JP2007035859A - 固体撮像素子及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の半導体基板と、半導体基板内に形成された、第1導電型とは逆導電型の第2導電型のウェルと、ウェル内に形成された複数の第1導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域とその下方の半導体基板の第1導電型の領域との間に形成された、第2導電型の高濃度不純物層であって、ウェルよりも第2導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物層と、行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿ってウェル内に形成され、電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された信号電荷が列方向に転送される第1導電型の垂直転送チャネルと、ウェル内に形成され、垂直転送チャネルの端部に結合され、垂直転送チャネルから転送された信号電荷が行方向に転送される第1導電型の水平転送チャネルと有する固体撮像素子を提供する。
【選択図】 図1
Description
図7(A)及び(B)を用いて、CCD型固体撮像素子の駆動について説明する。
図7(B)は、図6(C)のX−Y線に沿ったポテンシャルプロファイルである。実線は読み出し電圧(VH)を印加しないときの電位を示し、点線は印加したときの電位を示す。斜線を付した箇所は電荷蓄積領域に蓄積されている信号電荷を示す。
また、本発明の他の目的は、短時間で不要電荷を除去することのできる固体撮像素子の駆動方法を提供することである。
本発明の他の観点によれば、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板内に形成された、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のウェルと、前記ウェル内に形成された複数の前記第1導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域の下方の前記半導体基板の第1導電型の領域との間に形成された、前記第2導電型の高濃度不純物層であって、前記ウェルよりも前記第2導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物層と、前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウェル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第1導電型の垂直転送チャネルと、前記ウェル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第1導電型の水平転送チャネルとを有する固体撮像素子の駆動方法であって、(a)前記電荷蓄積領域に光を入射させて、信号電荷を蓄積する工程と、(b)前記半導体基板に電圧を印加して、前記垂直転送チャネル内の電荷を前記半導体基板に排出する工程と、(c)前記工程(a)において前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を、前記垂直転送チャネルに読み出す工程と、(d)前記工程(c)において前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を、前記垂直転送チャネル内、及び水平転送チャネル内を転送する工程とを有する固体撮像素子の駆動方法が提供される。
また、短時間で不要電荷を除去することのできる固体撮像素子の駆動方法を提供することができる。
図2(A)〜(C)は、それぞれ図1(B)のX−Y線に沿ったポテンシャルプロファイルである。各図について、実線は基板引き抜きパルス電圧または読み出し電圧を印加しないときの電位を示し、一点鎖線は印加したときの電位を示す。図2(A)〜(C)を参照して、実施例による固体撮像素子の効果について説明する。
図2(B)の一点鎖線部分を参照する。実線で示す状態に、読み出し電圧(VHパルス)を印加すると、垂直転送チャネル方向へのバリアがなくなり、信号電荷は電荷蓄積領域から垂直転送チャネルに転送される。図2(A)で説明した基板引き抜き電圧(OFDパルス)の印加による不要電荷除去工程の後に、本図で示した電荷蓄積領域からの信号電荷読み出しを行うことで、スミア電荷を重畳させることなく、信号電荷を読み出すことができる。
したがって、電荷蓄積領域の容量を超えた過大信号電荷が、隣接する電荷蓄積領域へと流れ込むことなく、垂直転送チャネル及び基板へと排出される。
図4(A)〜(C)は、実施例によるCCD型固体撮像素子における電子シャッタ動作について説明するための図である。電子シャッタとは、電荷蓄積領域の電荷を基板に排出し、固体撮像素子の情報をクリアし、新たな露光に備える機能である。
電荷蓄積期間T1が開始される前の部分を参照する。読み出し電極を兼ねる垂直転送電極V1及びV3に読み出しパルス電圧が印加されるとともに、シリコン基板には、基板引き抜きパルス電圧が印加され、図4(A)を参照して説明したように、電荷蓄積領域に蓄えられた電荷が基板に排出される。この電子シャッタ動作によって、固体撮像素子の情報がクリアされ、新たな撮像が開始される。すなわち、電子シャッタ動作によって、信号電荷蓄積開始時刻(電荷蓄積期間T1の始点)が制御される。
図1(B)に示す実施例においては、高濃度p型不純物層20とチャネルストップ領域7とが、それぞれ独立に形成されていた。本図に示す変形例においては、両者が連続的に形成される。
2 ウェル
4 垂直転送チャネル
5 電荷蓄積領域
6 埋め込み領域
7 チャンネルストップ領域
8 絶縁膜
10 酸化シリコン膜
11 読み出しゲート
12 フォトダイオード
13 水平転送チャネル
14 電荷検出部
15 受光領域
20 高濃度p型不純物層
V1〜V4 垂直転送電極
Claims (11)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のウェルと、
