JP2007156461A - 光トランシーバ - Google Patents

Abstract

【課題】バタフライ型パッケージを有するサブアセンブリを搭載する光トランシーバにおいて、当該サブアセンブリの放熱と光軸調芯とを両立させる構造を提供する。
【解決手段】光トランシーバ１送信サブアセンブリ３０、受信サブアセンブリ４０の何れか一方はバタフライ型のパッケージを有し、レセプタクル２０と一体に組み立てられ、フレーム１０に対して固定される。レセプタクルとフレームの間にはエラストマー等の弾性部材が介在されることで、バタフライパッケージを備えるサブアセンブリを用いた場合であっても、光軸調芯とサブアセンブリの放熱のためのフレームへの固定を両立させることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、光トランシーバの新規な構造に関し、なかんずく、バタフライ型パッケージ形状を有する光サブアセンブリを内蔵する光トランシーバの新規な構造に関する。

光トランシーバは、送信光サブアセンブリ（Transmitter Optical Sub-Assembly: TOSA）と受信光サブアセンブリ（Receiver Optical Sub-Assembly: ROSA）、及びこれらのサブアセンブリと電気的に結合し電気信号を処理する電子回路を搭載する回路基板、この回路基板を搭載するフレーム等で構成されている。ここで電子回路としては、送信サブアセンブリ内に搭載されている半導体レーザ（Laser Diode:ＬＤ）を駆動するための駆動回路、あるいは、受信サブアセンブリ内に搭載されているフォトダイオードにより光信号から変換された電気信号を増幅、再生する受信回路、これら駆動回路、受信回路を制御する制御回路などがある。

近年、この種の光トランシーバの外形寸法や電気仕様は業界で共通化され、製造者が異なっている場合であっても、製品の置き換えが可能なシステムが構築されている。その種の業界標準の一つとしてXFP規格がある（10 Gbps small form factor pluggable module multi-source agreement, April 2, 2003）。図１はこのXFP型トランシーバがホスト基板上に搭載されて用いられる時の様子を示している。ホスト基板１０１上には金属製のケージ１１１が搭載されていて、このケージの開口１１２はベゼル１０２から露出し、この開口１１２を通してトランシーバ１２０をケージ１１１に対して挿抜する。トランシーバ１２０の後端には電気プラグ１２１を備えており、このプラグ１２１とホスト基板上のコネクタ１０３がケージ１１１内で係合することで、トランシーバ１２０とホスト１０１との間で通信（信号の送受、トランシーバへの電源の供給）が確立する。ケージ１１１の上面には、モジュールを放熱するためのヒートシンク１１３がクリップ１１４を用いて取り付けられる場合がある。

特開２００５−２２７７８３では、トランシーバ筐体と光レセプタクルを分離し、スリーブを光レセプタクルに対してその位置を決定した後、サブアセンブリのパッケージ底面をトランシーバ筐体に対して密着させる構造を採用する。特開２００６−２５９７２０でもレセプタクルとトランシーバ筐体とを分離構造とし、まず、スリーブをレセプタクルに対して固定した後、レセプタクルとサブアセンブリとを、トランシーバの長軸を中心に回転させることでサブアセンブリの底面をトランシーバ筐体内面に密着させる構造を採用する。
特開２００５−２２７７８３ 特開２００６−２５９７２０

さて、この様に用いられる光トランシーバの内部構成については、上記業界標準仕様の範囲内で種々提案されている。これまで、光トランシーバ内部に搭載されるサブアセンブリについては、所謂、同軸形状のパッケージを有する小型のサブアセンブリを搭載する例がほとんどであった。通信速度が数ＧＨｚにとどまっており、電子回路を構成する電子部品の発熱がそれほど大きいものではなく、放熱シートを筐体に密着させて電子部品が生成した熱を筺体に放熱することで、電子部品、あるいは半導体光デバイスの温度特性を維持できたからである。

