JPWO2013047407A1 - 発光装置及び塗布液 - Google Patents

発光装置及び塗布液 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2013047407A1
JPWO2013047407A1 JP2013536249A JP2013536249A JPWO2013047407A1 JP WO2013047407 A1 JPWO2013047407 A1 JP WO2013047407A1 JP 2013536249 A JP2013536249 A JP 2013536249A JP 2013536249 A JP2013536249 A JP 2013536249A JP WO2013047407 A1 JPWO2013047407 A1 JP WO2013047407A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysiloxane
evaluation
light emitting
rank
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013536249A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5842922B2 (ja
Inventor
後藤　賢治
賢治 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2013536249A priority Critical patent/JP5842922B2/ja
Publication of JPWO2013047407A1 publication Critical patent/JPWO2013047407A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5842922B2 publication Critical patent/JP5842922B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)

Abstract

防食性及びシリコーン層との密着性を有し、焼成時のクラック発生を防止可能な中間層を形成可能とする。発光素子がシリコーン層で覆われた発光装置であって、前記発光素子と前記シリコーン層との間に介在する中間層を有し、前記中間層は、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物で形成されることを特徴とする発光装置である。

Description

本発明の実施形態は、発光装置において発光素子を封止するための技術に関する。
近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）系の青色ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）チップの近傍にＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体等の蛍光体が配置された白色発光装置を得る技術が広く用いられている。このような白色発光装置では、青色ＬＥＤチップから出射される青色光と、蛍光体が青色光を受けて二次発光することにより出射される黄色光との混色により白色光を発光させている。また、青色ＬＥＤチップから出射される青色光と、各蛍光体が青色光を受けて二次発光することにより出射される赤色光及び緑色光との混色により白色光を発光させる技術も用いられている。
このような白色発光装置には様々な用途があり、例えば、蛍光灯や白熱電灯の代替品としての需要がある。また、自動車のヘッドライト等の非常に高い輝度が求められる照明装置にも使われつつある。
特開２００８−１１２９５９号公報
このような発光装置では、発光素子上に蛍光体を定着させるためにシリコーンが用いられる場合がある。しかしながら、このシリコーンのみで発光素子を封止した場合には、腐食性ガスがシリコーン層を透過し、このシリコーン層で封止された反射板や電極を腐食させ、光の反射率が低下することにより発光効率を低下させていた。この腐食性ガスによる影響を防止するために、発光素子とシリコーン層との間に、シロキサンを含む中間層を形成する技術が開示されている。
しかしながら、この中間層を３官能ポリシロキサンのみで形成した場合には、シリコーン層との密着性が悪く、リフロー時に膜剥がれが発生する恐れがあった。また、中間層を４官能ポリシロキサンのみで形成した場合には、焼成時にクラックが発生し、使用に耐えないという問題が発生する。
そのため、本発明は、防食性及びシリコーン層との密着性を有し、焼成時のクラック発生を防止可能な中間層を形成可能とすることを目的とする。
請求項１に記載の発明は、発光素子がシリコーン層で覆われた発光装置であって、前記発光素子と前記シリコーン層との間に介在する中間層を有し、前記中間層は、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物で形成されることを特徴とする発光装置である。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発光装置であって、前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が１０重量％〜９０重量％であることを特徴とする。
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発光装置であって、前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が３５重量％〜７０重量％であることを特徴とする。
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の発光装置であって、前記中間層が、無機微粒子を含むことを特徴とする。
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発光装置であって、前記無機微粒子が、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２であることを特徴とする。
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載の発光装置であって、前記中間層が、蛍光体を含むことを特徴とする。
また、請求項７に記載の発明は、発光素子がシリコーン層で覆われた発光装置において、前記発光素子と前記シリコーン層との間に介在させる中間層を形成するための塗布液であって、前記塗布液は、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物を含むことを特徴とする塗布液である。
また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の塗布液であって、前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が１０重量％〜９０重量％であることを特徴とする。
