JPWO2017090126A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Abstract
極端紫外光生成装置は、極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、磁場を発生させる磁石と、を備え、前記集光ミラーは、回転楕円面の一部で形成された第１反射面を含む第１ミラー部と、前記第１反射面の焦点と略同じ位置に焦点を有し前記第１反射面と異なる回転楕円面の一部で形成された第２反射面を含み、前記第２反射面が、前記第１反射面よりも前記磁場による磁束密度が低い位置に配置された第２ミラー部と、を含んでもよい。
Description
本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、磁場を発生させる磁石と、を備え、集光ミラーは、回転楕円面の一部で形成された第１反射面を含む第１ミラー部と、第１反射面の焦点と略同じ位置に焦点を有し第１反射面と異なる回転楕円面の一部で形成された第２反射面を含み、第２反射面が、第１反射面よりも磁場による磁束密度が低い位置に配置された第２ミラー部と、を含んでもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。
図３は、図２のＡ−Ａ線における断面図を示す。
図４は、比較例のＥＵＶ光生成装置の課題を説明するための図を示す。
図５は、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に付着したデブリの分布図を示す。
図６は、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラーの斜視図を示す。
図７は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーを図６とは別の視点からみた斜視図を示す。
図８は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーをＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。
図９は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーをＸ軸方向から視た図を示す。
図１０は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーの反射面を形成する回転楕円面を２次元の楕円面に置き換えて説明するための図を示す。
図１１は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラーが適用された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。
図１２は、図１１のＢ−Ｂ線における断面図を示す。
図１３は、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラーをＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。
図１４は、図１３に示されたＥＵＶ集光ミラーが適用された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置を説明するための図を示す。
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．課題
３．１ 比較例の構成
３．２ 比較例の動作
３．３ 課題
４．第１実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用効果
５．第２実施形態
５．１ 構成
５．２ 動作及び作用効果
６．その他
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．課題
３．１ 比較例の構成
３．２ 比較例の動作
３．３ 課題
４．第１実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用効果
５．第２実施形態
５．１ 構成
５．２ 動作及び作用効果
６．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［１．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給器２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給器２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給器２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
［１．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給器２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給器２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給器２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
［１．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
［３．課題］
図２〜図５を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
図２〜図５を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
［３．１ 比較例の構成］
図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図３は、図２のＡ−Ａ線における断面図を示す。
図２には、プラズマ生成領域２５の中心を原点とする座標系が示されている。
図２では、プラズマ生成領域２５及び中間集光点２９２を通る軸をＺ軸とする。Ｚ軸は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａが有する第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通る軸であってもよい。Ｚ軸方向は、第１焦点Ｆ１から第２焦点Ｆ２に向かう方向であり得る。Ｚ軸方向の反対方向は、第２焦点Ｆ２から第１焦点Ｆ１に向かう方向であり得る。Ｚ軸方向は、チャンバ２から露光装置６へＥＵＶ光２５２が出力される方向であり得る。
図２では、ターゲット供給器２６及びプラズマ生成領域２５を通る軸をＹ軸とする。Ｙ軸方向は、ターゲット供給器２６がチャンバ２内にターゲット２７を出力する方向であり得る。
図２では、Ｙ軸及びＺ軸に直交する軸をＸ軸とする。Ｘ軸は、磁場発生部８によって発生した磁場Ｍの中心軸であってもよい。
図２に示された座標軸は、図３以降の図面でも同様に使用され得る。
図２は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図３は、図２のＡ−Ａ線における断面図を示す。
図２には、プラズマ生成領域２５の中心を原点とする座標系が示されている。
図２では、プラズマ生成領域２５及び中間集光点２９２を通る軸をＺ軸とする。Ｚ軸は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａが有する第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通る軸であってもよい。Ｚ軸方向は、第１焦点Ｆ１から第２焦点Ｆ２に向かう方向であり得る。Ｚ軸方向の反対方向は、第２焦点Ｆ２から第１焦点Ｆ１に向かう方向であり得る。Ｚ軸方向は、チャンバ２から露光装置６へＥＵＶ光２５２が出力される方向であり得る。
図２では、ターゲット供給器２６及びプラズマ生成領域２５を通る軸をＹ軸とする。Ｙ軸方向は、ターゲット供給器２６がチャンバ２内にターゲット２７を出力する方向であり得る。
図２では、Ｙ軸及びＺ軸に直交する軸をＸ軸とする。Ｘ軸は、磁場発生部８によって発生した磁場Ｍの中心軸であってもよい。
図２に示された座標軸は、図３以降の図面でも同様に使用され得る。
比較例のＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、磁場発生部８とを含んでもよい。
チャンバ２は、上述のように、ターゲット供給器２６によって内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることでＥＵＶ光２５２が生成される容器であってもよい。
チャンバ２には、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ガス供給部７１と、ガス排出部７２とが設けられてもよい。
チャンバ２は、上述のように、ターゲット供給器２６によって内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されることでＥＵＶ光２５２が生成される容器であってもよい。
チャンバ２には、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ガス供給部７１と、ガス排出部７２とが設けられてもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２５で生成されたＥＵＶ光２５１のうち特定の波長付近の光を反射面２３ａで選択的に反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、選択的に反射されたＥＵＶ光２５１を、ＥＵＶ光２５２として所定の集光点である中間集光点２９２に集光してもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａは、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
第１焦点Ｆ１は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。第２焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５よりも反射面２３ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａは、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
第１焦点Ｆ１は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。第２焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５よりも反射面２３ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
ガス供給部７１は、ＥＵＶ集光ミラー２３に形成された貫通孔２４からチャンバ２内にガスＧ１及びＧ２を供給してもよい。
ガス供給部７１は、フード７１１と、中央ヘッド７１２と、ダクト７１３と、ダクト７１４とを含んでもよい。
ガス供給部７１は、フード７１１と、中央ヘッド７１２と、ダクト７１３と、ダクト７１４とを含んでもよい。
フード７１１は、プラズマ生成領域２５で生成されるプラズマからウインドウ２１を保護する部材であってもよい。
フード７１１は、中空の略コーン形状又は中空の略円錐台形状に形成されてもよい。
フード７１１は、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３３の光路の周囲を覆うように形成されてもよい。
フード７１１は、ウインドウ２１の周縁を基端とし、先端が貫通孔２４を通過して反射面２３ａよりもプラズマ生成領域２５側に向かって突出するように形成されてもよい。フード７１１は、ウインドウ２１側に位置する基端からプラズマ生成領域２５側に位置する先端に向かうに従って細くなるように形成されてもよい。
フード７１１は、中空の略コーン形状又は中空の略円錐台形状に形成されてもよい。
フード７１１は、ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３３の光路の周囲を覆うように形成されてもよい。
