WO2017090126A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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WO2017090126A1
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能史 植野
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ギガフォトン株式会社
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    • G21K2201/067—Construction details

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • SR Synchrotron-Radiation
  • An extreme ultraviolet light generation device includes a condensing mirror that reflects and condenses extreme ultraviolet light and a magnet that generates a magnetic field.
  • a second mirror formed by a part of a spheroidal surface having a focal point substantially at the same position as the focal point of the first reflecting surface and different from the first reflecting surface.
  • positioned in the position where the magnetic flux density by a magnetic field is lower than a 1st reflective surface may be included including a reflective surface.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus of the comparative example.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the problem of the EUV light generation apparatus of the comparative example.
  • FIG. 5 is a distribution diagram of debris attached to the reflection surface of the EUV collector mirror.
  • FIG. 6 is a perspective view of the EUV collector mirror according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a perspective view of the EUV collector mirror shown in FIG. 6 as seen from a different viewpoint from FIG. FIG.
  • FIG. 8 shows a view of the EUV collector mirror shown in FIG. 6 viewed from the direction opposite to the Z-axis direction.
  • FIG. 9 shows a view of the EUV collector mirror shown in FIG. 6 as viewed from the X-axis direction.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the rotating ellipsoid forming the reflecting surface of the EUV collector mirror shown in FIG. 6 with a two-dimensional ellipsoid.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the EUV light generation apparatus according to the first embodiment to which the EUV collector mirror shown in FIG. 6 is applied.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 13 is a view of the EUV collector mirror according to the second embodiment viewed from the opposite direction to the Z-axis direction.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining an EUV light generation apparatus according to the second embodiment to which the EUV collector mirror shown in FIG. 13 is applied.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply 26.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply device 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2.
  • the material of the target 27 supplied from the target supplier 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam collector mirror 22, a target collector 28 for collecting the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2.
  • the pulse laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supplier 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam 33 is turned into plasma, and the EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths.
  • the EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example.
  • the EUV light generation controller 5 performs at least one of, for example, control of the output timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. Also good.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • the “target” is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • a “droplet” is a form of target supplied into the chamber.
  • the “plasma generation region” is a predetermined region in the chamber.
  • the plasma generation region is a region where the target output to the chamber is irradiated with laser light and the target is turned into plasma.
  • the “optical path axis” is an axis passing through the center of the beam cross section of the laser light along the traveling direction of the laser light.
  • the “optical path” is a path through which the laser light passes.
  • the optical path may include an optical path axis.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 2 shows a coordinate system having the center of the plasma generation region 25 as the origin.
  • the axis passing through the plasma generation region 25 and the intermediate focal point 292 is taken as the Z axis.
  • the Z axis may be an axis that passes through the first focal point F1 and the second focal point F2 of the reflecting surface 23a of the EUV collector mirror 23.
  • the Z-axis direction can be a direction from the first focus F1 toward the second focus F2.
  • the direction opposite to the Z-axis direction may be a direction from the second focus F2 toward the first focus F1.
  • the Z-axis direction may be a direction in which EUV light 252 is output from the chamber 2 to the exposure apparatus 6.
  • the axis passing through the target supplier 26 and the plasma generation region 25 is taken as the Y axis.
  • the Y-axis direction can be a direction in which the target supplier 26 outputs the target 27 into the chamber 2.
  • an axis orthogonal to the Y axis and the Z axis is taken as an X axis.
  • the X axis may be the central axis of the magnetic field M generated by the magnetic field generator 8.
  • the coordinate axes shown in FIG. 2 can be similarly used in the drawings after FIG.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example may include a chamber 2 and a magnetic field generation unit 8.
  • the chamber 2 may be a container in which the EUV light 252 is generated by irradiating the target 27 supplied inside by the target supplier 26 with the pulsed laser light 33.
  • the chamber 2 may be provided with an EUV collector mirror 23, a gas supply unit 71, and a gas discharge unit 72.
  • the EUV collector mirror 23 may selectively reflect light in the vicinity of a specific wavelength in the EUV light 251 generated in the plasma generation region 25 by the reflection surface 23a.
  • the EUV collector mirror 23 may collect the selectively reflected EUV light 251 as an EUV light 252 at an intermediate condensing point 292 that is a predetermined condensing point.
  • the reflection surface 23a of the EUV collector mirror 23 may be formed of a part of a spheroid having first and second focal points F1 and F2.
  • the first focal point F1 may be located in the plasma generation region 25.
  • the second focal point F2 may be located at an intermediate condensing point 292 that is located farther from the reflecting surface 23a than the plasma generation region 25.
  • the gas supply unit 71 may supply the gases G1 and G2 into the chamber 2 from the through hole 24 formed in the EUV collector mirror 23.
  • the gas supply unit 71 may include a hood 711, a central head 712, a duct 713, and a duct 714.
  • the hood 711 may be a member that protects the window 21 from plasma generated in the plasma generation region 25.
  • the hood 711 may be formed in a hollow substantially cone shape or a hollow substantially truncated cone shape.
  • the hood 711 may be formed so as to cover the periphery of the optical path of the pulsed laser light 33 transmitted through the window 21.
  • the hood 711 may be formed such that the peripheral edge of the window 21 is the base end, and the tip passes through the through hole 24 and protrudes toward the plasma generation region 25 side from the reflection surface 23a.
  • the hood 711 may be formed so as to become thinner from the proximal end located on the window 21 side toward the distal end located on the plasma generation region 25 side.
  • An opening through which the pulse laser beam 33 traveling in the hood 711 passes toward the plasma generation region 25 may be formed at the tip of the hood 711.
  • the opening formed at the tip of the hood 711 may also serve as an outlet for the gas G ⁇ b> 1 flowing from the hood 711 toward the plasma generation region 25.
  • the proximal end of the hood 711 may be connected to a gas supply source (not shown) via a duct 713.
  • the gas supply source may be a supply source of the gases G1 and G2 that react with the target 27 and generate a gaseous reaction product at room temperature.
  • the gases G1 and G2 supplied from the gas supply source may be hydrogen, a hydrogen radical, or a gas containing these.
  • the central head 712 may blow out the gas G2 supplied to the reflecting surface 23a of the EUV collector mirror 23.
  • the central head 712 may be formed over the entire circumference of the side surface of the hood 711.
  • the outlet of the central head 712 may be formed so as to face the reflecting surface 23 a near the periphery of the through hole 24.
  • the shape of the outlet of the central head 712 may be a slit shape, but is not particularly limited, and may be a rectangular shape, a plurality of circular shapes, or other shapes.
  • the central head 712 may be connected to a gas supply source (not shown) via a duct 714.
  • the gas supply source connected to the central head 712 may be substantially the same as the gas supply source connected to the hood 711.
  • the gas discharge unit 72 may discharge the gas in the chamber 2 including the gases G1 and G2 to the outside of the chamber 2.
  • the gas discharge unit 72 may include a pair of discharge ports 721a and 721b, a discharge pipe 722, and a discharge device 723.
  • the pair of discharge ports 721 a and 721 b may be provided on the inner wall surface of the wall 2 a of the chamber 2 and at a portion that intersects the central axis X of the magnetic field M.
  • the pair of discharge ports 721a and 721b may be provided to face each other on the central axis X of the magnetic field M.
  • the pair of discharge ports 721a and 721b may be provided such that the respective central axes substantially coincide with each other.
  • the pair of discharge ports 721a and 721b may be provided such that the respective central axes substantially coincide with the central axis X of the magnetic field M.
  • the pair of discharge ports 721a and 721b may be provided so that the respective central axes pass through the first focal point F1 located in the plasma generation region 25.
  • Each of the pair of discharge ports 721 a and 721 b may be connected to the discharge device 723 via the discharge pipe 722.
  • the discharge device 723 may suck the gas in the chamber 2 including the gases G1 and G2 and discharge the gas outside the chamber 2.
  • the magnetic field generator 8 may generate the magnetic field M in the chamber 2.
  • the magnetic field generator 8 may include a pair of magnets 81 and 82.
  • the pair of magnets 81 and 82 may generate a magnetic field M that is a mirror magnetic field surrounding the plasma generation region 25.
  • Each of the pair of magnets 81 and 82 may be an electromagnet.
  • Each of the pair of magnets 81 and 82 may be formed by winding a coil around a torus-shaped core.
  • Each of the pair of magnets 81 and 82 may be a superconducting magnet.
  • the pair of magnets 81 and 82 may be disposed outside the wall 2 a of the chamber 2.
  • the pair of magnets 81 and 82 may be arranged to face each other across the plasma generation region 25 where the first focal point F1 is located.
  • the magnetic flux density near the pair of magnets 81 and 82 may be higher than the magnetic flux density near the plasma generation region 25.
  • the magnetic field lines of the magnetic field M may be formed so as to converge near the pair of magnets 81 and 82.
  • a part of the magnetic force lines of the magnetic field M may be formed along the reflection surface 23 a of the EUV collector mirror 23. Specifically, a part of the magnetic force lines of the magnetic field M is formed substantially parallel to the reflective surface 23a so that the region where the ions I can be substantially confined in the magnetic field M by the action of the magnetic field M does not intersect the reflective surface 23a. May be.
  • the magnetic flux density due to the magnetic field M may decrease as the distance from the central axis X of the magnetic field M increases in the Z-axis direction and in the opposite direction.
  • the magnetic flux density due to the magnetic field M at a position where the reflecting surface 23a is present may decrease as the reflecting surface 23a moves away from the central axis X of the magnetic field M in the direction opposite to the Z-axis direction.
