JP2007078905A

JP2007078905A - 画像形成装置

Info

Publication number: JP2007078905A
Application number: JP2005264594A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Sugiyama; 杉山敏弘
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2005-09-13
Filing date: 2005-09-13
Publication date: 2007-03-29

Abstract

【課題】本発明の課題は、相反則不軌よる潜像の変化を補正し、副走査方向で隣接する画像データの書き込み時間間隔の差による画像の差をなくした画像形成装置を提供することである。
【解決手段】画像データに応じた光ビームで順次画像露光を行う画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを露光する時間間隔が異なる時間間隔が混在する場合、その間隔に応じて各々のビーム径を変更する画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することにより、画像データの書き込み時間間隔の差による画像の差をなくした画像形成装置の提供を可能にした。
【選択図】図４

Description

本発明は複写機、ファクシミリ、プリンタ等の画像形成装置にかかり、特にマルチビームによって同時に書き込みを行う画像形成装置に関する。

感光体上に画像形成する場合、副走査方向にドットを重ね合わせて画像を形成することが多く、その場合、副走査方向で隣接する画像データを書き込む時間間隔が変化することがある。例えば、光学走査系が複数の光ビームを持ち、ポリゴンミラーを使用して感光体上に画像形成する場合、副走査方向に隣接する画像データをポリゴンミラーの１面のみで書き込む時と、ポリゴンミラーの２面をまたいで書き込む時があり、１面のみで書き込む時よりも、２面をまたいで書き込む時の方が、書き込み時間の間隔が長くなる。

その結果、相反則不軌により、ビーム径が一定でも、書き込み時間間隔が異なることによって形成した潜像の電位が異なり、濃度や潜幅が変化してしまい、相反則が成立している部分と成立していない部分では異なった画像となる。また、それらが混在した場合には画像が乱れてしまう。この現象は、解像度が高いほど影響が大きくなり、６００ｄｐｉより１２００ｄｐｉの方が大きく、より目立つようになる。

ここで、「相反則」とは、露光時の光の強さが倍になったとき、露光時間を半分にすれば同じ感光体表面電位が得られる、というように、光のエネルギーの総和が同じであれば露光後の感光体表面電位が一定になるような関係をいう。また、その関係が成立しない場合を「相反則不軌」という。

そこで、特許文献１には、マルチビームの発光パターンに応じて、出力ビーム光量を変えることにより、感光体上の潜在電位のバラツキを調整する方法が、開示されている。

また、特許文献２には、飛び越し走査を採用することにより、相反則不軌によるバンディングの画質欠陥を軽減する方法が、開示されている。

しかしながら、前記方法では相反則不軌による画質低下の影響を低減できるものの、解像度が高くなる場合には、形成した潜像の電位が異なり、濃度や潜幅が変化してしまい、結果として相反則が成立している部分と成立していない部分では異なった画像になるという問題点が依然存在していた。

特開２００２−１１３９０３号公報特開２００４−７７７１４号公報

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、相反則不軌よる潜像の変化を補正し、副走査方向で隣接する画像データの書き込み時間間隔の差による画像の差をなくした画像形成装置を提供することである。

上記課題を解決する手段である本発明の特徴を以下に挙げる。
本発明の画像形成装置は、画像データに応じた光ビームで、像担持体上の副走査方向に、順次画像露光を行う画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを露光する時間間隔が、異なる時間間隔が混在する場合、その間隔に応じて、各々のビーム径を変更する画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とするものである。これにより、相反則不軌よる潜像の変化を補正し、副走査方向で隣接する画像データの書き込み時間間隔の差による画像の差をなくすことができる。

本発明の画像形成装置は、画像データに応じた光ビームで、像担持体上の副走査方向に、順次画像露光を行う３ビーム以上を持つ画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを露光する時間間隔が、異なる時間間隔が混在する場合、時間間隔が長くなることがあるビームの径を、長くならないビームの径よりも常に小さくする画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とするものである。これにより、複雑な制御を行うことなく、相反則不軌よる潜像の変化を補正し、副走査方向で隣接する画像データの書き込み時間間隔の差による画像の差をなくすことができる。