しかしながら、近年その通信速度は10ＧＨｚに及ぶに至り、電子部品をその種の高い通信速度に対応させるために、電子部品に消費させる電力が大きいものとなってきた。また、この種のプラガブルトランシーバ（ホストのケージに対しホストを通電したまま挿抜可能な形態のトランシーバをプラガブルトランシーバと総称している）を、波長分割多重（ＷＤＭ）通信に応用することが提案されている。ＷＤＭ通信では光トランシーバが発する信号光の波長が厳密に規定されている。発光波長の制御性、及び安定性を確保するために、送信サブアセンブリ内にＬＤの温度制御を行う部品、例えば電子冷却器、を内蔵する必要が生じている。従来の同軸型パッケージを有する送信サブアセンブリでは、この様な多くの部品を搭載することがパッケージサイズの上から困難であり、所謂、箱型形状を有するバタフライパッケージを用いざるを得ない場面が生じている。受信サブアセンブリについても発熱の面では同様であり、通信速度が高くなるにつれその消費電力が増加し、搭載された電子部品に対する冷却能力に優れたパッケージ形状が要求され、バタフライパッケージを用いる場面が生まれている。

バタフライパッケージを用いる際には大きな問題が生ずる。それは、上記の様にバタフライパッケージを用いる目的は、発熱の大きな部品を搭載せんがためというのがその第一の理由であり、放熱効果を確保するためには、パッケージの外壁に伝達された熱を、その外壁をトランシーバ筐体に密着させて外壁と筐体との間の熱伝達率を高めなければならないことである。

図２はバタフライ型パッケージを有するサブアセンブリの外観を示している。矩形の本体部２１０の側面２１２から複数のリードピン２１１が突き出している。リードピン２１１が延び出している面とは反対の側面２１３から筒状の光学部品２２０が延び出し、その先端にスリーブ２２１が設けられている。このスリーブ２２１に、光ファイバの先端に付属するフェルール(不図示)が挿入され、フェルールの中心に保持されている光ファイバと、スリーブ２２１の内孔２２２の中心に対して光学的に調芯されている、本体部に搭載された光素子とが光結合する。図２に示すサブアセンブリにおいては、その底面２１３をトランシーバ筐体に密着させなければ、本体部２１０に搭載されている発熱部品に対す放熱を確保することができない。

一方、スリーブ２２１と光ファイバとが光結合するためには、スリーブ２２１が光トランシーバの筐体の一部である光レセプタクルに対して、その幾何学的位置、及び寸法が規定されていなければならない。フェルールは光プラグの一部品として存在し、この光プラグが光トランシーバ側の光レセプタクルに挿入されることで、フェルールとスリーブとが嵌合し、フェルール中心の光ファイバと本体部２１０に搭載されている光素子との間の光結合が実現される。図１において、光トランシーバ１２０の先端側に描かれている二つの開口がそれぞれ送信側、受信側の光レセプタクルに相当する。

この様に、バタフライパッケージを有する光サブアセンブリについては、放熱のためにその本体部の一面（底面）がトランシーバ筐体に密着すると同時に、光結合のためにスリーブもトランシーバ筐体に対してその位置が規定されなければならない。しかしながら、この種の機械部品においては常に部品の寸法について公差が伴うものである。従来の同軸型パッケージを有するサブアセンブリにおいては、放熱効果は弾力性のある樹脂材で形成された放熱シートを、その部品搭載部とトランシーバ筺体との間に介在させていた。放熱シートの有する弾力性により部品公差を吸収することができたので、筺体に対する物理的位置精度は、専ら光結合のみを考慮するだけで十分であった。しかしながら、バタフライパッケージを有するサブアセンブリでは、同軸パッケージのサブアセンブリの場合よりも放熱効果を高めなければならず、パッケージ底面を筺体に密着させる必要があり、放熱シートによる部品公差の吸収を図ることができない。パッケージの本体底面とスリーブの二箇所において筺体との間の位置関係を規定する結果、スリーブとバタフライパッケージ本体部との接続部（スリーブの根元部）に機械的歪みが集中するという問題が生じていた。

本発明は、レセプタクルとトランシーバ筐体とを分離し、レセプタクルとサブアセンブリとを組み立てた後にこの組立体をトランシーバ筐体に組み付ける簡便な構成を開示するものである。