  • the central axis X of the magnetic field M may pass through the first focal point F ⁇ b> 1 located in the plasma generation region 25 and intersect the wall 2 a of the chamber 2.
  • the magnetic field generator 8 may generate an asymmetric axial magnetic field.
  • the gas supply unit 71 may supply the gas G1 into the hood 711 through a duct 713 from a gas supply source (not shown).
  • the gas G ⁇ b> 1 supplied into the hood 711 can flow along the surface of the window 21 on the inner side of the chamber 2.
  • the gas G ⁇ b> 1 can be ejected from the opening at the tip of the hood 711 toward the plasma generation region 25 in the chamber 2.
  • the gas G1 can be discharged out of the chamber 2 through a pair of discharge ports 721a and 721b provided in the wall 2a of the chamber 2.
  • the gas supply unit 71 may supply the gas G2 into the central head 712 via a duct 714 from a gas supply source (not shown).
  • the gas G ⁇ b> 2 supplied into the central head 712 can be blown from the outlet of the central head 712 to the reflecting surface 23 a near the periphery of the through hole 24.
  • the gas G2 can be blown over substantially the entire circumference of the reflecting surface 23a.
  • the gas G2 sprayed on the reflecting surface 23a can flow along the reflecting surface 23a from the vicinity of the periphery of the through hole 24 toward the outer peripheral edge 23b of the reflecting surface 23a.
  • the gas G2 can be discharged out of the chamber 2 through the pair of discharge ports 721a and 721b.
  • the exhaust device 723 may suck the gas in the chamber 2 at a mass flow rate substantially the same as the mass flow rates of the gases G ⁇ b> 1 and G ⁇ b> 2 supplied by the gas supply unit 71 and discharge the gas outside the chamber 2.
  • the pressure in the chamber 2 can be kept substantially constant.
  • the target 27 supplied to the plasma generation region 25 can generate plasma when irradiated with the pulse laser beam 33. At this time, the plasma can emit ions I of the target 27 and atoms of the target 27 in addition to the EUV light 251.
  • the ions I emitted from the plasma may be tin ions, and the atoms emitted from the plasma may be tin atoms.
  • the ions I emitted from the plasma are subjected to Lorentz force by the action of the magnetic field M generated by the pair of magnets 81 and 82, and can travel along the magnetic field lines of the magnetic field M while performing a spiral motion.
  • the ions I can travel from the plasma generation region 25 toward the wall 2a side of the chamber 2 in which the pair of magnets 81 and 82 are disposed.
  • the ions I reach the pair of exhaust ports 721a and 721b, and can be exhausted out of the chamber 2 together with the gases G1 and G2.
  • a part of the atoms of the target 27 may try to travel into the hood 711, but the progress may be hindered by the momentum of the gas G ⁇ b> 1 ejected from the hood 711. Even if some of the atoms of the target 27 travel into the hood 711 and adhere to the surface of the window 21 to form debris, the attached debris can react with the gas G1 and be etched. That is, the attached debris can be removed from the surface of the window 21 by reacting with the highly reactive gas G1 and changing to a gaseous reaction product at room temperature.
  • the etched debris can travel from the hood 711 toward the pair of exhaust ports 721a and 721b together with the gas G1 flowing in the hood 711, and can be discharged out of the chamber 2 together with the gases G1 and G2.
  • the gases G1 and G2 are gases containing hydrogen
  • a stannane (SnH 4 ) gas can be generated as a reaction product.
  • the attached debris can be etched by reacting with the gas G2. That is, the attached debris can be removed from the reflecting surface 23a by reacting with the gas G2 having high reactivity with the gas and changing to a gaseous reaction product at room temperature.
  • the etched debris travels toward the pair of exhaust ports 721a and 721b together with the gas G2 flowing along the reflecting surface 23a, and can be discharged out of the chamber 2 together with the gases G1 and G2.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the problem of the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • FIG. 5 is a distribution diagram of debris attached to the reflection surface 23 a of the EUV collector mirror 23.
  • the ions I emitted from the plasma can travel from the plasma generation region 25 toward the pair of discharge ports 721a and 721b by the action of the magnetic field M.
  • some of the ions I emitted from the plasma collide with the gases G1 and G2 in the vicinity of the outer peripheral edge portion 23b of the EUV collector mirror 23 and deactivate, and are neutralized by recombination of electrons. There may be cases.
  • the neutralized ions I may stay in the magnetic field line converging portion of the magnetic field M without the action of the magnetic field M. Also, some of the atoms of the target 27 emitted from the plasma may not stay on the action of the magnetic field M like the neutralized ions I, and may stay in the magnetic field line converging portion of the magnetic field M. These neutralized ions I and atoms of the target 27 staying in the magnetic field line converging portion of the magnetic field M are also referred to as fine particle debris D1.
  • the fine particle debris D1 can diffuse from the magnetic field line converging portion of the magnetic field M. Although most of the diffused fine particle debris D1 can be discharged out of the chamber 2 together with the gases G1 and G2 as described above, a part of the fine particle debris D1 may adhere to the reflection surface 23a of the EUV collector mirror 23.
  • the fine particle debris D1 adhering to the reflecting surface 23a can be etched by the gas G2. However, the fine particle debris D1 adhering to the reflecting surface 23a is not completely etched by the gas G2, and a part of the fine particle debris D1 may remain adhering to the reflecting surface 23a.
  • the fine particle debris D1 remaining attached to the reflecting surface 23a is also referred to as attached debris D2.
  • the attached debris D ⁇ b> 2 may tend to increase on the reflection surface 23 a near the magnetic field line converging portion of the magnetic field M.
  • the reflectance of the EUV collector mirror 23 is lowered, and the output of the EUV light 252 can be lowered.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be forced to replace the EUV collector mirror 23. Therefore, when the attached debris D2 increases, the replacement frequency of the EUV collector mirror 23 increases, and the running cost of the EUV light generation apparatus 1 can increase. Therefore, a technique capable of suppressing the running cost of the EUV light generation apparatus 1 by suppressing the attached debris D2 is desired.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment may be different in the configuration of the EUV collector mirror 23 from the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • the EUV collector mirror 23 according to the first embodiment may include a first mirror unit 91 and a second mirror unit 92.
  • the second mirror part 92 may be a part of the EUV collector mirror 23 and a part in the vicinity of the magnetic field line converging part of the magnetic field M.
  • the portion corresponding to the second mirror portion 92 may be a portion where the attached debris D2 is easily formed on the reflecting surface 23a.
  • the first mirror part 91 may be a part other than the second mirror part 92 of the EUV collector mirror 23.
  • the portion corresponding to the first mirror portion 91 may be a portion where the attached debris D2 is difficult to be formed on the reflecting surface 23a.
  • the second mirror portion 92 corresponding to the portion where the attached debris D2 is easily formed in the EUV collector mirror 23 according to the comparative example is moved away from the central axis X of the magnetic field M. It may be configured as follows.
  • the second mirror portion 92 corresponding to the portion where the attached debris D2 is easily formed is the first mirror portion 91 corresponding to the portion where the attached debris D2 is difficult to be formed. Instead, it may be arranged at a position where the magnetic flux density by the magnetic field M is low.
  • the description of the same configuration as the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example is omitted.
  • FIG. 6 is a perspective view of the EUV collector mirror 23 according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a perspective view of the EUV collector mirror 23 shown in FIG. 6 as viewed from a different viewpoint from that of FIG.
  • FIG. 8 shows a view of the EUV collector mirror 23 shown in FIG. 6 as viewed from the opposite direction of the Z-axis direction.
  • FIG. 9 shows a view of the EUV collector mirror 23 shown in FIG. 6 as viewed from the X-axis direction.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the spheroid forming the reflecting surface of the EUV collector mirror 23 shown in FIG. 6 using a two-dimensional ellipse.
  • the first mirror unit 91 according to the first embodiment may be composed of a pair of first mirrors 911 and 912.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 may be disposed inside the wall 2a of the chamber 2 via the first mirror holding portions 911c and 912c, respectively.
  • the second mirror unit 92 according to the first embodiment may be composed of a pair of second mirrors 921 and 922.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 may be disposed inside the wall 2a of the chamber 2 via the second mirror holding portions 921c and 922c, respectively.
  • the EUV collector mirror 23 according to the first embodiment may be arranged in the order of the first mirror 911, the second mirror 921, the first mirror 912, and the second mirror 922 along the Z axis.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 selectively reflects the EUV light 251 and collects the EUV light as the EUV light 252 at the intermediate condensing point 292. It may be a mirror. As shown in FIGS. 6 to 8, the pair of first mirrors 911 and 912 may be formed in substantially the same fan-shaped plate shape. That is, the pair of first mirrors 911 and 912 may be formed such that the central angles thereof are substantially the same. The pair of first mirrors 911 and 912 may be formed so that the size in the radial direction is substantially the same as that of the EUV collector mirror 23 according to the comparative example.
  • a notch having substantially the same shape as a part of the through-hole 24 may be formed in the substantially fan-shaped central portion of each of the pair of first mirrors 911 and 912.
