JP2007036030A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007036030A
JP2007036030A JP2005219082A JP2005219082A JP2007036030A JP 2007036030 A JP2007036030 A JP 2007036030A JP 2005219082 A JP2005219082 A JP 2005219082A JP 2005219082 A JP2005219082 A JP 2005219082A JP 2007036030 A JP2007036030 A JP 2007036030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicone composition
light emitting
light
emitting device
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005219082A
Other languages
English (en)
Inventor
Masafumi Kuramoto
雅史 蔵本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2005219082A priority Critical patent/JP2007036030A/ja
Publication of JP2007036030A publication Critical patent/JP2007036030A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

【課題】 ゴミや埃が付着し難い封止部材を持つ発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 凹部を有するパッケージ20に発光素子10を載置し、パッケージ20の凹部内にシリコーン組成物50をポッティングして発光素子10を第1のシリコーン組成物50で被覆し、第1のシリコーン組成物50よりも硬化時の硬度が高い第2のシリコーン組成物60をインクジェット方式により吐出して第1のシリコーン組成物50を被覆した後、第2のシリコーン組成物60を硬化する発光装置100の製造方法。
【選択図】 図3

Description

本発明は、車載用照明、携帯電話のバックライト用照明や、各種デ−タを表示可能なディスプレイ、ラインセンサ−など各種センサーの光源やインジケータなどに利用される信頼性の高い発光装置及びその製造方法に関する。
今日、RGB(赤色系、緑色系、青色系)において1000mcd以上にも及ぶ超高輝度に発光可能な発光素子(LEDチップ)がそれぞれ開発されている。この発光素子を用いて携帯電話の液晶バックライト用の照明などに使用されている。またRGBがそれぞれ発光可能な発光素子を用い混色発光させることでフルカラー表示可能なLED表示器とすることができる。また、JIS第2水準漢字のような複雑な文字を表示するためには、特に高精細な表示器が求められる。
このように高出力発光の発光素子が開発されるに伴い、該発光素子を被覆する封止樹脂の耐光性が問題とされている。この問題を解決すべく、一般にエポキシ樹脂よりも耐光性に優れたシリコーン樹脂が封止樹脂に使用されている(例えば、特許文献1参照)。図6に従来の発光装置の概略断面図を示す。発光装置500は、発光素子510と、パッケージ520と、リード530と、封止部材550と、を有する。パッケージ520は底面と側面とを有する凹部が形成されている。パッケージ520の凹部の底面にはリード530の一部が配置されており、発光素子510がダイボンドされている。発光素子510は上面と裏面に電極を有しており、ワイヤ540及びダイボンド部材(図示省略)を介してリード530と電気的に接続されている。発光素子510が載置されているパッケージ520の凹部内は封止部材550が配置されている。この封止部材550はシリコーンゴム組成物が使用されている(例えば、特許文献2参照)。このシリコーンゴム組成物は、耐光性、耐熱性等の特性や、硬度、伸びなどのゴム的性質に優れた硬化物を形成することから、種々の用途に使用されている旨記載されている。
特開2005−42099号公報 特開2000−2922号公報
しかし、従来のシリコーンゴム組成物は、表面にタック性があり、電気電子部品のコート剤等では埃の付着が問題となっている。また、これを解決したシリコーンレジンでは、クラックの発生と基台との密着不良が問題となっている。さらに、一般に付加硬化型のシリコーンゴム組成物においてはレジン状のオルガノポリシロキサンを配合することにより、硬化物のゴム硬度を向上させているが不十分であり、表面にタックが残り、埃の付着が問題となっている。埃の付着は堆積により経時的に封止部材の表面が荒れ、発光特性が変化する。これにより所望の発光特性を維持することができない。また、ゴム硬度を上げることによりシリコーンレジンと同様にクラックの発生と基台との密着不良が増加する。
以上のことから、本発明は、ゴミや埃が付着し難い封止部材を持つ発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記の問題点を解決すべく、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに到った。
本発明は、基台に発光素子が載置される発光装置の製造方法であって、前記基台に前記発光素子を載置する第1の工程と、前記発光素子を第1のシリコーン組成物で被覆する第2の工程と、前記第1のシリコーン組成物よりも硬化時の硬度が高い第2のシリコーン組成物を用いて、インクジェット方式により前記第2のシリコーン組成物を吐出して前記第1のシリコーン組成物の表面の少なくとも一部を被覆する第3の工程と、前記第2のシリコーン組成物を硬化させる第4の工程と、を有する発光装置の製造方法に関する。これにより、ゴミや埃の付着しやすい第1のシリコーン組成物をゴミや埃の付着し難い第2のシリコーン組成物で被覆することができる。よって埃等が付着し難い封止部材を備えた発光装置を提供することができる。また、第3の工程においてインクジェット方式により第2のシリコーン組成物を吐出するため、如何なる形状を有する第1のシリコーン組成物であっても第2のシリコーン組成物で被覆することができる。
前記第2の工程後、前記第1のシリコーン組成物を仮硬化した後、第3の工程を行うこともできる。これにより第1のシリコーン組成物と第2のシリコーン組成物との密着性を向上することができる。
前記基台は、底面と側面を持つ開口部を有しており、前記開口部の底面には前記発光素子が載置されており、前記第2の工程は、前記第1のシリコーン組成物を滴下して被覆する製造方法も使用することができる。これにより簡易に第1のシリコーン組成物を開口部内に配置することができる。また、第1のシリコーン組成物に蛍光物質を配置することにより、波長変換可能な発光装置を提供することもできる。
本発明は、発光素子と、前記発光素子が載置される基台と、を有する発光装置であって、前記発光素子は第1のシリコーン組成物で被覆されており、前記第1のシリコーン組成物の表面の少なくとも一部は第2のシリコーン組成物で被覆されており、前記第2のシリコーン組成物は前記第1のシリコーン組成物よりも硬度が高く、前記第2のシリコーン組成物の厚さは0.1μm以上10μm以下である発光装置に関する。これにより埃等の付着し難い封止部材を備えた発光装置を提供することができる。これは第1のシリコーン組成物の表面に現れるタックをなくすことができるからである。また、第2のシリコーン組成物の厚さを制限することにより、第2のシリコーン組成物が低応力化されるため剥離、クラックの発生を防止することができるうえ、発光素子から放出される光の出力低下を妨げることがなく、高出力に発光する発光装置を提供することができる。さらに、第1のシリコーン組成物を硬度が高い第2のシリコーン組成物で被覆するため、ガラス等で第1のシリコーン組成物を被覆することなく屋外等に使用することができる。
本発明は、発光素子と、前記発光素子が載置される基台と、を有する発光装置であって、前記発光素子は第1のシリコーン組成物で被覆されており、前記第1のシリコーン組成物の表面の少なくとも一部は第2のシリコーン組成物が配置されており、前記第2のシリコーン組成物は前記第1のシリコーン組成物よりも硬度が高く、前記第2のシリコーン組成物は前記発光素子の略上方にレンズ形状を成している発光装置に関する。これにより、簡易にレンズを形成することができる。また、複数の発光素子を備える発光装置においては発光素子毎にマイクロレンズを設けることにより配向を狭めることなく正面光度を向上させることができる。
第1のシリコーン組成物はJIS−Aゴム硬度10〜50であることが好ましい。JIS−Aゴム硬度が10未満であるとゲル状となり流動性に富み、機械的強度が低下するため、使用し難い。また、蛍光体等の比重の大きな無機粒子を混合分散した際、容易に経時的クリープを起こし見かけ上、無機粒子が沈降していくため発光特性上の変化が生じてしまう。一方、JIS−A硬度が50より大きくなると、基台と第1のシリコーン組成物とが剥離し易くなる。よって、所定のゴム硬度を有することが好ましい。実用的にはJIS−Aゴム硬度が20〜30のものを使用することが好ましい。
前記第2のシリコーン組成物はJIS−Aゴム硬度40以上であることが好ましい。この範囲にすることにより、第1のシリコーン組成物を高強度に保護することができる。より好ましくはJIS−Aゴム硬度60以上である。なお、数値的に重なる部分もあるが、あくまで第2のシリコーン組成物は第1のシリコーン組成物よりも硬度が高い。
上記構成を有することにより、ゴミや埃の付着し難い封止部材を備えた発光装置およびその製造方法を提供することができる。また、ガラス部材等を用いないため発光装置の小型化が可能である。さらに第1のシリコーン組成物を保護するため発光装置の長寿命化を図ることもできる。
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法を、実施の形態及び実施例を用いて説明する。だたし、本発明は、この実施の形態及び実施例に限定されない。