上記課題を克服するために本発明に係る光トランシーバは、光コネクタと係合するレセプタクル部材と、半導体光素子を搭載しこのレセプタクル部材に装着されることにより、光コネクタが保持する光ファイバと半導体光素子とが光結合するサブアセンブリと、レセプタクル部材とサブアセンブリを搭載するフレームとで構成されている。そして、サブアセンブリは半導体光素子を搭載する箱型の本体部と、該本体部の一側面から伸び出すスリーブ部とを有する、いわゆる、バタフライ型のパッケージ形状を有するものであり、レセプタクル部材は、光コネクタと係合する第一の部位と、サブアセンブリのスリーブ部を受納する開孔を備えこの第一の部位に連続する第二の部位を有しており、このレセプタクル部材がフレームに第二の部位において樹脂を介在させて固定されている、ことを特徴としている。レセプタクル部材とフレームとを介在する樹脂にはエラストマーを用いることができる。さらに、本発明に係る光トランシーバにおいては、フレームがレセプタクル部材を挟む様に設けられ、内面に溝を備える一対の側壁を有し、一方、レセプタクル部材の側面にはこの溝と係合し、かつ溝内でスライドする突起が形成されていることも特徴とする。

本発明に係る光トランシーバでは半導体光素子と光コネクタ内の光ファイバとの光結合は、フレームを介さずにレセプタクル部材のみを介して行われ、一方、光素子を搭載するサブアセンブリとフレームとの間の接触は、レセプタクル部材とサブアセンブリの組立体を一体としてフレームに対してその位置が決定され、かつ、レセプタクル部材とフレームとの間にはエラストマーといった樹脂を介在させるので、良好な光結合なための位置決めと、良好な放熱特性を確保するための位置決めを独立して行うことができる。すなわち、サブアセンブリの本体部とスリーブ部との間に機械的歪みを伴うことがなくなる。

図３は、本発明に係る光トランシーバの分解組立図である。光トランシーバ１は、筐体（フレーム）１０、回路基板５０、送信サブアセンブリ（Transmitter Optical Sub-Assembly:TOSA）３０、受信サブアセンブリ（Receiver Optical Sub-Assembly: ROSA）４０、レセプタクル部材２０、およびカバー６０を主要な構成部品として含む。図３では、受信サブアセンブリ４０についても箱型のパッケージとして描かれているが、以下の説明する様に、本発明の効果は、送信サブアセンブリ３０、受信サブアセンブリ４０のパッケージ形状に依存しない。

フレーム１０はアルミダイキャスト製であり、前方側から順に光レセプタクル２０、送信サブアセンブリ３０／受信サブアセンブリ４０、回路基板５０を搭載し、さらにカバー６０を一体に組み付ける。ここで、“前方”は光トランシーバ１において光レセプタクル２０を備えている側を指し、“後方”とはプラグコネクタ５０ｂが形成されている側を便宜上指すものとする。前方側においてフレーム１０は光レセプタクル２０の側部を覆い、トランシーバ１の前端にまで伸び、フレーム１０の端面１１ｆをレセプタクル２０のフランジ２０ｃの当接させている。フレーム１０の後方側には、回路基板５０を搭載するための鞍部１３ａが形成されている。

光レセプタクル２０はメッキを施した樹脂製部品である。その前方側にはそれぞれ送信／受信に対応する二つの開口２１ａ、２１ｂを有する光レセプタクルが形成されている。図３では明示されていないが、レセプタクル部材２０の後端壁には以下で説明する光サブアセンブリ３０、４０のスリーブが挿入される開口が形成されており、当該開口にスリーブを挿入することで、光レセプタクルに対するスリーブの位置が規定される。従って、この光レセプタクルに挿入される光コネクタに保持されている光ファイバと、サブアセンブリ３０、４０内に搭載されている光素子との間で光結合が実現される。

