JP2006523038A5 - - Google Patents
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- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 3
- 230000002349 favourable Effects 0.000 claims 2
Claims (35)
- EUV光源におけるEUVコレクタの反射表面上にプラズマにより生じた残渣デブリを除去するためのデブリ除去システムであって、前記反射表面は第一の材料を含んでなり、前記デブリは第二の材料を含んでなり、
該システムは、制御されたスパッタリングイオン源を具備し;
該スパッタリングイオン源は、
スパッタリングイオン材料の原子を含んでなるガスと;
該スパッタリングイオン材料の原子をイオン化された状態に励起させる誘導機構とを含んでなり、
前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性を有し、且つ前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピーク周囲の分布を有するように選択されたシステム。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構が、RFまたはマイクロ波誘導機構であることを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記ガスが、選択されたエネルギーピークを部分的に決定する圧力に維持されることを含んでなる装置。 - 請求項2に記載の装置であって:更に、
前記ガスが、選択されたエネルギーピークを部分的に決定する圧力に維持されることを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構が前記スパッタリングイオン材料のイオンの流入を形成し、これは、前記第二の材料のプラズマデブリ原子の流入速度に14以下またはこれを越える、前記反射表面からの前記第二の材料の原子のスパッタ密度を形成することを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記反射表面は、前記第一の材料の層および第三の材料の層のラミネートを含んでなる、EUV光に対して高度に反射性で且つ入射に対して垂直な多層反射体であることを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記第二の材料による前記第一の材料のスパッタリングについてのスパッタ厚さ速度は、選択された寿命よりも長期間このようなスパッタリングを維持する、前記第一の材料の単一層を生じる速度以下であることを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記反射表面は第四の材料を含んでなるキャッピング層を具備し、これは選択された時間よりも長期間このようなスパッタリングを維持する第四の材料の単一層を生じる速度以下で前記第二の材料によるスパッタリングをも維持するスパッタ厚さ速度を有するように、且つ周囲環境または動作環境に露出されたときに、前記第一の材料よりも更に好ましい特性を有するように選択されることを含んでなる装置。 - 請求項7に記載の装置であって:更に、
前記反射表面は第四の材料を含んでなるキャッピング層を具備し、これは選択された時間よりも長期間このようなスパッタリングを維持する第四の材料の単一層を生じる速度以下で前記第二の材料によるスパッタリングをも維持するスパッタ厚さ速度を有するように、且つ周囲環境または動作環境に露出されたときに、前記第一の材料よりも更に好ましい特性を有するように選択されることを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記第一の材料がモリブデンであることを含んでなる装置。 - 請求項8に記載の装置であって:更に、
前記第一の材料がモリブデンであることを含んでなる装置。 - 請求項9に記載の装置であって:更に、
前記第一の材料がモリブデンであることを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記第二の材料がリチウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項11に記載の装置であって:更に、
前記第二の材料がリチウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項12に記載の装置であって:更に、
前記第二の材料がリチウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記スパッタリングイオン材料がヘリウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項10に記載の装置であって:更に、
前記スパッタリングイオン材料がヘリウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項11に記載の装置であって:更に、
前記スパッタリングイオン材料がヘリウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項14に記載の装置であって:更に、
前記スパッタリングイオン材料がヘリウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項15に記載の装置であって:更に、
前記スパッタリングイオン材料がヘリウムを含有することを含んでなる装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構および前記反射表面の周囲動作環境とは独立に前記反射表面を加熱する、前記反射表面に動作可能に結合された加熱素子を具備する装置。 - 請求項8に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構および前記反射表面の周囲動作環境とは独立に前記反射表面を加熱する、前記反射表面に動作可能に結合された加熱素子を具備する装置。 - 請求項9に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構および前記反射表面の周囲動作環境とは独立に前記反射表面を加熱する、前記反射表面に動作可能に結合された加熱素子を具備する装置。 - 請求項1に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は前記反射表面に結合されており、且つ信号発生器を具備することを含んでなる装置。 - 請求項8に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は前記反射表面に結合されており、且つ信号発生器を具備することを含んでなる装置。 - 請求項9に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は前記反射表面に結合されており、且つ信号発生器を具備することを含んでなる装置。 - 請求項24に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は、着火時の際には本質的に一定である信号を提供し、また該着火時から後続の着火時までの時間の少なくとも一部においては高周波交互信号を提供することを含んでなる装置。 - 請求項25に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は、着火時の際には本質的に一定である信号を提供し、また該着火時から後続の着火時までの時間の少なくとも一部においては高周波交互信号を提供することを含んでなる装置。 - 請求項26に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は、着火時の際には本質的に一定である信号を提供し、また該着火時から後続の着火時までの時間の少なくとも一部においては高周波交互信号を提供することを含んでなる装置。 - 請求項27に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は、前記着火時の際には第一の本質的に一定の直流電流を与え、且つ前記着火時から後続の着火時までの時間の際には反対極性の第二の本質的に一定の直流電流を与える電流発生器を具備することを含んでなる装置。 - 請求項28に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は、前記着火時の際には第一の本質的に一定の直流電流を与え、且つ前記着火時から後続の着火時までの時間の際には反対極性の第二の本質的に一定の直流電流を与える電流発生器を具備することを含んでなる装置。 - 請求項29に記載の装置であって:更に、