<第1の実施の形態>
<発光装置>
第1の実施の形態に係る発光装置について以下説明する。図1は第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略I−I断面図である。図2は第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。
発光装置100は、発光素子10と、発光素子10を載置するパッケージ(基台)20と、パッケージ20と一体成形されているリード30と、発光素子10を被覆する第1のシリコーン組成物50と、第1のシリコーン組成物50を被覆する第2のシリコーン組成物60と、を有する。
パッケージ20は底面と側面とを持つ開口部を有する。パッケージ20は外部電極と接続するための正負一対のリード30を備える。リード30の一端はパッケージ20の開口部の底面に配置しており、リード30の他端はパッケージ20から外側に露出している。そのパッケージ20の開口部の底面に配置するリード30に発光素子10を載置する。発光素子10はワイヤ40を介してリード30と電気的に接続している。パッケージ20から外部に露出したリード30は側面側から裏面側に折り曲げられている。パッケージ20の開口部は蛍光物質70を含有する第1のシリコーン組成物50を配置している。蛍光物質70は発光素子10から出射された光を吸収して、発光素子10から出射された光と異なる光に波長変換して外部に放出する。第1のシリコーン組成物50は発光素子10を水分や埃等から保護するために設けている。また第1のシリコーン組成物50に含有する蛍光物質70の量や配合割合を変えることにより種々の色調に発光する発光装置を提供することができる。蛍光物質70は第1のシリコーン組成物50中に沈降しているが、粘度を高くして均一に拡散することもできる。第1のシリコーン組成物50はタックの有無に関わらず、従来使用されてきた樹脂を使用することができる。第1のシリコーン組成物50の表面に第2のシリコーン組成物60を被覆している。第2のシリコーン組成物60の厚さは0.1μm〜10μmであることが好ましい。10μm以上のものも製造できるが、一度の塗布では均一な膜厚にすることが困難となるためである。また、第2のシリコーン組成物は硬質であるため10μm以上にすると剥離の発生ならびにクラックが入りやすくなるためである。第2のシリコーン組成物60は第1のシリコーン組成物50よりも硬度が高い。これにより外部からのゴミにより第1のシリコーン組成物50の表面が荒れることなく、均一な発光特性を保持することができる。また、第2のシリコーン組成物60で第1のシリコーン組成物50を被覆するため、ゴミや埃の付着を抑制することができる。また、第1のシリコーン組成物50の表面だけでなく、パッケージ20の上面も被覆することもできる。これにより第1のシリコーン組成物50とパッケージ20との界面からの水分の侵入を防止することができるからである。第1のシリコーン組成物50の表面は平坦であることが好ましいが、硬化に伴い凹状となることもある。この場合であっても第1のシリコーン組成物50の表面に第2のシリコーン組成物60を配置することができるため、第1のシリコーン組成物50を保護することができる。
以下、各構成部材について詳述していく。
(発光素子)
発光素子10は、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としても良い。
屋外などの使用を考慮する場合、高輝度な発光素子を形成可能な半導体材料として窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウム・アルミニウム・砒素系の半導体やアルミニウム・インジュウム・ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ましいが、用途によって種々利用することもできる。
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN単結晶等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガリウムを量産性良く形成させるためにはサファイヤ基板を用いることが好ましい。窒化物系化合物半導体を用いた発光素子10例を示す。サファイヤ基板上にGaN、AlN等のバッファー層を形成する。その上にN或いはP型のGaNである第1のコンタクト層、量子効果を有するInGaN薄膜である活性層、P或いはN型のAlGaNであるクラッド層、P或いはN型のGaNである第2のコンタクト層を順に形成した構成とすることができる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。なお、発光効率を向上させる等所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。
一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。窒化ガリウム系半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでP型化させる必要がある。こうして形成された半導体ウエハーを部分的にエッチングなどさせ正負の各電極を形成させる。その後半導体ウエハーを所望の大きさに切断することによって発光素子を形成させることができる。
発光素子10の大きさは□1mmサイズが実装可能で、□600μm、□320μmサイズ等のものも実装可能である。
(パッケージ)
パッケージ20は、底面と側面を持つ開口部を有しており、開口部底面から外側に延びるリード30を一体成型している。パッケージ20の開口部底面は、リード30の一部を露出して配設している。この開口部底面のリード30の露出部分には発光素子10を載置している。また、パッケージ20の外側底面若しくは外側側面もリード30の一部を露出している。これにより開口部内に載置される発光素子10と外部電極(図示しない)とを電気的に接続することができる。パッケージ20の内部から外側にリード30が延びているため、リード30がパッケージ20から剥離することは極めて少ない。リード30はパッケージ20の側面から外部に露出しているが、底面側から露出することもできる。
開口部は開口方向に従って広口となるように傾斜を持たせた側面を有しているが、傾斜を持たない側面とすることもできる。そのほか、開口部は開口径が異なる第1の開口部と第2の開口部とを有しており、第2の開口部の開口径は第1の開口部の開口径よりも大きく、第1の開口部と第2の開口部との間に段差部を設けているものも使用することができる。第1の開口部は発光素子に近い側に設けている。また、この段差部に溝を設けることにより、開口部に配置される第1のシリコーン組成物50の盛り上がりや樹脂の這い上がりを防止することができる。
パッケージ20は、所定の金型に溶融した成形樹脂を射出することにより製作される。所定の形状を成すリードフレームを上金型と下金型とで挟み込み、その金型内に溶融した成形樹脂を射出する。その後、成形樹脂を冷却固化あるいは硬化することによりパッケージ20を成形することができる。
パッケージ20の材質は、液晶ポリマーやポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂、ポリアミド樹脂、ABS樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性支持部材を用いることができる。このうち、リフロー半田耐熱性と成形容易かつ安価なこと、また第1のシリコーン組成物50との密着性からポリアミド樹脂、特にポリフタルアミドを用いることが好ましい。また、底面と側面を持つ開口部を有するパッケージ20は、発光素子10からの光を効率よく取り出すために開口方向に拡がる傾斜した側面を持つように形成している。パッケージ20にチタン酸バリウムや酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウムなどの白色顔料などを混合することによりパッケージ20の表面、特に開口部における底面及び側面の光の反射率を向上させることが好ましい。一方、パッケージ20に暗色の顔料を混入させ、暗色系のパッケージとすることもできる。擬似点灯防止のためである。
また、上記の樹脂に代えて、セラミックスをパッケージ20に用いることもできる。所定の厚さのセラミックスグリーンシートを複数枚積層して焼結する。そのセラミックスグリーンシートには所定の位置に孔を設けている。この孔の位置を合わせてセラミックスグリーンシートを複数枚積層することにより、その孔が開口部側面となる。電気的接続をとるためパッケージ20に金属部材を配設することも可能である。また開口部側面をメッキすることもできる。セラミックス材料は特に限定されないが、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが好ましい。特に、原料粉末の90重量%〜96重量%がアルミナであり、焼結助剤として粘度、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等が4重量%〜10重量%添加され1500℃から1700℃の温度範囲で焼結させたセラミックスや原料粉末の40重量%〜60重量%がアルミナで焼結助剤として60重量%〜40重量%の硼珪酸ガラス、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどが添加され800℃〜1200℃の温度範囲で焼結させたセラミックス等が挙げられる。
(リード)
リード30は、パッケージ20と一体成形されている。リード30の一端はパッケージ20の開口部底面に配設しており、他端はパッケージ20から外側に配設している。リード30は、一対の正負の電極として機能する。