フード７１１は、ウインドウ２１の周縁を基端とし、先端が貫通孔２４を通過して反射面２３ａよりもプラズマ生成領域２５側に向かって突出するように形成されてもよい。フード７１１は、ウインドウ２１側に位置する基端からプラズマ生成領域２５側に位置する先端に向かうに従って細くなるように形成されてもよい。
フード７１１の先端には、フード７１１内を進行するパルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に向かって通過させる開口が形成されてもよい。フード７１１の先端に形成された開口は、フード７１１内からプラズマ生成領域２５に向かって流れるガスＧ１の吹き出し口を兼ねていてもよい。
フード７１１の基端は、ダクト７１３を介して不図示のガス供給源に接続されてもよい。
ガス供給源は、ターゲット２７と反応し、常温で気体の反応生成物を生成するガスＧ１及びＧ２の供給源であってもよい。ターゲット２７がスズである場合、ガス供給源から供給されるガスＧ１及びＧ２は、水素、水素ラジカル又はこれらを含有するガスであってもよい。
フード７１１の基端は、ダクト７１３を介して不図示のガス供給源に接続されてもよい。
ガス供給源は、ターゲット２７と反応し、常温で気体の反応生成物を生成するガスＧ１及びＧ２の供給源であってもよい。ターゲット２７がスズである場合、ガス供給源から供給されるガスＧ１及びＧ２は、水素、水素ラジカル又はこれらを含有するガスであってもよい。
中央ヘッド７１２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに対して供給されるガスＧ２の吹き出してもよい。
中央ヘッド７１２は、フード７１１の側面の全周に亘って形成されてもよい。
中央ヘッド７１２の吹き出し口は、貫通孔２４の周縁付近の反射面２３ａに対向するように形成されてもよい。中央ヘッド７１２の吹き出し口の形状は、スリット状であってもよいが、特に限定されず、長方形形状、複数の円形形状又はその他の形状であってもよい。
中央ヘッド７１２は、ダクト７１４を介して不図示のガス供給源に接続されてもよい。
中央ヘッド７１２に接続されたガス供給源は、フード７１１に接続されたガス供給源と実質的に同じであってもよい。
中央ヘッド７１２は、フード７１１の側面の全周に亘って形成されてもよい。
中央ヘッド７１２の吹き出し口は、貫通孔２４の周縁付近の反射面２３ａに対向するように形成されてもよい。中央ヘッド７１２の吹き出し口の形状は、スリット状であってもよいが、特に限定されず、長方形形状、複数の円形形状又はその他の形状であってもよい。
中央ヘッド７１２は、ダクト７１４を介して不図示のガス供給源に接続されてもよい。
中央ヘッド７１２に接続されたガス供給源は、フード７１１に接続されたガス供給源と実質的に同じであってもよい。
ガス排出部７２は、ガスＧ１及びＧ２を含むチャンバ２内のガスをチャンバ２外に排出してもよい。
ガス排出部７２は、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂと、排出管７２２と、排出装置７２３とを含んでもよい。
ガス排出部７２は、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂと、排出管７２２と、排出装置７２３とを含んでもよい。
一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、チャンバ２の壁２ａの内壁面であって、磁場Ｍの中心軸Ｘと交差する部分に設けられてもよい。
一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、磁場Ｍの中心軸Ｘ上で互いに対向するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、互いに略一致するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、磁場Ｍの中心軸Ｘと略一致するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、プラズマ生成領域２５に位置する第１焦点Ｆ１を通るように設けられてもよい。
一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂのそれぞれは、排出管７２２を介して排出装置７２３に接続されてもよい。
一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、磁場Ｍの中心軸Ｘ上で互いに対向するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、互いに略一致するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、磁場Ｍの中心軸Ｘと略一致するように設けられてもよい。一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂは、それぞれの中心軸が、プラズマ生成領域２５に位置する第１焦点Ｆ１を通るように設けられてもよい。
一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂのそれぞれは、排出管７２２を介して排出装置７２３に接続されてもよい。
排出装置７２３は、ガスＧ１及びＧ２を含むチャンバ２内のガスを吸引し、チャンバ２外に排出してもよい。
磁場発生部８は、チャンバ２内に磁場Ｍを発生させてもよい。
磁場発生部８は、一対の磁石８１及び８２を含んでもよい。
磁場発生部８は、一対の磁石８１及び８２を含んでもよい。
一対の磁石８１及び８２は、プラズマ生成領域２５を囲むようなミラー磁場である磁場Ｍを発生させてもよい。
一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、電磁石であってもよい。一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、トーラス形状のコアにコイルを巻き付けて形成されてもよい。一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、超電導磁石であってもよい。
一対の磁石８１及び８２は、チャンバ２の壁２ａの外側に配置されてもよい。
一対の磁石８１及び８２は、第１焦点Ｆ１が位置するプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。
一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、電磁石であってもよい。一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、トーラス形状のコアにコイルを巻き付けて形成されてもよい。一対の磁石８１及び８２のそれぞれは、超電導磁石であってもよい。
一対の磁石８１及び８２は、チャンバ２の壁２ａの外側に配置されてもよい。
一対の磁石８１及び８２は、第１焦点Ｆ１が位置するプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。
一対の磁石８１及び８２によって発生した磁場Ｍは、一対の磁石８１及び８２付近の磁束密度がプラズマ生成領域２５付近の磁束密度より高くてもよい。
磁場Ｍの磁力線は、一対の磁石８１及び８２付近で収束するように形成されてもよい。
磁場Ｍの磁力線の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに沿うように形成されてもよい。具体的には、磁場Ｍの磁力線の一部は、磁場Ｍの作用によって磁場Ｍ内にイオンＩを実質的に閉じ込め得る領域が反射面２３ａに交差しない程度に、反射面２３ａと略平行に形成されてもよい。
磁場Ｍによる磁束密度は、磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向及びその反対方向へ遠ざかるに従って低くなってもよい。言い換えると、反射面２３ａがある位置での磁場Ｍによる磁束密度は、反射面２３ａが磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向の反対方向へ遠ざかるほど、低くなってもよい。
磁場Ｍの中心軸Ｘは、プラズマ生成領域２５に位置する第１焦点Ｆ１を通り、チャンバ２の壁２ａと交差してもよい。
なお、磁場発生部８は、非対称軸磁場を発生させてもよい。
磁場Ｍの磁力線は、一対の磁石８１及び８２付近で収束するように形成されてもよい。
磁場Ｍの磁力線の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに沿うように形成されてもよい。具体的には、磁場Ｍの磁力線の一部は、磁場Ｍの作用によって磁場Ｍ内にイオンＩを実質的に閉じ込め得る領域が反射面２３ａに交差しない程度に、反射面２３ａと略平行に形成されてもよい。
磁場Ｍによる磁束密度は、磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向及びその反対方向へ遠ざかるに従って低くなってもよい。言い換えると、反射面２３ａがある位置での磁場Ｍによる磁束密度は、反射面２３ａが磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向の反対方向へ遠ざかるほど、低くなってもよい。
磁場Ｍの中心軸Ｘは、プラズマ生成領域２５に位置する第１焦点Ｆ１を通り、チャンバ２の壁２ａと交差してもよい。
なお、磁場発生部８は、非対称軸磁場を発生させてもよい。
［３．２ 比較例の動作］
ガス供給部７１は、不図示のガス供給源からダクト７１３を介してフード７１１内にガスＧ１を供給してもよい。
フード７１１内に供給されたガスＧ１は、ウインドウ２１のチャンバ２内部側の表面上を沿うように流れ得る。ガスＧ１は、フード７１１の先端の開口からチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向かって噴出し得る。そして、ガスＧ１は、チャンバ２の壁２ａに設けられた一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂから、チャンバ２外に排出され得る。
ガス供給部７１は、不図示のガス供給源からダクト７１３を介してフード７１１内にガスＧ１を供給してもよい。
フード７１１内に供給されたガスＧ１は、ウインドウ２１のチャンバ２内部側の表面上を沿うように流れ得る。ガスＧ１は、フード７１１の先端の開口からチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向かって噴出し得る。そして、ガスＧ１は、チャンバ２の壁２ａに設けられた一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂから、チャンバ２外に排出され得る。
ガス供給部７１は、不図示のガス供給源からダクト７１４を介して中央ヘッド７１２内にガスＧ２を供給してもよい。
中央ヘッド７１２内に供給されたガスＧ２は、中央ヘッド７１２の吹き出し口から、貫通孔２４の周縁付近の反射面２３ａに吹き付けられ得る。ガスＧ２は、反射面２３ａの略全周に亘って吹き付けられ得る。反射面２３ａに吹き付けられたガスＧ２は、貫通孔２４の周縁付近から反射面２３ａの外周縁部２３ｂに向かって反射面２３ａ上を沿うように流れ得る。そして、ガスＧ２は、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂから、チャンバ２外に排出され得る。
中央ヘッド７１２内に供給されたガスＧ２は、中央ヘッド７１２の吹き出し口から、貫通孔２４の周縁付近の反射面２３ａに吹き付けられ得る。ガスＧ２は、反射面２３ａの略全周に亘って吹き付けられ得る。反射面２３ａに吹き付けられたガスＧ２は、貫通孔２４の周縁付近から反射面２３ａの外周縁部２３ｂに向かって反射面２３ａ上を沿うように流れ得る。そして、ガスＧ２は、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂから、チャンバ２外に排出され得る。
排出装置７２３は、ガス供給部７１によって供給されるガスＧ１及びＧ２の質量流量と略同一の質量流量でチャンバ２内のガスを吸引し、チャンバ２外に排出してもよい。
チャンバ２内の圧力は略一定に保たれ得る。
チャンバ２内の圧力は略一定に保たれ得る。
プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７は、パルスレーザ光３３が照射されると、プラズマを生成し得る。この際、プラズマは、ＥＵＶ光２５１の他に、ターゲット２７のイオンＩ及びターゲット２７の原子を放出し得る。ターゲット２７がスズである場合、プラズマから放出されたイオンＩは、スズイオンであり、プラズマから放出された原子は、スズ原子であり得る。
プラズマから放出されたイオンＩは、一対の磁石８１及び８２によって発生した磁場Ｍの作用によってローレンツ力を受け、螺旋運動を行いながら磁場Ｍの磁力線に沿って進行し得る。そして、イオンＩは、プラズマ生成領域２５から、一対の磁石８１及び８２が配置されたチャンバ２の壁２ａ側に向かって進行し得る。そして、イオンＩは、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに到達し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
ターゲット２７の原子の大部分は、ガスＧ１及びＧ２の流れに乗って、一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
ターゲット２７の原子の一部は、フード７１１内に進行しようとし得るが、フード７１１から噴出するガスＧ１の運動量によって進行を妨げられ得る。
ターゲット２７の原子の一部が仮にフード７１１内に進行しウインドウ２１の表面に付着してデブリとなっても、付着したデブリは、ガスＧ１と反応してエッチングされ得る。すなわち、付着したデブリは、これと反応性が高いガスＧ１と反応して常温で気体の反応生成物に変化することによって、ウインドウ２１の表面から除去され得る。エッチングされたデブリは、フード７１１内を流れるガスＧ１と共にフード７１１内から一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
なお、ターゲット２７がスズでありガスＧ１及びＧ２が水素を含有するガスである場合、付着したデブリとガスＧ１とが反応すると、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが反応生成物として生成され得る。
ターゲット２７の原子の一部が仮にフード７１１内に進行しウインドウ２１の表面に付着してデブリとなっても、付着したデブリは、ガスＧ１と反応してエッチングされ得る。すなわち、付着したデブリは、これと反応性が高いガスＧ１と反応して常温で気体の反応生成物に変化することによって、ウインドウ２１の表面から除去され得る。エッチングされたデブリは、フード７１１内を流れるガスＧ１と共にフード７１１内から一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
なお、ターゲット２７がスズでありガスＧ１及びＧ２が水素を含有するガスである場合、付着したデブリとガスＧ１とが反応すると、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが反応生成物として生成され得る。
また、ターゲット２７の原子の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａ上に進行しようとし得るが、中央ヘッド７１２から反射面２３ａに吹き付けられたガスＧ２の運動量によって進行を妨げされ得る。
ターゲット２７の原子の一部が仮に反射面２３ａ上に進行し反射面２３ａに付着してデブリとなっても、付着したデブリは、ガスＧ２と反応してエッチングされ得る。すなわち、付着したデブリは、これと反応性が高いガスＧ２と反応して、常温で気体の反応生成物に変化することによって、反射面２３ａから除去され得る。エッチングされたデブリは、反射面２３ａ上を沿うように流れるガスＧ２と共に一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
ターゲット２７の原子の一部が仮に反射面２３ａ上に進行し反射面２３ａに付着してデブリとなっても、付着したデブリは、ガスＧ２と反応してエッチングされ得る。すなわち、付着したデブリは、これと反応性が高いガスＧ２と反応して、常温で気体の反応生成物に変化することによって、反射面２３ａから除去され得る。エッチングされたデブリは、反射面２３ａ上を沿うように流れるガスＧ２と共に一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
［３．３ 課題］
図４は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の課題を説明するための図を示す。図５は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着したデブリの分布図を示す。
プラズマから放出されたイオンＩは、上述のように、磁場Ｍの作用によってプラズマ生成領域２５から一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し得る。
しなしながら、プラズマから放出されたイオンＩの一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部２３ｂ付近において、ガスＧ１及びＧ２と衝突して失活し、電子の再結合によって中性化する場合があり得る。この場合、中性化したイオンＩは、磁場Ｍの作用が働かずに、磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留することがあり得る。
また、プラズマから放出されたターゲット２７の原子の一部は、中性化したイオンＩと同様に磁場Ｍの作用が働かず、磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留することがあり得る。
磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留するこれらの中性化したイオンＩ及びターゲット２７の原子を、微粒子デブリＤ１ともいう。
図４は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の課題を説明するための図を示す。図５は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着したデブリの分布図を示す。
プラズマから放出されたイオンＩは、上述のように、磁場Ｍの作用によってプラズマ生成領域２５から一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し得る。
しなしながら、プラズマから放出されたイオンＩの一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部２３ｂ付近において、ガスＧ１及びＧ２と衝突して失活し、電子の再結合によって中性化する場合があり得る。この場合、中性化したイオンＩは、磁場Ｍの作用が働かずに、磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留することがあり得る。
また、プラズマから放出されたターゲット２７の原子の一部は、中性化したイオンＩと同様に磁場Ｍの作用が働かず、磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留することがあり得る。
磁場Ｍの磁力線収束部分において滞留するこれらの中性化したイオンＩ及びターゲット２７の原子を、微粒子デブリＤ１ともいう。
微粒子デブリＤ１は、磁場Ｍの磁力線収束部分から拡散し得る。
拡散した微粒子デブリＤ１は、その大部分が上述のようにガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得るものの、その一部がＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着することがあり得る。
反射面２３ａに付着した微粒子デブリＤ１は、ガスＧ２によってエッチングされ得る。
しかしながら、反射面２３ａに付着した微粒子デブリＤ１は、ガスＧ２によって完全にエッチングされずに、その一部が反射面２３ａに付着したまま残存することがあり得る。
反射面２３ａに付着したまま残存した微粒子デブリＤ１を、付着デブリＤ２ともいう。
拡散した微粒子デブリＤ１は、その大部分が上述のようにガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得るものの、その一部がＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着することがあり得る。
反射面２３ａに付着した微粒子デブリＤ１は、ガスＧ２によってエッチングされ得る。
しかしながら、反射面２３ａに付着した微粒子デブリＤ１は、ガスＧ２によって完全にエッチングされずに、その一部が反射面２３ａに付着したまま残存することがあり得る。
反射面２３ａに付着したまま残存した微粒子デブリＤ１を、付着デブリＤ２ともいう。
付着デブリＤ２は、図５に示されるように、磁場Ｍの磁力線収束部分に近い反射面２３ａで増加する傾向にあり得る。
付着デブリＤ２が存在すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下し、ＥＵＶ光２５２の出力が低下し得る。ＥＵＶ光２５２の出力が所定の限界値より低下すると、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を交換せざるを得なくなり得る。
よって、付着デブリＤ２が増加すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してしまい、ＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加し得る。
したがって、付着デブリＤ２を抑制することによってＥＵＶ光生成装置１のランニングコストを抑制し得る技術が望まれている。
付着デブリＤ２が存在すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下し、ＥＵＶ光２５２の出力が低下し得る。ＥＵＶ光２５２の出力が所定の限界値より低下すると、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を交換せざるを得なくなり得る。
よって、付着デブリＤ２が増加すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してしまい、ＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加し得る。
したがって、付着デブリＤ２を抑制することによってＥＵＶ光生成装置１のランニングコストを抑制し得る技術が望まれている。
［４．第１実施形態］
図６〜図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１に対して、ＥＵＶ集光ミラー２３の構成が異なってもよい。
具体的には、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１ミラー部９１と、第２ミラー部９２とを含んでもよい。
第２ミラー部９２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の一部分であって、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある部分であってもよい。比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において第２ミラー部９２に相当する部分は、反射面２３ａに付着デブリＤ２が形成され易い部分であってもよい。
第１ミラー部９１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の第２ミラー部９２以外の部分であってもよい。比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において第１ミラー部９１に相当する部分は、反射面２３ａに付着デブリＤ２が形成され難い部分であってもよい。