前記誘導機構は、前記着火時の際には第一の本質的に一定の直流電流を与え、且つ前記着火時から後続の着火時までの時間の際には反対極性の第二の本質的に一定の直流電流を与える電流発生器を具備することを含んでなる装置。 - EUV光源におけるコレクタ反射表面からデブリを連続的に除去して、プラズマにより生成した前記反射表面上の残渣デブリを除去する方法であって:前記反射表面は第一の材料を含んでなり、また前記残渣デブリは第二の材料を含んでなり、
前記方法は、制御されたスパッタリングイオン源を作製するステップを具備し、
該ステップは、
前記スパッタリングイオン材料の原子を含有するガスを準備するステップと、
前記スパッタリングイオン材料の原子をイオン化された状態に励起させるステップとを含んでなり、
前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性を有し、且つ前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピーク周囲の分布を有するように選択される方法。 - EUV光源におけるコレクタ反射表面からデブリを連続的に除去して、プラズマにより生成した前記反射表面上の残渣デブリを除去する方法であって:前記反射表面は第一の材料を含んでなり、また前記残渣デブリは第二の材料および該第二の材料の化合物を含んでなり、
前記方法は、
前記反射表面に堆積した第二の材料を含んでなる残渣デブリを有効に除去するために、前記反射表面を加熱するステップと;
制御されたスパッタリングイオン源を作製するステップと;
を具備し、
前記イオン源を作製するステップは、
前記スパッタリングイオン材料の原子を含有するガスを準備するステップと、
前記スパッタリングイオン材料の原子をイオン化された状態に励起させるステップとを含んでなり、
前記イオン化された状態は、前記第二の材料の化合物をスパッタリングする高い可能性を有し、且つ前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピーク周囲の分布を有するように選択される方法。 - EUV光源におけるコレクタ反射表面からデブリを連続的に除去して、プラズマにより生成した前記反射表面上の残渣デブリを除去する方法であって:前記反射表面は第一の材料を含んでなり、また前記残渣デブリは第二の材料および該第二の材料の化合物を含んでなり、
前記方法は、
前記反射表面に堆積した第二の材料を含んでなる残渣デブリを有効に除去するために、前記反射表面を加熱するステップと;
前記プラズマ中で生成した前記第二の材料のイオンを使用して、前記反射表面上に堆積した前記第二の材料の化合物をスパッタリングするステップと;
を含んでなる方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/409,254 US6972421B2 (en) | 2000-06-09 | 2003-04-08 | Extreme ultraviolet light source |
US10/798,740 US7217940B2 (en) | 2003-04-08 | 2004-03-10 | Collector for EUV light source |
PCT/US2004/010972 WO2004092693A2 (en) | 2003-04-08 | 2004-04-07 | Collector for euv light source |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101959A Division JP2007298980A (ja) | 2003-04-08 | 2007-04-09 | Euv光源用コレクタ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006523038A JP2006523038A (ja) | 2006-10-05 |
JP2006523038A5 true JP2006523038A5 (ja) | 2007-05-31 |
JP4616828B2 JP4616828B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=33302762
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006509850A Expired - Fee Related JP4616828B2 (ja) | 2003-04-08 | 2004-04-07 | Euv光源用コレクタ |
JP2007101959A Pending JP2007298980A (ja) | 2003-04-08 | 2007-04-09 | Euv光源用コレクタ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007101959A Pending JP2007298980A (ja) | 2003-04-08 | 2007-04-09 | Euv光源用コレクタ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7217940B2 (ja) |
EP (1) | EP1615695A4 (ja) |
JP (2) | JP4616828B2 (ja) |
KR (2) | KR101118996B1 (ja) |
CN (1) | CN1771072B (ja) |
WO (1) | WO2004092693A2 (ja) |
Families Citing this family (137)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7856044B2 (en) | 1999-05-10 | 2010-12-21 | Cymer, Inc. | Extendable electrode for gas discharge laser |
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JP5277496B2 (ja) | 2007-04-27 | 2013-08-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置および極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置 |
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2004
- 2004-03-10 US US10/798,740 patent/US7217940B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 KR KR1020117003417A patent/KR101118996B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-04-07 WO PCT/US2004/010972 patent/WO2004092693A2/en active Application Filing
- 2004-04-07 EP EP04759330A patent/EP1615695A4/en not_active Withdrawn
- 2004-04-07 JP JP2006509850A patent/JP4616828B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 CN CN2004800093424A patent/CN1771072B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 KR KR1020057018039A patent/KR101042177B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-21 US US11/603,471 patent/US7288777B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 US US11/603,670 patent/US7288778B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 US US11/603,732 patent/US7309871B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-09 JP JP2007101959A patent/JP2007298980A/ja active Pending
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