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の塗布液であって、前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が３５重量％〜７０重量％であることを特徴とする。
また、請求項１０に記載の発明は、請求項７乃至請求項９のいずれか一つに記載の塗布液であって、無機微粒子を含むことを特徴とする。
また、請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の塗布液であって、前記無機微粒子が、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２であることを特徴とする。
また、請求項１２に記載の発明は、請求項７乃至請求項１１のいずれか一つに記載の塗布液であって、蛍光体を含有することを特徴とする。
この発明によると、発光素子がシリコーン層で覆われた発光装置において、発光素子とシリコーン層との間に、防食性及びシリコーン層との密着性を有し、焼成時のクラック発生を防止可能な中間層を形成することが可能となる。
発光装置の構成を示した概略断面図である。 実施例１−１〜１−９、及び実施例２−１〜２−６の評価結果を示した表である。 実施例３−１の評価結果を示した表である。
まず図１を参照しながら、発光装置１００の構成について説明する。発光装置１００は、断面凹状のＬＥＤ基板１を有している。ＬＥＤ基板１の凹部（底部）にはメタル部２が設けられ、メタル部２上には直方体状のＬＥＤ素子３が配置されている。このＬＥＤ素子３は、所定波長の光を出射する発光素子の一例である。ＬＥＤ素子３のメタル部２に対向する面には、突起電極４が設けられており、メタル部２とＬＥＤ素子３とが突起電極４を介して接続されている（フリップチップ型）。なお、ここでは、一つのＬＥＤ基板１に対して一つのＬＥＤ素子３が設けられる構成を図示しているが、一つのＬＥＤ基板１の凹部に複数のＬＥＤ素子３を設けることとしてもよい。
本実施形態の発光装置１００では、ＬＥＤ素子３として青色ＬＥＤ素子が用いられている。青色ＬＥＤ素子は、例えば、サファイア基板上にｎ−ＧａＮ系クラッド層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ−ＧａＮ系クラッド層、及び透明電極を積層してなる。
ＬＥＤ基板１の凹部には、ＬＥＤ素子３の周囲を封止するように中間層５が形成されている。中間層５は、透光性を有するセラミック層（以降、透明セラミック層と記す）として構成される透光性薄膜である。この中間層５の厚みは、好ましくは、０．１〜２０μｍであり、より好ましくは、０．５〜１０μｍであり、更に好ましくは、１〜５μｍである。ここで、中間層５は、ＬＥＤ素子３の上面及び側面のみに設けられる構成としてもよい。ＬＥＤ素子３の周囲のみに中間層５を設ける方法としては、中間層５を形成する際にマスクを設置する方法等が用いられる。
次に、中間層５の構成について詳述する。中間層５は、透明樹脂材料と有機溶媒とを混合したゾル状の混合液（以降、セラミック前駆体液と記す）を加熱によりゲル状態とし、さらに焼成する、いわゆるゾル・ゲル法により形成された透明セラミック層（ガラス体）である。また、中間層５は、透明セラミック層中に、無機微粒子を含有させてもよい。また、これらに加えて、その透明セラミック層中に蛍光体、及び層状ケイ酸塩鉱物（層状粘土鉱物）を含有させてもよい。
（透明樹脂材料）
本発明における透明樹脂材料としては、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物が用いられる。３官能ポリシロキサンは、組成式（Ｒ−ＳｉＯ３／２）ｎで表されるシルセスキオキサンである。また、４官能ポリシロキサンは、組成式（ＳｉＯ４／２）ｎで表される。ここで、「Ｒ」は、有機基を示す。有機基「Ｒ」としては、例えば、メチル基やエチル基、フェニル基のような炭化水素基が付加されているものが用いられる。なお、この透明樹脂材料が「混合物」に相当する。
シルセスキオキサンには、カゴ型、はしご型、および、ランダム型の立体構造をとるものがある。本実施形態の透明樹脂材料としては、堅牢性を有するカゴ型構造のシルセスキオキサンが用いられる。カゴ型構造のシルセスキオキサンは、カゴ型形状の骨格をなすケイ素原子の数（偶数）によって更に分類され、例えば、ｎ＝８のケイ素原子によって骨格が形成される立方体状のカゴ型構造シルセスキオキサンは、Ｔ８構造と表現される。また、Ｔ６、Ｔ１０、Ｔ１２、Ｔ１４のカゴ型構造シルセスキオキサンは、それぞれ、ケイ素原子が三角柱、五角柱、六角柱、七角柱の骨格をなす。
（蛍光体）
蛍光体は、ＬＥＤ素子３からの出射光により励起されて、この出射光の波長とは異なる波長の蛍光を出射するものである。本実施形態では、青色ＬＥＤ素子から出射される青色光（波長４２０ｎｍ〜４８５ｎｍ）により励起され、黄色光（波長５５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）を出射するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体を使用している。
このような、ＹＡＧ蛍光体を生成するには、先ず、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇａの酸化物、または高温で容易に酸化物となる化合物を使用し、これらを化学量論比で十分に混合して混合原料を得る。或いは、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶液からシュウ酸により共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を得る。そして、得られた混合原料にフラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して加圧し、成形体を得る。得られた成形体を坩堝に詰め、空気中１３５０〜１４５０℃の温度範囲で２〜５時間焼成して、蛍光体の発光特性を持つ焼結体を得る。
なお、本実施形態ではＹＡＧ蛍光体を使用しているが、蛍光体の種類はこれに限定されるものではなく、例えばＣｅを含まない非ガーネット系蛍光体やシリケート等の他の蛍光体を使用することもできる。
（無機微粒子）
無機微粒子は、透明樹脂材料と、シリコーン封止剤との密着性向上効果及び加熱後の透明セラミック層の膜強度を向上させる膜強化効果を有する。本発明に用いられる無機微粒子としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の酸化物微粒子、フッ化マグネシウム等のフッ化物微粒子等が挙げられる。特に、形成される透明セラミック層に対する安定性の観点から酸化ケイ素の微粒子を用いることが好ましい。
