WO2012081247A1 - Led装置、およびその製造方法 - Google Patents

Led装置、およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

 本発明の目的は、高温高湿環境下でも封止材料への着色を抑え、発光効率の低下を抑制するLED装置を提供することである。 本発明のLED装置は、基板と、その基板上に設けたLED素子と、そのLED素子を覆い、シリコーン樹脂の100重量部に対し酸化セリウムを0.005重量部以上、0.03重量部以下、含む酸化セリウム分散組成物層と、酸化セリウム分散組成物層を覆うシリコーン樹脂とを含む。

Description

LED装置、およびその製造方法
 本発明は、酸化セリウムを分散させた酸化セリウム分散組成物を、LED素子表面に設けたLED装置、およびその製造方法に関するものである。
 近年のLED照明として高輝度、高寿命が望まれており、LEDを封止する封止樹脂材料も従来のエポキシ封止樹脂から耐熱性が高いシリコーン封止樹脂が使用され始めている。しかし、シリコーン封止樹脂を用いた場合においても、特に高輝度化するためにLED素子に大電流を投入した際は、LEDチップおよびシリコーン封止樹脂自体の温度が高くなってしまう。このため、シリコーン封止樹脂に含まれる密着性付与剤やシリコーン樹脂合成時に残る有機物成分が着色し輝度が低下してしまう問題があった。
 これに対しシリコーン樹脂の耐熱性、耐紫外線性を向上させるために熱安定剤として酸化セリウム、酸化チタン、酸化鉄等の金属酸化物を添加配合することは知られている(例えば、特許文献1,特許文献2を参照)。しかし、シリコーン樹脂中のシリコーン以外の有機物に関して、着色防止の効果は確認されていない。またLED封止樹脂材料に金属酸化物を添加すると透明度が低下し、可視光の透過率が低下してしまい、しいてはLED装置としての発光効率が低下するという課題があった。
特開昭52-14654号公報 特開2000-21244号公報
 本発明では、従来の上記課題を解決するものであって、高温高湿環境下でも封止材料への着色を抑え、結果、発光効率の低下を抑制するLED装置を提供するものである。
 上記目的を達成するために、本発明のLED装置は以下の構成を有する。
 基板と、その基板上に設けたLED素子と、そのLED素子を覆い、シリコーン樹脂の100重量部に対し酸化セリウムを0.005重量部以上、0.03重量部以下、含む酸化セリウム分散組成物層と、酸化セリウム分散組成物層を覆う封止材料とを含む。
 本発明では、酸化セリウムを分散させた酸化セリウム分散組成物をLED素子表面に設けたLED装置とすることにより、高温高湿環境下でも封止材料への着色を抑えることができるという効果を有し、さらに、透過率を低下させることもない。
図1は、本発明のLED装置の断面図である。 図2は、実施例1、2、3ならびに6、7に係る発明のLED装置の断面図である。 図3Aは、実施例1、2、3ならびに6、7に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図3Bは、実施例1、2、3ならびに6、7に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図3Cは、実施例1、2、3ならびに6、7に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図4は、実施例4に係る発明のLED装置の断面図である。 図5Aは実施例4に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図5Bは実施例4に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図5Cは実施例4に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図6は、実施例5に係る発明のLED装置の断面図である。 図7Aは実施例5に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図7Bは実施例5に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図7Cは実施例5に係る発明のLED装置の製造法の工程図である。 図8は、比較例2に係るLED装置の断面図である。
 以下本発明の実施の形態について説明する。
