JP2007507602A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 幅の寸法が厚さの寸法より非常に大きく、１０ｍＴｏｒｒの酸素の存在下で少なくとも数ｋｅＶの平均電子エネルギーを維持できる電子ビーム源と；
   ガスを通って上記電子ビームを通過させて、予定の幅、長さ、厚さ及び位置を占めるプラズマシートを発生するようにする磁気手段と；
   薄膜又は被覆用の材料源から成り、一つ以上のスパッタリング手段及び蒸着手段を備えた源部と；
   上記材料源からスパッタ又は蒸発された材料が薄膜又は被覆として堆積される基板用の基板部と；
   を有して成ることを特徴とする大面積プラズマ堆積システム。
2. 上記源部がスパッタリング手段を備え、上材料源が上記材料源に対するスパッタリング閾値以上に電気的にバイアスされることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
3. 上記電気的バイアスがＤＣ又はＲＦ源から選択されることを特徴とする請求項２に記載の大面積プラズマ堆積システム。
4. 上記基板が電気的にバイアスされることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
5. 上記電気的バイアスがＤＣ又はＲＦ源から選択されることを特徴とする請求項４に記載の大面積プラズマ堆積システム。
6. 上記電子ビーム、プラズマ、材料源及び基板の相対位置が調整可能であることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
7. 上記材料源が、金属、合金、半導体又は非導電性材料から成る源群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
8. 上記電子ビーム源が、線形ホローカソードビーム源であることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
9. 上記ガスが、原子又は分子ガス或いはそれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
10. 上記材料源及び基板の両方が電気的にバイアスされることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
11. 上記スパッタリング手段が、マグネトロン又はイオンビームから成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
12. 上記蒸着手段が、電子ビーム、レーザー又は熱源から成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
13. 上記プラズマシートが、上記材料源と上記基板との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の大面積プラズマ堆積システム。
14. 幅の寸法が厚さの寸法より非常に大きく、１０ｍＴｏｒｒの酸素の存在下で少なくとも数ｋｅＶの平均電子エネルギーを維持できる電子ビーム源と、
    ガスを通って上記電子ビームを通過させて、予定の幅、長さ、厚さ及び位置を占めるプラズマシートを発生するようにする磁気手段と、
    一つ以上のスパッタリング手段及び蒸着手段を備えた材料源用の源部と、
    上記材料源からスパッタ又は蒸発された材料が堆積される基板用の基板部と、
    を有する装置に材料源及び基板を配置すること；
    装置内にガスを導入すること；及び
    電子ビーム源を付勢すること
    を含むことを特徴とする膜の堆積方法。
15. さらに、源部にスパッタリング手段を備える上記材料減に対するスパッタリング閾値以上に材料源を電気的にバイアスすることを含むことを特徴とする請求項１４に記載の膜の堆積方法。
16. 上記電気的バイアスがＤＣ又はＲＦ源から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の膜の堆積方法。
17. さらに、基板を電気的にバイアスすることを含むことを特徴とする請求項１４に記載の膜の堆積方法。
18. 上記電気的バイアスがＤＣ又はＲＦ源から選択されることを特徴とする請求項１７に記載の膜の堆積方法。
19. さらに、材料源を電気的にバイアスすることを含むことを特徴とする請求項１４に記載の膜の堆積方法。