リード30は、鉄、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて構成することができる。また、発光素子10からの光の反射率を向上させるため、リード30の表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属メッキを施すこともできる。また、リード30の表面の反射率を向上させるため、平滑にすることが好ましい。また、放熱性を高めるためリード30の面積を大きくすることもできる。これにより発光素子10の温度上昇を効果的に抑えることができ、発光素子10に比較的多くの電気を流すことができる。ただし金属であるリード30と第1のシリコーン組成物50との密着性は、パッケージ20と第1のシリコーン組成物50との密着性よりも悪いため、パッケージ20の開口部底面におけるリード30の露出面積は30%〜80%程度が好ましい。
ただしセラミックスのパッケージ20を用いる場合、リード30はメッキ手段等によりパッケージ20に配設する。
(第1のシリコーン組成物)
第1のシリコーン組成物50はパッケージ20の開口部内に配置されている。第1のシリコーン組成物50は外部環境からの外力や埃、水分などから発光素子10を保護するものである。また、発光素子10からの光を効率よく外部に放出させるためのものである。さらに、第1のシリコーン組成物50は、エポキシ樹脂よりも耐熱性、耐光性に富む。
このような、第1のシリコーン組成物50はシロキサン結合を有するものを指す。これらには縮合反応架橋型、付加反応架橋型の2種類があり、付加反応架橋型が好ましい。縮合反応架橋型も使用できなくはないが、硬化の際に発生するガスによるボイド発生や表層が先に硬化する場合が多く十分にガスが抜けないための深層部硬化不良が発生しやすい。シロキサン結合のケイ素へメチル基またはフェニル基を導入したタイプが知られており、耐光性と強靭性はメチル基のみで構成されたシリコーン組成物が優れており好ましい。第1のシリコーン組成物50の粘度はディスペンサーを用いたポッティング上のハンドリングを考慮すると500mPa・s〜5000mPa・sであることが好ましいが、後述する添加物の分散性と、それを加えることによる増粘を考慮すると1500mPa・s〜4000mPa・sが更に好ましい。
また、樹脂50中には、視野角をさらに増やすために拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、発光素子10からの光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光物質70を含有させることもできる。
第1のシリコーン組成物50は、JIS−A硬度10〜50のものを使用することが好ましい。JIS−Aゴム硬度が10未満であると第1のシリコーン組成物50が流動し易く、機械的強度が低下するため、使用し難い。一方、JIS−Aゴム硬度が50より大きくなると、衝撃等によりパッケージ20と第1のシリコーン組成物50とが剥離し易くなる。よって、上記硬度のものを使用することが好ましい。実用的にはJIS−Aゴム硬度が20〜30のものがより好ましい。硬化後において第1のシリコーン組成物50は第2のシリコーン組成物60よりも柔らかい。これにより第2のシリコーン組成物60により第1のシリコーン組成物50を保護することができる。また、第1のシリコーン組成物50の表面にタックを有していても第2のシリコーン組成物60で被覆するためゴミや埃が付着し難い。
(第2のシリコーン組成物)
第2のシリコーン組成物60は第1のシリコーン組成物50の表面の少なくとも一部を被覆する。これにより第1のシリコーン組成物50への埃等の付着を防止することができる。特にパッケージ20の開口部内に配置された第1のシリコーン組成物50が露出する部分全体を第2のシリコーン組成物60で被覆することが好ましい。これにより第1のシリコーン組成物50への埃等の付着を低減することができる。また外部との接触部分がなくなるためシリコーン組成物50の劣化を防止することができ長寿命化を図ることができる。さらに水分の侵入等をより効果的に抑制することができる。
第2のシリコーン組成物60は第1のシリコーン組成物50よりも硬化後において硬い。これにより第1のシリコーン組成物50を効果的に保護することができる。特に別の被覆部材(例えば、ガラス等)を用いなくとも屋外で使用することもできる。
硬化後の第2のシリコーン組成物60の硬度はJIS−Aゴム硬度で40以上が好ましく、第1のシリコーン組成物50よりも硬い。第2のシリコーン組成物60は第1のシリコーン組成物50よりも高い硬度を有していれば良いが、第1のシリコーン組成物をより効果的に保護するには、JIS−Aゴム硬度で40以上であることが好ましく、60以上であることがより好ましい。
第2のシリコーン組成物60はタックを有しない。第1のシリコーン組成物50はゴム硬度が小さいため、その表面にタックを有しているが、第2のシリコーン組成物60はゴム硬度が大きいためタックを有しない。これにより埃等の付着を防止することができる。タックはゴム材料に固有の表面粘着性を指し、通常はゴム硬度の小さい柔らかいものほど激しくなる傾向が認められる。従って、第2のシリコーン組成物60はゴム硬度が大きいほどタックが小さくゴミや埃等が付着しにくい。また第2のシリコーン組成物60は密着性や強度に問題なければガラス転移温度が室温以上である室温ではガラス状態である方がより望ましい。
硬化前の第2のシリコーン組成物60の具体的組成は樹脂50との接着性や反応性を利用した密着性が期待できることより樹脂50と同種類のシロキサン結合よりなる成分を有機溶剤で希釈あるいは溶解させたものなどを使用することができる。有機溶剤は40重量%〜99重量%の範囲にありシロキサン成分を希釈あるいは溶解させインクジェットで塗布可能な粘度である3mPa・s〜15mPa・sとする必要がある。有機溶剤はシロキサン結合よりなる成分と十分な相溶性を有し沸点200℃以上であることが好ましい。シロキサン結合よりなる成分は硬化後の硬度を上げるため架橋密度を大幅に向上させる必要がある。架橋密度の向上は、モノマー分子を硬化反応起こす官能基で多官能化させるか、あらかじめ架橋させた分岐構造を有するモノマー分子を使用することにより達成される。光学面での光取り出し効率を考慮すると樹脂60の屈折率は樹脂50の屈折率より小さくすることが好ましい。従って、硬化前の第2のシリコーン組成物60のシロキサン結合よりなる成分はメチル基に代表される脂肪族化合物が第1のシリコーン組成物50よりも多く存在することが好ましい。第2のシリコーン組成物60はインクジェットによる吹き付けにより表面張力の小さな樹脂50の表面を濡らす必要があるため適度な濡れ広がりを得るため界面活性剤を添加してもよい。
また、樹脂60中には視野角をさらに増やすためや外光を反射させ外観を無釈色とするために拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、発光素子10からの光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光物質70を含有させることもできるが、硬化前の第2のシリコーン組成物60中での蛍光物質70の沈降によるインクジェットヘッドの詰まりをまねくため、蛍光物質70の比重や粒径を制御する必要がある。
第2のシリコーン組成物60の厚さは0.1μm〜10μmであることが好ましい。第2のシリコーン組成物60の厚さを0.1μm未満とすると保護強度が小さく第1のシリコーン組成物50を効果的に保護できないからである。一方、第2のシリコーン組成物60の厚さを10μmより大きく、かつ所定の大きさ以上とすると剥離の発生やクラックが入り易くなり、第1のシリコーン組成物50を効果的に保護できないからである。ただし、レンズのように所定の大きさ以下である場合はクラックが入ることがないため、厚さ10μm以上のものを形成することができる。なお、第2のシリコーン組成物60の厚さは薄くする程柔軟性に富み第1のシリコーン組成物50に密着する。また第2のシリコーン組成物60の膜厚を薄くする程、第2のシリコーン組成物60への光の吸収を少なくすることができ、発光装置100からの光の取り出し効率を高めることができる。一方、第2のシリコーン組成物60を厚くする程、保護強度が高くなり、第1のシリコーン組成物50を効果的に保護することができる。また、第2のシリコーン組成物60を厚くする程、第2のシリコーン組成物60を透過する水分量を低減することができる。
硬化前の第2のシリコーン組成物60は極めて低粘度である。これは後述するようにインクジェット方式で第2のシリコーン組成物60を吐出するためである。第2のシリコーン組成物60の粘度特性は3mPa・s〜15mPa・s(25℃)の低粘度のものを使用することが好ましい。この粘度特性が15を超える高粘度では、インクジェット方式で第2のシリコーン組成物60をノズルから吐出する際に、ヘッドが詰まり易くなる。
第2のシリコーン組成物60は発光素子10からの光を遮断しないように無色に近い透明であることが好ましいが、着色されているものも使用することができる。
第2のシリコーン組成物60は、フィラー、光拡散部材等の微粒子を含有することも可能である。フィラーや光拡散部材等の微粒子を混入することにより粘度を上げることができる。ただし、第2のシリコーン組成物60をインクジェット方式で吐出するため、フィラーや光拡散部材等の粒径は1μm以下であることが好ましい。
なお、第2のシリコーン組成物60に所定の比重の蛍光物質70を混入すると、吐出する際に詰まりの原因となったり、吐出量に違いがでてきたりと種々の問題を有する。例えば賦活剤に用いる希土類元素は非常に重い元素であるため、低粘度の第2のシリコーン組成物60中で賦活剤を有する蛍光物質70は沈降する。沈降することにより蛍光物質70の吐出量が製品毎にばらついたり、インクジェットのヘッドに詰まったりする。さらに、高輝度化を図るためには一般的に蛍光物質70の粒径を大きくする必要があり、蛍光物質70の粒径を大きくすることにより、一粒の重量が大きくなる。その一方で蛍光物質70の粒径を小さくすると輝度が低下する。よって第2のシリコーン組成物60に所定の比重の蛍光物質70を用いることは困難である。ただし、将来的に粒径が小さく比重の軽い蛍光物質70が開発された場合は、これらの問題を解決できるため、第2のシリコーン組成物60に蛍光物質70を混入することも可能である。
(有機溶剤)