 本発明のLED装置1000は、図1に示すように、基板80と、LED素子10と、着色防止材料分散組成物層20(実質、酸化セリウム分散組成物層)と、封止材料40を含む。着色防止材料分散組成物層20とは、着色防止材料を分散した組成物からなる層で、LED素子10の表面を封止する。LED素子10は基板80の上に形成されている。着色防止材料分散組成物層20は、LED素子10を覆うように形成されている。封止材料40は、着色防止材料分散組成物層20を覆うように形成されている。酸化セリウム分散組成物層とは、シリコーン樹脂に酸化セリウムを分散させた着色防止材料分散組成物層20である。
 本発明の特徴は、着色防止材料分散組成物層20をLED素子10の表面に設けていることである。これによって、シリコーン樹脂の着色を抑制するという効果がある。
 なお、図1においては、LED素子10は、ダイボンド110により基板80に貼り付けられている。また、LED素子10は、ワイヤボンディング120により、電極90に接続されている。
 また、封止材料40は、着色防止材料分散組成物層20を覆うように形成されている。封止材料40と、基板80(一部は、電極90)は、LED素子10を外部環境(空気など)に触れないように封止する。
 樹脂の着色防止材料としては、樹脂の耐熱性、耐紫外線性を高める効果を有する材料である酸化セリウムが最適である。さらに酸化セリウム以外に樹脂の耐熱性、耐紫外線性に効果がある酸化チタン、酸化鉄等を用いることもできる。
 封止材料40および酸化セリウム分散組成物層は、シリコーン樹脂を主成分としている。ここで、主成分としているとは、封止材料40および酸化セリウム分散組成物層において、99.99%以上がシリコーン樹脂であることを意味する。
 シリコーン樹脂とは、ケイ素と酸素の結合を骨格に持つ高分子であって、かつケイ素に炭化水素基1つ以上有する化合物の総称である。一般的には炭化水素基としてメチル基が付いている場合がある。LEDパッケージ用途にはフェニル基が付いた屈折率が高いシリコーン樹脂も用いる。
 封止材料40のシリコーン樹脂の詳細については、以降の実施例において詳述する。
 なお、着色を防止する理由は次のように考察される。すなわち、セリウムイオンの還元によってポリマー中の電子を吸収し、樹脂成分以外の有機物の酸化反応を生じる可能性のある遊離基を無害化し、酸化を抑制するためであろう。
 着色防止するために樹脂に添加する酸化セリウムの量としては、樹脂の100重量部に対して0.005重量部以上である。さらに0.03重量部以下が好ましい。0.005重量部より添加量が少ないとHAST(Highly Accelerated Stress Test:121℃/RH85%の高温高湿環境)で発光試験評価での着色防止に効果が少ない。添加量が0.03重量部より多いと樹脂の着色防止の効果は向上するが、可視光の透過性が低下してしまう。
 酸化セリウム分散組成物層の膜厚は10μmから60μmが好ましく、さらに10μmから50μmがより好ましい。これより膜厚が薄いと酸化セリウムの量が少なく着色防止の効果が少ない。また膜厚が60μm以上厚いと可視光の透過性が低下し、結果としてLED装置の発光効率が低下してしまう。
 添加する酸化セリウムの粒子径としては、200nm以下が好ましい。これ以上粒子が大きい場合、シリコーン樹脂に分散させた時のシリコーン樹脂との接触する確率が低くなるため、着色防止の効果が少ない。
 上記酸化セリウム分散組成物層は、シリコーン樹脂と酸化セリウムを混合し三本ロール等により混練することにより得ることができる。
 シリコーン樹脂に酸化セリウムを分散させた組成物をLED素子上に設け、その酸化セリウム分散組成物層上に封止を行ったLED装置とすることで、一番温度が高くなるLED素子近傍の酸化セリウムが有機物成分の着色を抑制することができる。さらに酸化セリウムは樹脂の架橋分解を抑制する効果が知られており、一番温度が高くなるLED素子周辺に酸化セリウムが存在するため、樹脂の架橋分解による劣化も抑制することができる。
 酸化セリウム分散組成物層は10μmから60μmと薄いため、可視光の透過性が低下せず、LED装置としての発光効率高く、樹脂の着色の無いLED素子とすることができる。酸化セリウム分散組成物層を60μm以上とした場合や、封止材料40を全て酸化セリウム分散組成物として封止を行った場合、初期段階での可視光域の透過率が低くなり、発光効率も低くなってしまう。
 シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン、または、メチルフェニルシリコーンを用いることが出来る。特に、耐変色性が高いジメチルシリコーンが最適である。また、メチルフェニルシリコーンは、耐変色性ではジメチルシリコーンに劣るが、耐架橋劣化性が高く、クラックが生じにくいという特徴を有している。但し、本発明の実施形態は、上記したシリコーン樹脂の種類には限定されない。