  • the outer peripheral edge portions of the pair of first mirrors 911 and 912 may be formed in the same shape as a part of the outer peripheral edge portion of the EUV collector mirror 23 according to the comparative example.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 may be disposed along the Y axis.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 may be arranged so that the substantially fan-shaped central portions of the first mirrors 911 and 912 face each other across the Z axis.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 may be arranged such that the distances from the respective notches to the Z axis are substantially the same.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 may be disposed between the pair of second mirrors 921 and 922 in the direction along the central axis X of the magnetic field M. As shown in FIG.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 has a distance L1 in the Z-axis direction from the outer peripheral edge portions of the reflecting surfaces 911a and 912a to the central axis X, and the outer peripheral edge portion 23b according to the comparative example.
  • the distance from the center axis X to the center axis X may be substantially the same as the distance in the Z-axis direction.
  • the reflective surfaces 911a and 912a may be the reflective surfaces of the pair of first mirrors 911 and 912, respectively.
  • the reflective surfaces 911a and 912a may constitute a first reflective surface that is a reflective surface of the first mirror unit 91.
  • the reflection surfaces 911a and 912a may be formed as part of substantially the same spheroidal surface as shown in FIGS.
  • Each of the reflection surfaces 911a and 912a may be formed of a part of a spheroid having a first focal point F1 and a second focal point F2, similarly to the reflection surface 23a according to the comparative example. That is, the first focal points F1 of the reflecting surfaces 911a and 912a may be located in the plasma generation region 25.
  • the second focal points F ⁇ b> 2 of the reflecting surfaces 911 a and 912 a may be located at an intermediate condensing point 292 that is located farther from the reflecting surfaces 911 a and 912 a than the plasma generation region 25.
  • the spheroids forming the reflecting surfaces 911a and 912a may be substantially the same as the spheroids forming the reflecting surface 23a according to the comparative example.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 selectively reflects the EUV light 251 and collects the EUV light 252 as the EUV light 252 at the intermediate condensing point 292. It may be. As shown in FIGS. 6 to 8, the pair of second mirrors 921 and 922 may be formed in substantially the same fan-shaped plate shape. That is, the pair of second mirrors 921 and 922 may be formed such that the central angles thereof are substantially the same. The pair of second mirrors 921 and 922 may be formed so that the size in the radial direction is larger than that of the pair of first mirrors 911 and 912.
  • a notch having substantially the same shape as a part of the through hole 24 may be formed in the center portion of the substantially sector shape in each of the pair of second mirrors 921 and 922.
  • the outer peripheral edge portions of the pair of second mirrors 921 and 922 may be formed in the same shape as a part of the outer peripheral edge portion of the EUV collector mirror 23.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 may be disposed along the central axis X of the magnetic field M.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 may be disposed so that the substantially fan-shaped central portions of the pair of second mirrors 921 and 922 face each other with the Z-axis interposed therebetween.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 may be arranged such that the distances from the respective notches to the Z axis are substantially the same.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 may be disposed between the pair of first mirrors 911 and 912 in the direction along the Y axis. As shown in FIG.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 is such that the distance L2 in the Z-axis direction from the outer peripheral edge portions of the reflecting surfaces 921a and 922a to the central axis X is longer than the above-described distance L1. It may be arranged. That is, the pair of second mirrors 921 and 922 may be disposed so as to be farther from the central axis X of the magnetic field M than the pair of first mirrors 911 and 912 in the direction opposite to the Z-axis direction.
  • the magnetic flux density due to the magnetic field M at a position where the reflecting surface 23a is present can be lowered as the reflecting surface 23a moves away from the central axis X of the magnetic field M in the opposite direction of the Z-axis direction. That is, the reflecting surfaces 921a and 922a may be disposed at a position where the magnetic flux density due to the magnetic field M is lower than that of the reflecting surfaces 911a and 912a in the direction opposite to the Z-axis direction.
  • the reflecting surfaces 921a and 922a may be the reflecting surfaces of the pair of second mirrors 921 and 922, respectively.
  • the reflective surfaces 921a and 922a may constitute a second reflective surface that is a reflective surface of the second mirror unit 92.
  • the reflecting surfaces 921a and 922a may be formed as part of substantially the same spheroidal surface as shown in FIGS.
  • Each of the reflective surfaces 921a and 922a may be formed of a part of a spheroid having the first focal point F1 and the second focal point F2, similarly to the reflective surfaces 911a and 912a. That is, the first focal points F1 of the reflecting surfaces 921a and 922a may be substantially the same positions as the first focal points F1 of the reflecting surfaces 911a and 912a and may be located in the plasma generation region 25.
  • the second focal points F2 of the reflecting surfaces 921a and 922a are substantially the same positions as the second focal points F2 of the reflecting surfaces 911a and 912a, and are located farther from the reflecting surfaces 921a and 922a than the plasma generation region 25. It may be located at the intermediate condensing point 292.
  • the spheroid forming the reflecting surfaces 921a and 922a may have a shape different from the spheroid forming the reflecting surfaces 911a and 912a.
  • the spheroids that form the reflecting surfaces 921a and 922a may be larger than the spheroids that form the reflecting surfaces 911a and 912a.
  • each spheroid forming the reflecting surfaces 911a and 912a and the reflecting surfaces 921a and 922a is considered using a two-dimensional ellipse in order to simplify the description.
  • one ellipse has a first focal point f1, a second focal point f2, a major axis 2a, and a minor axis 2b.
  • One ellipse may correspond to the spheroid forming the reflective surfaces 911a and 912a.
  • the first focal point is f1
  • the second focal point is f2
  • the major axis is 2a '
  • the minor axis is 2b'.
  • a ′ is larger than a and b ′ is larger than b.
  • the other ellipse may correspond to the spheroid forming the reflective surfaces 921a and 922a.
  • These two-dimensional ellipses are defined by taking the midpoint between the first focus f1 and the second focus f2 as the origin, the axis passing through the first focus f1 and the second focus f2 as the z axis, and the axis orthogonal to the z axis. It is described using a yz orthogonal coordinate system with the y-axis.
  • the z-axis direction is a direction from the first focus f1 toward the second focus f2.
  • Equation 1 the coordinates of the first focus f1 and the second focus f2 of one ellipse.
  • Equation 2 The coordinates of the first focal point f1 and the second focal point f2 of the other ellipse can be described as Equation 2.
  • Equation 3 if one and the other ellipse satisfy Equation 3, they may have focal points at substantially the same position and have different sizes.
  • Equations 1 to 3 can be similarly described for a three-dimensional spheroid.
  • the spheroid surfaces forming the reflecting surfaces 911a and 912a and the reflecting surfaces 921a and 922a may have focal points at substantially the same position and may have different sizes.
  • the pair of first mirrors 911 and 912 may be configured such that each of the reflection surfaces 911a and 912a is exposed to the plasma generation region 25 over the entire surface.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 may be configured such that each of the reflection surfaces 921a and 922a is exposed to the plasma generation region 25 over the entire surface. That is, the pair of first mirrors 911 and 912 and the pair of second mirrors 921 and 922 may be configured not to overlap each other.
  • the pair of second mirrors 921 and 922 can be arranged so as to be farther from the plasma generation region 25 where the magnetic field M is formed than the pair of first mirrors 911 and 912.
  • each outer peripheral part of a pair of 1st mirrors 911 and 912, and the part located in the vicinity of the magnetic force line converging part of the magnetic field M is each shape so that EUV light 251 which injects into the reflective surfaces 921a and 922a may not be interrupted.
  • the thickness and dimensions may be designed. Then, the pair of first mirrors 911 and 912 and the pair of second mirrors 921 and 922 may be formed such that the sum of the respective central angles is 360 °.
  • the first and second mirror portions 91 and 92 included in the EUV collector mirror 23 according to the first embodiment can be specified from a viewpoint different from the above description.
  • a pair of planes intersecting the EUV collector mirror 23 and the central axis X of the magnetic field M and along the Z axis passing through the first focal point F1 and the second focal point F2 are defined as a pair of boundary surfaces S1 and S2.
  • the pair of boundary surfaces S1 and S2 may be boundary surfaces that define the EUV collector mirror 23 into one part and the other part. Further, in the example of FIG. 8, the pair of boundary surfaces S1 and S2 may each include the Z axis in the plane and intersect each other.
  • each of the first and second mirror portions 91 and 92 is configured such that one and the other portion of the EUV collector mirror 23 according to the comparative example defined by the pair of boundary surfaces S1 and S2 are the central axis of the magnetic field M.
  • the part of the reflection surface 23 a specified as the first mirror unit 91 may be specified as the first reflection surface.
  • a part located in a space including the central axis X of the magnetic field M may be specified as the second mirror part 92.
  • the part of the reflection surface 23 a specified as the second mirror unit 92 may be specified as the second reflection surface.
  • the part specified as the 2nd mirror part 92 may be arrange
  • the reflection surface 23a specified as the second reflection surface has the first and second focal points at substantially the same positions as the first and second focal points F1 and F2 of the reflection surface 23a specified as the first reflection surface. It may be modified to be.
  • the reflecting surface 23a specified as the second reflecting surface has first and second focal points F1 and F2, and is more than the spheroid surface forming the reflecting surface 23a specified as the first reflecting surface. It may be formed by a part of a large spheroid.
  • the first and second mirror portions 91 and 92 specified from such a viewpoint are constituted by a first mirror portion 91 constituted by a pair of first mirrors 911 and 912 and a pair of second mirrors 921 and 922.
  • the second mirror unit 92 can be configured similarly.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment to which the EUV collector mirror 23 shown in FIG. 6 is applied.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line BB in FIG. 11 and 12, the illustration of the ducts 713 and 714 included in the gas supply unit 71 is omitted.
  • the description of the same operation as that of the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example is omitted.