ここで、透明セラミック層中における無機微粒子の含有量が５重量％未満の場合では、上述したそれぞれの効果が十分に得られない。一方、無機微粒子の含有量が７０重量％を超えると、加熱により形成されるこの透明セラミック層の強度が低下する。従って、透明セラミック層中における無機微粒子の含有量が５重量％以上７０重量％以下であることが好ましく、５重量％以上６０重量％以下がより好ましい。また、上述したそれぞれの効果を考慮して、無機微粒子の平均粒径が０．００１μｍ以上５０μｍ以下のものを用いることが好ましい。無機微粒子の平均粒径は、例えばコールターカウンター法によって測定される。
（塗布液）
上記のように、透明樹脂材料を有機溶媒と混合した（希釈した）セラミック前駆体液に無機微粒子を混合することで作製した塗布液を、中間層５を形成する場所に塗布して加熱することで、透光性を有する中間層５が形成される。
有機溶媒としては、添加される水との相溶性に優れ、且つ、沸点が１００℃以下のものが好ましく用いられる。このような溶媒としては脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン炭化水素、エーテル類、エステル類、アルコール類、ケトン類等を使用することができる。好ましくはメチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、クロロホルム、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルブチルエーテル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトンが用いられる。
上記組成により作製された塗布液により、中間層５となる透明セラミック層の薄膜が形成される。透明セラミック層の形成には、特に限られないが、例えば、スプレー装置を用いた塗布液を発光装置１００にスプレー塗布することにより行われる。塗布された塗布液が、加熱されることで所定の膜厚の中間層５が形成される。
なお、上記実施の形態では、スプレー装置を用いて塗布液の塗布を行ったが、種々のコーターなど他の装置を用いて塗布することとしてもよい。その他、上記実施の形態で示した具体的な発光装置の形状や配置、数値などは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、中間層５上をシリコーン樹脂で封止する（即ち、シリコーン層で覆う）。これにより、中間層５の経時的な劣化を抑制することができ、中間層５のＬＥＤ基板１やＬＥＤ素子３への接着性を向上させることができる。
次に、中間層５を形成するための塗布液の具体的な組成について実施例として以下に説明する。具体的には、塗布液の組成を変化させたサンプルとして、比較例１〜３、実施例１−１〜１−９、及び実施例２−１〜２−６を生成し、各サンプルに対して、「防食性評価」、「密着性評価」、及び「クラックの評価」の評価を行った。実施例１−１〜１−９は、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物の、それぞれの割合を変化させたサンプルである。また、実施例２−１〜２−６は、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの割合の変化に加え、さらに無機微粒子を添加した場合のサンプルである。また、各サンプルとの比較対象として、比較例１〜３を生成した。比較例１は、この塗布液を用いず（即ち、中間層５を形成せずに）シリコーン封止のみを行った場合のサンプルを示している。また、比較例２及び３は、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンのいずれかのみを使用した場合のサンプルを示している。以降では、まず、「防食性評価」、「密着性評価」、及び「クラックの評価」それぞれの評価方法について説明した後に、各比較例及び各実施例の具体的な条件と各評価の結果についてまとめる。なお、評価の結果については、図２に示す。図２は、実施例１−１〜１−９、及び実施例２−１〜２−６の評価結果を示した表である。
（防食性評価）
防食性評価では、実施例ごとに発光装置１００を作成し、これを、硫化水素１０〜１５ｐｐｍ、温度２５℃、湿度７５％ＲＨの環境に５０４時間投入する。この際に、投入前後で全光束値を測定することで、投入前後における全光束値の比率を評価の指標とした。測定は分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタセンシング社製）により全光束を測定した。この評価では、投入前に対する投入後の全光束値の比率が、９５％以上の場合には「◎」、９０％以上９５％未満の場合には「○」、９０％未満を「×」としている。なお、９０％以上が実用上において問題ないレベルを示している。
（密着性評価）
密着性評価では、実施例ごとに塗布液をガラス板上にスピンコートにより塗布し、これを１５０℃で１時間加熱したうえで、シリコーン樹脂をアプリケーターで塗布して、更に１５０℃で１時間加熱したものをサンプルとした。これらのサンプルに対して、ヒートショック試験器にて、１００℃で３０分、−４０℃で３０分の計１時間を１サイクルとして、１００サイクルを実施する。その後、碁盤目状に１００マス切れ込みをいれ、ニチバン製テープを用いて各サンプルに対して剥離試験を実施し、剥がれた個数で５段階で評価を実施した。ランク５は全く剥がれなし。ランク４は１〜５個の剥がれ。ランク３は６〜１０個の剥がれ。ランク２は１１個以上の剥がれ。ランク１は全部剥がれたものとした。この評価では、評価のランクが、ランク４の場合には「◎」、ランク４及び３の場合には「○」、ランク２以下を「×」としている。なお、ランク３以上が実用上において問題ないレベルを示している。
（クラック評価）
クラック評価では、実施例ごとに塗布液を１００サンプルずつガラス板上に塗布し、これを１５０℃で１時間加熱して、クラックの発生率を評価した。この評価では、クラックの発生率が０％の場合をランク５、０％より大きく５％未満の場合をランク４、５％以上１０％未満をランク３、１０％以上２０％未満をランク２、２０％以上をランク１とした。そのうえで、評価のランクが、ランク５の場合には「◎」、ランク４及び３の場合には「○」、ランク２以下を「×」としている。なお、ランク３以上が実用上において問題ないレベルを示している。
次に、比較例１〜３、実施例１−１〜１−９、及び実施例２−１〜２−４の具体的な条件と、各評価の結果について以下にまとめる。
（比較例１）
比較例１は、本発明に係る塗布液を用いずシリコーン封止のみを行った場合のサンプルを示している。具体的には、ＬＥＤ素子３上に中間層５を形成せずに、蛍光体を含有したシリコーンで封止を行い、１５０℃で１時間加熱を行ったものを評価対象とした。図２に示すように、比較例１の防食性評価の結果は５０％（×）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。なお、比較例１では、中間層５が形成されないため、密着性評価は行っていない。
（比較例２）