第2のシリコーン組成物60は粘度を下げるためと薄膜形成のため有機溶剤を用いる。有機溶剤は市販のものも使用することができる。インクジェットヘッドの乾燥を防止するため有機溶剤は沸点200℃以上が好ましく、例えば飽和炭化水素ならドデカン以上の炭素鎖を有するものアルコール類ならベンジルアルコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エーテル類ならジヘキシルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ケトン類ならイソホロン、エステル類なら2-エチルヘキシルアセタート、酢酸ベンジル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、γ-ブチロラクトン、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、クエン酸トリブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、エチレンカーボナート、プロピレンカーボナート、アプロティクソルベントである2-ピロリドン、N-メチルピロリドン、スルホラン、これらに加えて200℃以上の沸点を有する低分子量シロキサン化合物。以上の有機溶剤を単独あるいは2種以上混合し使用することができる。
(蛍光物質)
第1のシリコーン組成物50に含有する蛍光物質70は種々のものを使用することができる。蛍光物質70は、発光素子10からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。また、MSi:EuのほかMSi10:Eu、M1.8Si0.2:Eu、M0.9Si0.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M(POX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、MX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl:R、SrAl1425:R、CaAl:R、BaMgAl1627:R、BaMgAl1612:R、BaMgAl1017:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、LaS:Eu、YS:Eu、GdS:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、YAl12:Ce、(Y0.8Gd0.2Al12:Ce、Y(Al0.8Ga0.212:Ce、(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTbAl12:Ce、LuAl12:Ceなどもある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、ZnGeO:Mn、MGa:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、発光素子10の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を種々組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する発光装置を製造することができる。
例えば、青色に発光するGaN系化合物半導体を用いて、YAl12:Ce若しくは(Y0.8Gd0.2Al12:Ceの蛍光体に照射し、波長変換を行う。発光素子10からの光と、蛍光物質70からの光との混合色により白色に発光する発光装置を提供することができる。
例えば、緑色から黄色に発光するCaSi:Eu、又はSrSi:Euと、蛍光体である青色に発光する(Sr,Ca)(POCl:Eu、赤色に発光する(Ca,Sr)Si:Euと、からなる蛍光物質70を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する発光装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第1の蛍光体及び第2の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
(光拡散部材)
第1のシリコーン組成物50または第2のシリコーン組成物60に光拡散部材を含有することができる。具体的な光拡散部材としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。
本明細書において、蛍光物質、光拡散部材、フィラーの厳密な区別は特になく、蛍光物質のうち反射率の高い物質は光拡散部材として作用する。光拡散部材は、中心粒径が1nm以上5μm未満のものをいう。1nm以上5μm未満の光拡散部材は、発光素子10及び蛍光物質からの光を良好に乱反射させ、大きな粒径の蛍光物質を用いることにより生じやすい色むらを抑制することができる。また、発光スペクトルの半値幅を狭めることができ、色純度の高い発光装置を得ることができる。一方、1nm以上1μm未満の光拡散部材は、透明度が高く、光度を低下させることなく、第1のシリコーン組成物50の粘度を高めることができる。
(フィラー)
第1のシリコーン組成物50または第2のシリコーン組成物60にフィラーを含有することができる。具体的な材料は光拡散部材と同様であるが、光拡散部材と中心粒径が異なり、本明細書においてフィラーとは中心粒径が5μm以上100μm以下のものをいう。このような粒径のフィラーを第1のシリコーン組成物50に含有させると、光拡散作用により発光装置の色度バラツキを改善することができる。また第1のシリコーン組成物50の流動性を一定に調整することが可能となり、歩留まり高く発光装置を量産することができる。フィラーは、蛍光物質と同一若しくは類似の粒径及び/または形状を有することが好ましい。類似の粒径は、各粒子の真円との近似程度を表す円形度(円経度=粒子の投影面積に等しい真円の周囲長さ/粒子の投影の周囲長さ)の値の差が20%未満の場合をいう。このようなフィラーを用いることにより、蛍光物質とフィラーが互いに作用しあい、樹脂中にて蛍光物質を良好に分散させることができ色むらを抑制することができる。
<発光装置の製造方法>
以下、第1の実施の形態に係る発光装置100の製造工程について説明する。図3は第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。
リード30を一体成形したパッケージ20(基台)を用いる。パッケージ20は底面と側面を持つ開口部を有している。パッケージ20の製造工程において、所定の孔を打ち抜いたリードフレームを用いて、そのリードフレームを金型で挟み込み、金型内に加温した樹脂を出射する。その後冷却して硬化している。その後、以下の(1)〜(4)の工程を経た後、リードフレームからリード30部分を切り出し、裏面側に折り曲げるが、ここでは便宜上、リード30を折り曲げた状態の図面を用いて説明する。
(1)パッケージ20に発光素子10を載置する。(第1の工程)
パッケージ20の開口部底面にはリード30の一端が露出している。このリード30の露出部分に発光素子10を載置する。発光素子10の載置はダイボンド樹脂を用いてフェイスアップ実装している。発光素子10はワイヤ40を介してリード30と電気的に接続する。ただし、ワイヤ40を用いずに発光素子10をフェイスダウン実装することもできる。なお、リード30の他端はパッケージ20の外部に露出している。
(2)発光素子10を第1のシリコーン組成物50で被覆する。(第2の工程)
発光素子10を第1のシリコーン組成物50で被覆する。パッケージ20の開口部底面に実装した発光素子10を外部環境から保護するためである。色調変換する場合、第1のシリコーン組成物50は蛍光物質70を含有するが、蛍光物質70を用いないこともできる。また、適宜粘度調整等のため第1のシリコーン組成物50にフィラーや光拡散部材を含有することもできる。第1のシリコーン組成物50は所定の温度に加温して低粘度化している。第1のシリコーン組成物50はポッティングしているが、スクリーン印刷する手段も用いることができる。また第1のシリコーン組成物50とパッケージ20との間に空気等の気体が残存するおそれがあるため、真空引きして気体を除去することもできる。第1のシリコーン組成物50はパッケージ20の開口部の所定位置まで(例えば開口部の上端まで)充填する。第1のシリコーン組成物50の滴下量を一定とすることで蛍光物質70の含有量を一定とすることができ、発光装置100からの色調を常に一定とすることができる。第1のシリコーン組成物50を低粘度とすることにより蛍光物質70を沈降することができる。蛍光物質70を沈降することにより発光素子10の近傍に蛍光物質70を配置することにより、少量の蛍光物質70で色むらの低減を図ることができる。第1のシリコーン組成物50の粘度を室温で1500mPa・s〜4000mPa・sの範囲とすることでポッティング中の蛍光物質70の分散性を確保し、尚かつ硬化中の沈降を促進することができる。室温でポッティングした後、室温で6時間放置、更に50℃で5時間放置することにより蛍光物質70のほとんどは沈降し150℃4時間更に加熱することにより完全硬化が得られる。尚、後述する第2のシリコーン組成物60との密着性を向上させるため第1のシリコーン組成物50を仮硬化状態で留める場合は150℃4時間の硬化を省いてもよい。
(3)第2のシリコーン組成物60をインクジェット方式で吐出して第1のシリコーン組成物50を被覆する。(第3の工程)