  • the fine particle debris D1 may diffuse from the magnetic field line converging portion of the magnetic field M and proceed toward the EUV collector mirror 23.
  • the second mirror portion 92 in the vicinity of the magnetic field line converging portion of the magnetic field M in the EUV collector mirror 23 can be disposed away from the central axis X of the magnetic field M.
  • the fine particle debris D1 is less likely to adhere to the second reflecting surface of the second mirror portion 92, and can travel toward the pair of discharge ports 721a and 721b together with the gas G2.
  • the fine particle debris D1 can be discharged out of the chamber 2 together with the gases G1 and G2. Therefore, in the EUV collector mirror 23 according to the first embodiment, it is difficult to form the attached debris D2.
  • the EUV collector mirror 23 according to the first embodiment can suppress the formation of attached debris D2, the reflectance of the EUV collector mirror 23 is reduced and the output of the EUV light 252 is suppressed from being reduced. Can do. Thereby, the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment can suppress an increase in the running cost of the EUV light generation apparatus 1 due to an increase in the replacement frequency of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 13 and 14.
  • the configurations of the first and second mirror units 91 and 92 may be different from the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment.
  • the description of the same configuration as the EUV light generation apparatus 1 of the first embodiment is omitted.
  • FIG. 13 is a view of the EUV collector mirror 23 according to the second embodiment viewed from the opposite direction to the Z-axis direction.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining the EUV light generation apparatus 1 of the second embodiment to which the EUV collector mirror 23 shown in FIG. 13 is applied.
  • the EUV collector mirror 23 according to the second embodiment may include the second mirror portion 92 in the vicinity of the magnetic field line converging portion of the magnetic field M and the other first mirror portion 91.
  • the first mirror unit 91 according to the second embodiment may be configured by one first mirror 913.
  • the first mirror 913 may be disposed inside the wall 2a of the chamber 2 via the first mirror holding part 913c.
  • the second mirror unit 92 according to the second embodiment may be composed of a pair of second mirrors 923 and 924.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may be disposed inside the wall 2a of the chamber 2 via the second mirror holding portions 923c and 924c, respectively.
  • the EUV collector mirror 23 according to the second embodiment may be arranged in the order of the second mirror 923, the first mirror 913, and the second mirror 924 along the central axis X of the magnetic field M.
  • the first mirror 913 may be formed in a shape in which two substantially arcuate plates are cut off from a substantially circular plate.
  • the two substantially arcuate plates that are cut off may be the two outer peripheral edges of the first mirror 913 that are located near the magnetic field line converging portion of the magnetic field M when the first mirror 913 has a substantially disk shape.
  • a through hole 24 may be formed at the center of the first mirror 913.
  • the outer peripheral edge portion of the first mirror 913 other than the vicinity of the magnetic field line converging portion of the magnetic field M may be formed in the same shape as the EUV collector mirror 23 according to the comparative example.
  • the first mirror 913 may be disposed between the pair of second mirrors 923 and 924 in the direction along the central axis X of the magnetic field M.
  • the distance in the Z-axis direction from the outer peripheral edge of the reflecting surface 913a to the central axis X is substantially the same as the distance in the Z-axis direction from the outer peripheral edge 23b according to the comparative example to the central axis X.
  • the reflective surface 913a may be the reflective surface of the first mirror 913.
  • the reflective surface 913a may constitute a first reflective surface that is a reflective surface of the first mirror unit 91 according to the second embodiment.
  • the reflective surface 913a may be formed of a part of a spheroid having the first focal point F1 and the second focal point F2, as in the first embodiment.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may be formed in substantially the same arcuate plate shape.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may be formed so that the size in the radial direction is larger than that of the first mirror 913.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may not be provided with a notch.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may be arranged such that portions corresponding to the strings in the respective substantially arcuate plates face each other across the Z axis.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may be arranged such that the distances from the respective facing surfaces to the Z axis are substantially the same.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 has a distance in the Z-axis direction from the outer peripheral edge portions of the reflecting surfaces 923a and 924a to the central axis X from the outer peripheral edge portion of the reflecting surface 913a.
  • the pair of second mirrors 923 and 924 may be arranged so as to be separated from the central axis X of the magnetic field M more than the first mirror 913 in the opposite direction to the Z-axis direction, as in the first embodiment. .
  • the reflection surfaces 923a and 924a may be arranged at a position where the magnetic flux density due to the magnetic field M is lower than that of the reflection surface 913a in the direction opposite to the Z-axis direction.
  • the reflective surfaces 923a and 924a may be the reflective surfaces of the pair of second mirrors 923 and 924, respectively.
  • the reflective surfaces 923a and 924a may constitute a second reflective surface that is a reflective surface of the second mirror unit 92 according to the second embodiment.
  • the reflecting surfaces 923a and 924a may be formed by a part of a spheroid having the first focal point F1 and the second focal point F2. Similar to the first embodiment, the spheroid forming the reflecting surfaces 923a and 924a may be larger than the spheroid forming the reflecting surface 913a.
  • the first mirror 913 and the pair of second mirrors 923 and 924 are exposed to the plasma generation region 25 over the entire reflective surface 913a and the reflective surfaces 923a and 924a. It may be configured as follows. At this time, as shown in FIG. 14, the outer peripheral portion 913b located in the vicinity of the magnetic field line converging portion of the magnetic field M of the first mirror 913 has a shape so as not to block the EUV light 251 incident on the reflecting surfaces 923a and 924a. The thickness and dimensions may be designed. Note that the shape, thickness, and dimensions of the outer peripheral portion 913b shown in FIG. 14 can also be applied to the pair of first mirrors 911 and 912 according to the first embodiment.
  • first mirror 913 may be the same as the pair of first mirrors 911 and 912 according to the first embodiment.
  • Other configurations of the pair of second mirrors 923 and 924 may be the same as those of the pair of second mirrors 921 and 922 according to the first embodiment.
  • the first and second mirror portions 91 and 92 included in the EUV collector mirror 23 according to the second embodiment are specified from the viewpoint of using the pair of boundary surfaces S1 and S2 as in the first embodiment. Can be done.
  • the pair of boundary surfaces S1 and S2 are a pair of planes intersecting the central axis X of the EUV collector mirror 23 and the magnetic field M, and are on the Z axis passing through the first focus F1 and the second focus F2. There may be a pair of planes along.
  • the pair of boundary surfaces S1 and S2 may be substantially perpendicular to the central axis X of the magnetic field M and substantially parallel to each other.
  • the EUV collector mirror 23 according to the comparative example is defined by the pair of boundary surfaces S ⁇ b> 1 and S ⁇ b> 2, a portion located in a space that does not include the magnetic field line converging portion of the magnetic field M is specified as the first mirror portion 91. Good.
  • the part of the reflection surface 23 a specified as the first mirror unit 91 may be specified as the first reflection surface.
  • a part located in a space including the magnetic field line converging part of the magnetic field M may be specified as the second mirror part 92.
  • the part of the reflection surface 23 a specified as the second mirror unit 92 may be specified as the second reflection surface.
  • the part specified as the 2nd mirror part 92 is separated from the central axis X of the magnetic field M in the opposite direction to a Z-axis direction rather than the part specified as the 1st mirror part 91 similarly to 1st Embodiment. It may be arranged so that.
  • the reflective surface 23a specified as the second reflective surface has the first and second focal points F1 and F2 as in the first embodiment, and forms the reflective surface 23a specified as the first reflective surface. You may form by a part of rotation ellipse larger than a rotation ellipsoid.
  • the first and second mirror units 91 and 92 specified from such a viewpoint are the first mirror unit 91 configured by the first mirror 913 and the second mirror unit configured by the pair of second mirrors 923 and 924. 92 may be configured similarly.
  • the second mirror portion 92 in the vicinity of the magnetic force line converging portion of the magnetic field M can be arranged away from the central axis X of the magnetic field M, as in the first embodiment.
  • the fine particle debris D1 may be difficult to adhere to the second reflecting surface of the second mirror unit 92.
  • the EUV collector mirror 23 according to the second embodiment can suppress the formation of the attached debris D2 as in the first embodiment, so that the reflectance of the EUV collector mirror 23 decreases. It can suppress that the output of EUV light 252 falls.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the second embodiment suppresses an increase in the running cost of the EUV light generation apparatus 1 due to an increase in the replacement frequency of the EUV collector mirror 23 as in the first embodiment. obtain.
  • Exposure apparatus 71 Gas supply part 711 ... Hood 712 ... Central head 713 ... Duct 714 ... Duct 72 ... Gas discharge part 721a ... Discharge port 721b ... Discharge port 722 ... Discharge pipe 723 ... Discharge device 8 ... Magnetic field generation part 81 ... magnet 82 ... magnet 91 ... first mirror portion 911 ... first mirror 911a ... reflective surface 911c ... first mirror holding portion 912 ... first mirror 912a ... reflective surface 912c ... first mirror holding portion 913 ... first mirror 913a ... reflecting surface 913b ... outer peripheral part 913c ... first mirror holding part 92 ... second mirror part 921 ... second mirror 921a ... reflecting surface 921c ...