 封止材料40の厚みは、LED素子を封止するのに必要な厚みが必要である。封止材料の厚みは、たとえば、0.2mm以上、10mm以下である。本実施例では封止材料の厚みを4mm程度とした。
 この場合、LED素子の種類に限定は無いが、特に青色LED、近紫外LED、赤色LED、緑色LEDの素子封止に有用である。
 なお、樹脂に酸化セリウムとガーネット系のYAG蛍光体など混合し、蛍光体含有の酸化セリウム分散組成物層を青色LED素子上に設け、さらに酸化セリウムが含まれない樹脂に蛍光体を入れた層を設ける青色LEDを白色LEDに変換する素子としても構わない。
 以下、実施例によって本発明を具体的に示す。なお、透過率評価は、スライドガラス上にシリコーン樹脂を膜厚30μmから60μmで硬化させ、450nm波長の透過率を測定した。また、HAST・発光試験は、基板上に配置されたLED素子上にシリコーン樹脂封止材を硬化させた後、HAST(121℃/RH85%)環境下でLED素子を発光させ、900時間後のLED素子周辺の着色を比較した。
 (実施例1)
 図2に実施例1に係るLED装置100の断面図を示す。LED装置100は、基板8と、基板8の上にダイボンド11により貼り付けられたLED素子1と、電極9と、ワイヤボンディング12と、LED素子1の表面上に設けられた酸化セリウムを分散した酸化セリウム分散組成物層2と、酸化セリウム分散組成物層2を覆うシリコーン樹脂4とを有する。酸化セリウムが着色防止材料として機能し、シリコーン樹脂4の着色を抑制することができる。
 このLED装置100を製造する方法、並びに評価サンプルを作製する方法は以下の通りである。
 まず、シリコーン樹脂組成物の評価サンプルの作成方法について説明する。
 ジメチルシリコーン樹脂(信越化学製KER-2600)の主剤と触媒からなるA剤(以下A剤)5g、主剤と硬化剤からなるB剤(以下B剤)5gに対し酸化セリウム粉(ホソカワミクロン製 平均粒径36nm)0.0005gを三本ロール混練機(EXAKT製M50)で3回程混練し、酸化セリウム分散シリコーン樹脂組成物を得た。この時の酸化セリウム量はシリコーン樹脂の100重量部に対し0.005重量部である。この酸化セリウム分散組成物をスライドガラスに印刷する。次に、150℃/4時間で硬化を行い、酸化セリウム分散組成物(厚み50μm)の評価サンプルを得た。
 次に、LED装置100の製造方法について説明する。
 銅箔付きAlN(窒化アルミ基板)8をエッチングし、電極パターンを作成する。その後、電極パターンの銅箔部にニッケルめっき、金めっきを行い、電極9を形成する。ついで、LED素子1をダイボンド11で基板上に接着する。LED素子1の電極部と、基板上の電極部9をワイヤボンディング12で接合し、図3Aに示す構成を作製する。
 次に、LED素子1上に上記の酸化セリウム分散組成物を30μm程、塗布する。150℃で15分加熱し、酸化セリウム分散組成物層2を仮硬化させ、図3Bに示す構成を作製する。
 一方、シリコーン樹脂は、ジメチルシリコーン樹脂(信越化学製KER-2600)A剤5g、B剤5gを混練機(シンキー製AR-250)で混練して作成する。次に、シリコーン樹脂をSUS製の金型3に塗布する。真空脱泡装置(日電アネルバ製)で5分脱泡を行い、前記の酸化セリウム分散組成物層2をLED素子1上に設けた物を、金型3中のシリコーン樹脂4に貼り合わせる。次に、150℃/10分仮硬化を行い、図3Cの構成を作製する。なお、シリコーン樹脂4の厚さは4mmである。ここで厚さとは、LED素子1の各層の積層方向、あるいは光発光の方向の厚さである。
 その後、金型3を取り外し、LED素子1上に酸化セリウム分散シリコーン樹脂と、その上にシリコーン樹脂とが封止されている状態で、さらに150℃/4時間硬化を行い、図2のようなLED装置100を形成した。
 このようにして作成した評価サンプルとLED装置のサンプルに対して、上記の透過率の評価と着色の評価を行い、その結果を(表1)に示す。
 (実施例2)
 実施例1と異なる点は、酸化セリウム量をシリコーン樹脂の100重量部に対し0.01重量部とした点で、あとは同じである。
 同様に評価サンプルとLED装置のサンプルを作製し、評価結果を(表1)に示した。
 (実施例3)
 実施例1と異なる点は、酸化セリウム量をシリコーン樹脂の100重量部に対し0.03重量部とした点で、あとは同じである。
 同様に評価サンプルとLED装置のサンプルを作製し、評価結果を(表1)に示した。
 (実施例4)
 図4に実施例4に係るLED装置101の断面図を示す。LED装置101は、基板8と、基板8の上にダイボンド11により貼り付けられた青色LED素子5と、電極9と、ワイヤボンディング12と、青色LED素子5の表面上に設けられた酸化セリウムを分散した酸化セリウム分散組成物層2と、酸化セリウム分散組成物層2を覆う蛍光体含有シリコーン樹脂6とを有する。酸化セリウムが着色防止材料として機能し、シリコーン樹脂の着色を抑制することができる。