本発明の画像形成装置は、画像データに応じた光ビームを、ポリゴンミラーで反射させて走査し、像担持体上に画像露光を行う、複数ビームを持つ画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを、同一のポリゴンミラー面を使用して露光する場合と異なるポリゴンミラー面を使用して露光する場合が混在する場合、その間隔に応じて、各々のビーム径を変更する画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とするものである。

本発明の画像形成装置は、画像データに応じた光ビームを、ポリゴンミラーで反射させて走査し、像担持体上に画像露光を行う、３ビーム以上を持つ画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを、同一のポリゴンミラー面を使用して露光する場合と異なるポリゴンミラー面を使用して露光する場合が混在する場合、異なるポリゴンミラー面を使用して露光することがあるビームの径を、同一のポリゴンミラー面のみを使用して露光するビームの径よりも常に小さくする画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とするものである。

本発明の画像形成装置は、同一の画像データであって、副走査方向に連続した画像を、異なる時間間隔で露光して形成した基準静電潜像を比較することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置である。

本発明の画像形成装置は、同一の画像データであって、副走査方向に連続した画像を、異なるポリゴンミラー面を使用して露光し形成した基準静電潜像を比較することを特徴とする請求項３又は４に記載の前記記載の画像形成装置である。

本発明の画像形成装置は、各光ビーム径調整前後で、複数ビームの総ビーム径が一定であることを特徴とする請求項２又は４に記載の画像形成装置である。これにより、相反則が成立する場合に総ビーム径の過不足とならない。

本発明の画像形成装置は、基準静電潜像のパターンが、副走査方向に連続したビームで形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の画像形成装置である。基準静電潜像のパターンは、副走査方向に連続したビームで形成するので、相反則不軌の影響をより感度よく検知することができる。

本発明の画像形成装置は、作像条件調整動作（プロセスコントロール）を行う画像形成装置であって、作像条件調整動作終了後に、各光ビーム径調整動作をすることを特徴とする前記画像形成装置である。これにより、作像条件調整動作終了後に、各光ビーム径調整動作をするので、その時の感光体感度、現像γ（現像ポテンシャルに対する現像特性）に合わせたビーム径設定ができ、より大きな効果が得られる。

本発明は、上記解決するための手段によって、相反則不軌よる潜像の変化を補正し、副走査方向で隣接する画像データの書き込み時間間隔の差による画像の差をなくした画像形成装置を提供することができる。

以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。なお、いわゆる当業者は特許請求の範囲内における本発明を変更・修正をして他の実施形態をなすことは容易であり、これらの変更・修正はこの特許請求の範囲に含まれるものであり、以下の説明はこの発明における最良の形態の例であって、この特許請求の範囲を限定するものではない。

図１は画像形成装置本体のレイアウト図である。像担持体を一様に帯電させ、書込み部からのＬＤ（またはＬＥＤ）光によって、像担持体上に静電潜像を形成する。次に静電潜像は現像部でトナー像化され、トナー像は転写部にて像担持体上から転写紙上へ転写される。その後定着部にて転写紙上に定着される。

図２は、書込みユニットの主要構成図である。図３は、ブロック図である。図４は、ＬＥＤユニット（４アレイ）の主要構成図である。図３のブロック図の構成によってＬＥＤが駆動され、像担持体上に静電潜像を形成する。

２ドット横ラインは、ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４、ＬＥＤ４、１を使用して書き込む場合の４パターンがある。ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４は同時書込みであるが、ＬＥＤ４、１の場合は、書込み時間差が生じるため、相反則不軌の現象が発生する。

（実施例１）
ＬＥＤ４、１で作成した基準静電潜像（２ドット横ラインの集合）と、ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４の３組のうち、少なくとも１組で作成した基準静電潜像の電位を表面電位センサで測定・比較し、それらがほぼ同じ電位になるために必要なＬＥＤ４、１の場合のＬＥＤ１のビーム径を調整して求めた。画像処理を行う際に、座標から、ＬＥＤ４、１で書込む画像か否かを認識し、必要な時のみ相反則不軌の現象を抑制するための制御として、先に求めたＬＥＤ１のビーム径を適用する。