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Abstract

極端紫外光生成装置は、極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、磁場を発生させる磁石と、を備え、前記集光ミラーは、回転楕円面の一部で形成された第１反射面を含む第１ミラー部と、前記第１反射面の焦点と略同じ位置に焦点を有し前記第１反射面と異なる回転楕円面の一部で形成された第２反射面を含み、前記第２反射面が、前記第１反射面よりも前記磁場による磁束密度が低い位置に配置された第２ミラー部と、を含んでもよい。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特許５６７０１７４号公報 特表２０１２－５０６１３３号公報 特開２００７－２９８９８０号公報 特開２０１３－２１１５１７号公報
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、磁場を発生させる磁石と、を備え、集光ミラーは、回転楕円面の一部で形成された第１反射面を含む第１ミラー部と、第１反射面の焦点と略同じ位置に焦点を有し第１反射面と異なる回転楕円面の一部で形成された第２反射面を含み、第２反射面が、第１反射面よりも磁場による磁束密度が低い位置に配置された第２ミラー部と、を含んでもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３は、図２のＡ－Ａ線における断面図を示す。 図４は、比較例のＥＵＶ光生成装置の課題を説明するための図を示す。 図５は、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に付着したデブリの分布図を示す。 図６は、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラーの斜視図を示す。 図７は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーを図６とは別の視点からみた斜視図を示す。 図８は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーをＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。 図９は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーをＸ軸方向から視た図を示す。 図１０は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーの反射面を形成する回転楕円面を２次元の楕円面に置き換えて説明するための図を示す。 図１１は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーが適用された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。 図１２は、図１１のＢ－Ｂ線における断面図を示す。 図１３は、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラーをＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。 図１４は、図１３に示されたＥＵＶ集光ミラーが適用された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。
実施形態
＜内容＞
　１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　　１．１　構成
　　１．２　動作
　２．用語の説明
　３．課題
　　３．１　比較例の構成
　　３．２　比較例の動作
　　３．３　課題
　４．第１実施形態
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　　４．３　作用効果
　５．第２実施形態
　　５．１　構成
　　５．２　動作及び作用効果
　６．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［１．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給器２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給器２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給器２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　［１．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
　「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
　「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
　「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
［３．課題］
　図２～図５を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
　［３．１　比較例の構成］
　図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図３は、図２のＡ－Ａ線における断面図を示す。
　図２には、プラズマ生成領域２５の中心を原点とする座標系が示されている。
　図２では、プラズマ生成領域２５及び中間集光点２９２を通る軸をＺ軸とする。Ｚ軸は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａが有する第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通る軸であってもよい。Ｚ軸方向は、第１焦点Ｆ１から第２焦点Ｆ２に向かう方向であり得る。Ｚ軸方向の反対方向は、第２焦点Ｆ２から第１焦点Ｆ１に向かう方向であり得る。Ｚ軸方向は、チャンバ２から露光装置６へＥＵＶ光２５２が出力される方向であり得る。
　図２では、ターゲット供給器２６及びプラズマ生成領域２５を通る軸をＹ軸とする。Ｙ軸方向は、ターゲット供給器２６がチャンバ２内にターゲット２７を出力する方向であり得る。
　図２では、Ｙ軸及びＺ軸に直交する軸をＸ軸とする。Ｘ軸は、磁場発生部８によって発生した磁場Ｍの中心軸であってもよい。
　図２に示された座標軸は、図３以降の図面でも同様に使用され得る。
　比較例のＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、磁場発生部８とを含んでもよい。
　チャンバ２は、上述のように、ターゲット供給器２６によって内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることでＥＵＶ光２５２が生成される容器であってもよい。
　チャンバ２には、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ガス供給部７１と、ガス排出部７２とが設けられてもよい。
　ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５で生成されたＥＵＶ光２５１のうち特定の波長付近の光を反射面２３ａで選択的に反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、選択的に反射されたＥＵＶ光２５１を、ＥＵＶ光２５２として所定の集光点である中間集光点２９２に集光してもよい。
　ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａは、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　第１焦点Ｆ１は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。第２焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５よりも反射面２３ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
　ガス供給部７１は、ＥＵＶ集光ミラー２３に形成された貫通孔２４からチャンバ２内にガスＧ１及びＧ２を供給してもよい。
　ガス供給部７１は、フード７１１と、中央ヘッド７１２と、ダクト７１３と、ダクト７１４とを含んでもよい。
　フード７１１は、プラズマ生成領域２５で生成されるプラズマからウインドウ２１を保護する部材であってもよい。
　フード７１１は、中空の略コーン形状又は中空の略円錐台形状に形成されてもよい。
　フード７１１は、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３３の光路の周囲を覆うように形成されてもよい。
　フード７１１は、ウインドウ２１の周縁を基端とし、先端が貫通孔２４を通過して反射面２３ａよりもプラズマ生成領域２５側に向かって突出するように形成されてもよい。フード７１１は、ウインドウ２１側に位置する基端からプラズマ生成領域２５側に位置する先端に向かうに従って細くなるように形成されてもよい。
　フード７１１の先端には、フード７１１内を進行するパルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に向かって通過させる開口が形成されてもよい。フード７１１の先端に形成された開口は、フード７１１内からプラズマ生成領域２５に向かって流れるガスＧ１の吹き出し口を兼ねていてもよい。
　フード７１１の基端は、ダクト７１３を介して不図示のガス供給源に接続されてもよい。
　ガス供給源は、ターゲット２７と反応し、常温で気体の反応生成物を生成するガスＧ１及びＧ２の供給源であってもよい。ターゲット２７がスズである場合、ガス供給源から供給されるガスＧ１及びＧ２は、水素、水素ラジカル又はこれらを含有するガスであってもよい。
　中央ヘッド７１２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに対して供給されるガスＧ２の吹き出してもよい。
　中央ヘッド７１２は、フード７１１の側面の全周に亘って形成されてもよい。
　中央ヘッド７１２の吹き出し口は、貫通孔２４の周縁付近の反射面２３ａに対向するように形成されてもよい。中央ヘッド７１２の吹き出し口の形状は、スリット状であってもよいが、特に限定されず、長方形形状、複数の円形形状又はその他の形状であってもよい。
　中央ヘッド７１２は、ダクト７１４を介して不図示のガス供給源に接続されてもよい。
　中央ヘッド７１２に接続されたガス供給源は、フード７１１に接続されたガス供給源と実質的に同じであってもよい。
　ガス排出部７２は、ガスＧ１及びＧ２を含むチャンバ２内のガスをチャンバ２外に排出してもよい。
　ガス排出部７２は、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂと、排出管７２２と、排出装置７２３とを含んでもよい。
　一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、チャンバ２の壁２ａの内壁面であって、磁場Ｍの中心軸Ｘと交差する部分に設けられてもよい。
　一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、磁場Ｍの中心軸Ｘ上で互いに対向するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、互いに略一致するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、磁場Ｍの中心軸Ｘと略一致するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、プラズマ生成領域２５に位置する第１焦点Ｆ１を通るように設けられてもよい。
　一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂのそれぞれは、排出管７２２を介して排出装置７２３に接続されてもよい。
　排出装置７２３は、ガスＧ１及びＧ２を含むチャンバ２内のガスを吸引し、チャンバ２外に排出してもよい。
　磁場発生部８は、チャンバ２内に磁場Ｍを発生させてもよい。
　磁場発生部８は、一対の磁石８１及び８２を含んでもよい。
　一対の磁石８１及び８２は、プラズマ生成領域２５を囲むようなミラー磁場である磁場Ｍを発生させてもよい。
　一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、電磁石であってもよい。一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、トーラス形状のコアにコイルを巻き付けて形成されてもよい。一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、超電導磁石であってもよい。
　一対の磁石８１及び８２は、チャンバ２の壁２ａの外側に配置されてもよい。
　一対の磁石８１及び８２は、第１焦点Ｆ１が位置するプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。
　一対の磁石８１及び８２によって発生した磁場Ｍは、一対の磁石８１及び８２付近の磁束密度がプラズマ生成領域２５付近の磁束密度より高くてもよい。
　磁場Ｍの磁力線は、一対の磁石８１及び８２付近で収束するように形成されてもよい。
　磁場Ｍの磁力線の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに沿うように形成されてもよい。具体的には、磁場Ｍの磁力線の一部は、磁場Ｍの作用によって磁場Ｍ内にイオンＩを実質的に閉じ込め得る領域が反射面２３ａに交差しない程度に、反射面２３ａと略平行に形成されてもよい。
　磁場Ｍによる磁束密度は、磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向及びその反対方向へ遠ざかるに従って低くなってもよい。言い換えると、反射面２３ａがある位置での磁場Ｍによる磁束密度は、反射面２３ａが磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向の反対方向へ遠ざかるほど、低くなってもよい。
　磁場Ｍの中心軸Ｘは、プラズマ生成領域２５に位置する第１焦点Ｆ１を通り、チャンバ２の壁２ａと交差してもよい。
　なお、磁場発生部８は、非対称軸磁場を発生させてもよい。
　［３．２　比較例の動作］
　ガス供給部７１は、不図示のガス供給源からダクト７１３を介してフード７１１内にガスＧ１を供給してもよい。
　フード７１１内に供給されたガスＧ１は、ウインドウ２１のチャンバ２内部側の表面上を沿うように流れ得る。ガスＧ１は、フード７１１の先端の開口からチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向かって噴出し得る。そして、ガスＧ１は、チャンバ２の壁２ａに設けられた一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂから、チャンバ２外に排出され得る。
　ガス供給部７１は、不図示のガス供給源からダクト７１４を介して中央ヘッド７１２内にガスＧ２を供給してもよい。
　中央ヘッド７１２内に供給されたガスＧ２は、中央ヘッド７１２の吹き出し口から、貫通孔２４の周縁付近の反射面２３ａに吹き付けられ得る。ガスＧ２は、反射面２３ａの略全周に亘って吹き付けられ得る。反射面２３ａに吹き付けられたガスＧ２は、貫通孔２４の周縁付近から反射面２３ａの外周縁部２３ｂに向かって反射面２３ａ上を沿うように流れ得る。そして、ガスＧ２は、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂから、チャンバ２外に排出され得る。
