JP7111660B2 - プライマー組成物及びこれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Description
(A)1分子中に一つ以上のSiH基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、1分子中に一つ以上のアルコキシ基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、SiH基及びアルコキシ基を有しないアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方とからなる共重合体と、
(B)溶剤、及び
(C)セリウム化合物
を含有するプライマー組成物を提供する。
(A)1分子中に一つ以上のSiH基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、1分子中に一つ以上のアルコキシ基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、SiH基及びアルコキシ基を有しないアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方とからなる共重合体と、
(B)溶剤、及び
(C)セリウム化合物
を含有するプライマー組成物である。
本発明のプライマー組成物は、必須成分として、後述する(A)成分、(B)成分及び(C)成分を含有するものである。
本発明のプライマー組成物に含有される(A)成分は、1分子中に一つ以上のSiH基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、1分子中に一つ以上のアルコキシ基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、SiH基及びアルコキシ基を有しないアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方とからなる共重合体である。
1分子中に一つ以上のSiH基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルとしては、下記式(1)で表される構造を含む化合物が挙げられる。
1分子中に一つ以上のアルコキシ基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルとしては、下記式(4)で表される構造を含む化合物が挙げられる。
SiH基及びアルコキシ基を有しないアクリル酸エステルとしては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸-n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸イソペンチル、アクリル酸-n-ヘキシル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸-2-エチルヘキシル、アクリル酸-n-オクチル、アクリル酸イソノニル、アクリル酸-n-デシル、アクリル酸イソデシル等が挙げられる。
溶剤である(B)成分としては、本発明のプライマー組成物を構成する上記(A)成分及び後述する任意成分を溶解するものであれば特に限定されるものではなく、公知の有機溶剤を使用することができる。
(C)成分は、セリウム化合物であり、本発明のプライマー組成物の透明性を大きく損なうことなく、耐熱性、耐光性、耐クラック性等を向上させる効果がある。
セリウム化合物としては、セリウム錯体、セリウムを含む複合金属錯体、酸化セリウム、セリウムの無機酸塩や有機酸塩が例示されるが、3価又は4価のセリウムを中心金属としアルコールやジケトンを配位子とするセリウム錯体や、セリウムを含む複合金属錯体が好ましい。
(C)成分は、前記(B)成分として例示した溶剤に予め溶解させてから添加してもよい。
(C)成分は1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
(D)成分は亜鉛化合物であり、本発明のプライマー組成物の透明性を大きく損なうことなく、耐熱性、耐光性、耐クラック性、耐硫化性等を向上させる効果がある。
亜鉛化合物としては、酸化亜鉛粉末や亜鉛の無機酸塩を使用することもできるが、プライマー組成物を塗布した場合に表面の平滑性を良好にする観点から、亜鉛原子を中心金属としアルコールやジケトンを配位子とする亜鉛錯体や、亜鉛を含む複合金属錯体が好ましい。
(D)成分は、溶剤に予め溶解させてから添加すればよく、常温下や加熱下で混合撹拌機により均一に混合する方法等が挙げられる。(D)成分が予め溶解される溶剤は(B)成分と同一であっても異なっていても良い。
本発明のプライマー組成物には、さらに(E)成分としてシランカップリング剤を配合することができる。
本発明のプライマー組成物には、上記成分以外に、必要に応じて、その他の任意成分を配合することができる。例えば、金属腐食抑制剤として、ベンゾトリアゾール、ブチルヒドロキシトルエン、ハイドロキノン又はその誘導体を配合することができる。
本発明のプライマー組成物の製造方法としては、上記(A)、(B)、(C)成分及び必要に応じて上記任意成分を常温下や加熱下で混合撹拌機により均一に混合する方法等が挙げられる。
また、本発明は、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とが、前記プライマー組成物により接着されたものである光半導体装置を提供する。
以下、本発明の光半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。