本実施例の場合には、帯電電位は−８００Ｖ、露光後電位は−１００Ｖ、解像度は１２００ｄｐｉ、光量（感光体面）は０．４４μＪ／ｃｍ^２である。また、書き込み時間間隔は、ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４の場合は同時書込みであり、ＬＥＤ４、１の場合は、約１／４０００ｓｅｃ（４アレイで感光体線速３４０ｍｍ／ｓｅｃ）である。ビーム径標準値は、副走査方向で７０μｍ、主走査方向で５５μｍである。ビーム径調整値は、ＬＥＤ４、１を使用して潜像を形成する（ドット、ライン、ベタ等全て）場合のみＬＥＤ１のみ標準値に対して８０％（アパーチャ径による）に小さくした。
具体的には、通常径用のアパーチャと小径用のアパーチャ（液晶マスク）とを組み合わせて、必要時に、液晶マスクを用いてビーム径を小さくした。

図７に２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の結果を示す。ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４では、ビーム径変更なしで約８５μｍであったのが、ビーム径変更後は約８５μｍであった。一方、ＬＥＤ４、１では、ビーム径変更なしで約１００μｍであったのが、ビーム径変更後は約８５μｍであった。

実施例は４アレイを使用したが、ビーム径は固定値ではなく必要時のみ変更のため、２アレイでもよい。また、６００ｄｐｉでも相反則不軌の現象は発生するが、元々の線幅が太いため、現象の影響は少なく目立ちにくい。そのため、解像度が低い場合には、ビーム径の変更量は少なくても良い。また、時間間隔が１／４０００ｓｅｃより短い場合も、ビーム径の変更量は少なくても良い。また、実施例ではＬＥＤ１のみ調整したが、ＬＥＤ１、４ともに調整しても良い。

（実施例２）
ＬＥＤ４、１で作成した基準静電潜像（２ドット横ラインの集合）と、ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４の３組のうち、少なくとも１組で作成した基準静電潜像の電位を表面電位センサで測定・比較し、それらがほぼ同じ電位になるために必要なＬＥＤ４、１の場合のＬＥＤ１、ＬＥＤ４のビーム径（ＬＥＤ１＝ＬＥＤ４）を求めた。

画像処理を行う際に、座標から、ＬＥＤ４、１で書込む画像か否かを認識し、必要な時のみ相反則不軌の現象を抑制するための制御として、（１）画像処理を行う際に、座標から、ＬＥＤ４、１で書込む画像か否かを認識、（２）必要な時のみ相反則不軌の現象を抑制する制御を行う、ためには複雑な制御が必要になり、適切でない。
よって本実施例では、ＬＥＤ１、ＬＥＤ４を標準ビーム径に対して減らし（ＬＥＤ１＝ＬＥＤ４）、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３を標準ビーム径に対して増やし（ＬＥＤ２＝ＬＥＤ３）て、ＬＥＤ４、１で形成した基準静電潜像とＬＥＤ２、３で形成した基準静電潜像とを比較して表面電位がほぼ同じになるビーム径を求めた。ただし、ＬＥＤ１の標準ビーム径に対する減少率とＬＥＤ３の標準ビーム径に対する増加率は同じにして、調整前後のＬＥＤ１〜４の総ビーム径が変化しないようにした（調整前ＬＥＤ１＋ＬＥＤ２＋ＬＥＤ３＋ＬＥＤ４＝調整後前ＬＥＤ１＋ＬＥＤ２＋ＬＥＤ３＋ＬＥＤ４）。