サブアセンブリ３０、４０はいずれもバタフライパッケージを有し、箱型の金属製本体部３０ａ、４０ａと、この本体部の一側壁から延び出す円筒状のスリーブ部材３０ｂ、４０ｂとで構成される。スリーブ材３０ｂ、４０ｂは、少なくとも本体部と接触する箇所については金属製であることが要請される。しかしながら、その先端部は金属製、樹脂製、いずれも適用可能である。本体部３０ａ、４０ａの後壁からは、信号用のリード３０ｃ、４０ｃが延び出している。図３では明示されていないが、送信サブアセンブリ３０については、その一側壁から複数の電極が突き出しており、この電極に対してフレキシブル基板により回路基板と電気的な接続が果たされる。フレキシブル基板上の配線は、送信サブアセンブリ３０内に搭載された熱伝変換素子への電源線、感温素子からの信号出力等、専ら低周波、あるはＤＣ信号の入出力に提供される。

回路基板上には電子回路が搭載されている。送信サブアセンブリ３０に対する電子回路としては、サブアセンブリ３０内に搭載された半導体レーザ（ＬＤ）を駆動するＬＤドライバ、熱電変換素子を所定の温度に制御するための温度コントローラ、ＬＤの光出力の平均値を所定値に維持する自動出力制御（Auto-Power Controller:APC）回路等がある。一方、受信サブアセンブリ４０のための回路としては、受信サブアセンブリ４０からの信号を増幅する主増幅器、増幅された信号からクロック信号を抽出するクロック再生回路、再生クロックに基づき増幅信号からデータ信号抽出するデータ抽出回路、等がある。また、受信サブアセンブリ４０内に受光素子としてアバランシェダイオード（Avalanche Photodiode:APD）が搭載される場合には、ＡＰＤバイアス制御回路も搭載される。回路基板の後端にはケージ内のコネクタと係合するプラグコネクタが形成されている。プラグコネクタの基板上の電極パターンを所定の形状とすることにより、ホスト装置の電源を切らずにこのトランシーバをケージに挿抜することができる、いわゆるホットプラグ機能が実現される。

カバー６０は板金材であり、フレーム１０との間に、サブアセンブリ３０、４０、回路基板５０を挟み込んでこれらをシールする。カバー６０の側壁の一部が切り込まれており、当該切り込み箇所から、図３では示されていないが、このトランシーバ１をケージに係合するためのラッチレバーが露出する。

以下、上記各部品の詳細を説明する。

レセプタクル部材
図４（ａ）、図４（ｂ）はレセプタクル部材２０を、それぞれ前方上部、後方上部から俯瞰した様子を示す。レセプタクル部材２０は整形樹脂の全面を導電メッキしたものであり、前方側から順に光レセプタクル（２１ａ、２１ｂ）を形成する第１部位、光レセプタクルの後方壁を形成し、サブアセンブリ３０、４０のスリーブ３０ｂ、４０ｂが貫通する開孔２２ａ、２２ｂが形成された第２部位を有する。

第１の部位２０ａは中央隔壁２０ｄにより区画され、それぞれ送信用２１ａ、受信用２１ｂの光レセプタクルを形成する。光レセプタクル（２１ａ、２１ｂ）の内部空間の物理的寸法は、この光レセプタクルの挿入される光コネクタの規格により厳密に決められている。第1部位２０ａの前方端両外壁にはフランジ２０ｃが形成されている。このフランジ２０ｃはトランシーバの前方端を規定する。フランジ２０ｃから奥まった両外壁には、後述するフレーム１０とこのレセプタクル部材２０と係合するための突起２０ｅを有する。レセプタクル部材２０をフレーム１０の前方側側壁の間に挟みこみ、フレーム側壁の内面１１ｆに形成されている溝１１ａにこの突起２０ｅを嵌合させると、フレーム１０の先端面がフランジ２０ｃの背面に当接して、レセプタクル部材２０の前後方向の位置が決定される。また、突起２０ｅが溝１１ａ内でスライド可能であり、これにより、レセプタクル部材２０とサブアセンブリ３０、４０の組立体をフレーム１０に対して、レセプタクル部材２０とサブアセンブリ３０、４０との間の調芯状態を維持したまま、サブアセンブリ３０、４０をフレーム１０に固定することができる。