　排出装置７２３は、ガス供給部７１によって供給されるガスＧ１及びＧ２の質量流量と略同一の質量流量でチャンバ２内のガスを吸引し、チャンバ２外に排出してもよい。
　チャンバ２内の圧力は略一定に保たれ得る。
　プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７は、パルスレーザ光３３が照射されると、プラズマを生成し得る。この際、プラズマは、ＥＵＶ光２５１の他に、ターゲット２７のイオンＩ及びターゲット２７の原子を放出し得る。ターゲット２７がスズである場合、プラズマから放出されたイオンＩは、スズイオンであり、プラズマから放出された原子は、スズ原子であり得る。
　プラズマから放出されたイオンＩは、一対の磁石８１及び８２によって発生した磁場Ｍの作用によってローレンツ力を受け、螺旋運動を行いながら磁場Ｍの磁力線に沿って進行し得る。そして、イオンＩは、プラズマ生成領域２５から、一対の磁石８１及び８２が配置されたチャンバ２の壁２ａ側に向かって進行し得る。そして、イオンＩは、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに到達し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
　ターゲット２７の原子の大部分は、ガスＧ１及びＧ２の流れに乗って、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
　ターゲット２７の原子の一部は、フード７１１内に進行しようとし得るが、フード７１１から噴出するガスＧ１の運動量によって進行を妨げられ得る。
　ターゲット２７の原子の一部が仮にフード７１１内に進行しウインドウ２１の表面に付着してデブリとなっても、付着したデブリは、ガスＧ１と反応してエッチングされ得る。すなわち、付着したデブリは、これと反応性が高いガスＧ１と反応して常温で気体の反応生成物に変化することによって、ウインドウ２１の表面から除去され得る。エッチングされたデブリは、フード７１１内を流れるガスＧ１と共にフード７１１内から一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
　なお、ターゲット２７がスズでありガスＧ１及びＧ２が水素を含有するガスである場合、付着したデブリとガスＧ１とが反応すると、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが反応生成物として生成され得る。
　また、ターゲット２７の原子の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａ上に進行しようとし得るが、中央ヘッド７１２から反射面２３ａに吹き付けられたガスＧ２の運動量によって進行を妨げされ得る。
　ターゲット２７の原子の一部が仮に反射面２３ａ上に進行し反射面２３ａに付着してデブリとなっても、付着したデブリは、ガスＧ２と反応してエッチングされ得る。すなわち、付着したデブリは、これと反応性が高いガスＧ２と反応して、常温で気体の反応生成物に変化することによって、反射面２３ａから除去され得る。エッチングされたデブリは、反射面２３ａ上を沿うように流れるガスＧ２と共に一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
　［３．３　課題］
　図４は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の課題を説明するための図を示す。図５は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着したデブリの分布図を示す。
　プラズマから放出されたイオンＩは、上述のように、磁場Ｍの作用によってプラズマ生成領域２５から一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し得る。
　しなしながら、プラズマから放出されたイオンＩの一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部２３ｂ付近において、ガスＧ１及びＧ２と衝突して失活し、電子の再結合によって中性化する場合があり得る。この場合、中性化したイオンＩは、磁場Ｍの作用が働かずに、磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留することがあり得る。
　また、プラズマから放出されたターゲット２７の原子の一部は、中性化したイオンＩと同様に磁場Ｍの作用が働かず、磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留することがあり得る。
　磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留するこれらの中性化したイオンＩ及びターゲット２７の原子を、微粒子デブリＤ１ともいう。
　微粒子デブリＤ１は、磁場Ｍの磁力線収束部分から拡散し得る。
　拡散した微粒子デブリＤ１は、その大部分が上述のようにガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得るものの、その一部がＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着することがあり得る。
　反射面２３ａに付着した微粒子デブリＤ１は、ガスＧ２によってエッチングされ得る。
　しかしながら、反射面２３ａに付着した微粒子デブリＤ１は、ガスＧ２によって完全にエッチングされずに、その一部が反射面２３ａに付着したまま残存することがあり得る。
　反射面２３ａに付着したまま残存した微粒子デブリＤ１を、付着デブリＤ２ともいう。
　付着デブリＤ２は、図５に示されるように、磁場Ｍの磁力線収束部分に近い反射面２３ａで増加する傾向にあり得る。
　付着デブリＤ２が存在すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下し、ＥＵＶ光２５２の出力が低下し得る。ＥＵＶ光２５２の出力が所定の限界値より低下すると、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を交換せざるを得なくなり得る。
　よって、付着デブリＤ２が増加すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してしまい、ＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加し得る。
　したがって、付着デブリＤ２を抑制することによってＥＵＶ光生成装置１のランニングコストを抑制し得る技術が望まれている。
［４．第１実施形態］
　図６～図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１に対して、ＥＵＶ集光ミラー２３の構成が異なってもよい。
　具体的には、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１ミラー部９１と、第２ミラー部９２とを含んでもよい。
　第２ミラー部９２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の一部分であって、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある部分であってもよい。比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において第２ミラー部９２に相当する部分は、反射面２３ａに付着デブリＤ２が形成され易い部分であってもよい。
　第１ミラー部９１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の第２ミラー部９２以外の部分であってもよい。比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において第１ミラー部９１に相当する部分は、反射面２３ａに付着デブリＤ２が形成され難い部分であってもよい。
　第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において付着デブリＤ２が形成され易かった部分に相当する第２ミラー部９２が、磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかるように構成されてもよい。言い換えると、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３では、付着デブリＤ２が形成され易い部分に相当する第２ミラー部９２が、付着デブリＤ２が形成され難い部分に相当する第１ミラー部９１よりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
　［４．１　構成］
　図６は、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３の斜視図を示す。図７は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３を図６とは別の視点からみた斜視図を示す。図８は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３をＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。図９は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３をＸ軸方向から視た図を示す。図１０は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を形成する回転楕円面を２次元の楕円を用いて説明するための図を示す。
　第１実施形態に係る第１ミラー部９１は、一対の第１ミラー９１１及び９１２から構成されてもよい。一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれ第１ミラー保持部９１１ｃ及び９１２ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
　第１実施形態に係る第２ミラー部９２は、一対の第２ミラー９２１及び９２２から構成されてもよい。一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれ第２ミラー保持部９２１ｃ及び９２２ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
　第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、Ｚ軸の周りに沿って、第１ミラー９１１、第２ミラー９２１、第１ミラー９１２、第２ミラー９２２の順に配置されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、ＥＵＶ光２５１を選択的に反射し、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光するＥＵＶ光集光ミラーであってもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、図６～図８に示されるように、互いに略同一の略扇形板形状に形成されてもよい。すなわち、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれの中心角が互いに略同一となるように形成されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、径方向における大きさが比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と略同一となるように形成されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれにおける略扇形の中心部には、貫通孔２４の一部と略同一形状の切り欠きが形成されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれの外周縁部は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部の一部と同様の形状に形成されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、Ｙ軸に沿って配置されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれにおける略扇形の中心部がＺ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれの切り欠きからＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿った方向において、一対の第２ミラー９２１及び９２２の間に配置されてもよい。
　一対の第１ミラー９１１及び９１２は、図９に示されるように、反射面９１１ａ及び９１２ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離Ｌ１が、比較例に係る外周縁部２３ｂから中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離と略同一となるよう配置されてよい。
　なお、反射面９１１ａ及び９１２ａは、一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれの反射面であってもよい。
　反射面９１１ａ及び９１２ａは、第１ミラー部９１の反射面である第１反射面を構成してもよい。
　反射面９１１ａ及び９１２ａは、図９及び図１０に示されるように、互いに略同一の回転楕円面の一部として形成されてもよい。
　反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれは、比較例に係る反射面２３ａと同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　すなわち、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５よりも反射面９１１ａ及び９１２ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
　反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面は、比較例に係る反射面２３ａを形成する回転楕円面と略同一であってもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２と同様に、ＥＵＶ光２５１を選択的に反射し、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光するＥＵＶ光集光ミラーであってもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、図６～図８に示されるように、互いに略同一の略扇形板形状に形成されてもよい。すなわち、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの中心角が互いに略同一となるように形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、径方向における大きさが一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも大きくなるように形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれにおける略扇形の中心部には、貫通孔２４の一部と略同一形状の切り欠きが形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれの外周縁部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部の一部と同様の形状に形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿って配置されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれにおける略扇形の中心部がＺ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの切り欠きからＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、Ｙ軸に沿った方向において、一対の第１ミラー９１１及び９１２の間に配置されてもよい。