 このLED装置101を製造する方法、並びに評価サンプルを作製する方法は以下の通りである。
 まず、評価サンプルの作成方法について説明する。
 ジメチルシリコーン樹脂(信越化学製KER-2600)のA剤5g、B剤5gに対し酸化セリウム粉(ホソカワミクロン製 平均粒径36nm)0.0005gを三本ロール混練機(EXAKT製M50)で3回程混練し、酸化セリウム分散シリコーン樹脂組成物を得た。この時の酸化セリウム量はシリコーン樹脂の100重量部に対し0.005重量部である。この酸化セリウム分散組成物をスライドガラスに印刷する。次に、150℃/4時間、硬化を行い、酸化セリウム分散組成物(厚み30μm)の評価サンプルを得た。
 次に、LED装置101の製造方法について説明する。
 銅箔付きAIN(窒化アルミ基板)8をエッチングし、電極パターンを作成する。その後、電極パターンの銅箔部にニッケルめっき、金めっきを行い、電極9を形成する。ついで、青色LED素子5をダイボンド11で基板上に接着する。LED素子5の電極部と、基板上の電極部9をワイヤボンディング12で接合し、図5Aに示す構成を作製する。
 次に、青色LED素子5上に上記の酸化セリウム分散組成物を30μm程塗布する。150℃で15分加熱し、酸化セリウム分散組成物を仮硬化させ、図5Bに示す構成を作製する。
 一方、シリコーン樹脂は、ジメチルシリコーン樹脂(信越化学製KER-2600)A剤5g、B剤5gに対し蛍光体1gを混練機(シンキー製AR-250)で混練して作成する。次に、このシリコーン樹脂をSUS製の金型3に塗布する。真空脱泡装置(日電アネルバ製)で5分脱泡を行い、前記の酸化セリウム分散シリコーン組成物を青色LED素子5上に設けた物を、金型3中の蛍光体含有シリコーン樹脂6に貼り合わせる。次に、150℃/15分仮硬化を行い、図5Cの構成を作製する。なお、蛍光体含有シリコーン樹脂6の厚さは4mmである。
 その後、金型3を取り外し、LED素子5上に酸化セリウム分散シリコーン樹脂2と、その上に蛍光体含有シリコーン樹脂6とが封止されている状態で、さらに150℃/4時間硬化を行い、図4のようなLED装置101を形成した。
 このようにして作成した評価サンプルとLED装置のサンプルに対して上記の透過率の評価と着色の評価を行い、結果を(表1)に示した。
 (実施例5)
 図6に実施例5に係るLED装置102の断面図を示す。LED装置102は、基板8と、基板8の上にダイボンド11により貼り付けられた青色LED素子5と、電極9と、ワイヤボンディング12と、青色LED素子5の表面上に設けられた蛍光体酸化セリウム分散組成物層7と、蛍光体酸化セリウム分散組成物層7を覆う蛍光体含有シリコーン樹脂6とを有する。酸化セリウムが着色防止材料として機能し、シリコーン樹脂の着色を抑制することができる。
 このLED装置102を製造する方法、並びに評価サンプルを作製する方法は以下の通りである。
 まず、評価サンプルの作成方法について説明する。
 ジメチルシリコーン樹脂(信越化学製KER-2600)のA剤5g、B剤5gに対し酸化セリウム粉(ホソカワミクロン製 平均粒径36nm)0.001gと、YAG蛍光体1gを入れたものと入れないものを三本ロール混練機(EXAKT製M50)で3回程混練し、蛍光体酸化セリウム分散組成物と、酸化セリウム分散組成物を得た。この時の酸化セリウム量はシリコーン樹脂の100重量部に対し0.01重量部である。評価サンプルではこの酸化セリウム分散組成物をスライドガラスに印刷する。次に、150℃/4時間、硬化を行い、酸化セリウム分散組成物(厚み30μm)の評価サンプルを得た。
 次に、LED装置102の製造方法について説明する。
 銅箔付きAiN(窒化アルミ基板)8をエッチングし、電極パターンを作成する。その後、電極パターンの銅箔部にニッケルめっき、金めっきを行い、電極9を形成する。ついで、青色LED素子5をダイボンド11で基板上に接着する。LED素子の電極部と基板上の電極部9をワイヤボンディング12で接合し、図7Aに示す構成を作製する。
 次に、青色LED素子5上に上記の蛍光体酸化セリウム分散組成物を30μm程、塗布する。150℃で15分加熱し、蛍光体酸化セリウム分散組成物層7を仮硬化させ、図7Bに示す構成を作製する。