本実施例の場合には、帯電電位は−８００Ｖ、露光後電位は−１００Ｖ、解像度は１２００ｄｐｉ、光量（感光体面）は０．４４μＪ／ｃｍ^２である。書き込み時間間隔は、ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ２、３、ＬＥＤ３、４の場合は同時書込みであり、ＬＥＤ４、１の場合は、約１／４０００ｓｅｃ（４アレイで感光体線速３４０ｍｍ／ｓｅｃ）である。ビーム径標準値は、副走査方向で７０μｍ、主走査方向で５５μｍである。ビーム径調整値は、ＬＥＤ１および４は、標準値に対して−１０％で固定し、ＬＥＤ２および３は、標準値に対して＋１０％で固定した。アパーチャ径（液晶マスク）による調整で、具体的には、必要時に、液晶マスクを用いてビーム径を調整した。

図８に２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の結果を示す。ＬＥＤ１、２、ＬＥＤ３、４では、ビーム径変更なしで約８５μｍであったのが、ビーム径変更後は約８５μｍであった。一方、ＬＥＤ２、３では、ビーム径変更なしで約８５μｍであったのが、ビーム径変更後は約９１μｍであった。さらに、ＬＥＤ４、１では、ビーム径変更なしで約１００μｍであったのが、ビーム径変更後は約９２μｍであった。

本実施例では、ビーム径は書き込みパターンによらず固定値のため、どのＬＥＤの組み合わせで書き込んでもライン幅は同じとはならないが、複雑な制御を行うことなく、ビーム径を固定値で変更することにより、相反則不軌によって生じる線幅の差を小さくできた。

本実施例でも６００ｄｐｉでも相反則不軌の現象は発生するが、元々の線幅が太いため、現象の影響は少なく目立ちにくい。そのため、解像度が低い場合には、ビーム径の変更量は少なくても良い。また、時間間隔が１／４０００ｓｅｃより短い場合も、ビーム径の変更量は少なくても良い。

図５は、ブロック図である。図６は、ＬＤユニット（４ビーム）の主要構成図である。図５のブロック図の構成によってＬＤが駆動され、像担持体上に静電潜像を形成する。図６は４ビームの光学系で２ドット横ラインを書き込む場合を例として示している。２ドット横ラインは、同一のポリゴンミラー面でＬＤ１、２、ＬＤ２，３、ＬＤ３、４を使用して書き込む場合と、２つのポリゴンミラー面にまたがってＬＤ４，１を使用して書き込む場合の４パターンがある。ＬＤ１、２、ＬＤ２，３、ＬＤ３、４は同時書込みであるが、ＬＤ４、１の場合は、書込み時間差が生じるため、相反則不軌の現象が発生する。

（実施例３）
図９は、４ビームの光学系で２ドット横ラインを書き込む場合を示す図である。ＬＤ４、１で作成した基準静電潜像（２ドット横ラインの集合）と、ＬＤ１、２、ＬＤ２、３、ＬＤ３、４の３組のうち、少なくとも１組で作成した基準静電潜像の電位を表面電位センサで測定・比較し、それらがほぼ同じ電位になるために必要なＬＤ４、１の場合のＬＤ１のビーム径を調整し求めた。画像処理を行う際に、座標より、ポリゴンミラー面をまたいで、ＬＤ４、１で書込む画像か否かを認識し、必要な時のみ相反則不軌の現象を抑制するための制御として、先に求めたＬＤ１のビーム径を適用する。

本実施例の場合には、帯電電位は−８００Ｖ、露光後電位は−１００Ｖ、解像度は１２００ｄｐｉ、光量（感光体面）は０．４４μＪ／ｃｍ^２である。また、書き込み時間間隔は、同一ミラー面（ＬＤ１、２、ＬＤ２、３、ＬＤ３、４）の場合は同時書込みであり（ＬＤアレイを傾けず、書き出し位置が同じ）、ミラー面をまたぐ（ＬＤ４、１）場合は約１／４０００ｓｅｃ（６面で４００００ｒｐｍ）である。ビーム径標準値は、副走査方向で７０μｍ、主走査方向で５５μｍである。ビーム径調整値は、ＬＤ４、１を使用して潜像を形成する（ドット、ライン、ベタ等全て）場合のみＬＤ１のみ標準値に対して８０％（アパーチャ径による）に小さくした。具体的には、通常径用のアパーチャと小径用のアパーチャ（液晶マスク）とを組み合わせて、必要時に、液晶マスクを用いてビーム径を小さくした。