　一対の第２ミラー９２１及び９２２は、図９に示されるように、反射面９２１ａ及び９２２ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離Ｌ２が、上述の距離Ｌ１より長くなるよう配置されてもよい。すなわち、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、Ｚ軸方向の反対方向において、一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するように配置されてもよい。
　比較例で説明したように、反射面２３ａがある位置での磁場Ｍによる磁束密度は、反射面２３ａが磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向の反対方向へ遠ざかるほど、低くなり得る。
　すなわち、反射面９２１ａ及び９２２ａは、Ｚ軸方向の反対方向において、反射面９１１ａ及び９１２ａよりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
　なお、反射面９２１ａ及び９２２ａは、一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれの反射面であってもよい。
　反射面９２１ａ及び９２２ａは、第２ミラー部９２の反射面である第２反射面を構成してもよい。
　反射面９２１ａ及び９２２ａは、図９及び図１０に示されるように、互いに略同一の回転楕円面の一部として形成されてもよい。
　反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれは、反射面９１１ａ及び９１２ａと同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　すなわち、反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１と略同じ位置であり、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２と略同じ位置であり、プラズマ生成領域２５よりも反射面９２１ａ及び９２２ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
　但し、反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面と異なる形状であってもよい。反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面よりも大きくてもよい。
　ここで、反射面９１１ａ及び９１２ａ並びに反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する各回転楕円面を、説明を簡略化するために、２次元の楕円を用いて考える。
　例えば、図１０に示されるように、一方の楕円は、第１焦点がｆ１、第２焦点がｆ２、長径が２ａ、短径が２ｂであるとする。一方の楕円は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面に対応し得る。
　また、他方の楕円は、第１焦点がｆ１、第２焦点がｆ２、長径が２ａ’、短径が２ｂ’であるとする。ａ’はａよりも大きいとし、ｂ’はｂよりも大きいとする。他方の楕円は、反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面に対応し得る。
　そして、これらの２次元の楕円を、第１焦点ｆ１と第２焦点ｆ２の中間点を原点とし、第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２を通る軸をｚ軸とし、ｚ軸に直交する軸をｙ軸とするｙｚ直交座標系を用いて記述する。なお、ｚ軸方向は、第１焦点ｆ１から第２焦点ｆ２に向かう方向とする。
　すると、一方の楕円の第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２の座標は、数式１のように記述され得る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 　
　他方の楕円の第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２の座標は、数式２のように記述され得る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 　
　よって、一方及び他方の楕円は、数式３を満たせば、互いに略同じ位置に焦点を有すると共に互いに異なる大きさを有し得る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 　
　数式１～３は、３次元の回転楕円面でも同様に記述され得る。
　このようなことから、反射面９１１ａ及び９１２ａ並びに反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する各回転楕円面は、互いに略同じ位置に焦点を有し、互いに異なる大きさを有することが可能であり得る。
　また、図８に示されるように、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれが全面に亘ってプラズマ生成領域２５に露出するように構成されてもよい。同様に、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれが全面に亘ってプラズマ生成領域２５に露出するように構成されてもよい。すなわち、一対の第１ミラー９１１及び９１２並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２は、互いに重ならないように構成されてもよい。
　特に、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも磁場Ｍが形成されるプラズマ生成領域２５から離間するように配置され得る。このため、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、反射面９２１ａ及び９２２ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮る虞れがあり得る。
　よって、一対の第１ミラー９１１及び９１２の各外周部であって磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する部分は、反射面９２１ａ及び９２２ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮らないよう、それぞれの形状、厚さ及び寸法が設計されてよい。
　そして、一対の第１ミラー９１１及び９１２並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの中心角の合計が３６０°となるように形成されてもよい。
　ところで、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３に含まれる第１及び第２ミラー部９１及び９２は、上述の説明とは別の観点からも特定され得る。
　ＥＵＶ集光ミラー２３及び磁場Ｍの中心軸Ｘに交差する一対の平面であって、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通るＺ軸に沿った一対の平面を、一対の境界面Ｓ１及びＳ２とする。
　一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、ＥＵＶ集光ミラー２３を一方の部分と他方の部分とに画定する境界面であってもよい。
　更に、図８の例では、一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、それぞれがＺ軸を面内に含み、互いに交差してもよい。
　ここで、一対の境界面Ｓ１及びＳ２が、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３を画定する場合を考える。
　この場合、第１及び第２ミラー部９１及び９２のそれぞれは、一対の境界面Ｓ１及びＳ２によって画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分が、磁場Ｍの中心軸Ｘを含む空間に位置する部分であるか否かという観点から特定されてもよい。
　具体的には、画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分のうち、磁場Ｍの中心軸Ｘを含まない空間に位置する部分は、第１ミラー部９１として特定されてもよい。第１ミラー部９１として特定された部分の反射面２３ａは、第１反射面として特定されてもよい。
　画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分のうち、磁場Ｍの中心軸Ｘを含む空間に位置する部分は、第２ミラー部９２として特定されてもよい。第２ミラー部９２として特定された部分の反射面２３ａは、第２反射面として特定されてもよい。
　そして、第２ミラー部９２として特定された部分は、第１ミラー部９１として特定された部分よりも、Ｚ軸方向の反対方向において磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するによう配置されてもよい。
　更に、第２反射面として特定された反射面２３ａは、その第１及び第２焦点が、第１反射面として特定された反射面２３ａの第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２と略同じ位置になるよう変形されてもよい。具体的には、第２反射面として特定された反射面２３ａは、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有し、第１反射面として特定された反射面２３ａを形成する回転楕円面よりも大きな回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　このような観点から特定された第１及び第２ミラー部９１及び９２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２から構成される第１ミラー部９１並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２から構成される第２ミラー部９２と同様に構成され得る。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
　［４．２　動作］
　図１１及び図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。
　図１１は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３が適用された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。図１２は、図１１のＢ－Ｂ線における断面図を示す。
　なお、図１１及び図１２では、ガス供給部７１に含まれるダクト７１３及び７１４の図示が省略されている。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。
　上述のように、微粒子デブリＤ１は、磁場Ｍの磁力線収束部分から拡散し、ＥＵＶ集光ミラー２３に向かって進行しようとし得る。
　しかし、図１１及び図１２に示されるように、ＥＵＶ集光ミラー２３における磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２は、磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかって配置され得る。
　このため、図１１に示されるように、微粒子デブリＤ１は、第２ミラー部９２の第２反射面に付着され難く、ガスＧ２と共に一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し得る。そして、微粒子デブリＤ１は、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
　よって、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３では、付着デブリＤ２が形成され難くなり得る。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
　［４．３　作用効果］
　第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、付着デブリＤ２が形成されることを抑制し得るため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下してＥＵＶ光２５２の出力が低下することを抑制し得る。
　それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加することを抑制し得る。
［５．第２実施形態］
　図１３及び図１４を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、第１及び第２ミラー部９１及び９２の構成が異なってもよい。
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
　［５．１　構成］
　図１３は、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３をＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。図１４は、図１３に示されたＥＵＶ集光ミラー２３が適用された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
　第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２と、それ以外の第１ミラー部９１とを含んでもよい。
　但し、第２実施形態に係る第１ミラー部９１は、１つの第１ミラー９１３から構成されてもよい。第１ミラー９１３は、第１ミラー保持部９１３ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
　第２実施形態に係る第２ミラー部９２は、一対の第２ミラー９２３及び９２４から構成されてもよい。一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれ第２ミラー保持部９２３ｃ及び９２４ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
　第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿って、第２ミラー９２３、第１ミラー９１３、第２ミラー９２４の順に配置されてもよい。
　第１ミラー９１３は、図１３に示されるように、略円板から２つの略弓形板が切り落とされたような形状に形成されてもよい。切り落とされた２つの略弓形板は、第１ミラー９１３を略円板形状とした場合に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する第１ミラー９１３の２つの外周縁部であってもよい。