 一方、シリコーン樹脂は、ジメチルシリコーン樹脂(信越化学製KER-2600)A剤5g、B剤5gに対し蛍光体1gを混練機(シンキー製AR-250)で混練して作成する。次に、このシリコーン樹脂をSUS製の金型3に塗布する。真空脱泡装置(日電アネルバ製)で5分脱泡を行い、前記の蛍光体酸化セリウム分散組成物を青色LED素子5上に設けた物を、金型3中のシリコーン樹脂6に貼り合わせる。次に、150℃/15分仮硬化を行い、図7Cの構成を作製する。なお、蛍光体含有シリコーン樹脂6の厚さは4mmである。
 その後、金型3を取り外し、LED素子5上に蛍光体セリウム分散組成物7と、その上に蛍光体含有シリコーン樹脂6とが封止されている状態で、さらに150℃/4時間硬化を行い、図6のようなLED装置102を形成した。
 このようにして作成した評価サンプルとLED装置のサンプルに対して上記の透過率の評価と着色の評価を行い、結果を(表1)に示した。
 (実施例6)
 実施例1と異なる点は、酸化セリウム量をシリコーン樹脂の100重量部に対し0.05重量部とした点で、あとは同じである。
 同様に評価サンプルとLED装置のサンプルを作製し、評価結果を(表1)に示した。
 (実施例7)
 実施例1と異なる点は、酸化セリウム量をシリコーン樹脂の100重量部に対し0.01重量部とした点と、酸化セリウム分散組成層の厚みを60μmとした点で、あとは同じである。同様に評価サンプルとLED装置のサンプルを作製し、評価結果を(表1)に示した。
 (比較例1)
 実施例1と異なる点は、酸化セリウム量をシリコーン樹脂の100重量部に対し0.001重量部とした点で、あとは同じである。
 同様に評価サンプルとLED装置のサンプルを作製し、評価結果を(表1)に示した。
 (比較例2)
 図8に比較例2に係るLED装置103の断面図を示す。LED装置103は、基板8と、基板8の上にダイボンド11により貼り付けられたLED素子1と、電極9と、ワイヤボンディング12と、シリコーン樹脂4とを有する。比較例2において、実施例1と異なるのはLED素子1上に酸化セリウム分散脂組成物の封止がない点で、あとは同じである。同様に評価サンプルとLED装置のサンプルを作製し、評価結果を(表1)に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 (表1)に示すようにシリコーン樹脂だけを封止した比較例2のLED装置は、HAST・発光試験900時間でシリコーン樹脂中のシリコーン以外の有機物の着色が発生する。
 シリコーン樹脂に酸化セリウム粉を0.05重量部混合した実施例6のLED装置は、HAST・発光試験900時間で着色は発生しないが、酸化セリウム量は多いため初期段階での透過率が97.6%とやや低い。
 シリコーン樹脂に酸化セリウム粉を0.01重量部混合した実施例7のLED装置は、HAST・発光試験900時間で着色は発生しないが、酸化セリウム分散シリコーン樹脂組成硬化物の膜厚が厚いため初期段階での透過率が98.2%とやや低い。
 シリコーン樹脂に酸化セリウム粉を0.001重量部混合した比較例1のLED装置は、着色を防止する酸化セリウムの量が少ないためHAST・発光試験900時間で着色が発生する。
 一方、本発明に係る実施例1~3の酸化セリウムをシリコーン樹脂に0.005から0.03重量部混合した物では、HAST・発光試験900時間で着色は発生せず、試験後の発光効率の低下は見られない。さらに初期での透過率も99%以上あり発光強度に問題は見られない。実施例4,5のように蛍光体を用いた系でも同様の効果が得られる。
 透過率として450nmの値を求めているが、近紫外LEDの波長400nmにおいても透過率の大きな低下はないため、近紫外LEDのような他のLED素子でも同様の効果が得られる。
 本発明のように酸化セリウム分散させた組成物層をLED素子に設け、さらにその上に封止材料を設ける構造は、シリコーン樹脂の着色が発生しないため、発光効率の低下がないLED装置として有用である。
 1,10  LED素子
 2  酸化セリウム分散組成物層
 3  金型
 4  シリコーン樹脂
 5  青色LED素子
 6  蛍光体含有シリコーン樹脂
 7  蛍光体酸化セリウム分散組成物層
 8,80  基板
 9,90  電極
 11,110  ダイボンド
 12,120  ワイヤボンディング
 20  着色防止材料分散組成物層
 40  封止材料
 100,101,102,103,1000  LED装置

Claims (6)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けたLED素子と、
    前記LED素子を覆い、シリコーン樹脂100重量部に対し酸化セリウムを0.005重量部以上、0.03重量部以下、含む酸化セリウム分散組成物層と、
    前記酸化セリウム分散組成物層を覆い、シリコーン樹脂を主成分とする封止材料と、
    を含むLED装置。
  2. 前記封止材料に蛍光体材料を含む、請求項1記載のLED装置。