第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において付着デブリＤ２が形成され易かった部分に相当する第２ミラー部９２が、磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかるように構成されてもよい。言い換えると、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３では、付着デブリＤ２が形成され易い部分に相当する第２ミラー部９２が、付着デブリＤ２が形成され難い部分に相当する第１ミラー部９１よりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
図６〜図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１に対して、ＥＵＶ集光ミラー２３の構成が異なってもよい。
具体的には、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１ミラー部９１と、第２ミラー部９２とを含んでもよい。
第２ミラー部９２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の一部分であって、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある部分であってもよい。比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において第２ミラー部９２に相当する部分は、反射面２３ａに付着デブリＤ２が形成され易い部分であってもよい。
第１ミラー部９１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の第２ミラー部９２以外の部分であってもよい。比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において第１ミラー部９１に相当する部分は、反射面２３ａに付着デブリＤ２が形成され難い部分であってもよい。
第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３において付着デブリＤ２が形成され易かった部分に相当する第２ミラー部９２が、磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかるように構成されてもよい。言い換えると、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３では、付着デブリＤ２が形成され易い部分に相当する第２ミラー部９２が、付着デブリＤ２が形成され難い部分に相当する第１ミラー部９１よりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
［４．１ 構成］
図６は、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３の斜視図を示す。図７は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３を図６とは別の視点からみた斜視図を示す。図８は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３をＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。図９は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３をＸ軸方向から視た図を示す。図１０は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を形成する回転楕円面を２次元の楕円を用いて説明するための図を示す。
第１実施形態に係る第１ミラー部９１は、一対の第１ミラー９１１及び９１２から構成されてもよい。一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれ第１ミラー保持部９１１ｃ及び９１２ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第１実施形態に係る第２ミラー部９２は、一対の第２ミラー９２１及び９２２から構成されてもよい。一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれ第２ミラー保持部９２１ｃ及び９２２ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、Ｚ軸の周りに沿って、第１ミラー９１１、第２ミラー９２１、第１ミラー９１２、第２ミラー９２２の順に配置されてもよい。
図６は、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３の斜視図を示す。図７は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３を図６とは別の視点からみた斜視図を示す。図８は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３をＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。図９は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３をＸ軸方向から視た図を示す。図１０は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を形成する回転楕円面を２次元の楕円を用いて説明するための図を示す。
第１実施形態に係る第１ミラー部９１は、一対の第１ミラー９１１及び９１２から構成されてもよい。一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれ第１ミラー保持部９１１ｃ及び９１２ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第１実施形態に係る第２ミラー部９２は、一対の第２ミラー９２１及び９２２から構成されてもよい。一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれ第２ミラー保持部９２１ｃ及び９２２ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、Ｚ軸の周りに沿って、第１ミラー９１１、第２ミラー９２１、第１ミラー９１２、第２ミラー９２２の順に配置されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と同様に、ＥＵＶ光２５１を選択的に反射し、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光するＥＵＶ光集光ミラーであってもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、図６〜図８に示されるように、互いに略同一の略扇形板形状に形成されてもよい。すなわち、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれの中心角が互いに略同一となるように形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、径方向における大きさが比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と略同一となるように形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれにおける略扇形の中心部には、貫通孔２４の一部と略同一形状の切り欠きが形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれの外周縁部は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部の一部と同様の形状に形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、図６〜図８に示されるように、互いに略同一の略扇形板形状に形成されてもよい。すなわち、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれの中心角が互いに略同一となるように形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、径方向における大きさが比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と略同一となるように形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれにおける略扇形の中心部には、貫通孔２４の一部と略同一形状の切り欠きが形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれの外周縁部は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部の一部と同様の形状に形成されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、Ｙ軸に沿って配置されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれにおける略扇形の中心部がＺ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれの切り欠きからＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿った方向において、一対の第２ミラー９２１及び９２２の間に配置されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、図９に示されるように、反射面９１１ａ及び９１２ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離Ｌ１が、比較例に係る外周縁部２３ｂから中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離と略同一となるよう配置されてよい。
なお、反射面９１１ａ及び９１２ａは、一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれの反射面であってもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれにおける略扇形の中心部がＺ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第１ミラー９１１及び９１２は、それぞれの切り欠きからＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿った方向において、一対の第２ミラー９２１及び９２２の間に配置されてもよい。
一対の第１ミラー９１１及び９１２は、図９に示されるように、反射面９１１ａ及び９１２ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離Ｌ１が、比較例に係る外周縁部２３ｂから中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離と略同一となるよう配置されてよい。
なお、反射面９１１ａ及び９１２ａは、一対の第１ミラー９１１及び９１２のそれぞれの反射面であってもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａは、第１ミラー部９１の反射面である第１反射面を構成してもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａは、図９及び図１０に示されるように、互いに略同一の回転楕円面の一部として形成されてもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれは、比較例に係る反射面２３ａと同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