第1のシリコーン組成物50をパッケージ20の開口部内に配置した後、第2のシリコーン組成物60をインクジェット方式で吐出して、第1のシリコーン組成物50を被覆する。第2のシリコーン組成物60は第1のシリコーン組成物50よりも硬化時の硬度が高いものを使用する。第2のシリコーン組成物60をインクジェット方式で吐出するため、均一な薄膜を形成することが可能である。また第1のシリコーン組成物50が複雑な形状を成していたとしても第2のシリコーン組成物60を所定量固着させることができる。さらに第1のシリコーン組成物50の所望の部分のみに第2のシリコーン組成物60を固着させることができる。第1のシリコーン組成物50とノズルとの高さを変えることにより第2のシリコーン組成物60の膜厚や塗布ムラを調整することができる。インクジェット方式に代えて噴霧手段も用いることができる。ただし、噴霧手段はシリコーン組成物60を所望の部分へ所定量固着させることが困難なためリード部530のパッケージ露出部まで固着させてしまい半田実装ができなくなるおそれがある。よってこれを克服できるインクジェット方式が好ましい。第2のシリコーン組成物60は第1のシリコーン組成物50が本硬化する前に吐出することが好ましい。第1のシリコーン組成物50が本硬化する前であると、第1のシリコーン組成物50と第2のシリコーン組成物60とが化学結合して密着性を高めることができるからである。密着性を高めることにより第1のシリコーン組成物50と第2のシリコーン組成物60との剥離を防止することができる。更に密着性が得たい場合は仮硬化した第1のシリコーン組成物50の表面を酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、UV照射、コロナ放電と言った方法で洗浄しかつ表面を活性化してやることもできる。第2のシリコーン組成物60の粘度を室温で3mPa・s〜15mPa・sの範囲とすることによりヘッド詰まりや吐出時の暴れを防止し安定的な連続吐出が可能である。インクジェットヘッドの移動速度を30〜600mm/sec範囲としてやることで塗布抜けのない綺麗な塗布面を形成できる。より精度よい塗布はインクジェットヘッドの移動速度が遅いほど有利であるが、作業時間が長くなるため移動速度は100mm/sec前後がより望ましい。
このように、インクジェット方式を用いて選択的に第2のシリコーン組成物を被覆できることからリード部のパッケージ露出部を汚すことがない、すなわち半田実装性を損なわず第2のシリコーン組成物を被覆できる。さらに、従来使用されていた第1のシリコーン組成物の組成を変える必要がないため簡易に発光装置を製造することができる。これら機能面のみならず後述する第2のシリコーン組成物の厚さを制限するためには有機溶剤で大幅に希釈した低粘度の第2のシリコーン組成物を用いる必要がありインクジェット方式は低粘度液体を塗布する方法として極めて適している。
(4)第2のシリコーン組成物60を硬化する。(第4の工程)
第2のシリコーン組成物60を硬化することにより、第1のシリコーン組成物50よりも硬い被膜が形成される。これにより第1のシリコーン組成物50を効果的に保護することができる。また第2のシリコーン組成物60はタックがないためゴミや埃が付着することがない。
以上の工程を経ることにより発光装置100を提供することができる。
<第2の実施の形態>
第2の実施の形態に係る発光装置200について説明する。図4は第2の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。第1の実施の形態に係る発光装置とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
発光装置200は、発光素子110と、保護素子115と、パッケージ120と、リード130と、第1のシリコーン組成物150、第2のシリコーン組成物160、蛍光物質170と、を有する。パッケージ120、リード130の形状は第1の実施の形態に係るものと同様の構成を採る。
発光素子110は保護素子115上にフェイスダウン実装している。保護素子115はワイヤを介してリード130と電気的に接続している。
第1のシリコーン組成物150はレンズ形状を成している。このレンズ形状は、パッケージ120の開口部に第1のシリコーン組成物150を流し込んだ後、所定の金型を被せて硬化させる。これによりレンズ形状を成す第1のシリコーン組成物150を形成することができる。ただし、第1のシリコーン組成物150を仮硬化した後、第2のシリコーン組成物160をインクジェット方式で吐出して第1のシリコーン組成物150を被覆した後、第1のシリコーン組成物150及び第2のシリコーン組成物160を本硬化することもできる。レンズ形状とすることにより集光性を高めた発光装置200を提供することができる。高粘度の第1のシリコーン組成物150を用いると蛍光物質170を均一に分散することができる。また、低粘度の第1のシリコーン組成物150を用いると蛍光物質170を沈降することができる。
第2のシリコーン組成物160は第1のシリコーン組成物150およびパッケージ120の上面を被覆することが好ましい。第1のシリコーン組成物150への水分の侵入を防止することができるからである。
(保護素子)
保護素子115とは、発光素子10等の半導体素子と共にパッケージ20の開口部内に収納される素子であり、他の半導体素子を過電圧による破壊から保護するためのものである。保護素子115は、半導体構造を有するものの他、半導体構造を有しないものも含む。
本実施の形態で用いることができる保護素子115には、規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード(zener diode)、パルス性の電圧を吸収するコンデンサ等を用いることができる。
ツェナーダイオードとして機能する保護素子は、正電極を有するp型半導体領域と、負電極を有するn型半導体領域とを有し、保護素子の負電極および正電極が発光素子のp側電極とn側電極に対して逆並列となるように接続される。このように、保護素子をツェナーダイオードとすることにより、正負リード電極間に過大な電圧が印加された場合、その電圧がツェナーダイオードのツェナー電圧を超えると、発光素子の正負両電極間はツェナー電圧に保持され、このツェナー電圧以上になることはない。従って、発光素子間に過大な電圧が印加されるのを防止でき、過大な電圧から発光素子を保護し、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。
保護素子としてのコンデンサは、表面実装用のチップ部品を用いることができる。このような構造のコンデンサは、両側に帯状の電極が設けられており、この電極が発光素子の正電極および負電極に並列接続される。正負一対のリード電極間に過電圧が印加された場合、この過電圧によって充電電流がコンデンサに流れ、コンデンサの端子電圧を瞬時に下げ、発光素子に対する印加電圧が上がらないようにするため、発光素子を過電圧から保護することができる。また、高周波成分を含むノイズが印加された場合も、コンデンサがバイパスコンデンサとして機能するので、外来ノイズを排除することができる。
<第3の実施の形態>
第3の実施の形態に係る発光装置について説明する。図5は第3の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。第1の実施の形態に係る発光装置とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
第3の実施の形態に係る発光装置は、発光素子210、211、212と、基台220と、電極230と、第1のシリコーン組成物250、第2のシリコーン組成物260と、を有する。基台220は平板を使用する。この基台220にスルーホールを設け、金属部材を固着して電極230としている。電極230は基台220の上面と背面とを接続する。その電極230は一対となっており発光素子210、211、212と電気的に接続している。
一つの発光装置に発光素子を複数個用いることができる。発光素子210、211、212は、その組み合わせによって白色表示における混色性を向上させることもできる。例えば、青色系が発光可能な発光素子210、緑色系が発光可能な発光素子211、赤色系が発光可能な発光素子212を用いることによりフルカラー表示が可能な発光装置を提供することができる。ただし、発光素子は3個に限られず、緑色系が発光可能な発光素子を2個、青色系及び赤色色系が発光可能な発光素子をそれぞれ1個ずつとすることも出来る。なお、表示装置用のフルカラー発光装置として利用するためには赤色系の発光波長が610nmから700nm、緑色系の発光波長が495nmから565nm、青色系の発光波長が430nmから490nmであることが好ましい。発光装置において白色系の混色光を発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関係や透光性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波長は400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。発光素子と蛍光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるためには、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。なお、比較的紫外線により劣化されにくい部材との組み合わせにより400nmより短い紫外線領域或いは可視光の短波長領域を主発光波長とする発光素子を用いることもできる。
発光素子210、211、212は、上記のように異種のものを組み合わせる場合に限られず、同種の発光色を持つものも使用することができる。同種の発光色を持つものを組み合わせることにより高輝度化を図ることができる。
第1のシリコーン組成物250は高粘度のものを使用して、表面張力により基台220上に配置することもできる。第1のシリコーン組成物250をマイクロレンズ化することもできる。発光素子同士の間はそれぞれに設けた第1のシリコーン組成物250同士が付着しないように所定の距離を保持しておく。発光素子210、211、212を高密度化することにより、より鮮明な表示装置を提供することができる。
第2のシリコーン組成物260は、平らでない第1のシリコーン組成物250の表面に均一に被膜を形成することができる。第2のシリコーン組成物260をインクジェット方式で吐出するためである。また、第2のシリコーン組成物60のチクソ性を高めておくことにより液だれを生じることなく、第1のシリコーン組成物60の表面に均一な被膜を形成することができる。
本発明に係る「基台」は、第1の実施の形態に示すパッケージ20のように開口部を持つものを使用できるが、第3の実施の形態に示す基台220のように平板のように開口部を持たないものも使用することができる。