  3. 前記酸化セリウム分散組成物層の厚みは、10μm以上、60μm以下である、請求項1または2に記載のLED装置。
  4. 前記LED素子は、青色LEDである、請求項2記載のLED装置。
  5. LED装置の製造方法であって、
    基板上にLED素子を設けるステップと、
    LED素子を、シリコーン樹脂100重量部に対し酸化セリウムを0.005重量部以上、0.03重量部以下、含む酸化セリウム分散組成物層で覆うステップと、
    前記酸化セリウム分散組成物層を、シリコーン樹脂を主成分とする封止材料で覆うステップと、
    を有する製造方法。
  6. 前記酸化セリウム分散組成物層の厚みは、10μm以上、60μm以下である、請求項5に記載の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103673A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP2016127095A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017034134A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
JP2018032692A (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
JP2020198418A (ja) * 2019-05-31 2020-12-10 信越化学工業株式会社 プライマー組成物及びこれを用いた光半導体装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9761439B2 (en) * 2014-12-12 2017-09-12 Cree, Inc. PECVD protective layers for semiconductor devices

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214654A (en) * 1975-07-24 1977-02-03 Shin Etsu Chem Co Ltd An organopolysiloxane composition
WO2006038502A1 (ja) * 2004-10-01 2006-04-13 Nichia Corporation 発光装置
JP2006196282A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 電球形蛍光ランプ装置および照明装置
JP2007227530A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Citizen Electronics Co Ltd 光半導体装置
JP2008166512A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Takehisa Saito 発光素子
JP2010232203A (ja) * 2009-03-25 2010-10-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4236318B2 (ja) 1998-11-20 2009-03-11 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーンゴム組成物
US6239205B1 (en) 1999-01-28 2001-05-29 Dow Corning Toray Silicone Co. Silicone rubber composition
JP2002161168A (ja) 2000-11-28 2002-06-04 Nippon Aerosil Co Ltd 耐熱性シリカ微粒子とその用途
CN100430456C (zh) * 2002-03-22 2008-11-05 日亚化学工业株式会社 氮化物荧光体,其制造方法及发光装置
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
EP1876654B1 (en) * 2005-04-26 2018-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba White led, and backlight and liquid crystal display device using the same