すなわち、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５よりも反射面９１１ａ及び９１２ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面は、比較例に係る反射面２３ａを形成する回転楕円面と略同一であってもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａは、図９及び図１０に示されるように、互いに略同一の回転楕円面の一部として形成されてもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれは、比較例に係る反射面２３ａと同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
すなわち、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５よりも反射面９１１ａ及び９１２ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面は、比較例に係る反射面２３ａを形成する回転楕円面と略同一であってもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２と同様に、ＥＵＶ光２５１を選択的に反射し、ＥＵＶ光２５２として中間集光点２９２に集光するＥＵＶ光集光ミラーであってもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、図６〜図８に示されるように、互いに略同一の略扇形板形状に形成されてもよい。すなわち、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの中心角が互いに略同一となるように形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、径方向における大きさが一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも大きくなるように形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれにおける略扇形の中心部には、貫通孔２４の一部と略同一形状の切り欠きが形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれの外周縁部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部の一部と同様の形状に形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、図６〜図８に示されるように、互いに略同一の略扇形板形状に形成されてもよい。すなわち、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの中心角が互いに略同一となるように形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、径方向における大きさが一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも大きくなるように形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれにおける略扇形の中心部には、貫通孔２４の一部と略同一形状の切り欠きが形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれの外周縁部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周縁部の一部と同様の形状に形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿って配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれにおける略扇形の中心部がＺ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの切り欠きからＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、Ｙ軸に沿った方向において、一対の第１ミラー９１１及び９１２の間に配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、図９に示されるように、反射面９２１ａ及び９２２ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離Ｌ２が、上述の距離Ｌ１より長くなるよう配置されてもよい。すなわち、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、Ｚ軸方向の反対方向において、一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するように配置されてもよい。
比較例で説明したように、反射面２３ａがある位置での磁場Ｍによる磁束密度は、反射面２３ａが磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向の反対方向へ遠ざかるほど、低くなり得る。
すなわち、反射面９２１ａ及び９２２ａは、Ｚ軸方向の反対方向において、反射面９１１ａ及び９１２ａよりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
なお、反射面９２１ａ及び９２２ａは、一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれの反射面であってもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれにおける略扇形の中心部がＺ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの切り欠きからＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、Ｙ軸に沿った方向において、一対の第１ミラー９１１及び９１２の間に配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２１及び９２２は、図９に示されるように、反射面９２１ａ及び９２２ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離Ｌ２が、上述の距離Ｌ１より長くなるよう配置されてもよい。すなわち、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、Ｚ軸方向の反対方向において、一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するように配置されてもよい。
比較例で説明したように、反射面２３ａがある位置での磁場Ｍによる磁束密度は、反射面２３ａが磁場Ｍの中心軸ＸからＺ軸方向の反対方向へ遠ざかるほど、低くなり得る。
すなわち、反射面９２１ａ及び９２２ａは、Ｚ軸方向の反対方向において、反射面９１１ａ及び９１２ａよりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
なお、反射面９２１ａ及び９２２ａは、一対の第２ミラー９２１及び９２２のそれぞれの反射面であってもよい。
反射面９２１ａ及び９２２ａは、第２ミラー部９２の反射面である第２反射面を構成してもよい。
反射面９２１ａ及び９２２ａは、図９及び図１０に示されるように、互いに略同一の回転楕円面の一部として形成されてもよい。
反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれは、反射面９１１ａ及び９１２ａと同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
すなわち、反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１と略同じ位置であり、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２と略同じ位置であり、プラズマ生成領域２５よりも反射面９２１ａ及び９２２ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
但し、反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面と異なる形状であってもよい。反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面よりも大きくてもよい。
反射面９２１ａ及び９２２ａは、図９及び図１０に示されるように、互いに略同一の回転楕円面の一部として形成されてもよい。
反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれは、反射面９１１ａ及び９１２ａと同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
すなわち、反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第１焦点Ｆ１と略同じ位置であり、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれの第２焦点Ｆ２と略同じ位置であり、プラズマ生成領域２５よりも反射面９２１ａ及び９２２ａから離れた位置にある中間集光点２９２に位置してもよい。
但し、反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面と異なる形状であってもよい。反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面よりも大きくてもよい。
ここで、反射面９１１ａ及び９１２ａ並びに反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する各回転楕円面を、説明を簡略化するために、２次元の楕円を用いて考える。
例えば、図１０に示されるように、一方の楕円は、第１焦点がｆ１、第２焦点がｆ２、長径が２ａ、短径が２ｂであるとする。一方の楕円は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面に対応し得る。
また、他方の楕円は、第１焦点がｆ１、第２焦点がｆ２、長径が２ａ’、短径が２ｂ’であるとする。ａ’はａよりも大きいとし、ｂ’はｂよりも大きいとする。他方の楕円は、反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面に対応し得る。
そして、これらの２次元の楕円を、第１焦点ｆ１と第２焦点ｆ２の中間点を原点とし、第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２を通る軸をｚ軸とし、ｚ軸に直交する軸をｙ軸とするｙｚ直交座標系を用いて記述する。なお、ｚ軸方向は、第１焦点ｆ１から第２焦点ｆ２に向かう方向とする。
例えば、図１０に示されるように、一方の楕円は、第１焦点がｆ１、第２焦点がｆ２、長径が２ａ、短径が２ｂであるとする。一方の楕円は、反射面９１１ａ及び９１２ａを形成する回転楕円面に対応し得る。
また、他方の楕円は、第１焦点がｆ１、第２焦点がｆ２、長径が２ａ’、短径が２ｂ’であるとする。ａ’はａよりも大きいとし、ｂ’はｂよりも大きいとする。他方の楕円は、反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する回転楕円面に対応し得る。
そして、これらの２次元の楕円を、第１焦点ｆ１と第２焦点ｆ２の中間点を原点とし、第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２を通る軸をｚ軸とし、ｚ軸に直交する軸をｙ軸とするｙｚ直交座標系を用いて記述する。なお、ｚ軸方向は、第１焦点ｆ１から第２焦点ｆ２に向かう方向とする。
すると、一方の楕円の第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２の座標は、数式１のように記述され得る。
他方の楕円の第１焦点ｆ１及び第２焦点ｆ２の座標は、数式２のように記述され得る。
よって、一方及び他方の楕円は、数式３を満たせば、互いに略同じ位置に焦点を有すると共に互いに異なる大きさを有し得る。
数式１〜３は、３次元の回転楕円面でも同様に記述され得る。