図９に２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の結果を示す。ＬＤ１、２、ＬＤ２、３、ＬＤ３、４では、ビーム径変更なしで約８５μｍであったのが、ビーム径変更後は約８５μｍであった。一方、ＬＤ４、１では、ビーム径変更なしで約１００μｍであったのが、ビーム径変更後は約８５μｍであった。

本実施例は４ビームを説明したが、ビーム径は固定値ではなく必要時のみ変更のため、２ビームでもよい。６００ｄｐｉでも相反則不軌の現象は発生するが、元々の線幅が太いため、現象の影響は少なく目立ちにくい。そのため、解像度が低い場合には、ビーム径の変更量は少なくても良い。また、時間間隔が１／４０００ｓｅｃより短い場合も、ビーム径の変更量は少なくても良い。さらに、実施例では、ＬＤ１のみ調整したが、ＬＤ１、４ともに調整しても良い。

（実施例４）
ＬＤ４、１で作成した基準静電潜像（２ドット横ラインの集合）と、ＬＤ１、２、ＬＤ２、３、ＬＤ３、４の３組のうち、少なくとも１組で作成した基準静電潜像の電位を表面電位センサで測定・比較し、それらがほぼ同じ電位になるために必要なＬＤ４、１の場合のＬＤ１、ＬＤ４のビーム径（ＬＤ１＝ＬＤ４）を求めた。

画像処理を行う際に、座標から、ＬＤ４、１で書込む画像か否かを認識し、必要な時のみ相反則不軌の現象を抑制するための制御として、（１）画像処理を行う際に、座標から、ＬＤ４、１で書込む画像か否かを認識、（２）必要な時のみ相反則不軌の現象を抑制する制御を行う、ためには複雑な制御が必要になり、適切でない。
よって本実施例では、ＬＤ１、ＬＤ４を標準ビーム径に対して減らし（ＬＤ１＝ＬＤ４）、ＬＤ２、ＬＤ３を標準ビーム径に対して増やし（ＬＤ２＝ＬＤ３）て、ＬＤ４、１で形成した基準静電潜像とＬＤ２，３で形成した基準静電潜像とを比較して表面電位がほぼ同じになるビーム径を求めた。ただし、ＬＤ１の標準ビーム径に対する減少率とＬＤ３の標準ビーム径に対する増加率は同じにして、調整前後のＬＤ１〜４の総ビーム径が変化しないようにした（調整前ＬＤ１＋ＬＤ２＋ＬＤ３＋ＬＤ４＝調整後ＬＤ１＋ＬＤ２＋ＬＤ３＋ＬＤ４）。

本実施例の場合には、帯電電位は−８００Ｖ、露光後電位は−１００Ｖ、解像度は１２００ｄｐｉ、光量（感光体面）は０．４４μＪ／ｃｍ^２である。また、書き込み時間間隔は、同一ミラー面（ＬＤ１、２、ＬＤ２、３、ＬＤ３、４）の場合は同時書込み（ＬＤアレイを傾けず、書き出し位置が同じ）であり、ミラー面をまたぐ（ＬＤ４、１）場合は約１／４０００ｓｅｃ（６面で４００００ｒｐｍ）である。ビーム径標準値は、副走査方向で７０μｍ、主走査方向で５５μｍである。ビーム径調整値は、ＬＤ１および４は、標準値に対して−１０％で固定し、ＬＤ２および３は、標準値に対して＋１０％で固定した。

図１０に、２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の結果を示す。ＬＤ１、２、ＬＤ３、４では、ビーム径変更なしで約８５μｍであったのが、ビーム径変更後は約８５μｍであった。一方、ＬＤ２、３では、ビーム径変更なしで約８５μｍであったのが、ビーム径変更後は約９１μｍであった。さらに、ＬＤ４、１では、ビーム径変更なしで約１００μｍであったのが、ビーム径変更後は約９２μｍであった。