　第１ミラー９１３の中央部には、第１実施形態とは異なり、貫通孔２４が形成されてもよい。
　第１ミラー９１３の外周縁部であって、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近以外に位置する外周縁部は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と同様の形状に形成されてもよい。
　第１ミラー９１３は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿った方向において、一対の第２ミラー９２３及び９２４の間に配置されてもよい。
　第１ミラー９１３は、反射面９１３ａの外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離が、比較例に係る外周縁部２３ｂから中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離と略同一となるように配置されてもよい。
　なお、反射面９１３ａは、第１ミラー９１３の反射面であってもよい。
　反射面９１３ａは、第２実施形態に係る第１ミラー部９１の反射面である第１反射面を構成してもよい。
　反射面９１３ａは、第１実施形態と同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２３及び９２４は、図１３に示されるように、互いに略同一の略弓形板形状に形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２３及び９２４は、径方向における大きさが第１ミラー９１３よりも大きくなるように形成されてもよい。
　一対の第２ミラー９２３及び９２４には、第１実施形態とは異なり、切り欠きが形成されていなくてもよい。
　一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれの略弓形板における弦に相当する部分が、Ｚ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれの対向面からＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
　一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、反射面９２３ａ及び９２４ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離が、反射面９１３ａの外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離より長くなるように配置されてよい。すなわち、一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、Ｚ軸方向の反対方向において、第１ミラー９１３よりも磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するように配置されてもよい。言い換えると、反射面９２３ａ及び９２４ａは、Ｚ軸方向の反対方向において、反射面９１３ａよりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
　なお、反射面９２３ａ及び９２４ａは、一対の第２ミラー９２３及び９２４のそれぞれの反射面であってもよい。
　反射面９２３ａ及び９２４ａは、第２実施形態に係る第２ミラー部９２の反射面である第２反射面を構成してもよい。
　反射面９２３ａ及び９２４ａは、第１実施形態と同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　反射面９２３ａ及び９２４ａを形成する回転楕円面は、第１実施形態と同様に、反射面９２３ａ及び９２４ａを形成する回転楕円面は、反射面９１３ａを形成する回転楕円面よりも大きくてもよい。
　また、第１ミラー９１３並びに一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、反射面９１３ａ並びに反射面９２３ａ及び反射面９２４ａのそれぞれが全面に亘ってプラズマ生成領域２５に露出するように構成されてもよい。
　このとき、図１４に示されるように、第１ミラー９１３の磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する外周部９１３ｂは、反射面９２３ａ及び９２４ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮らないよう、その形状、厚さ及び寸法が設計されてもよい。
　なお、図１４に示された外周部９１３ｂの形状、厚さ及び寸法は、第１実施形態に係る一対の第１ミラー９１１及び９１２に対しても適用され得る。
　第１ミラー９１３の他の構成については、第１実施形態に係る一対の第１ミラー９１１及び９１２と同様であってもよい。
　一対の第２ミラー９２３及び９２４の他の構成については、第１実施形態に係る一対の第２ミラー９２１及び９２２と同様であってもよい。
　ところで、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３に含まれる第１及び第２ミラー部９１及び９２は、第１実施形態と同様に、一対の境界面Ｓ１及びＳ２を用いた観点からも特定され得る。
　一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、上述のように、ＥＵＶ集光ミラー２３及び磁場Ｍの中心軸Ｘに交差する一対の平面であって、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通るＺ軸に沿った一対の平面であり得る。
　更に、図１３の例では、一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、それぞれが磁場Ｍの中心軸Ｘに略直交し、互いに略平行であってもよい。
　そして、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３が一対の境界面Ｓ１及びＳ２によって画定された場合、磁場Ｍの磁力線収束部分を含まない空間に位置する部分が第１ミラー部９１として特定されてもよい。第１ミラー部９１として特定された部分の反射面２３ａは、第１反射面として特定されてもよい。
　磁場Ｍの磁力線収束部分を含む空間に位置する部分が第２ミラー部９２として特定されてもよい。第２ミラー部９２として特定された部分の反射面２３ａは、第２反射面として特定されてもよい。
　そして、第２ミラー部９２として特定された部分は、第１実施形態と同様に、第１ミラー部９１として特定された部分よりも、Ｚ軸方向の反対方向において磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するによう配置されてもよい。
　更に、第２反射面として特定された反射面２３ａは、第１実施形態と同様に、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有し、第１反射面として特定された反射面２３ａを形成する回転楕円面よりも大きな回転楕円面の一部で形成されてもよい。
　このような観点から特定された第１及び第２ミラー部９１及び９２は、第１ミラー９１３から構成される第１ミラー部９１並びに一対の第２ミラー９２３及び９２４から構成される第２ミラー部９２と同様に構成され得る。
　第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
　［５．２　動作及び作用効果］
　第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２が磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかって配置され得るため、微粒子デブリＤ１が第２ミラー部９２の第２反射面に付着され難くなり得る。
　それにより、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、付着デブリＤ２が形成されることを抑制し得るため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下してＥＵＶ光２５２の出力が低下することを抑制し得る。
　その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加することを抑制し得る。
［６．その他］
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　１１　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成システム
　２　　　　　　　　　…チャンバ
　２ａ　　　　　　　　…壁
　２１　　　　　　　　…ウインドウ
　２２　　　　　　　　…レーザ光集光ミラー
　２３　　　　　　　　…ＥＵＶ集光ミラー
　２３ａ　　　　　　　…反射面
　２３ｂ　　　　　　　…外周縁部
　２４　　　　　　　　…貫通孔
　２５　　　　　　　　…プラズマ生成領域
　２５１　　　　　　　…ＥＵＶ光
　２５２　　　　　　　…ＥＵＶ光
　２６　　　　　　　　…ターゲット供給器
　２７　　　　　　　　…ターゲット
　２７１　　　　　　　…ドロップレット
　２８　　　　　　　　…ターゲット回収器
　２９　　　　　　　　…接続部
　２９１　　　　　　　…壁
　２９２　　　　　　　…中間集光点
　２９３　　　　　　　…アパーチャ
　３　　　　　　　　　…レーザ装置
　３１　　　　　　　　…パルスレーザ光
　３２　　　　　　　　…パルスレーザ光
　３３　　　　　　　　…パルスレーザ光
　３４　　　　　　　　…レーザ光進行方向制御部
　４　　　　　　　　　…ターゲットセンサ
　５　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成制御部
　６　　　　　　　　　…露光装置
　７１　　　　　　　　…ガス供給部
　７１１　　　　　　　…フード
　７１２　　　　　　　…中央ヘッド
　７１３　　　　　　　…ダクト
　７１４　　　　　　　…ダクト
　７２　　　　　　　　…ガス排出部
　７２１ａ　　　　　　…排出口
　７２１ｂ　　　　　　…排出口
　７２２　　　　　　　…排出管
　７２３　　　　　　　…排出装置
　８　　　　　　　　　…磁場発生部
　８１　　　　　　　　…磁石
　８２　　　　　　　　…磁石
　９１　　　　　　　　…第１ミラー部
　９１１　　　　　　　…第１ミラー
　９１１ａ　　　　　　…反射面
　９１１ｃ　　　　　　…第１ミラー保持部
　９１２　　　　　　　…第１ミラー
　９１２ａ　　　　　　…反射面
　９１２ｃ　　　　　　…第１ミラー保持部
　９１３　　　　　　　…第１ミラー
　９１３ａ　　　　　　…反射面
　９１３ｂ　　　　　　…外周部
　９１３ｃ　　　　　　…第１ミラー保持部
　９２　　　　　　　　…第２ミラー部
　９２１　　　　　　　…第２ミラー
　９２１ａ　　　　　　…反射面
　９２１ｃ　　　　　　…第２ミラー保持部
　９２２　　　　　　　…第２ミラー
　９２２ａ　　　　　　…反射面
　９２２ｃ　　　　　　…第２ミラー保持部
　９２３　　　　　　　…第２ミラー
　９２３ａ　　　　　　…反射面
　９２３ｃ　　　　　　…第２ミラー保持部
　９２４　　　　　　　…第２ミラー
　９２４ａ　　　　　　…反射面
　９２４ｃ　　　　　　…第２ミラー保持部
　Ｄ１　　　　　　　　…微粒子デブリ
　Ｄ２　　　　　　　　…付着デブリ
　ｆ１　　　　　　　　…第１焦点
　Ｆ１　　　　　　　　…第１焦点
　ｆ２　　　　　　　　…第２焦点
　Ｆ２　　　　　　　　…第２焦点
　Ｇ１　　　　　　　　…ガス
　Ｇ２　　　　　　　　…ガス
　Ｉ　　　　　　　　　…イオン
　Ｍ　　　　　　　　　…磁場
　Ｓ１　　　　　　　　…境界面
　Ｓ２　　　　　　　　…境界面
　Ｘ　　　　　　　　　…中心軸
　

Claims (8)

  1. 　極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、
    　磁場を発生させる磁石と、
    　を備え、
    　前記集光ミラーは、
    　　回転楕円面の一部で形成された第１反射面を含む第１ミラー部と、
    　　前記第１反射面の焦点と略同じ位置に焦点を有し前記第１反射面と異なる回転楕円面の一部で形成された第２反射面を含み、前記第２反射面が、前記第１反射面よりも前記磁場による磁束密度が低い位置に配置された第２ミラー部と、
    　を含む極端紫外光生成装置。
  2. 　内部のプラズマ生成領域で生成されたプラズマから前記極端紫外光が生成されるチャンバを更に備え、
    　前記第１及び第２ミラー部は、
    　　前記極端紫外光を前記第１及び第２反射面で反射して、前記プラズマ生成領域よりも前記第１及び第２反射面から離れた位置にある所定の集光点に集光し、
    　　前記第１及び第２反射面のそれぞれの第１焦点が前記プラズマ生成領域に位置すると共に前記第１及び第２反射面のそれぞれの第２焦点が前記所定の集光点に位置し、
    　　前記第２反射面が、前記第２焦点から前記第１焦点に向かう方向において前記第１反射面よりも前記磁場による前記磁束密度が低い位置に配置されるように、
    　　前記チャンバ内に配置される
    　請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
  3. 　前記磁石は、前記チャンバの壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域を挟んで互いに対向する一対の前記磁石から構成されており、
    　前記磁場は、前記プラズマから放出されたイオンを、前記プラズマ生成領域から、前記一対の磁石が配置された前記チャンバの壁側に向かって進行させ、
    　前記第１及び第２ミラー部は、前記第１及び第２焦点を通る軸方向において、前記磁場の中心軸から前記第２反射面までの距離が、前記磁場の前記中心軸から前記第１反射面までの距離よりも長くなるように配置される
    　請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
  4. 　前記第１及び第２ミラー部は、前記第１及び第２反射面のそれぞれが全面に亘って前記プラズマ生成領域に露出するように構成されている
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
  5. 　前記第２ミラー部は、前記磁場の前記中心軸に沿って配置される一対の第２ミラーから構成されている
    　請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
  6. 　前記第１ミラー部は、前記磁場の前記中心軸に沿った方向において前記一対の第２ミラーの間に配置される一対の第１ミラーから構成されている
    　請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
  7. 　前記第１ミラー部は、前記磁場の前記中心軸に沿った方向において前記一対の第２ミラーの間に配置される１つの第１ミラーから構成されている
    　請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
  8. 　前記磁場の前記中心軸と交差する前記チャンバの壁において互い対向して設けられ、前記イオンを前記チャンバ外に排出する一対の排出口を更に備え、
    　前記磁場は、前記イオンを、前記プラズマ生成領域から前記一対の排出口のそれぞれに向かって進行させる
    　請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
    　
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