<実施例1>
銅合金よりなるリードフレームへポリフタルアミド樹脂からなるパッケージをインサート成形により形成した。エポキシ樹脂接着剤を用いてInGaNを発光層とするサファイヤ基板からなるチップをダイボンドし直径30μの金線でワイヤーボンドを施した。ここへJIS−Aゴム硬度35となる屈折率1.51のフェニルメチル骨格を有する付加型シリコーン樹脂100重量部に対しYAG蛍光体30重量部と酸化珪素よりなる光拡散剤5重量部を含む粘度2000mPa・sの組成物をパッケージの開口部の上端までディスペンサーで加えた。ついで室温で6時間放置し、50℃で5時間仮硬化させた。この表面にアルゴンプラズマを100W2秒の条件で照射し、JIS−ショアD硬度70となる屈折率1.48のメチル骨格に一部フェニルメチル骨格を有する付加型シリコーン樹脂100重量部に対して有機溶剤ジエチレングリコールジブチルエーテル200重量部と界面活性剤1重量部よりなる組成物をインクジェットのヘッド速度100mm/secで1回塗布した。室温から150℃まで3時間かけ昇温し150℃で5時間硬化させた。ついでリードフレームよりカットフォーミングして発光装置を得た。
<比較例1>
銅合金よりなるリードフレームへポリフタルアミド樹脂からなるパッケージをインサート成形により形成した。エポキシ樹脂接着剤を用いてInGaNを発光層とするサファイヤ基板からなるチップをダイボンドし直径30μの金線でワイヤーボンドを施した。ここへJIS−Aゴム硬度35となる屈折率1.51のフェニルメチル骨格を有する付加型シリコーン樹脂100重量部に対しYAG蛍光体30重量部と酸化珪素よりなる光拡散剤5重量部を含む粘度2000mPa・sの組成物をパッケージ上端までディスペンサーで加えた。ついで室温で6時間放置し、50℃で5時間硬化し更に150℃4時間硬化した。ついでリードフレームよりカットフォーミングして発光装置を得た。
実施例1と比較例1より得た発光装置の発光表面の汚染性を比較試験するため以下の試験を行った。
実施例1と比較例1より得た発光装置を銀粉試薬(和光純薬工業)を所定量加えた10ccスクリュー管瓶へ各10ヶいれスクリュー管瓶を一晩回転させて発光表面へ銀粉をまぶしてやる。発光装置を取り出し、この処理を実施する前との発光出力の平均値を相対比較する。
Figure 2007036030

試験の結果より実施例1の発光装置が比較例1の発光装置より明らかに発光表面の汚染性が低く実用的に優れていることが判明した。
本発明は、車載用照明、携帯電話のバックライト用照明や、各種デ−タを表示可能なディスプレイ、ラインセンサ−など各種センサーの光源やインジケータなどに利用することができる。
第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。 第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。 第1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第2の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。 第3の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。 従来の発光装置の概略断面図を示す。
符号の説明
10 発光素子
20 パッケージ
30 リード
40 ワイヤ
50 第1のシリコーン組成物
60 第2のシリコーン組成物
70 蛍光物質
100 発光装置
110 発光素子
115 保護素子
120 パッケージ
130 リード
150 第1のシリコーン組成物
160 第2のシリコーン組成物
170 蛍光物質
200 発光装置
210、211、212 発光素子
220 基台
230 電極
250 第1のシリコーン組成物
260 第2のシリコーン組成物
500 発光装置
510 発光素子
520 パッケージ
530 リード
540 ワイヤ
550 封止部材

Claims (7)

  1. 基台に発光素子が載置される発光装置の製造方法であって、
    前記基台に前記発光素子を載置する第1の工程と、
    前記発光素子を第1のシリコーン組成物で被覆する第2の工程と、
    前記第1のシリコーン組成物よりも硬化時の硬度が高い第2のシリコーン組成物を用いて、インクジェット方式により前記第2のシリコーン組成物を吐出して前記第1のシリコーン組成物の表面の少なくとも一部を被覆する第3の工程と、
    前記第2のシリコーン組成物を硬化させる第4の工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 前記第2の工程後、前記第1のシリコーン組成物を仮硬化した後、第3の工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記基台は、底面と側面を持つ開口部を有しており、
    前記開口部の底面には前記発光素子が載置されており、
    前記第2の工程は、前記第1のシリコーン組成物を滴下して被覆することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  4. 発光素子と、
    前記発光素子が載置される基台と、を有する発光装置であって、
    前記発光素子は第1のシリコーン組成物で被覆されており、
    前記第1のシリコーン組成物の表面の少なくとも一部は第2のシリコーン組成物で被覆されており、
    前記第2のシリコーン組成物は前記第1のシリコーン組成物よりも硬度が高く、
    前記第2のシリコーン組成物の厚さは0.1μm以上10μm以下であることを特徴とする発光装置。
  5. 発光素子と、
    前記発光素子が載置される基台と、を有する発光装置であって、
    前記発光素子は第1のシリコーン組成物で被覆されており、
    前記第1のシリコーン組成物の表面の少なくとも一部は第2のシリコーン組成物が配置されており、
    前記第2のシリコーン組成物は前記第1のシリコーン組成物よりも硬度が高く、
    前記第2のシリコーン組成物は前記発光素子の略上方にレンズ形状を成していることを特徴とする発光装置。
  6. 前記第1のシリコーン組成物はJIS−Aゴム硬度10〜50であることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記第2のシリコーン組成物はJIS−Aゴム硬度40以上であることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の発光装置。
JP2005219082A 2005-07-28 2005-07-28 発光装置及びその製造方法 Pending JP2007036030A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005219082A JP2007036030A (ja) 2005-07-28 2005-07-28 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005219082A JP2007036030A (ja) 2005-07-28 2005-07-28 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007036030A true JP2007036030A (ja) 2007-02-08

Family

ID=37794899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005219082A Pending JP2007036030A (ja) 2005-07-28 2005-07-28 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007036030A (ja)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008300573A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Toshiba Corp 発光装置
JP2009086468A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Asahi Rubber:Kk 発光デバイス及びそれを用いた照明装置
JP2009117833A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光電子デバイス光透過表面の保護用シリコーン樹脂
JP2009141051A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Stanley Electric Co Ltd シリコーン樹脂を用いた発光ダイオード装置
JP2009170824A (ja) * 2008-01-19 2009-07-30 Nichia Corp 発光装置
JP2009182086A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Kyocera Corp 発光装置
JP2009188167A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2010529645A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 発光体を有するシリコン成形部材
JP2010199400A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2010245477A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Dow Corning Toray Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
