JP2007027436A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 比誘電率の低い絶縁膜を備え、かつ、電気的性能の劣化および信頼性の劣化を抑制することが可能な、多層配線構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜内に形成された配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線の直下に位置する第1の絶縁膜と、その他の部分に位置する第2の絶縁膜から構成され、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜との境界面に位置する表層の炭素濃度が前記第1の絶縁膜の内部の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置を提供する。
【選択図】 図1C
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜内に形成された配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線の直下に位置する第1の絶縁膜と、その他の部分に位置する第2の絶縁膜から構成され、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜との境界面に位置する表層の炭素濃度が前記第1の絶縁膜の内部の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置を提供する。
【選択図】 図1C
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、多層配線構造の層間絶縁膜に低比誘電率の絶縁膜を用いた半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、半導体集積回路は高集積化の一途をたどっており、回路が微細化するに伴い、半導体デバイスの処理速度や消費電力の観点から、配線抵抗や層間絶縁膜容量への要求が厳しくなってきた。そこで、銅のように抵抗の低い金属を配線材料に用いたり、メチルシロキサンのような比誘電率の低い絶縁膜を配線間及び層間絶縁膜に用いたりして多層配線が作製されるようになっている。
現在、従来困難であった銅配線のパターニングには、埋め込み銅配線技術であるダマシン法が多く用いられている。
一方、絶縁膜としては、メチルシロキサン等のような3.0以下の低い比誘電率を有する有機系絶縁膜が用いられ、これを多層配線へと適用する技術が開発されている。
しかし、低比誘電率絶縁膜が求められる一方で、比誘電率が3.0以下の絶縁膜はエッチング時に生じるダメージに対する耐性が低く、また機械的強度も低いため、ダマシン法により作製する銅多層配線の層間絶縁膜として用いる際には様々な弊害が生じる。
比誘電率の低い絶縁膜は、エッチングの際に表層のメチル基が欠損して分子構造が壊れやすく、損傷を受けて炭素濃度が低下した層(以下ダメージ層と記す)が形成される。このメチル基が欠損したダメージ層に水が吸着し、エッチング後の配線材料埋め込みプロセスあるいはそれ以降の上層配線構造形成プロセスにおける熱処理を行う際に、ダメージ層近傍のビアホール側壁のバリアメタルを酸化させ、配線材料とバリアメタルとの密着性を劣化させ電気的特性の劣化および信頼性の劣化をもたらす。
そこで、この形成されたダメージ層をHMDS(ヘキサメチルジシラザン)ガス雰囲気に曝す、もしくはダメージ層にHMDS液を塗布して、メチル基が欠損した部分にメチル基等の炭化水素基を再結合させることにより、これを修復する技術が報告されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、比誘電率が低くなるほど膜の受けるダメージの量も大きくなり、修復しきれなくなるおそれがあるため、あまり低い比誘電率の絶縁膜は用いることができないという欠点がある。特許文献1に記載の方法では、比誘電率が約2.7の絶縁膜を用いている。
一方、多層配線に低比誘電率絶縁膜を使用しながらエッチングによるダメージを抑える方法の1つとして、高いエッチング耐性を有する比較的比誘電率の高い絶縁膜を用いて配線を形成した後、この絶縁膜をエッチングにより除去し、比誘電率の低い絶縁膜で埋め直すという技術が報告されている(例えば、特許文献2参照)。
しかし、この技術においては、配線形成後に比較的高い比誘電率を有する絶縁膜をエッチングにより除去する際に、配線下の部分は除去しきれずに残ってしまう。そのため、除去できた部分については低比誘電率の絶縁膜で埋めることができるが、除去できなかった部分には比誘電率の比較的高い絶縁膜が最後まで残ってしまうことになる。