CN101208811A (zh) * 2005-08-05 2008-06-25 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
EP1919000A1 (en) 2005-08-05 2008-05-07 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
JP2007299981A (ja) 2006-05-01 2007-11-15 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置
KR101302277B1 (ko) 2005-10-28 2013-09-02 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 무기산화물 투명 분산액과 무기산화물 입자 함유 수지조성물, 발광소자 밀봉용 조성물 및 발광소자,하드코트막과 광학 기능막 및 광학 부품, 그리고무기산화물 입자 함유 수지 조성물의 제조 방법
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
TW200900435A (en) * 2007-03-29 2009-01-01 Fujifilm Corp Organic-inorganic composite composition and fabrication method thereof, molded article and fabrication method thereof and optical component
JP4413955B2 (ja) * 2007-07-19 2010-02-10 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
JP5540466B2 (ja) 2008-01-19 2014-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JPWO2009107535A1 (ja) * 2008-02-25 2011-06-30 株式会社東芝 白色ledランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置
JP2010004034A (ja) 2008-05-22 2010-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214654A (en) * 1975-07-24 1977-02-03 Shin Etsu Chem Co Ltd An organopolysiloxane composition
WO2006038502A1 (ja) * 2004-10-01 2006-04-13 Nichia Corporation 発光装置
JP2006196282A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 電球形蛍光ランプ装置および照明装置
JP2007227530A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Citizen Electronics Co Ltd 光半導体装置
JP2008166512A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Takehisa Saito 発光素子
JP2010232203A (ja) * 2009-03-25 2010-10-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103673A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP2016127095A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017034134A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
JP2018032692A (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
JP2020198418A (ja) * 2019-05-31 2020-12-10 信越化学工業株式会社 プライマー組成物及びこれを用いた光半導体装置
JP7111660B2 (ja) 2019-05-31 2022-08-02 信越化学工業株式会社 プライマー組成物及びこれを用いた光半導体装置

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