第２の部位２０ｂにはスリーブが挿入される二つの開孔（２２ａ、２２ｂ）が形成されている。この開孔の径をスリーブの外径よりも僅かに小さく設定しておくことで、スリーブは光レセプタクル２１ａ、２１ｂの内部空間に対して、その位置を一義的に、がたつきなく決定することができる。すなわち、スリーブが光レセプタクル２１ａ、２１ｂ内で首振りを起こすことはない。この第２の部位の後端上部には深さ０．３ｍｍ、奥行き１．５ｍｍの段差２２ｅが形成されており、図４（ａ）、図４（ｂ）では明示されていないが、当該段差部２２ｅに沿って高さ０．５ｍｍ程度の範囲で帯び状にエラストマー（樹脂）を塗布しておく。このレセプタクル部材２０とサブアセンブリ３０、４０をフレーム１０にセットして、サブアセンブリ３０、４０の底面をそれぞれフレーム１０上の所定箇所に密着させる場合に、ここで塗布したエラストマーが一つの弾性体として作用し、従来のトランシーバで問題となっていた、スリーブと本体部との間の機械的歪みを低減することができる。また、この段差部２２ｅは、レセプタクル部材２０をフレームの前方側側壁１１ｆで囲まれた空間にセットした際に、当接面１１ｂの前縁に突き当たる。既に説明した突起２０ｅと側壁１１ｆ内面の溝１１ａとの係合関係と合わせて、レセプタクル部材２０とフレーム１０との相対的位置を決定する。また、エラストマーを導電性とすることにより、トランシーバ内部と外部との間のＥＭＩシールド特性の向上を図ることができる。

また、第２の部位２０ｂにおいて段差２２ｅとは反対の面（下面）２２ｆは平坦に形成されており、当該箇所にカバー６０が接触できる。カバー６０に形成された突き当て片６０ｆが、この平坦部２０ｆと接触することで、カバー６０とレセプタクル部材２０との間の電気的導通が確保される。

フレーム
図５はフレーム１０を前方側から俯瞰した斜視図である。フレーム１０は前方側から第１〜４の部位に機能上分割される。第１の部位１０ａはレセプタクル部材２０を収容する。第2の部位１０ｂはサブアセンブリ３０、４０を、第3の部位１０ｃは回路基板を、第４の部位１０ｄはコネクタプラグを、それぞれ収容する。

第１部位１０ａは二つの側壁１１ｆで囲まれたレセプタクル部材収容空間１１を有する。既に説明した様に、側壁１１ｆの内面にはそれぞれ溝１１ａが形成されており、この溝１１ａにレセプタクル部材２０の外壁に形成された突起2１ｅが嵌りこむ。収容空間１１の奥端には平坦な当接面１１ｂが形成されている。レセプタクル部材２０とこのフレーム１０を組み立てる際に、レセプタクル部材２０の段差部２２ｅに盛られたエラストマーがこの当接面に押し付けられ、潰れることで、エラストマーの弾性体の機能を発揮利用することができる。外壁１１ｆの外面には、ケージとトランシーバ１との間の係合状態を解除するためのベール（不図示）を回転させるための機構である、孔１１ｅと溝１１ｄが形成されている。

第１の部位１０ａと第２の部位１０ｂとの境界には、サブアセンブリ３０、４０のスリーブ部を保持するための鞍部１２ｃ（送信サブアセンブリ用の鞍部については壁１１ｆに隠れて見えない）が、エラストマーが当接する面１１ｂに連続して形成されている。さらに、サブアセンブリ３０、４０の本体部を収納するための座繰り１２ｄ、１２ｅが、それぞれこの鞍部に連続して形成されている。本発明においては、レセプタクル部材２０がエラストマーという弾性体を備えているので、サブアセンブリ３０、４０の本体部をこの座繰り箇所（１２ｄ、１２ｅ）に押し付けても、スリーブ部の付根に応力が集中するのを回避することができる。第２の部位１０ｂの外壁１１ｆに形成されている構造１２ａ、１２ｂは、第１の部位１０ａの外壁１１ｆに取り付けられるベールに連動して動作するラッチ解除片が収納される溝である。