特開2002−353308号公報
特開2003−68851号公報
本発明の目的は、比誘電率の低い絶縁膜を備え、かつ、電気的性能の劣化および信頼性の劣化を抑制することが可能な、多層配線構造の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜内に形成された配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線の直下に位置する第1の絶縁膜と、その他の部分に位置する第2の絶縁膜から構成され、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜との境界面に位置する表層の炭素濃度が前記第1の絶縁膜の内部の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置を提供する。
また、本発明の一態様は、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜に複数の配線を形成する工程と、前記配線の直下の前記第1絶縁膜を残して前記第1絶縁膜を除去して埋め込み溝を形成する工程と、前記配線の直下に残された前記第1の絶縁膜の前記埋め込み溝により表出した部分に生じたダメージを修復する工程と、前記溝に前記第1の絶縁膜より低い比誘電率を有する第2の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、比誘電率の低い絶縁膜を備え、かつ、電気的性能の劣化および信頼性の劣化を抑制することが可能な、多層配線構造の半導体装置を作製することが可能となる。
〔第1の実施の形態〕
図1A〜図1Cは、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置のデュアルダマシン法による製造工程を示す断面図である。
図1A〜図1Cは、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置のデュアルダマシン法による製造工程を示す断面図である。
図1A(a)に示すように、半導体基板1上に絶縁膜2が形成され、その上に層間絶縁膜3と、その層間絶縁膜3中に第1の銅配線5がバリアメタル膜4Aに覆われて形成されており、さらにその上に例えばSiN膜がバリア絶縁膜6として形成されている。ここで、バリア絶縁膜6は銅配線の拡散および酸化を防止し、さらに上層からのエッチングによるダメージを防ぐ。
次に、図1A(b)に示すように、バリア絶縁膜6の上に第1の材料からなる層間絶縁膜7を形成する。ここで、第1の材料はメチル基を含んだSi−CH3結合を有するメチルポリシロキサンであり、第1の材料からなる層間絶縁膜7の比誘電率は3.0以下である。
次に、図1A(c)に示すように、第1の材料からなる層間絶縁膜7にバリアメタル膜4B、ビア13および第2の銅配線14が形成される。さらに、その上にキャップ層15を形成してもよい。ここで、キャップ層15はCoWBなどの金属を選択的成長させるCapMetal技術、あるいはSiN、SiCN、SiC等の絶縁膜成膜をリソグラフィなどを用いて形成され、銅配線の拡散および酸化を防止し、さらに上層からのエッチングによるダメージを防ぐことができる。
次に、図1B(d)に示すように、第1の材料からなる層間絶縁膜7を第2の銅配線14をマスクにしてバリア絶縁膜6が露出するまで除去し、埋め込み溝16を形成する。この時、第2の銅配線14の下に残った第1の材料からなる層間絶縁膜7の表面は、エッチング時に生じるダメージによりメチル基が欠損し、ダメージ層10Aとなる。
次に、図1B(e)に示すように、ダメージ層10Aに対してHMDSガスもしくはHMDS液からなる封止剤11を用いた修復処理を施すことで、第1の材料からなる層間絶縁膜7のメチル基欠損部分にメチル基等の炭化水素基を再結合させて修復層12Aを形成する。ここで、修復層12A部分は、ダメージを受けなかった第1の材料からなる層間絶縁膜7の内部よりも高い炭素濃度を有する。具体的には、修復層12Aの表層からその垂直方向に内部に向かって15nmにある位置で5atm%以上の炭素濃度を有する。その後、封止剤としてHMDS液を用いた場合には、残った余分なHMDS液を除去するために、100〜200℃で熱処理を施す。
次に、図1B(f)に示すように、バリア絶縁膜6およびキャップ層15上に第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを堆積させる。ここで、第2の材料は、第1の材料より比誘電率の低い絶縁膜、例えばメチルポリシロキサン系の絶縁膜である。
