JP2007119783A - 洗浄液及び洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】 0.01〜10重量%の水酸化カリウムおよび/または水酸化ナトリウム、5〜80重量%の水溶性有機溶剤、0.0001〜10重量%の9族金属またはその合金または11族金属の腐食防止剤および水からなる洗浄液で処理する。
【選択図】 図1
Description
近年、デザインルールの微細化が進み、信号伝送遅延が高速化限界を支配するようになってきた。そこで、導電用配線素材としてアルミニウムから、より電気抵抗の低い銅へ、層間絶縁膜として低誘電率(Low-k)膜の導入が進んでいる。この銅はプロセス温度で層間絶縁膜中に拡散してしまうため、銅配線の側面および底面は通常TaやTaNなど金属性拡散防止膜で、上部はSiN、SiCなどの絶縁性拡散防止膜で覆っている。しかしながら、絶縁性拡散防止膜は誘電率が大きいため、層間絶縁膜にLow-k膜を用いてもデバイス全体では低誘電率化が達成できない。そこで、それを回避するため銅配線上部に金属性拡散防止膜であるCoやCo合金が用いられる場合がある。さらにフォトレジストと層間絶縁膜との間に露光精度を上げるための反射防止膜あるいはドライエッチングからパターン形状を保護するための形状保護膜としてオルガノシロキサン系化合物が用いられる場合もある。このオルガノシロキサン系化合物はフォトレジストとともに除去される。
従来、このフォトレジストやその残渣物等を除去する洗浄液として、例えばアルカノールアミンと有機溶剤の混合系からなる洗浄液(特許文献1、2参照)と、またアルカノールアミン、ヒドロキシルアミン、カテコールと水からなる洗浄液があるが(特許文献3参照)、これらの洗浄液はアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む素子用であり、9族金属であるコバルトや11族金属である銅を含む素子の場合、両金属とも腐食してしまい適用は非常に難しい。また、有機四級アンモニウムを用いた洗浄液(特許文献4参照)の場合は、9族金属のコバルトや11族金属の銅の腐食は非常に小さいが、本発明者らの検討ではレジスト剥離性が十分ではなく、さらにオルガノシロキサン系化合物の除去性も十分ではない。更に又、トリアジン誘導体、プテリン誘導体、およびフルオロアクリレートコポリマーからなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を含有する金属腐食防止剤ならびにこの金属腐食防止剤を含む洗浄液(特許文献5参照)も提案されているが、この場合も9族金属に対する腐食防止効果は不足であった。
本発明で用いられる水溶性有機溶剤は、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、1―プロピルアルコール、2−プロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、1,2,4−ブタンジオール、1,2,6−ヘキサントリオール、ソルビトール、キシリトール等のアルコール系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、3−メチル−3−メトキシブタノール等のエーテル系溶剤、ホルアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン等のアミド系溶剤、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含S系溶剤、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤等が挙げられる。これらの中で好ましいのはアルコール系、エーテル系、アミド系溶剤で、さらに好ましくは、1,6−ヘキサンジオール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルおよびN-メチルピロリドンである。水溶性有機溶剤は単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。また、5〜80重量%、好ましくは20〜50重量%の濃度で使用される。水溶性有機溶剤が5重量%未満の場合及び80重量%を超えると洗浄効果、腐食防止効果の低下が懸念される。
また、本発明の目的を損なわない範囲で従来から洗浄液に使用されている添加剤を配合してもよい。
本発明の洗浄方法は、必要に応じて超音波を併用することができる。被処理物上のフォトレジストやその残渣物等を除去した後のリンスとしては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。また、変質が進行したフォトレジストの剥離に対しては、過酸化水素を含む前処理液が有効である。
図1の基板を表1および2で示した洗浄液を用いて所定の条件で洗浄した後、超純水でリンスして乾燥した。しかる後に、走査型電子顕微鏡で断面を観察し、フォトレジスト、オルガノシロキサン系反射防止膜および残渣物の除去性、コバルト、銅およびSiOC系層間絶縁膜の腐食について下記の判断基準に従って評価した。その結果を表1(実施例1〜6)および表2(比較例1〜4)に示した。
<除去状態>
A:完全に除去された。
B:フォトレジストと反射防止膜は除去されたが、残渣物の取れ残りがあった。
C :一部フォトレジストおよび/または反射防止膜が取れ残り、残渣物も残っていた。
D:レジスト、反射防止膜と残渣物が残存していた。
<腐食状態>
A:腐食が全く認められなかった。
B:コバルト、銅およびSiOC系層間絶縁膜のうち少なくとも一つの材質に若干の腐食が認められた。
C:コバルト、銅およびSiOC系層間絶縁膜のうち少なくとも一つの材質に大きな腐食が認められた。
2:TaN膜
3:Co膜
4:SiOC系層間絶縁膜
5:オルガノシロキサン系反射防止膜
6:フォトレジスト
7:残渣物
Claims (10)
- 0.01〜10重量%の水酸化カリウムおよび/または水酸化ナトリウム、5〜80重量%の水溶性有機溶剤、0.0001〜10重量%の9族金属または9族金属合金または11族金属の腐食防止剤および水からなる洗浄液。
- 前記水溶性有機溶剤がエーテル系、アミド系、アルコール系溶剤の中からから選ばれた少なくとも1種である請求項1記載の洗浄液。
- 前記9族金属がコバルト、前記11族金属が銅である請求項1記載の洗浄液。
- 水酸化カリウムおよび/または水酸化ナトリウムを0.01〜10重量%、水溶性有機溶剤を5〜80重量%、芳香族複素環式化合物、ノニオン性界面活性剤、チオ尿素類から選ばれた少なくとも一種の腐食防止剤を0.0001〜10重量%と水とからなる洗浄液。
- 前記腐食防止剤が、ヘテロ原子として窒素原子単独または窒素原子と硫黄原子を合計で2〜4個を有する芳香族複素環式化合物である請求項4記載の洗浄液。
- 前記腐食防止剤が、エーテル型、エーテルエステル型、エステル型もしくは含窒素型のノニオン性界面活性剤である請求項4記載の洗浄液。
- 前記芳香族複素環式化合物が3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、3,5-ジアミノ-1,2,4-トリアゾール、1,2,3-ベンゾトリアゾール、5-メチル-1H-ベンゾトリアゾールもしくは5-アミノ-1H-テトラゾールである請求項5記載の洗浄液。
- 前記ノニオン性界面活性剤がポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーである請求項6記載の洗浄液。
- 前記チオ尿素類が1-ベンゾイル-2-チオ尿素、2,5-ジチオビウレアもしくは1,3-ジブチル-2-チオ尿素である請求項4記載の洗浄液。
- 請求項1〜9いずれか記載の洗浄液によりオルガノシロキサン系反射防止膜または形状保護膜を除去する洗浄方法。
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