JP2011014860A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd 充填方法で凸レンズを成形することにより光射出角度を調整することができる発光ダイオードパッケージ構造及びその製作方法
JP2011091204A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Citizen Holdings Co Ltd Led光源装置の製造方法
JP2012004474A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Konica Minolta Opto Inc 反りを抑えた基板、それを用いた発光装置及びそれらの製造方法
JP2012089806A (ja) * 2010-10-22 2012-05-10 Hiroshi Ninomiya ベアチップ実装面発光体の製造方法及びベアチップ実装面発光体
WO2013018175A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
WO2013047407A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 発光装置及び塗布液
WO2013061781A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 コニカミノルタIj株式会社 塗布組成物及び発光装置の製造方法
WO2013121903A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 コニカミノルタ株式会社 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
WO2013187067A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 コニカミノルタ株式会社 Led装置、及びその製造方法
JP2013256580A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Teijin Ltd 蛍光発光性樹脂組成物
JPWO2013046674A1 (ja) * 2011-09-27 2015-03-26 コニカミノルタ株式会社 Led装置の製造方法
JP2015213157A (ja) * 2014-04-14 2015-11-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2016145080A (ja) * 2015-01-30 2016-08-12 日亜化学工業株式会社 キャリアテープ及び梱包体
CN105870293A (zh) * 2015-01-30 2016-08-17 日亚化学工业株式会社 载带以及包装体
JP2018056474A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018137274A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018157180A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 スタンレー電気株式会社 樹脂成形体及び発光装置の製造方法並びに発光装置
JP2019166813A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 三菱ケミカル株式会社 蛍光体含有シリコーンゴム成形体及びその製造方法並びに蛍光体含有シリコーンゴム成形体を含む発光装置
US10454007B2 (en) 2017-06-12 2019-10-22 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same
JP2020035674A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 岩崎電気株式会社 照明ユニット及び照明ユニットの製造方法
JP2020181879A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11088305B2 (en) 2018-02-22 2021-08-10 Nichia Corporation Method for forming light-transmissive member including pressing die into resin body and irradiating resin body with ultraviolet rays

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883869A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH08132673A (ja) * 1994-11-09 1996-05-28 Kyocera Corp 画像装置
JP2002057372A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置の製造方法
JP2004260169A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Agilent Technol Inc 修正出力スペクトルを供給するため光源を被覆する装置及び方法
JP2004343059A (ja) * 2003-04-24 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2005050746A2 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leuchtdioden und andere optoelektronische module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883869A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH08132673A (ja) * 1994-11-09 1996-05-28 Kyocera Corp 画像装置
JP2002057372A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置の製造方法
JP2004260169A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Agilent Technol Inc 修正出力スペクトルを供給するため光源を被覆する装置及び方法
JP2004343059A (ja) * 2003-04-24 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2005050746A2 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leuchtdioden und andere optoelektronische module

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008300573A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Toshiba Corp 発光装置
JP2010529645A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 発光体を有するシリコン成形部材
JP2009086468A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Asahi Rubber:Kk 発光デバイス及びそれを用いた照明装置
JP2009117833A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光電子デバイス光透過表面の保護用シリコーン樹脂
US7893453B2 (en) 2007-12-05 2011-02-22 Stanley Electric Co., Ltd. LED device and method for manufacturing the same
JP2009141051A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Stanley Electric Co Ltd シリコーン樹脂を用いた発光ダイオード装置
JP2009170824A (ja) * 2008-01-19 2009-07-30 Nichia Corp 発光装置
JP2009182086A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Kyocera Corp 発光装置
JP2009188167A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2010199400A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2010245477A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Dow Corning Toray Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
JP2011014860A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd 充填方法で凸レンズを成形することにより光射出角度を調整することができる発光ダイオードパッケージ構造及びその製作方法
JP2011091204A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Citizen Holdings Co Ltd Led光源装置の製造方法
