータの受け取り、読み出しデータの出力、アドレスデータ及びコマンドデータの受け取りを行うデータ入出力バッファを含むことを特徴とする。
Claims (6)
- 電気的に消去及び書き込みが可能な不揮発性半導体メモリセルと、
複数個の前記メモリセルで構成されるメモリブロックと、
複数個の前記メモリブロックで構成される第1のメモリブロック群と、
複数個の前記メモリブロックで構成される第2のメモリブロック群と、
を備えた複数の半導体記憶装置を含む不揮発性半導体記憶システムであって、
少なくとも前記第1のメモリブロック群は、2のn乗個のメモリブロックとN個(N<2のn乗)のメモリブロックで構成され、
前記第1のメモリブロック群の論理ブロックアドレスと前記第2のメモリブロック群の論理ブロックアドレスは空虚論理ブロックアドレスを挟んで非連続であり、
前記第1のメモリブロック群の前記論理ブロックアドレスは連続であり、
前記第2のメモリブロック群の前記論理ブロックアドレスは連続であり、
前記第1のメモリブロック群は、前記複数の半導体記憶装置のうちの第1の半導体記憶装置に含まれており、
前記第2のメモリブロック群は、前記複数の半導体記憶装置のうちの第2の半導体記憶装置に含まれており、
前記複数の半導体記憶装置のそれぞれは、外部と、書き込みデータの受け取り、読み出しデータの出力、アドレスデータ及びコマンドデータの受け取りを行うデータ入出力バッファを含む
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶システム。 - 前記第1と第2のメモリブロック群はそれぞれ、2のn乗個のメモリブロックとN個(N<2のn乗)のメモリブロックで構成されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶システム。
- さらに、各メモリブロックの管理を行う制御エンジンを含み、前記制御エンジンは不良メモリブロックを検出してその不良メモリブロックに対する消去および書き込みを行わないことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の不揮発性半導体記憶システム。
- 前記第1と第2のメモリブロック群のそれぞれは、各メモリブロックに共通なビット線を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶システム。
- 前記メモリブロックは消去の最小単位であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶システム。
- 前記複数の半導体記憶装置のそれぞれは、外部アドレスと内部アドレスの変換を行う回路をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶システム。
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