本実施例では、ビーム径は書き込みパターンによらず固定値のため、どのＬＤの組み合わせで書き込んでもライン幅は同じとはならないが、複雑な制御を行うことなく、ビーム径を固定値で変更することにより、相反則不軌によって生じる線幅の差を小さくできた。

本実施例は、６００ｄｐｉでも相反則不軌の現象は発生するが、元々の線幅が太いため、現象の影響は少なく目立ちにくい。そのため、解像度が低い場合には、ビーム径の変更量は少なくても良い。また、時間間隔が１／４０００ｓｅｃより短い場合も、ビーム径の変更量は少なくても良い。

感光体感度や現像γは経時・環境で変化する。作像条件調整動作（プロセスコントロール）を行う画像形成装置の場合には、作像条件調整動作終了に引き続き、各光ビーム径調整動作を行うと、その時の感光体感度、現像γ（現像ポテンシャルに対する現像特性）に合わせたビーム径設定ができるため、より効果が大きくなる。

なお、図１１は、相反則不軌のモデル図である。

図１は画像形成装置本体のレイアウト図である。図２は、書込みユニットの主要構成図である。図３は、ブロック図である。図４は、ＬＥＤユニット（４アレイ）の主要構成図である。図５は、ブロック図である。図６は、ＬＤユニット（４ビーム）の主要構成図である。図７は、２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の実施例１の結果を示す図である。図８は、２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の実施例２の結果を示す図である。図９は、２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の実施例３の結果を示す図である。図１０は、２ドット横ライン幅（１２００ｄｐｉ）の実施例４の結果を示す図である。図１１は、相反則不軌のモデル図である。

Claims

画像データに応じた光ビームで、像担持体上の副走査方向に、順次画像露光を行う画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを露光する時間間隔が、異なる時間間隔が混在する場合、その間隔に応じて、各々のビーム径を変更する画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とする画像形成装置。
画像データに応じた光ビームで、像担持体上の副走査方向に、順次画像露光を行う３ビーム以上を持つ画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを露光する時間間隔が、異なる時間間隔が混在する場合、時間間隔が長くなることがあるビームの径を、長くならないビームの径よりも常に小さくする画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とする画像形成装置。
画像データに応じた光ビームを、ポリゴンミラーで反射させて走査し、像担持体上に画像露光を行う、複数ビームを持つ画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを、同一のポリゴンミラー面を使用して露光する場合と異なるポリゴンミラー面を使用して露光する場合が混在する場合、その間隔に応じて、各々のビーム径を変更する画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とする画像形成装置。
画像データに応じた光ビームを、ポリゴンミラーで反射させて走査し、像担持体上に画像露光を行う、３ビーム以上を持つ画像形成装置であって、副走査方向に隣接する画像データを、同一のポリゴンミラー面を使用して露光する場合と異なるポリゴンミラー面を使用して露光する場合が混在する場合、異なるポリゴンミラー面を使用して露光することがあるビームの径を、同一のポリゴンミラー面のみを使用して露光するビームの径よりも常に小さくする画像形成装置で、像担持体上静電潜像の電位を検知する検知手段を備え、像担持体上に基準静電潜像を形成し、この基準静電潜像の電位に応じて、画像露光する場合の各々の光ビーム径を調整することを特徴とする画像形成装置。
同一の画像データであって、副走査方向に連続した画像を、異なる時間間隔で露光して形成した基準静電潜像を比較することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
同一の画像データであって、副走査方向に連続した画像を、異なるポリゴンミラー面を使用して露光し形成した基準静電潜像を比較することを特徴とする請求項３又は４に記載の画像形成装置。
各光ビーム径調整前後で、複数ビームの総ビーム径が一定であることを特徴とする請求項２又は４に記載の画像形成装置。
基準静電潜像のパターンが、副走査方向に連続したビームで形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の画像形成装置。
作像条件調整動作（プロセスコントロール）を行う画像形成装置であって、作像条件調整動作終了後に、各光ビーム径調整動作をすることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の画像形成装置。