このようなことから、反射面９１１ａ及び９１２ａ並びに反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する各回転楕円面は、互いに略同じ位置に焦点を有し、互いに異なる大きさを有することが可能であり得る。
このようなことから、反射面９１１ａ及び９１２ａ並びに反射面９２１ａ及び９２２ａを形成する各回転楕円面は、互いに略同じ位置に焦点を有し、互いに異なる大きさを有することが可能であり得る。
また、図８に示されるように、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、反射面９１１ａ及び９１２ａのそれぞれが全面に亘ってプラズマ生成領域２５に露出するように構成されてもよい。同様に、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、反射面９２１ａ及び９２２ａのそれぞれが全面に亘ってプラズマ生成領域２５に露出するように構成されてもよい。すなわち、一対の第１ミラー９１１及び９１２並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２は、互いに重ならないように構成されてもよい。
特に、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも磁場Ｍが形成されるプラズマ生成領域２５から離間するように配置され得る。このため、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、反射面９２１ａ及び９２２ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮る虞れがあり得る。
よって、一対の第１ミラー９１１及び９１２の各外周部であって磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する部分は、反射面９２１ａ及び９２２ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮らないよう、それぞれの形状、厚さ及び寸法が設計されてよい。
そして、一対の第１ミラー９１１及び９１２並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの中心角の合計が３６０°となるように形成されてもよい。
特に、一対の第２ミラー９２１及び９２２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２よりも磁場Ｍが形成されるプラズマ生成領域２５から離間するように配置され得る。このため、一対の第１ミラー９１１及び９１２は、反射面９２１ａ及び９２２ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮る虞れがあり得る。
よって、一対の第１ミラー９１１及び９１２の各外周部であって磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する部分は、反射面９２１ａ及び９２２ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮らないよう、それぞれの形状、厚さ及び寸法が設計されてよい。
そして、一対の第１ミラー９１１及び９１２並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２は、それぞれの中心角の合計が３６０°となるように形成されてもよい。
ところで、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３に含まれる第１及び第２ミラー部９１及び９２は、上述の説明とは別の観点からも特定され得る。
ＥＵＶ集光ミラー２３及び磁場Ｍの中心軸Ｘに交差する一対の平面であって、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通るＺ軸に沿った一対の平面を、一対の境界面Ｓ１及びＳ２とする。
一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、ＥＵＶ集光ミラー２３を一方の部分と他方の部分とに画定する境界面であってもよい。
更に、図８の例では、一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、それぞれがＺ軸を面内に含み、互いに交差してもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３及び磁場Ｍの中心軸Ｘに交差する一対の平面であって、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通るＺ軸に沿った一対の平面を、一対の境界面Ｓ１及びＳ２とする。
一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、ＥＵＶ集光ミラー２３を一方の部分と他方の部分とに画定する境界面であってもよい。
更に、図８の例では、一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、それぞれがＺ軸を面内に含み、互いに交差してもよい。
ここで、一対の境界面Ｓ１及びＳ２が、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３を画定する場合を考える。
この場合、第１及び第２ミラー部９１及び９２のそれぞれは、一対の境界面Ｓ１及びＳ２によって画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分が、磁場Ｍの中心軸Ｘを含む空間に位置する部分であるか否かという観点から特定されてもよい。
具体的には、画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分のうち、磁場Ｍの中心軸Ｘを含まない空間に位置する部分は、第１ミラー部９１として特定されてもよい。第１ミラー部９１として特定された部分の反射面２３ａは、第１反射面として特定されてもよい。
画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分のうち、磁場Ｍの中心軸Ｘを含む空間に位置する部分は、第２ミラー部９２として特定されてもよい。第２ミラー部９２として特定された部分の反射面２３ａは、第２反射面として特定されてもよい。
この場合、第１及び第２ミラー部９１及び９２のそれぞれは、一対の境界面Ｓ１及びＳ２によって画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分が、磁場Ｍの中心軸Ｘを含む空間に位置する部分であるか否かという観点から特定されてもよい。
具体的には、画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分のうち、磁場Ｍの中心軸Ｘを含まない空間に位置する部分は、第１ミラー部９１として特定されてもよい。第１ミラー部９１として特定された部分の反射面２３ａは、第１反射面として特定されてもよい。
画定された比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３の一方及び他方の部分のうち、磁場Ｍの中心軸Ｘを含む空間に位置する部分は、第２ミラー部９２として特定されてもよい。第２ミラー部９２として特定された部分の反射面２３ａは、第２反射面として特定されてもよい。
そして、第２ミラー部９２として特定された部分は、第１ミラー部９１として特定された部分よりも、Ｚ軸方向の反対方向において磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するによう配置されてもよい。
更に、第２反射面として特定された反射面２３ａは、その第１及び第２焦点が、第１反射面として特定された反射面２３ａの第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２と略同じ位置になるよう変形されてもよい。具体的には、第２反射面として特定された反射面２３ａは、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有し、第１反射面として特定された反射面２３ａを形成する回転楕円面よりも大きな回転楕円面の一部で形成されてもよい。
更に、第２反射面として特定された反射面２３ａは、その第１及び第２焦点が、第１反射面として特定された反射面２３ａの第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２と略同じ位置になるよう変形されてもよい。具体的には、第２反射面として特定された反射面２３ａは、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有し、第１反射面として特定された反射面２３ａを形成する回転楕円面よりも大きな回転楕円面の一部で形成されてもよい。
このような観点から特定された第１及び第２ミラー部９１及び９２は、一対の第１ミラー９１１及び９１２から構成される第１ミラー部９１並びに一対の第２ミラー９２１及び９２２から構成される第２ミラー部９２と同様に構成され得る。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
［４．２ 動作］
図１１及び図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。
図１１は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３が適用された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。図１２は、図１１のＢ−Ｂ線における断面図を示す。
なお、図１１及び図１２では、ガス供給部７１に含まれるダクト７１３及び７１４の図示が省略されている。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。
図１１及び図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。
図１１は、図６に示されたＥＵＶ集光ミラー２３が適用された第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。図１２は、図１１のＢ−Ｂ線における断面図を示す。
なお、図１１及び図１２では、ガス供給部７１に含まれるダクト７１３及び７１４の図示が省略されている。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。
上述のように、微粒子デブリＤ１は、磁場Ｍの磁力線収束部分から拡散し、ＥＵＶ集光ミラー２３に向かって進行しようとし得る。
しかし、図１１及び図１２に示されるように、ＥＵＶ集光ミラー２３における磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２は、磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかって配置され得る。
このため、図１１に示されるように、微粒子デブリＤ１は、第２ミラー部９２の第２反射面に付着され難く、ガスＧ２と共に一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し得る。そして、微粒子デブリＤ１は、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
よって、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３では、付着デブリＤ２が形成され難くなり得る。
しかし、図１１及び図１２に示されるように、ＥＵＶ集光ミラー２３における磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２は、磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかって配置され得る。
このため、図１１に示されるように、微粒子デブリＤ１は、第２ミラー部９２の第２反射面に付着され難く、ガスＧ２と共に一対の排出口７２１ａ及び７２１ｂに向かって進行し得る。そして、微粒子デブリＤ１は、ガスＧ１及びＧ２と共にチャンバ２外に排出され得る。