なお、次の工程において、図1C(g)に示すように、300〜450℃の熱処理を施すことにより脱水重合反応の促進および溶媒揮発を行って、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを多孔質である第2の材料からなる層間絶縁膜17Bに変えてもよい。ここで、第2の材料からなる層間絶縁膜17Bの比誘電率は2.5以下である。
次に、図1C(h)に示すように、第2の材料からなる層間絶縁膜17BをCMP法等によりキャップ層15が露出するまで研磨して平坦化させる。
なお、この平坦化処理は、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを第2の材料からなる層間絶縁膜17Bに変えるための熱処理を行う場合は、その前に行ってもよい。即ち、第2の材料からなる層間絶縁膜17AをCMP法等によりキャップ層15が露出するまで研磨して平坦化させた後、300〜450℃の熱処理を施すことにより脱水重合反応の促進および溶媒揮発を行って、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを第2の材料からなる層間絶縁膜17Bに変える。本実施形態では第2の材料からなる層間絶縁膜17Bは、前駆体である層間絶縁膜17Aを加熱処理による脱水重合反応の促進及び溶媒揮発を行って形成したが、この形成方法には限られない。
なお、この第1の実施の形態に係る第1の材料からなる層間絶縁膜7は請求項1〜6において第1の絶縁膜と定義されるものであり、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aまたは17Bは請求項1において第2の絶縁膜と定義されるものである。
(第1の実施の形態の効果)
この第1の実施の形態によれば、修復処理により、半導体デバイス動作時の高温状態においてバリアメタル4Bの酸化を促すダメージ層10Aを修復するため、第2の銅配線14を形成する際に用いる第1の材料からなる層間絶縁膜7に、エッチングダメージを受けやすい3.0以下という低い比誘電率を有する膜を用いることができる。第1の材料からなる層間絶縁膜7は配線直下に最後まで残るため、低い比誘電率を有する膜を用いることで半導体装置の層間絶縁膜全体の比誘電率を下げることができ、信号遅延を抑制することができる。
この第1の実施の形態によれば、修復処理により、半導体デバイス動作時の高温状態においてバリアメタル4Bの酸化を促すダメージ層10Aを修復するため、第2の銅配線14を形成する際に用いる第1の材料からなる層間絶縁膜7に、エッチングダメージを受けやすい3.0以下という低い比誘電率を有する膜を用いることができる。第1の材料からなる層間絶縁膜7は配線直下に最後まで残るため、低い比誘電率を有する膜を用いることで半導体装置の層間絶縁膜全体の比誘電率を下げることができ、信号遅延を抑制することができる。
また、第1の材料からなる層間絶縁膜7に埋め込み溝を形成する際に、配線幅が狭い場合には、配線直下の層間絶縁膜がエッチングのダメージにより脆くなり、配線を支えきれずに倒壊してしまうおそれがあるが、修復処理を施すことでダメージを回復し、また、Wetエッチングへの耐性も強化されるので配線を支えることができるようになる。
〔第2の実施の形態〕
第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程においては、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程における図1A(b)から(c)の間に、以下に説明する工程が含まれる。その他の工程については第1の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程においては、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程における図1A(b)から(c)の間に、以下に説明する工程が含まれる。その他の工程については第1の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図1A(b)に示されるように、バリア絶縁膜6の上に第1の材料からなる層間絶縁膜7が形成された後、図2(a)に示すように、フッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチング法により、第1の材料からなる層間絶縁膜7にビアホール8と配線溝9を形成する。この時、ビアホール8および配線溝9の壁面にあたる第1の材料からなる層間絶縁膜7の表面は、エッチング時に生じるダメージによりメチル基が欠損し、ダメージ層10Bとなる。