比較例２は、本発明に係る塗布液に替えて、４官能ポリシロキサンを用いた場合を示している。具体的には、４官能ポリシロキサンを、乾燥後の膜厚が１μｍとなるようにスプレー塗布機にてＬＥＤ素子３上に塗布し、１５０℃で１時間加熱を行う。加熱後に蛍光体を含有するシリコーンにて封止を行い、１５０℃で１時間加熱を行ったものを評価対象とした。図２に示すように比較例２の防食性評価の結果は９５％（◎）であり、密着性評価の結果はランク５（◎）である。このことから、比較例１に比べて防食性が向上していることがわかる。しかしながら、クラック評価の結果は、ランク１（×）であり、クラックが発生しやすくなっている。
（比較例３）
比較例３は、本発明に係る塗布液に替えて、３官能ポリシロキサンを用いた場合を示している。具体的には、３官能ポリシロキサンを、乾燥後の膜厚が１μｍとなるようにスプレー塗布機にてＬＥＤ素子３上に塗布し、１５０℃で１時間加熱を行う。加熱後に蛍光体を含有するシリコーンにて封止を行い、１５０℃で１時間加熱を行ったものを評価対象とした。図２に示すように比較例３の防食性評価の結果は７５％（×）であり、密着性評価の結果はランク２（×）である。このことから、比較例２に比べて防食性及び密着性が低下していることがわかる。反面、クラック評価の結果は、ランク５（◎）であり、比較例２に比べてクラックが発生しにくくなっていることがわかる。
（実施例１−１）
次に、実施例１−１について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを１０重量％、４官能ポリシロキサン９０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。この塗布液を、乾燥後の膜厚が１μｍとなるようにスプレー塗布機にてＬＥＤ素子３上に塗布し、１５０℃で１時間加熱を行う。加熱後に蛍光体を含有するシリコーンにて封止を行い、１５０℃で１時間加熱を行ったものを評価対象とした。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９４％（○）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク３（○）である。
（実施例１−２）
次に、実施例１−２について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを２０重量％、４官能ポリシロキサン８０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９３％（○）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク４（○）である。
（実施例１−３）
次に、実施例１−３について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを３０重量％、４官能ポリシロキサン７０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９５％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク４（○）である。
（実施例１−４）
次に、実施例１−４について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを３５重量％、４官能ポリシロキサン６５重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９６％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例１−５）
次に、実施例１−５について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを４０重量％、４官能ポリシロキサン６０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９７％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例１−６）
次に、実施例１−６について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを４５重量％、４官能ポリシロキサン５５重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９６％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例１−７）
次に、実施例１−７について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを７０重量％、４官能ポリシロキサン３０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９４％（○）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例１−８）
次に、実施例１−８について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを８０重量％、４官能ポリシロキサン２０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９０％（○）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例１−９）
次に、実施例１−９について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを９０重量％、４官能ポリシロキサン１０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９０％（○）である。また、密着性評価の結果はランク４（○）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
以上、実施例１−１〜１−９の評価結果に示すように、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンの混合液に対する３官能ポリシロキサンの含有率を１０重量％〜９０重量％とすることで、３官能ポリシロキサンのみを用いる場合よりも防食性及び密着性が向上する。また、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンの混合液に対する３官能ポリシロキサンの含有率を３５重量％〜４５重量％とすることで、防食性及び密着性の向上に加え、焼成時のクラックの発生率を低下させることが可能となる。
（実施例２−１）
次に、実施例２−１について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを２０重量％、４官能ポリシロキサン８０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。