第３の部位１０ｃには回路基板が搭載される。第３の部位１０ｃは主面１３ａ、当該主面１３ａに対して座繰り加工された窪み１３ｂ、及び、主面１３ａの両辺に形成された突起１３ｃを有する。回路基板５０には、両辺に切り込みを備えており、その切り込みを突起１３ｃに係合させつつ、回路基板５０の主面を、側壁上の段差１３ｅに載せることで、回路基板５０はフレーム１０に対して固定される。一方、回路基板５０の前端を第２の部位１０ｂの両側壁の後端に突き当てることで、回路基板の前後方向の位置を規定することができる。窪み１３ｂは回路基板５０上に搭載されたＩＣを収納する。側壁部段差１３ｅの高さと窪み１３ｂの深さ、及び当該窪み１３ｂに収納されるＩＣの厚さを補償する様な厚さの放熱シートを、この窪み１３ｂ内に埋め込んでおくことで、ＩＣからフレーム１０への放熱経路を確保することができる。

第３の部位１０ｃと第４の部位１０ｄの境界部には、第４の部位１０ｄの両外壁に連続して柱１４ｃが形成されている。カバー６０の後端面に形成されたフィンガ６０ｉをこのポスト１４ｃに突き当て、さらに、フィンガ６０ｉの先端部で段差１３ｅに搭載されている回路基板５０を押し付けて固定する。さらに、第４の部位１０ｄは、両側壁１４ｂに囲まれた平坦部１４ａを有しており、この平坦部に平行となる様に、回路基板５０の後端に形成されたプラグコネクタ５０ｂが収納される。

カバー
図６はカバー６０の斜視図である。カバー６０は一枚のステンレス板を切断、折り曲げ加工により形成したものである。図６で右方がトランシーバ１の前方側に相当する。カバー６０の側壁部は切れ込み６０ｄを挟んで二つの部分に分けられる。先方側の側壁６０ｊには開口６０ｃが形成されており、この開口６０ｃはフレーム１０の第１の部位外面に形成された突起１１ｃにはめ込まれる。一方、後方側の側壁６０ｌも二つの開口６０ａ、６０ｂを有しており、それぞれフレーム１０に形成された突起１３ｆ、１２ｆにはめ込まれる。同時に、フィンガ６０ｈ、及びカバー後端に形成されたフィンガ６０ｉが回路基板５０をフレーム１０に対して押し付ける。すなわち、回路基板５０は、フレーム１０の側壁の段差１３ｅにその主面が搭載されると同時に、カバー６０によりその側壁段差１３ｅに押し付けられ固定される。

カバー６０の後方端に形成された折り曲げ片６０ｅは、このトランシーバを正規な方向とは天地を逆にしてケージに挿入した際に、この折り曲げ片６０ｅがコネクタの前端に接触して、電気プラグがコネクタに挿入されるのを防ぐ。一方、前方側には溝６０ｇが形成されており、この溝６０ｇによりカバー６０の機械的強度が増強される。また、カバー６０中央の開孔６０ｋは、トランシーバを組み立て後にその内部を観察するために設けられている。さらに、前方側には複数のフィンガ６０ｆを有している。カバー６０にU字状のスリットを形成し、スリットに囲まれた部分をトランシーバ内側に向けて撓ませて形成されている。このフィンガ６０ｆが、カバー６０とフレーム１０とを組み立てた際に、レセプタクル部材２０の面２２ｆに複数個所で接触することで、レセプタクル部材２０とカバー６０との導通を確実に確保することができる。

エラストマー
図７は、送信サブアセンブリ３０を搭載したレセプタクル部材２０とフレーム１０との組み立ての様子を示す、一部破断図である。レセプタクル部材２０の第２の部位の開口２２ａには、送信サブアセンブリ３０のスリーブ部３０ｂが貫通している。送信サブアセンブリ３０の本体部３０ａは、フレーム１０の座繰り部１２ｅにその底面を密着させて収納されている。一方、レセプタクル部材２０の段差２２ｅと、フレーム１０の平坦部１１ｂとの間で、エラストマー２５が押し潰されている。図７の構造によれば、スリーブ３０ｂはレセプタクル部材２０に対して、光レセプタクル２１ａの規格を満足する様にその位置が厳密に決定され、同時に、送信サブアセンブリ３０の本体部３０ａはフレーム１０の座繰り部１２ｅに密着して固定されている。レセプタクル部材２０とフレーム１０とが別体構造であり、レセプタクル部材２０がフレーム１０に対していわば、フローティング状態で組み立てられているので、ＴＯＳＡ３０の本体部３０ａとスリーブ部３０ｂとの間に誘起される可能性のある機械的歪みを回避することができる。このフローティングの状態は両部材間に挿入されたエラストマーにより実現されている。