前記ウェル内に形成された複数の前記第1導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
前記電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域の下方の前記半導体基板の第1導電型の領域との間に形成された、前記第2導電型の高濃度不純物層であって、前記ウェルよりも前記第2導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物層と、
前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウェル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第1導電型の垂直転送チャネルと、
前記ウェル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第1導電型の水平転送チャネルと
を有する固体撮像素子。 - 前記高濃度不純物層は、列方向にストライプ状に形成される請求項1に記載の固体撮像素子。
- 更に、前記ウェル内の、隣り合う前記電荷蓄積領域間に形成され、前記ウェルよりも前記第2導電型の不純物濃度が高いチャネルストップ領域を含み、前記チャネルストップ領域と前記高濃度不純物層とが連続している請求項1または2に記載の固体撮像素子。
- 前記行列状に配置された電荷蓄積領域が、第1の正方行列状に配列された第1の電荷蓄積領域と、前記第1の正方行列状に配列された第1の電荷蓄積領域の格子間位置に、第2の正方行列状に配列された第2の電荷蓄積領域とを含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記第1導電型がn型である請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板内に形成された、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のウェルと、前記ウェル内に形成された複数の前記第1導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域の下方の前記半導体基板の第1導電型の領域との間に形成された、前記第2導電型の高濃度不純物層であって、前記ウェルよりも前記第2導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物層と、前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウェル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第1導電型の垂直転送チャネルと、前記ウェル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第1導電型の水平転送チャネルとを有する固体撮像素子の駆動方法であって、
(a)前記電荷蓄積領域に光を入射させて、信号電荷を蓄積する工程と、
(b)前記半導体基板に電圧を印加して、前記垂直転送チャネル内の電荷を前記半導体基板に排出する工程と、
(c)前記工程(a)において前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を、前記垂直転送チャネルに読み出す工程と、
(d)前記工程(c)において前記垂直転送チャネルに読み出された信号電荷を、前記垂直転送チャネル内、及び水平転送チャネル内を転送する工程と
を有する固体撮像素子の駆動方法。 - 前記工程(b)を、前記電荷蓄積領域への光を遮った状態で行う請求項6に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記第1導電型がn型であり、前記工程(b)において前記半導体基板に電圧を印加するとき、前記工程(a)におけるよりも、前記垂直転送チャネルの電位を低くする請求項6または7に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記工程(a)の前、更に、
(f)前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記垂直転送チャネルに読み出すとともに、前記半導体基板に電圧を印加して、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記半導体基板に排出する工程
を含む請求項6〜8のいずれか1項に記載の固体撮像素子の駆動方法。 - 前記工程(a)の前、更に、
(g1)前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記垂直転送チャネルに読み出す工程と、
(g2)前記工程(g1)の後、前記半導体基板に電圧を印加する工程と
を含み、前記工程(g1)及び(g2)によって、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記半導体基板に排出する請求項6〜8のいずれか1項に記載の固体撮像素子の駆動方法。 - 前記第1導電型がn型であり、前記工程(g2)において前記半導体基板に電圧を印加するとき、前記工程(a)におけるよりも、前記垂直転送チャネルの電位を低くする請求項10に記載の固体撮像素子の駆動方法。
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JP2005216051A JP2007035859A (ja) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
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2005
- 2005-07-26 JP JP2005216051A patent/JP2007035859A/ja active Pending
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