また、本実施例では、この塗布液に、無機微粒子として酸化亜鉛（ＺｎＯ２）を、３０重量％添加して用いる。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９５％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク５（◎）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例２−２）
次に、実施例２−２について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを３０重量％、４官能ポリシロキサン７０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。
また、本実施例では、この塗布液に、無機微粒子として酸化チタン（ＴｉＯ２）を、３０重量％添加して用いる。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９６％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク５（◎）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例２−３）
次に、実施例２−３について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを４０重量％、４官能ポリシロキサン６０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。
また、本実施例では、この塗布液に、無機微粒子として酸化ジルコン（ＺｒＯ２）を、３０重量％添加して用いる。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９７％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク５（◎）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例２−４）
次に、実施例２−４について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを８０重量％、４官能ポリシロキサン２０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。
また、本実施例では、この塗布液に、無機微粒子として酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を、３０重量％添加して用いる。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９６％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク５（◎）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例２−５）
次に、実施例２−５について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを８０重量％、４官能ポリシロキサン２０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。
また、本実施例では、この塗布液に、無機微粒子として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を、３０重量％添加して用いる。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９５％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク５（◎）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
（実施例２−６）
次に、実施例２−６について説明する。本実施例では、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンの混合液を、３官能ポリシロキサンを８０重量％、４官能ポリシロキサン２０重量％の割合で生成し、この混合液を用いて本発明に係る塗布液を生成した。
また、本実施例では、この塗布液に、無機微粒子として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を、３０重量％添加して用いる。なお評価対象の生成方法は実施例１−１と同様である。図２に示すように、本実施例の防食性評価の結果は９６％（◎）である。また、密着性評価の結果はランク５（◎）である。また、クラック評価の結果はランク５（◎）である。
実施例２−１〜２−６の評価結果に示すように、塗布液に無機微粒子を含有させることで、アンカー効果により、中間層５とシリコーン樹脂との間の接着力が高まり、無機微粒子を含まない場合に比べて密着性が向上する。
次に、中間層５の有無に基づく色度のバラツキについて、本発明に係る実施例３−１と、比較対象となる比較例４とを用いて評価を行った。以下に、実施例３−１及び比較例４の条件と、評価結果についてまとめる。
（実施例３−１）
まず、蛍光体１ｇと、ＩＰＡ４．４ｇと、シリカ（ＳｉＯ２）２．２ｇを混合した混合液を生成し、これを、乾燥後の膜厚が３５μｍとなるようにスプレー塗布機にてＬＥＤ素子３上に塗布して、１５０℃で１時間加熱した。その後、３官能ポリシロキサン２０ｇと４官能ポリシロキサン３０ｇの混合液を、乾燥後の膜厚が８μｍとなるようにスプレー塗布機にて塗布して、１５０℃で１時間加熱した。このようにして、ＬＥＤ素子３上に中間層５を形成した。なお、中間層５の形成後に、シリコーンにて封止を行い１５０℃で１時間加熱を行い、これをサンプルとした。
なお、比較例４は、中間層５を形成せずに、蛍光体を含有したシリコーンにてＬＥＤ素子３を封止したものをサンプルとする。
実施例３−１及び比較例４について、それぞれ１００サンプルずつ作成し、色度のバラツキを評価した。その結果を図３にまとめる。図３は、実施例３−１の評価結果を示した表である。図３に示すように、比較例４の色度のバラツキが７％であるのに対して、実施例３−１の色度のバラツキは２％である。このことから、本実施形態に係る塗布液を用いて中間層５を形成することにより、中間層５を設けない場合よりも色度のバラツキを低く抑えることが可能となる。
以上のように、この発明に係る発光装置１００は、３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンの混合液を含有する塗布液を用いて中間層５を形成している。これにより、３官能ポリシロキサン及び４官能ポリシロキサンのいずれかのみにより中間層５を形成する場合よりも、防食性及び密着性が向上し、焼成時のクラックの発生率を低下させることが可能となる。また、この塗布液に無機微粒子を含有させることにより、無機微粒子のアンカー効果により、さらに密着性を高めることが可能となる。
１ ＬＥＤ基板
２ メタル部
３ ＬＥＤ素子
４ 突起電極
５ 中間層
１００ 発光装置