よって、第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３では、付着デブリＤ２が形成され難くなり得る。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
［４．３ 作用効果］
第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、付着デブリＤ２が形成されることを抑制し得るため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下してＥＵＶ光２５２の出力が低下することを抑制し得る。
それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加することを抑制し得る。
第１実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、付着デブリＤ２が形成されることを抑制し得るため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下してＥＵＶ光２５２の出力が低下することを抑制し得る。
それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加することを抑制し得る。
［５．第２実施形態］
図１３及び図１４を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、第１及び第２ミラー部９１及び９２の構成が異なってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
図１３及び図１４を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、第１及び第２ミラー部９１及び９２の構成が異なってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。
［５．１ 構成］
図１３は、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３をＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。図１４は、図１３に示されたＥＵＶ集光ミラー２３が適用された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２と、それ以外の第１ミラー部９１とを含んでもよい。
但し、第２実施形態に係る第１ミラー部９１は、１つの第１ミラー９１３から構成されてもよい。第１ミラー９１３は、第１ミラー保持部９１３ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第２実施形態に係る第２ミラー部９２は、一対の第２ミラー９２３及び９２４から構成されてもよい。一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれ第２ミラー保持部９２３ｃ及び９２４ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿って、第２ミラー９２３、第１ミラー９１３、第２ミラー９２４の順に配置されてもよい。
図１３は、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３をＺ軸方向の反対方向から視た図を示す。図１４は、図１３に示されたＥＵＶ集光ミラー２３が適用された第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を説明するための図を示す。
第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２と、それ以外の第１ミラー部９１とを含んでもよい。
但し、第２実施形態に係る第１ミラー部９１は、１つの第１ミラー９１３から構成されてもよい。第１ミラー９１３は、第１ミラー保持部９１３ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第２実施形態に係る第２ミラー部９２は、一対の第２ミラー９２３及び９２４から構成されてもよい。一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれ第２ミラー保持部９２３ｃ及び９２４ｃを介して、チャンバ２の壁２ａの内側に配置されてもよい。
第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿って、第２ミラー９２３、第１ミラー９１３、第２ミラー９２４の順に配置されてもよい。
第１ミラー９１３は、図１３に示されるように、略円板から２つの略弓形板が切り落とされたような形状に形成されてもよい。切り落とされた２つの略弓形板は、第１ミラー９１３を略円板形状とした場合に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する第１ミラー９１３の２つの外周縁部であってもよい。
第１ミラー９１３の中央部には、第１実施形態とは異なり、貫通孔２４が形成されてもよい。
第１ミラー９１３の外周縁部であって、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近以外に位置する外周縁部は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と同様の形状に形成されてもよい。
第１ミラー９１３の中央部には、第１実施形態とは異なり、貫通孔２４が形成されてもよい。
第１ミラー９１３の外周縁部であって、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近以外に位置する外周縁部は、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３と同様の形状に形成されてもよい。
第１ミラー９１３は、磁場Ｍの中心軸Ｘに沿った方向において、一対の第２ミラー９２３及び９２４の間に配置されてもよい。
第１ミラー９１３は、反射面９１３ａの外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離が、比較例に係る外周縁部２３ｂから中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離と略同一となるように配置されてもよい。
なお、反射面９１３ａは、第１ミラー９１３の反射面であってもよい。
第１ミラー９１３は、反射面９１３ａの外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離が、比較例に係る外周縁部２３ｂから中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離と略同一となるように配置されてもよい。
なお、反射面９１３ａは、第１ミラー９１３の反射面であってもよい。
反射面９１３ａは、第２実施形態に係る第１ミラー部９１の反射面である第１反射面を構成してもよい。
反射面９１３ａは、第１実施形態と同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
反射面９１３ａは、第１実施形態と同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、図１３に示されるように、互いに略同一の略弓形板形状に形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、径方向における大きさが第１ミラー９１３よりも大きくなるように形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４には、第１実施形態とは異なり、切り欠きが形成されていなくてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれの略弓形板における弦に相当する部分が、Ｚ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれの対向面からＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、反射面９２３ａ及び９２４ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離が、反射面９１３ａの外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離より長くなるように配置されてよい。すなわち、一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、Ｚ軸方向の反対方向において、第１ミラー９１３よりも磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するように配置されてもよい。言い換えると、反射面９２３ａ及び９２４ａは、Ｚ軸方向の反対方向において、反射面９１３ａよりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
なお、反射面９２３ａ及び９２４ａは、一対の第２ミラー９２３及び９２４のそれぞれの反射面であってもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、径方向における大きさが第１ミラー９１３よりも大きくなるように形成されてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４には、第１実施形態とは異なり、切り欠きが形成されていなくてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれの略弓形板における弦に相当する部分が、Ｚ軸を挟んで互いに対向するように配置されてもよい。一対の第２ミラー９２３及び９２４は、それぞれの対向面からＺ軸までの距離が互いに略同一となるように配置されてもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、反射面９２３ａ及び９２４ａの各外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離が、反射面９１３ａの外周縁部から中心軸ＸまでのＺ軸方向における距離より長くなるように配置されてよい。すなわち、一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、Ｚ軸方向の反対方向において、第１ミラー９１３よりも磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するように配置されてもよい。言い換えると、反射面９２３ａ及び９２４ａは、Ｚ軸方向の反対方向において、反射面９１３ａよりも、磁場Ｍによる磁束密度が低い位置に配置されてもよい。
なお、反射面９２３ａ及び９２４ａは、一対の第２ミラー９２３及び９２４のそれぞれの反射面であってもよい。
反射面９２３ａ及び９２４ａは、第２実施形態に係る第２ミラー部９２の反射面である第２反射面を構成してもよい。
反射面９２３ａ及び９２４ａは、第１実施形態と同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
反射面９２３ａ及び９２４ａを形成する回転楕円面は、第１実施形態と同様に、反射面９２３ａ及び９２４ａを形成する回転楕円面は、反射面９１３ａを形成する回転楕円面よりも大きくてもよい。
反射面９２３ａ及び９２４ａは、第１実施形態と同様に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する回転楕円面の一部で形成されてもよい。
反射面９２３ａ及び９２４ａを形成する回転楕円面は、第１実施形態と同様に、反射面９２３ａ及び９２４ａを形成する回転楕円面は、反射面９１３ａを形成する回転楕円面よりも大きくてもよい。
また、第１ミラー９１３並びに一対の第２ミラー９２３及び９２４は、第１実施形態と同様に、反射面９１３ａ並びに反射面９２３ａ及び反射面９２４ａのそれぞれが全面に亘ってプラズマ生成領域２５に露出するように構成されてもよい。
このとき、図１４に示されるように、第１ミラー９１３の磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する外周部９１３ｂは、反射面９２３ａ及び９２４ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮らないよう、その形状、厚さ及び寸法が設計されてもよい。
