JP2007017987A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007017987A5
JP2007017987A5 JP2006189573A JP2006189573A JP2007017987A5 JP 2007017987 A5 JP2007017987 A5 JP 2007017987A5 JP 2006189573 A JP2006189573 A JP 2006189573A JP 2006189573 A JP2006189573 A JP 2006189573A JP 2007017987 A5 JP2007017987 A5 JP 2007017987A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
photoresist pattern
photoresist
etching
data layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006189573A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007017987A (ja
JP4996886B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050061606A external-priority patent/KR101240643B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2007017987A publication Critical patent/JP2007017987A/ja
Publication of JP2007017987A5 publication Critical patent/JP2007017987A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4996886B2 publication Critical patent/JP4996886B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006189573A 2005-07-08 2006-07-10 フォトレジスト組成物を利用したパターンの形成方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法 Expired - Fee Related JP4996886B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0061606 2005-07-08
KR1020050061606A KR101240643B1 (ko) 2005-07-08 2005-07-08 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007017987A JP2007017987A (ja) 2007-01-25
JP2007017987A5 true JP2007017987A5 (enExample) 2009-08-27
JP4996886B2 JP4996886B2 (ja) 2012-08-08

Family

ID=37597413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006189573A Expired - Fee Related JP4996886B2 (ja) 2005-07-08 2006-07-10 フォトレジスト組成物を利用したパターンの形成方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7291439B2 (enExample)
JP (1) JP4996886B2 (enExample)
KR (1) KR101240643B1 (enExample)
CN (1) CN1892426B (enExample)
TW (1) TWI395056B (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100495454B1 (ko) * 2002-03-27 2005-06-14 주식회사 코리아나화장품 피토라이트를 포함하는 미백 화장료 조성물
KR101157148B1 (ko) * 2005-08-08 2012-06-22 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조방법
KR101298940B1 (ko) * 2005-08-23 2013-08-22 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법
KR101268424B1 (ko) * 2005-10-31 2013-05-28 에이지이엠코리아 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법
JP2007142388A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
KR101293155B1 (ko) * 2006-02-01 2013-08-12 주식회사 동진쎄미켐 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법
KR101392291B1 (ko) * 2007-04-13 2014-05-07 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막트랜지스터기판의 제조방법
KR101430962B1 (ko) * 2008-03-04 2014-08-18 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법
JP5155389B2 (ja) * 2008-04-10 2013-03-06 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性樹脂積層体
US8623231B2 (en) * 2008-06-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for etching an ultra thin film
KR101632965B1 (ko) * 2008-12-29 2016-06-24 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20130017615A (ko) * 2011-08-11 2013-02-20 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법
CN102610564B (zh) * 2012-02-07 2014-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列基板的制作方法
JP7555759B2 (ja) * 2020-08-26 2024-09-25 東京応化工業株式会社 エッチング方法、及び感光性樹脂組成物

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5731179A (en) * 1980-07-31 1982-02-19 Sharp Corp Formation of thin-film transistor
JP3052330B2 (ja) * 1990-04-17 2000-06-12 ジェイエスアール株式会社 半導体製造用感放射線性樹脂組成物
JP3466218B2 (ja) * 1992-06-04 2003-11-10 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
KR950004908B1 (ko) * 1992-09-09 1995-05-15 삼성전자주식회사 포토 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
WO1996020430A1 (en) * 1994-12-28 1996-07-04 Nippon Zeon Co., Ltd. Positive resist composition
JP3209058B2 (ja) * 1995-10-18 2001-09-17 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
KR100209425B1 (ko) 1996-10-29 1999-07-15 전주범 오버행 구조 형성 방법
JP3105459B2 (ja) * 1996-10-31 2000-10-30 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料
US6177226B1 (en) * 1997-05-01 2001-01-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive photoresist composition and process for forming contact hole
KR100237684B1 (ko) 1997-01-28 2000-01-15 윤종용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JPH10221846A (ja) * 1997-01-31 1998-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 感光剤の製造方法およびこの感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
JPH1115151A (ja) * 1997-05-01 1999-01-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd コンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法
JP3600713B2 (ja) * 1997-08-06 2004-12-15 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
KR100341122B1 (ko) 1998-12-29 2002-10-25 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막트랜지스터의게이트전극형성방법
TW497269B (en) 2000-05-13 2002-08-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of semiconductor device
JP3616584B2 (ja) * 2000-06-12 2005-02-02 鹿児島日本電気株式会社 パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
TW511147B (en) * 2000-06-12 2002-11-21 Nec Corp Pattern formation method and method of manufacturing display using it
JP3507771B2 (ja) * 2000-07-03 2004-03-15 鹿児島日本電気株式会社 パターン形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法
KR100704510B1 (ko) 2001-02-12 2007-04-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법
KR100769162B1 (ko) 2001-03-07 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4673513B2 (ja) * 2001-08-01 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100816342B1 (ko) * 2001-10-19 2008-03-24 삼성전자주식회사 고내열성 포토레지스트 조성물
JP3875544B2 (ja) 2001-11-29 2007-01-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
JP2004177683A (ja) 2002-11-27 2004-06-24 Clariant (Japan) Kk 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP2005049667A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Quanta Display Japan Inc 液晶表示装置とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5290204B2 (ja) 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2007017987A5 (enExample)
US8764999B2 (en) Sidewall image transfer pitch doubling and inline critical dimension slimming
US7846843B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device using a spacer as an etch mask for forming a fine pattern
US7361609B2 (en) Mask patterns for semiconductor device fabrication and related methods
JP2021508071A (ja) 極紫外線(euv)リソグラフィにおいて感度を向上させるための金属含有トップ・コートを用いるパターニング材料積層膜
JP5816488B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7862986B2 (en) Patterning process
JP2003045893A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法及び素子の形成方法
CN110429125A (zh) 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置
US11500293B2 (en) Patterning material film stack with hard mask layer configured to support selective deposition on patterned resist layer
US20110081618A1 (en) Litho-litho etch (lle) double patterning methods
KR101684870B1 (ko) 단분자층 또는 다분자층 형성용 조성물
JP2005514770A5 (enExample)
US6764946B1 (en) Method of controlling line edge roughness in resist films
CN108957958A (zh) 微影图案化方法
CN102569073A (zh) 半导体器件的制作方法
US20110076832A1 (en) Dual etch method of defining active area in semiconductor device
CN101930170B (zh) 衬底的蚀刻方法
KR20160117818A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
TW594417B (en) Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern
US7070910B2 (en) Silazane compound amd methods for using the same
JP4566861B2 (ja) レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
US20030073041A1 (en) Partial photoresist etching
CN104134626A (zh) 浅沟槽隔离结构的制造方法