Claims (12)

  1. 発光素子がシリコーン層で覆われた発光装置であって、
    前記発光素子と前記シリコーン層との間に介在する中間層を有し、
    前記中間層は、
    ３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物で形成されることを特徴とする発光装置。
  2. 前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が１０重量％〜９０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が３５重量％〜７０重量％であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記中間層が、無機微粒子を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の発光装置。
  5. 前記無機微粒子が、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記中間層が、蛍光体を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載の発光装置。
  7. 発光素子がシリコーン層で覆われた発光装置において、前記発光素子と前記シリコーン層との間に介在させる中間層を形成するための塗布液であって、
    前記塗布液は、
    ３官能ポリシロキサンと４官能ポリシロキサンとの混合物を含むことを特徴とする塗布液。
  8. 前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が１０重量％〜９０重量％であることを特徴とする請求項７に記載の塗布液。
  9. 前記混合物に対する前記３官能ポリシロキサンの含有率が３５重量％〜７０重量％であることを特徴とする請求項８に記載の塗布液。
  10. 無機微粒子を含むことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか一つに記載の塗布液。
  11. 前記無機微粒子が、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２であることを特徴とする請求項１０に記載の塗布液。
  12. 蛍光体を含有することを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれか一つに記載の塗布液。
JP2013536249A 2011-09-30 2012-09-24 発光装置及び塗布液 Expired - Fee Related JP5842922B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013536249A JP5842922B2 (ja) 2011-09-30 2012-09-24 発光装置及び塗布液