次に、図2(b)に示すように、ビアホール8の底面のバリア絶縁膜6をドライエッチング法によりパターニングし、ビアホール8を第1の銅配線5まで貫通させる。その後、ビアホール8および配線溝9にwetエッチング処理を施すことで、エッチング堆積物等を除去する。
次に、図2(c)に示すように、ダメージ層10Bに対してHMDSガスもしくはHMDS液からなる封止剤11を用いた修復処理を施すことで、第1の材料からなる層間絶縁膜7のメチル基欠損部分にメチル基等の炭化水素基を再結合させて修復層12Bを形成する。ここで、修復層12B部分は、ダメージを受けなかった第1の材料からなる層間絶縁膜7の内部よりも高い炭素濃度を有する。封止剤としてHMDS液を用いた場合には、その後、残った余分なHMDS液を除去するために、100〜200℃で熱処理を施す。
次に、図1A(c)に示されるように、TaNをスパッタリングした後にCuを電解めっきし、CMP法等により平坦化することで、バリアメタル膜4B、ビア13および第2の銅配線14が形成される。
(第2の実施の形態の効果)
第1の材料からなる層間絶縁膜7にビアホール8と配線溝9のダメージ層10Bにも修復処理を施すことにより、半導体装置の電気的特性の劣化および信頼性の劣化をより効果的に抑えることができる。
第1の材料からなる層間絶縁膜7にビアホール8と配線溝9のダメージ層10Bにも修復処理を施すことにより、半導体装置の電気的特性の劣化および信頼性の劣化をより効果的に抑えることができる。
〔第3の実施の形態〕
図3A〜図3Dは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置のシングルダマシン法による製造工程を示す断面図である。
図3A〜図3Dは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置のシングルダマシン法による製造工程を示す断面図である。
図3A(a)に示すように、半導体基板1上に絶縁膜2が形成され、その上に層間絶縁膜3と、その層間絶縁膜3中に第1の銅配線5がバリアメタル膜4Aに覆われて形成されており、さらにその上に例えばSiN膜がバリア絶縁膜6Aとして形成されている。ここで、バリア絶縁膜6Aは銅配線の拡散および酸化を防止し、さらに上層からのエッチングによるダメージを防ぐ。
次に、図3A(b)に示すように、バリア絶縁膜6の上に第1の材料からなる層間絶縁膜7Aを形成する。ここで、第1の材料はメチル基を含んだSi−CH3結合を有するメチルポリシロキサンであり、第1の材料からなる層間絶縁膜7Aの比誘電率は3.0以下である。
次に、図3A(c)に示すように、第1の材料からなる層間絶縁膜7Aに、バリアメタル膜4C、ビア13が形成される。さらにビア13および第1の材料からなる層間絶縁膜7A上に例えばSiN膜からなるバリア絶縁膜6Bを形成する。
次に、図3B(d)に示すように、バリア絶縁膜6Bの上に第1の材料からなる層間絶縁膜7Bを形成する。ここで、第1の材料はメチル基を含んだメチルポリシロキサンであり、第1の材料からなる層間絶縁膜7Bの比誘電率は3.0以下である。
次に、図3B(e)に示すように、第1の材料からなる層間絶縁膜7Bに、バリアメタル膜4Dおよび第2の銅配線14が形成される。さらに、その上にキャップ層15を形成してもよい。
次に、図3B(f)に示すように、第1の材料からなる層間絶縁膜7A、バリア絶縁膜6Bおよび第1の材料からなる層間絶縁膜7Bをバリア絶縁膜6Aが露出するまで除去する。この時、銅配線の下に残った第1の材料からなる層間絶縁膜7Aの表面は、エッチング時に生じるダメージによりメチル基が欠損し、ダメージ層10Aとなる。
次に、図3C(g)に示すように、HMDSガスもしくはHMDS液からなる封止剤11を用いた修復処理を施すことで、第1の材料からなる層間絶縁膜7Aのメチル基欠損部分にメチル基等の炭化水素基を再結合させて修復層12Aを形成する。ここで、修復層12A部分は、ダメージを受けなかった第1の材料からなる層間絶縁膜7Aの内部よりも高い炭素濃度を有する。具体的には、修復層12Aの表層からその垂直方向に内部に向かって15nmにある位置で5atm%以上の炭素濃度を有する。その後、封止剤としてHMDS液を用いた場合には、残った余分なHMDS液を除去するために、100〜200℃で熱処理を施す。
次に、図3C(h)に示すように、バリア絶縁膜6Aおよびキャップ層15上に第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを堆積させる。ここで、第2の材料は第1の材料よりも比誘電率の低いメチルポリシロキサンである。