予め、AgメッキでAg電極等の金属電極6が形成された基板4にLED3等の光半導体素子を接着剤で接合して、ボンディングワイヤ7によりLED3の電極端子(図示せず)と金属電極6とを電気的に接続しておき、この後、LED3が実装された基板4を必要に応じて清浄してから、スピンナー等の塗布装置や噴霧器等でプライマー組成物2を基板4に塗布した後、加熱、風乾等によりプライマー組成物2中の溶剤を揮発させ、好ましくは10μm以下、より好ましくは0.1~5μmの厚さの被膜を形成する。プライマーの被膜を形成した後、付加反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサー等で塗布し、室温で放置又は加熱硬化させてゴム状の硬化物5でLED3を封止する。
メタクリル酸メチル40質量部、下記式(7)で表されるSiH含有メタクリル酸エステル10質量部、下記式(8)で表されるメトキシ基含有メタクリル酸エステル6質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル40質量部、上記式(7)で表されるSiH含有メタクリル酸エステル14質量部、上記式(8)で表されるメトキシ基含有メタクリル酸エステル4質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル40質量部、上記式(7)で表されるSiH含有メタクリル酸エステル19質量部、上記式(8)で表されるメトキシ基含有メタクリル酸エステル1質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル40質量部、上記式(7)で表されるSiH含有メタクリル酸エステル14質量部、下記式(9)で表されるメトキシ基含有メタクリル酸エステル5質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル40質量部、下記式(10)で表されるSiH含有アクリル酸エステル14質量部、上記式(8)で表されるメトキシ基含有メタクリル酸エステル4質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル40質量部、上記式(7)で表されるSiH含有メタクリル酸エステル14質量部、下記式(11)で表されるメトキシ基含有アクリル酸エステル4質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル40質量部、上記式(7)で表されるSiH含有メタクリル酸エステル14質量部、1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテート230質量部、AIBN0.25質量部を90℃で6時間加熱攪拌し、共重合体を含有する溶液を調製した。
上記合成例1~6で合成した共重合体に、セリウム化合物(C)としてトリス(アセチルアセトナト)セリウム(III)を(A)成分の固形分の全質量に対しセリウムとして50ppm、かつプライマー組成物全体の不揮発分が8%となるように(B)成分である1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテートで希釈し、プライマー組成物を得た。
得られたプライマー組成物を用いて、各種物性(外観、透過率、接着性(接着強度)及び腐食性)を下記に示す評価方法により測定し、結果を表1に示した。なお、表1に示した物性は、23℃において測定した値である。
上記合成例1~6で合成した共重合体に、セリウム化合物(C)としてテトラキス(2,2,6,6-テトラメチル3,5-ヘプタンジオナト)セリウム(IV)を(A)成分の固形分の全質量部に対しセリウムとして50ppm、実施例7~12では亜鉛化合物(D)としてビス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)亜鉛(II)を(A)成分の固形分の全質量部に対し亜鉛として50ppm配合し、実施例13では亜鉛化合物(D)を配合せず、かつプライマー組成物全体の不揮発分が8%となるように(B)成分である1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテートで希釈し、プライマー組成物を得た。
得られたプライマー組成物を用いて、各種物性(外観、透過率、接着性(接着強度)及び腐食性)を下記に示す評価方法により測定し、結果を表3に示した。なお、表3に示した物性は、23℃において測定した値である。
得られたプライマー組成物をスライドガラス上に厚さ2μmとなるように刷毛塗りし、60℃で30分放置して乾燥させ、更に180℃で30分乾燥処理を行った。このプライマー組成物上に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER-2600)を2mm厚で塗布して150℃で1時間硬化させて、その外観を観察した。
得られたプライマー組成物をスライドガラス上に厚さ2μmとなるように刷毛塗りし、60℃で30分放置して乾燥させ、プライマー組成物被膜を形成した。このプライマー組成物被膜が形成されたスライドガラスの波長400nmにおける透過率(初期透過率)を、スライドガラスをブランクとして測定し、これを100%とした。次いで、上記プライマー組成物被膜が形成されたスライドガラスを180℃で500時間熱処理をし、熱処理後の透過率を上記と同様に測定して、初期透過率に対する変化を求めた。
図2に示すような接着試験用のテストピース11を作製した。即ち、2枚のAl基板12、13(ケーディーエス社製、幅25mm)のそれぞれの片面に、得られたプライマー組成物を厚さ0.01mmで塗布し、60℃で30分放置し、さらに180℃で乾燥させ、プライマー組成物被膜14、15を形成した。これらAl基板をプライマー組成物被膜14、15が形成された面を対向させて、それらの端部が10mm重なるようにし、その間に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER-2600)を2mm厚で挟み込むようにして、150℃で30分間加熱することにより該付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を硬化させ、シリコーンゴム組成物の硬化物16により接着(接着面積25mm×10mm=250mm2)された2枚のAl基板からなるテストピースを作製した。