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011216285 2011-09-30
JP2011216285 2011-09-30
PCT/JP2012/074337 WO2013047407A1 (ja) 2011-09-30 2012-09-24 発光装置及び塗布液
JP2013536249A JP5842922B2 (ja) 2011-09-30 2012-09-24 発光装置及び塗布液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013047407A1 true JPWO2013047407A1 (ja) 2015-03-26
JP5842922B2 JP5842922B2 (ja) 2016-01-13

Family

ID=47995439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013536249A Expired - Fee Related JP5842922B2 (ja) 2011-09-30 2012-09-24 発光装置及び塗布液

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9172009B2 (ja)
EP (1) EP2763198A4 (ja)
JP (1) JP5842922B2 (ja)
KR (1) KR101585814B1 (ja)
CN (1) CN103858245A (ja)
WO (1) WO2013047407A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6616305B2 (ja) * 2014-07-28 2019-12-04 住友化学株式会社 シリコーン系封止材組成物及び半導体発光装置
DE102018106465B4 (de) * 2018-03-20 2024-03-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036030A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007242246A (ja) * 2006-03-03 2007-09-20 Mitsubishi Chemicals Corp 照明装置
JP2009026821A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用封止剤及びトップビュー型光半導体素子
JP2009120732A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用樹脂組成物、光半導体素子用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材及びそれらを用いた光半導体素子
JP2009170824A (ja) * 2008-01-19 2009-07-30 Nichia Corp 発光装置
JP2009221393A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース
JP2011021078A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Jsr Corp オルガノポリシロキサンならびにこれを含む硬化性組成物およびその製造方法
JP2011042732A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止剤

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795194B2 (ja) * 1994-09-22 1998-09-10 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
DE4440976A1 (de) * 1994-11-17 1996-05-23 Ant Nachrichtentech Optische Sende- und Empfangseinrichtung mit einem oberflächenemittierenden Laser
US5667724A (en) * 1996-05-13 1997-09-16 Motorola Phosphor and method of making same
DE19714170C1 (de) * 1997-03-21 1998-07-30 Siemens Ag Elektrooptisches Modul
US5828074A (en) * 1997-05-19 1998-10-27 Mini-Systems, Inc. Optoisolator comprising walls having photosensitive inner surfaces
US6555288B1 (en) * 1999-06-21 2003-04-29 Corning Incorporated Optical devices made from radiation curable fluorinated compositions
US7160972B2 (en) * 2003-02-19 2007-01-09 Nusil Technology Llc Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index
JP2004359756A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Ｌｅｄ用封止剤組成物
JP4803339B2 (ja) 2003-11-20 2011-10-26 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
KR20060127198A (ko) * 2004-03-16 2006-12-11 다우 코닝 코포레이션 유기 발광 다이오드
JP4844732B2 (ja) * 2005-05-24 2011-12-28 信越化学工業株式会社 発光半導体装置
JP2007270004A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Asahi Glass Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた透光性封止材および発光素子
TWI428396B (zh) 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物
JP2008112959A (ja) 2006-10-04 2008-05-15 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光ダイオード素子及び発光ダイオード装置
EP2085411A3 (en) * 2008-01-22 2009-08-26 JSR Corporation Metal-coating material, method for protecting metal, and light emitting device
JP2009173718A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Jsr Corp 金属コート材、および発光装置
JP2010018786A (ja) * 2008-06-09 2010-01-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
WO2011019050A1 (ja) * 2009-08-13 2011-02-17 株式会社タイカ 光学用ゲル部材、それを用いる光学装置の組み立て方法及び光学装置
JP5491159B2 (ja) 2009-12-17 2014-05-14 旭化成イーマテリアルズ株式会社 シリカ粒子含有縮合反応物、樹脂組成物、封止樹脂、レンズ及びアンダーフィル材
JP4788837B2 (ja) * 2010-01-26 2011-10-05 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物およびその使用方法、シリコーン樹脂、シリコーン樹脂含有構造体、ならびに光半導体素子封止体