JP2012004474A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Konica Minolta Opto Inc 反りを抑えた基板、それを用いた発光装置及びそれらの製造方法
JP2012089806A (ja) * 2010-10-22 2012-05-10 Hiroshi Ninomiya ベアチップ実装面発光体の製造方法及びベアチップ実装面発光体
WO2013018175A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
JPWO2013018175A1 (ja) * 2011-07-29 2015-02-23 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
JPWO2013046674A1 (ja) * 2011-09-27 2015-03-26 コニカミノルタ株式会社 Led装置の製造方法
US9172009B2 (en) 2011-09-30 2015-10-27 Konica Minolta, Inc. Light-emitting device having an interlayer of a polysiloxane mixture
EP2763198A4 (en) * 2011-09-30 2015-07-08 Konica Minolta Inc LIGHT EMITTING DEVICE AND COATING LIQUID
WO2013047407A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 発光装置及び塗布液
JPWO2013047407A1 (ja) * 2011-09-30 2015-03-26 コニカミノルタ株式会社 発光装置及び塗布液
WO2013061781A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 コニカミノルタIj株式会社 塗布組成物及び発光装置の製造方法
JPWO2013061781A1 (ja) * 2011-10-24 2015-04-02 コニカミノルタ株式会社 塗布組成物及び発光装置の製造方法
WO2013121903A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 コニカミノルタ株式会社 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP2013256580A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Teijin Ltd 蛍光発光性樹脂組成物
WO2013187067A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 コニカミノルタ株式会社 Led装置、及びその製造方法
JP2015213157A (ja) * 2014-04-14 2015-11-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US10978623B2 (en) 2014-04-14 2021-04-13 Nichia Corporation Light emitting element including adhesive member containing particles
US10290778B2 (en) 2014-04-14 2019-05-14 Nichia Corporation Semiconductor device having semiconductor element bonded to base body by adhesive member
JP2016145080A (ja) * 2015-01-30 2016-08-12 日亜化学工業株式会社 キャリアテープ及び梱包体
CN105870293A (zh) * 2015-01-30 2016-08-17 日亚化学工业株式会社 载带以及包装体
US9947569B2 (en) 2015-01-30 2018-04-17 Nichia Corporation Carrier tape and pack
CN105870293B (zh) * 2015-01-30 2019-12-13 日亚化学工业株式会社 载带以及包装体
US10903399B2 (en) 2016-09-30 2021-01-26 Nichia Corporation Method for manufacturing a light emitting device comprising at least two first light emitting diodes and a second light emitting diodes interposed therebetween
JP2018056474A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018137274A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018157180A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 スタンレー電気株式会社 樹脂成形体及び発光装置の製造方法並びに発光装置
US10454007B2 (en) 2017-06-12 2019-10-22 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same
US11088305B2 (en) 2018-02-22 2021-08-10 Nichia Corporation Method for forming light-transmissive member including pressing die into resin body and irradiating resin body with ultraviolet rays
US11923488B2 (en) 2018-02-22 2024-03-05 Nichia Corporation Light emitting device including light transmissive member with concave portions
JP2019166813A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 三菱ケミカル株式会社 蛍光体含有シリコーンゴム成形体及びその製造方法並びに蛍光体含有シリコーンゴム成形体を含む発光装置
JP7081255B2 (ja) 2018-03-26 2022-06-07 三菱ケミカル株式会社 蛍光体含有シリコーンゴム成形体及びその製造方法並びに蛍光体含有シリコーンゴム成形体を含む発光装置
JP2020035674A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 岩崎電気株式会社 照明ユニット及び照明ユニットの製造方法
JP2020181879A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7116320B2 (ja) 2019-04-24 2022-08-10 日亜化学工業株式会社 発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007036030A (ja) 発光装置及びその製造方法
US11631790B2 (en) Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP3991961B2 (ja) 側面発光型発光装置
US6924514B2 (en) Light-emitting device and process for producing thereof
EP1830418B1 (en) Light emitting device
JP4451178B2 (ja) 発光デバイス
JP3617587B2 (ja) 発光ダイオード及びその形成方法
JP4855869B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5540466B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2007227791A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP2003318448A (ja) 発光装置とその形成方法
JP2007243076A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JPWO2008111504A1 (ja) 高出力発光装置及びそれに用いるパッケージ
JP2007329249A (ja) 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP4059293B2 (ja) 発光装置
JP2006269778A (ja) 光学装置
CN101740710A (zh) 发光装置
JP2008153553A (ja) 発光装置およびその製造方法
JPH1131845A (ja) 発光ダイオードの形成方法
JP2008159791A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2010268013A (ja) 発光装置
CN100509994C (zh) 发光膜、发光装置、发光膜的制造方法以及发光装置的制造方法
JP2009164648A (ja) 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
JP3858829B2 (ja) 発光ダイオードの形成方法
JP4026659B2 (ja) 側面発光型発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100914

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110125