このテストピースのAl基板12、13のそれぞれの端部を反対方向(図2の矢印方向)に、引っ張り試験機(島津製作所製、オートグラフ)を用いて引張速度50mm/分で引っ張り、単位面積あたりの接着強度(MPa)を求めた。
得られたプライマー組成物を銀電極を底部に有するLEDパッケージに充填し、60℃で30分放置し180℃にて乾燥させた後、この上に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER-2600)を1mm厚で塗布し、150℃で2時間硬化させてシリコーンゴム層を有するテストピースを作製した。このテストピースを硫黄結晶0.1gとともに100ccガラス瓶に入れ、密閉して、実施例1~6及び後述する比較例1~3では70℃で、後述する実施例7~13及び比較例4~7では90℃で放置し、1日後及び7日後の銀メッキの腐食の程度を目視で観察し、下記基準で評価した。
○:腐食(変色)なし
△:多少の腐食(変色)
×:黒変
セリウム化合物(C)を配合しなかったこと以外は、実施例1と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
上記比較合成例1で合成した共重合体を不揮発分が8%となるように1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテートで希釈し、プライマー組成物を得たこと以外は、実施例1と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
プライマー組成物を用いなかったこと以外は、実施例1と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
セリウム化合物(C)、亜鉛化合物(D)を配合しなかったこと以外は、実施例7と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
上記比較合成例1で合成した共重合体を不揮発分が8%となるように1-プロピレングリコールメチルエーテルアセテートで希釈し、プライマー組成物を得たこと以外は、実施例7と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
セリウム化合物(C)を配合しなかったこと以外は、実施例7と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
プライマー組成物を用いなかったこと以外は、実施例7と同様に、上記接着性(接着強度)試験及び耐腐食性試験を行った。
4…基板、5…付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物、
6…金属電極、7…ボンディングワイヤ、11…テストピース、
12、13…Al基板、14、15…プライマー組成物被膜、
16…付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の硬化物。
Claims (9)
- 光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを接着するプライマー組成物であって、
(A)1分子中に一つ以上のSiH基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、1分子中に一つ以上のアルコキシ基を有するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方と、SiH基及びアルコキシ基を有しないアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方とからなる共重合体と、
(B)溶剤、及び
(C)セリウム化合物
を含有するものであって、
前記(C)成分が3価又は4価のセリウム錯体であり、前記(C)成分を前記(A)成分の固形分の全質量に対して、セリウム金属として1~10,000ppm含有するもの
であることを特徴とするプライマー組成物。 - 前記プライマー組成物が更に(D)亜鉛化合物を含有するものであることを特徴とする請求項1に記載のプライマー組成物。
- 前記(B)成分の配合量が、前記プライマー組成物全体の70質量%以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプライマー組成物。
- 前記(D)成分が亜鉛錯体であり、前記(D)成分を前記(A)成分の固形分の全質量に対して、亜鉛金属として1~10,000ppm含有するものであることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のプライマー組成物。
- 前記プライマー組成物が更に(E)シランカップリング剤を含有するものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプライマー組成物。
- 光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とが、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプライマー組成物により接着されたものであることを特徴とする光半導体装置。
- 前記光半導体素子が、発光ダイオードであることを特徴とする請求項6に記載の光半導体装置。
- 前記基板の構成材料が、ポリアミド、繊維強化プラスチック、セラミックス、シリコーン、シリコーン変性ポリマー、又は液晶ポリマーであることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の光半導体装置。
- 前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、ゴム状のものであることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の光半導体装置。
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