なお、次の工程において、図3C(i)に示すように、300〜450℃の熱処理を施すことにより脱水重合反応の促進および溶媒揮発を行って、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを多孔質である第2の材料からなる層間絶縁膜17Bに変えてもよい。ここで、第2の材料からなる層間絶縁膜17Bの比誘電率は2.5以下である。
次に、図3D(j)に示すように、第2の材料からなる層間絶縁膜17BをCMP法等によりキャップ層15が露出するまで研磨して平坦化させる。
なお、この平坦化処理は、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを第2の材料からなる層間絶縁膜17Bに変えるための熱処理を行う場合は、その前に行ってもよい。即ち、第2の材料からなる層間絶縁膜17AをCMP法等によりキャップ層15が露出するまで研磨して平坦化させた後、300〜450℃の熱処理を施すことにより脱水重合反応の促進および溶媒揮発を行って、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aを第2の材料からなる層間絶縁膜17Bに変える。本実施形態では第2の材料からなる層間絶縁膜17Bは、前駆体である層間絶縁膜17Aを加熱処理による脱水重合反応の促進及び溶媒揮発を行って形成したが、この形成方法には限られない。
なお、この第3の実施の形態に係る第1の材料からなる層間絶縁膜7Aは請求項1〜6において第1の絶縁膜と定義されるものであり、第2の材料からなる層間絶縁膜17Aまたは17Bは請求項1において第2の絶縁膜と定義されるものである。
なお、上記各実施の形態は一実施例に過ぎず、本発明はこれらに限定されずに、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、上記各実施の形態では多層構造を有する半導体装置の2層目からの作製を例に説明したが、これらの層数に限られるものではない。また、上記各実施の形態においては、配線用の金属材料としてCuを例に挙げて説明したが、本発明においてはこれに限定されず、Cuに代えて例えばAl、Au、Ag、W等の他の金属を用いることも可能である。
1 半導体基板
3 層間絶縁膜
5 第1の銅配線
6、6A、6B バリア絶縁膜
7、7A、7B 第1の材料からなる層間絶縁膜
8 ビアホール
9 配線溝
10A、10B ダメージ層
11 封止剤
12A、12B 修復層
13 ビア
14 第2の銅配線
15 キャップ層
16 埋め込み溝
17A、17B 第2の材料からなる層間絶縁膜
3 層間絶縁膜
5 第1の銅配線
6、6A、6B バリア絶縁膜
7、7A、7B 第1の材料からなる層間絶縁膜
8 ビアホール
9 配線溝
10A、10B ダメージ層
11 封止剤
12A、12B 修復層
13 ビア
14 第2の銅配線
15 キャップ層
16 埋め込み溝
17A、17B 第2の材料からなる層間絶縁膜
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜内に形成された配線とを有し、
前記絶縁膜は、前記配線の直下に位置する第1の絶縁膜と、その他の部分に位置する第2の絶縁膜から構成され、前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜との境界面に位置する表層の炭素濃度が前記第1の絶縁膜の内部の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜との境界面からその垂直方向に前記第1の絶縁膜の内部に向かって15nmにある位置で5atm%以上の炭素濃度を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁膜の比誘電率は、前記第1の絶縁膜の比誘電率よりも低いことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に複数の配線を形成する工程と、
前記配線の直下の前記第1絶縁膜を残して前記第1絶縁膜を除去して埋め込み溝を形成する工程と、
前記配線の直下に残された前記第1の絶縁膜の前記埋め込み溝により表出した部分に生じたダメージを修復する工程と、
前記埋め込み溝に前記第1の絶縁膜より低い比誘電率を有する第2の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダメージを修復する工程は、ヘキサメチルジシラザンガスまたはヘキサメチルジシラザン液を用いて行われることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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