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036030A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007242246A (ja) * 2006-03-03 2007-09-20 Mitsubishi Chemicals Corp 照明装置
JP2009026821A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用封止剤及びトップビュー型光半導体素子
JP2009120732A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用樹脂組成物、光半導体素子用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材及びそれらを用いた光半導体素子
JP2009170824A (ja) * 2008-01-19 2009-07-30 Nichia Corp 発光装置
JP2009221393A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース
JP2011021078A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Jsr Corp オルガノポリシロキサンならびにこれを含む硬化性組成物およびその製造方法
JP2011042732A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止剤

Also Published As

Publication number Publication date
EP2763198A4 (en) 2015-07-08
JP5842922B2 (ja) 2016-01-13
CN103858245A (zh) 2014-06-11
KR20140070626A (ko) 2014-06-10
KR101585814B1 (ko) 2016-01-14
EP2763198A1 (en) 2014-08-06
WO2013047407A1 (ja) 2013-04-04
US20140239335A1 (en) 2014-08-28
US9172009B2 (en) 2015-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5477374B2 (ja) 蛍光体部材、蛍光体部材の製造方法、及び照明装置
TW201535802A (zh) 發光二極體密封劑
JP2008007779A (ja) 蛍光体及びその製造方法並びに発光ダイオード
JP2015521791A (ja) オプトエレクトロニクス半導体素子
JPWO2013051281A1 (ja) Ｌｅｄ装置の製造方法、およびそれに用いる蛍光体分散液
JP2011238811A (ja) 波長変換素子および発光装置
WO2013180259A1 (ja) 発光装置用封止材、及びこれを用いた発光装置、並びに発光装置の製造方法
JP2015153856A (ja) 発光装置及びその製造方法
WO2013121903A1 (ja) 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP5768816B2 (ja) 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP2011068791A (ja) 被覆蛍光体及びｌｅｄ発光装置
JP5842922B2 (ja) 発光装置及び塗布液
WO2012081247A1 (ja) Ｌｅｄ装置、およびその製造方法
TW201808844A (zh) 波長轉換構件
JP5617372B2 (ja) 反りを抑えた基板、それを用いた発光装置及びそれらの製造方法
WO2012090961A1 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、及び、塗布液
JP5803940B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5910340B2 (ja) Ｌｅｄ装置、及びその製造方法
JP2013168480A (ja) Ｌｅｄ装置の製造方法
WO2011077547A1 (ja) 発光装置
JPWO2013105514A1 (ja) Ｌｅｄ装置
KR20130059674A (ko) 황화물 형광체가 포함된 프리트 글라스 플레이트 및 이를 이용한 발광소자
JP2010283045A (ja) 蛍光体分散部材およびその製造方法
WO2015025526A1 (ja) Ｌｅｄ装置及びその製造方法
WO2015011929A1 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150713

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151020

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151102

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5842922

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees