JP2007141383A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基準信号生成部17は、CK入力端子100からCK信号を入力し、モードデコーダ11からREFコマンドを入力するごとにCK信号のCK周期相当の基準遅延量を示す基準信号を生成する。遅延部18は、基準信号生成部17から基準信号を入力し、基準遅延量の自然数倍の遅延量で入力信号であるACTコマンドを遅延させ、出力信号であるセンスアンプ活性化(SAE)信号を出力する。
【選択図】図1
Description
12;モードレジスタセット信号ラッチ部、13;デコーダ、
14;ローアドレスラッチ部、15;ロー(Row)制御回路、
16;ローデコーダ(Row−DEC)、17;基準信号生成部、18;遅延部、
19;センスアンプ(S.A.)、20;カラムアドレスラッチ部、
21;カラム(Column)制御回路、
22;カラムデコーダ(Column−DEC)、23;メインアンプ(MAMP)、
24;出力レジスタ(FIFO)、25;入出力ドライバ、
26;DLL(Delay−Locked Loop)、100;CK入力端子、
101;コマンド入力端子、102;アドレス入力端子、103;データ入出力端子、
30;遅延信号生成部、31;信号比較部、32;エンコーダ、
33;基準遅延量保持部、300〜315;第0〜第15の単位遅延回路、
320〜335;第0〜第15の比較回路、
341〜345;第1〜第5のNAND回路、
346〜348;第6〜第8のNAND回路、349;NOT回路、40;デコーダ、
41〜46;第1〜第6の遅延段、47〜52;第1〜第6のセレクタ(SEL)、
53;段数設定部、416〜431;第16〜第31の単位遅延回路、
439〜443;第9〜第13のNAND回路、420;対応表、421;設定表。
Claims (8)
- クロック信号に基づいてクロック周期相当の基準遅延量を示す基準信号を生成する基準信号生成部と、
前記基準信号で示される前記基準遅延量の自然数倍の遅延量で入力信号を遅延させる遅延部と、を備える、半導体記憶装置。 - 前記基準信号は、前記基準遅延量の増減幅である単位遅延量の数で前記基準遅延量を示す、請求項1の半導体記憶装置。
- 前記基準信号生成部は、遅延信号生成部と信号比較部とを有し、
前記遅延信号生成部は、前記単位遅延量をもつ複数の第1の種類の単位遅延回路を含み、前記クロック信号を異なる数の前記第1の種類の単位遅延回路により遅延させた複数の遅延クロック信号を生成し、
前記信号比較部は、生成された複数の前記遅延クロック信号と前記クロック信号とを比較し前記クロック周期相当遅延された前記遅延クロック信号を検出することにより前記基準信号を生成し、
前記遅延部は、複数の遅延段を有し、前記複数の遅延段の1つ以上により前記入力信号を遅延させ、各前記遅延段は、前記単位遅延量をもつ複数の第2の種類の単位遅延回路を含み、前記基準信号により示される数の前記第2の種類の単位遅延回路により前記入力信号を遅延させる、請求項2の半導体記憶装置。 - 前記遅延クロック信号は、共通のオフセット遅延量で遅延されており、
前記遅延段は、前記オフセット遅延量で前記入力信号を遅延させる、請求項3の半導体記憶装置。 - 第1のコマンドが入力される第1のクロックタイミングでローアドレスを入力し、前記ローアドレスで指定されるワード線によりメモリセルを選択し、選択された前記メモリセルからデータ信号をビット線に出力し、前記第1のコマンドを遅延させてセンスアンプ活性化信号を生成し、第2のコマンドを入力するとともに前記第2のコマンドが入力された以後の第2のクロックタイミングでカラムアドレスを入力し、前記センスアンプ活性化信号によりセンスアンプを起動して前記ビット線に出力されたデータを増幅し、前記カラムアドレスにより指定されるビット線から増幅された前記データ信号を出力端子に出力する半導体記憶装置であって、
前記可変遅延部は、前記第1のコマンドを前記入力信号として入力し、前記出力信号を前記センスアンプ活性化信号として出力する、請求項1から請求項4のいずれかの半導体記憶装置。 - 前記遅延部は、前記入力信号の遅延に用いる前記遅延段の数を可変させるセレクタを有する、請求項1から請求項5のいずれかの半導体記憶装置。
- 前記遅延部は、前記入力信号の遅延に用いる前記遅延段の数を可変させるセレクタと、前記第1のクロックタイミングと前記第2のクロックタイミングとの間隔をクロック数で示したコマンド間隔通知信号に基づいて前記遅延段の数を出力する段数設定部と、を有する、請求項5の半導体記憶装置。
- 前記コマンド間隔通知信号は、前記第2のクロックタイミングから前記出力端子にデータを出力するまでのクロック数を示すリードレイテンシである、請求項7の半導体記憶装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11361815B1 (en) | 2020-12-24 | 2022-06-14 | Winbond Electronics Corp. | Method and memory device including plurality of memory banks and having shared delay circuit |
JP7087133B1 (ja) * | 2021-02-08 | 2022-06-20 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 共有遅延回路を有する方法および記憶装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100868252B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-11-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 |
KR100907928B1 (ko) * | 2007-06-13 | 2009-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
JP5565466B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-08-06 | 富士通株式会社 | クロック変換装置、フレーム処理装置及び周波数制御方法 |
KR20150033374A (ko) * | 2013-09-24 | 2015-04-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 시스템 및 반도체 장치 |
US9128716B2 (en) * | 2014-01-20 | 2015-09-08 | Nanya Technology Corporation | Memory device and control method |
JP6171066B1 (ja) * | 2016-09-01 | 2017-07-26 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
CN111128262B (zh) * | 2019-12-17 | 2021-02-23 | 海光信息技术股份有限公司 | 存储器电路、电路控制方法、集成电路器件及处理器 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112308A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nec Corp | 同期遅延回路装置 |
JP2000091896A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Nec Corp | 遅延調整装置 |
JP2001118385A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Nec Corp | 遅延同期ループの同期方法、遅延同期ループ及び該遅延同期ループを備えた半導体装置 |
JP2001126480A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路、半導体集積回路の制御方法、および可変遅延回路 |
JP2002074961A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002074949A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003023343A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 遅延信号生成回路 |
JP2003203478A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリ装置の動作タイミング制御回路及び動作タイミング制御方法 |
JP2004273008A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Elpida Memory Inc | クロック同期式半導体記憶装置 |
JP2005166149A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Elpida Memory Inc | 半導体集積回路装置及びデジタル測定器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5815016A (en) * | 1994-09-02 | 1998-09-29 | Xilinx, Inc. | Phase-locked delay loop for clock correction |
US5646564A (en) * | 1994-09-02 | 1997-07-08 | Xilinx, Inc. | Phase-locked delay loop for clock correction |
JP3173420B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2001-06-04 | 日本電気株式会社 | 同期式遅延回路 |
JP2000285672A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-13 | Fujitsu Ltd | メモリデバイス |
US6629251B1 (en) * | 1999-10-20 | 2003-09-30 | Applied Micro Circuits Corporation | Elastic store circuit with vernier clock delay |
JP3961195B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
KR100416623B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 프로세스 트랙킹 회로를 구비하는 감지증폭기 인에이블신호 발생회로 및 이를 구비하는 반도체 메모리장치 |
KR100546333B1 (ko) * | 2003-06-25 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 감지 증폭기 드라이버 및 이를 구비하는 반도체 장치 |
-
2005
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112308A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nec Corp | 同期遅延回路装置 |
JP2000091896A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Nec Corp | 遅延調整装置 |
JP2001118385A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Nec Corp | 遅延同期ループの同期方法、遅延同期ループ及び該遅延同期ループを備えた半導体装置 |
JP2001126480A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路、半導体集積回路の制御方法、および可変遅延回路 |
JP2002074961A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002074949A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003023343A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 遅延信号生成回路 |
JP2003203478A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリ装置の動作タイミング制御回路及び動作タイミング制御方法 |
JP2004273008A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Elpida Memory Inc | クロック同期式半導体記憶装置 |
JP2005166149A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Elpida Memory Inc | 半導体集積回路装置及びデジタル測定器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11361815B1 (en) | 2020-12-24 | 2022-06-14 | Winbond Electronics Corp. | Method and memory device including plurality of memory banks and having shared delay circuit |
JP7087133B1 (ja) * | 2021-02-08 | 2022-06-20 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 共有遅延回路を有する方法および記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070121394A1 (en) | 2007-05-31 |
CN1967716A (zh) | 2007-05-23 |
US7450446B2 (en) | 2008-11-11 |
CN1967716B (zh) | 2010-05-19 |
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