以上の例においては、フローティング状態を実現するためにエラストマー部材を用いているが、本発明においては弾性力を発揮できる材料であれば、本発明の効果を奏し得る。例えば、エラストマー２５に代えて、板バネといった弾性部材をフレーム１０とレセプタクル部材２０との間に挿入することでも、本発明の効果は実現できる。さらに、レセプタクル部材２０に、レセプタクル部材と同一の材料の板バネ構造を整形しておくことでも、本願の効果を実現できる。

図８は本発明に係る光トランシーバ１の組み立て完了図である。トランシーバの上面全体はフレーム１０の底面が露出している。そのため、図１に示す様に放熱フィン付のケージにこのトランシーバを挿入した際に、サブアセンブリ３０、４０、あるいは回路基板上のＩＣにより生成された熱は、例えばサブアセンブリ３０、４０については、サブアセンブリが直接にフレーム１０中のそれぞれの収納部にその底面を密着して搭載されているので、効率的な放熱経路がフレーム１０に対して確保されており、さらに、このフレーム１０の底面がケージの放熱フィンに接触することで、サブアセンブリ３０、４０が発した熱は容易にトランシーバ外に放熱することができる。また、フレームが金属ダイキャストにより形成されているので、トランシーバのケージへの挿抜時に、ケージ放熱フィンとの間の接触によりスムーズな挿抜が実現できない場合でも、トランシーバ本体、特に回路基板あるいはサブアセンブリに対して機械的歪みを及ぼすことが避けられる。また、本発明に係る各部材の構造においては、全ての組み立てが、いわゆる嵌め込み（Fitting）により行うことができるので、組み立て工程が簡略化され製造コストを低減することも可能である。

図１はプラガブルトランシーバとこのトランシーバを搭載するホストボードの様子を示す一部断面図である。 図２はバタフライ型パッケージを有するサブアセンブリの外観図である。 図３は、本発明に係る光トランシーバの主要構成部品の分解組立図である。 図４は、本発明に係るレセプタクル部材の外観図であり、図４（ａ）、図４（ｂ）それぞれ異なる方向から俯瞰した図である。 図５は、本発明に係る光トランシーバのフレームの内部構造を示す俯瞰図である。 図６は、本発明に係る光トランシーバのカバーを示す俯瞰図である。 図７は、レセプタクル部材、バタフライ型パッケージを有するサブアセンブリ、及びフレームの組み立ての様子を示す一部破断図である。 図８は、本発明に係る光トランシーバの完成外観図である。

符号の説明

１…光トランシーバ
１０…フレーム
２０…レセプタクル部材
３０…送信サブアセンブリ
４０…受信サブアセンブリ
５０…回路基板
６０…カバー
２５…弾性部材（エラストマー）

Claims (3)

1. 光コネクタと係合するレセプタクル部材と、
   半導体光素子を搭載し該レセプタクル部材に装着されることにより、該光コネクタが保持する光ファイバと該半導体光素子とが光結合するサブアセンブリと、
   該レセプタクル部材と該サブアセンブリを搭載するフレームと、
   を含む光トランシーバにおいて、
   該サブアセンブリは該半導体光素子を搭載する箱型の本体部と、該本体部の一側面から伸び出すスリーブ部とを有し、
   該レセプタクル部材は、該光コネクタと係合する第一の部位と、該スリーブ部を受納する開口を備え該第一の部位に連続する第二の部位を有し、
   該レセプタクル部材は、該第二の部位と樹脂を介在させて該フレームに固定されている、
   ことを特徴とする光トランシーバ。
2. 該フレームは、該レセプタクル部材を挟む様に設けられ、内面に溝を備える側壁を有し、
   該レセプタクル部材の側面には該溝と係合し、該溝内で自在にスライドする突起を有する
   請求項１に記載の光トランシーバ。
3. 該樹脂は導電性エラストマーである請求項１、２に記載の光トランシーバ。

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