なお、図１４に示された外周部９１３ｂの形状、厚さ及び寸法は、第１実施形態に係る一対の第１ミラー９１１及び９１２に対しても適用され得る。
このとき、図１４に示されるように、第１ミラー９１３の磁場Ｍの磁力線収束部分の付近に位置する外周部９１３ｂは、反射面９２３ａ及び９２４ａに入射するＥＵＶ光２５１を遮らないよう、その形状、厚さ及び寸法が設計されてもよい。
なお、図１４に示された外周部９１３ｂの形状、厚さ及び寸法は、第１実施形態に係る一対の第１ミラー９１１及び９１２に対しても適用され得る。
第１ミラー９１３の他の構成については、第１実施形態に係る一対の第１ミラー９１１及び９１２と同様であってもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４の他の構成については、第１実施形態に係る一対の第２ミラー９２１及び９２２と同様であってもよい。
一対の第２ミラー９２３及び９２４の他の構成については、第１実施形態に係る一対の第２ミラー９２１及び９２２と同様であってもよい。
ところで、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３に含まれる第１及び第２ミラー部９１及び９２は、第１実施形態と同様に、一対の境界面Ｓ１及びＳ２を用いた観点からも特定され得る。
一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、上述のように、ＥＵＶ集光ミラー２３及び磁場Ｍの中心軸Ｘに交差する一対の平面であって、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通るＺ軸に沿った一対の平面であり得る。
更に、図１３の例では、一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、それぞれが磁場Ｍの中心軸Ｘに略直交し、互いに略平行であってもよい。
一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、上述のように、ＥＵＶ集光ミラー２３及び磁場Ｍの中心軸Ｘに交差する一対の平面であって、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を通るＺ軸に沿った一対の平面であり得る。
更に、図１３の例では、一対の境界面Ｓ１及びＳ２は、それぞれが磁場Ｍの中心軸Ｘに略直交し、互いに略平行であってもよい。
そして、比較例に係るＥＵＶ集光ミラー２３が一対の境界面Ｓ１及びＳ２によって画定された場合、磁場Ｍの磁力線収束部分を含まない空間に位置する部分が第１ミラー部９１として特定されてもよい。第１ミラー部９１として特定された部分の反射面２３ａは、第１反射面として特定されてもよい。
磁場Ｍの磁力線収束部分を含む空間に位置する部分が第２ミラー部９２として特定されてもよい。第２ミラー部９２として特定された部分の反射面２３ａは、第２反射面として特定されてもよい。
磁場Ｍの磁力線収束部分を含む空間に位置する部分が第２ミラー部９２として特定されてもよい。第２ミラー部９２として特定された部分の反射面２３ａは、第２反射面として特定されてもよい。
そして、第２ミラー部９２として特定された部分は、第１実施形態と同様に、第１ミラー部９１として特定された部分よりも、Ｚ軸方向の反対方向において磁場Ｍの中心軸Ｘから離間するによう配置されてもよい。
更に、第２反射面として特定された反射面２３ａは、第１実施形態と同様に、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有し、第１反射面として特定された反射面２３ａを形成する回転楕円面よりも大きな回転楕円面の一部で形成されてもよい。
更に、第２反射面として特定された反射面２３ａは、第１実施形態と同様に、第１及び第２焦点Ｆ１及びＦ２を有し、第１反射面として特定された反射面２３ａを形成する回転楕円面よりも大きな回転楕円面の一部で形成されてもよい。
このような観点から特定された第１及び第２ミラー部９１及び９２は、第１ミラー９１３から構成される第１ミラー部９１並びに一対の第２ミラー９２３及び９２４から構成される第２ミラー部９２と同様に構成され得る。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１における他の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様であってもよい。
［５．２ 動作及び作用効果］
第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２が磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかって配置され得るため、微粒子デブリＤ１が第２ミラー部９２の第２反射面に付着され難くなり得る。
それにより、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、付着デブリＤ２が形成されることを抑制し得るため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下してＥＵＶ光２５２の出力が低下することを抑制し得る。
その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加することを抑制し得る。
第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、磁場Ｍの磁力線収束部分の付近にある第２ミラー部９２が磁場Ｍの中心軸Ｘから遠ざかって配置され得るため、微粒子デブリＤ１が第２ミラー部９２の第２反射面に付着され難くなり得る。
それにより、第２実施形態に係るＥＵＶ集光ミラー２３は、第１実施形態と同様に、付着デブリＤ２が形成されることを抑制し得るため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下してＥＵＶ光２５２の出力が低下することを抑制し得る。
その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が増加してＥＵＶ光生成装置１のランニングコストが増加することを抑制し得る。
［６．その他］
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１ …ＥＵＶ光生成装置
１１ …ＥＵＶ光生成システム
２ …チャンバ
２ａ …壁
２１ …ウインドウ
２２ …レーザ光集光ミラー
２３ …ＥＵＶ集光ミラー
２３ａ …反射面
２３ｂ …外周縁部
２４ …貫通孔
２５ …プラズマ生成領域
２５１ …ＥＵＶ光
２５２ …ＥＵＶ光
２６ …ターゲット供給器
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
２８ …ターゲット回収器
２９ …接続部
２９１ …壁
２９２ …中間集光点
２９３ …アパーチャ
３ …レーザ装置
３１ …パルスレーザ光
３２ …パルスレーザ光
３３ …パルスレーザ光
３４ …レーザ光進行方向制御部
４ …ターゲットセンサ
５ …ＥＵＶ光生成制御部
６ …露光装置
７１ …ガス供給部
７１１ …フード
７１２ …中央ヘッド
７１３ …ダクト
７１４ …ダクト
７２ …ガス排出部
７２１ａ …排出口
７２１ｂ …排出口
７２２ …排出管
７２３ …排出装置
８ …磁場発生部
８１ …磁石
８２ …磁石
９１ …第１ミラー部
９１１ …第１ミラー
９１１ａ …反射面
９１１ｃ …第１ミラー保持部
９１２ …第１ミラー
９１２ａ …反射面
９１２ｃ …第１ミラー保持部
９１３ …第１ミラー
９１３ａ …反射面
９１３ｂ …外周部
９１３ｃ …第１ミラー保持部
９２ …第２ミラー部
９２１ …第２ミラー
９２１ａ …反射面
９２１ｃ …第２ミラー保持部
９２２ …第２ミラー
９２２ａ …反射面
９２２ｃ …第２ミラー保持部
９２３ …第２ミラー
９２３ａ …反射面
９２３ｃ …第２ミラー保持部
９２４ …第２ミラー
９２４ａ …反射面
９２４ｃ …第２ミラー保持部
Ｄ１ …微粒子デブリ
Ｄ２ …付着デブリ
ｆ１ …第１焦点
Ｆ１ …第１焦点
ｆ２ …第２焦点
Ｆ２ …第２焦点
Ｇ１ …ガス
Ｇ２ …ガス
Ｉ …イオン
Ｍ …磁場
Ｓ１ …境界面
Ｓ２ …境界面
Ｘ …中心軸
１１ …ＥＵＶ光生成システム
２ …チャンバ
２ａ …壁
２１ …ウインドウ
２２ …レーザ光集光ミラー
２３ …ＥＵＶ集光ミラー
２３ａ …反射面
２３ｂ …外周縁部
２４ …貫通孔
２５ …プラズマ生成領域
２５１ …ＥＵＶ光
２５２ …ＥＵＶ光
２６ …ターゲット供給器
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
２８ …ターゲット回収器
２９ …接続部
２９１ …壁
２９２ …中間集光点
２９３ …アパーチャ
３ …レーザ装置
３１ …パルスレーザ光
３２ …パルスレーザ光
３３ …パルスレーザ光
３４ …レーザ光進行方向制御部
４ …ターゲットセンサ
５ …ＥＵＶ光生成制御部
６ …露光装置
７１ …ガス供給部
７１１ …フード
７１２ …中央ヘッド
７１３ …ダクト
７１４ …ダクト
７２ …ガス排出部
７２１ａ …排出口
７２１ｂ …排出口
７２２ …排出管
７２３ …排出装置
８ …磁場発生部
８１ …磁石
８２ …磁石
９１ …第１ミラー部
９１１ …第１ミラー
９１１ａ …反射面
９１１ｃ …第１ミラー保持部
９１２ …第１ミラー
９１２ａ …反射面
９１２ｃ …第１ミラー保持部
９１３ …第１ミラー
９１３ａ …反射面
９１３ｂ …外周部
９１３ｃ …第１ミラー保持部
９２ …第２ミラー部
９２１ …第２ミラー
９２１ａ …反射面
９２１ｃ …第２ミラー保持部
９２２ …第２ミラー
９２２ａ …反射面
９２２ｃ …第２ミラー保持部
９２３ …第２ミラー
９２３ａ …反射面
９２３ｃ …第２ミラー保持部
９２４ …第２ミラー
９２４ａ …反射面
９２４ｃ …第２ミラー保持部
Ｄ１ …微粒子デブリ
Ｄ２ …付着デブリ
ｆ１ …第１焦点
Ｆ１ …第１焦点
ｆ２ …第２焦点
Ｆ２ …第２焦点
Ｇ１ …ガス
Ｇ２ …ガス
Ｉ …イオン
Ｍ …磁場
Ｓ１ …境界面
Ｓ２ …境界面
Ｘ …中心軸
Claims (8)
- 極端紫外光を反射して集光する集光ミラーと、
磁場を発生させる磁石と、
を備え、
前記集光ミラーは、
回転楕円面の一部で形成された第１反射面を含む第１ミラー部と、
前記第１反射面の焦点と略同じ位置に焦点を有し前記第１反射面と異なる回転楕円面の一部で形成された第２反射面を含み、前記第２反射面が、前記第１反射面よりも前記磁場による磁束密度が低い位置に配置された第２ミラー部と、
を含む極端紫外光生成装置。 - 内部のプラズマ生成領域で生成されたプラズマから前記極端紫外光が生成されるチャンバを更に備え、
前記第１及び第２ミラー部は、
前記極端紫外光を前記第１及び第２反射面で反射して、前記プラズマ生成領域よりも前記第１及び第２反射面から離れた位置にある所定の集光点に集光し、
前記第１及び第２反射面のそれぞれの第１焦点が前記プラズマ生成領域に位置すると共に前記第１及び第２反射面のそれぞれの第２焦点が前記所定の集光点に位置し、
前記第２反射面が、前記第２焦点から前記第１焦点に向かう方向において前記第１反射面よりも前記磁場による前記磁束密度が低い位置に配置されるように、
前記チャンバ内に配置される
請求項１に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記磁石は、前記チャンバの壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域を挟んで互いに対向する一対の前記磁石から構成されており、
前記磁場は、前記プラズマから放出されたイオンを、前記プラズマ生成領域から、前記一対の磁石が配置された前記チャンバの壁側に向かって進行させ、
前記第１及び第２ミラー部は、前記第１及び第２焦点を通る軸方向において、前記磁場の中心軸から前記第２反射面までの距離が、前記磁場の前記中心軸から前記第１反射面までの距離よりも長くなるように配置される
請求項２に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第１及び第２ミラー部は、前記第１及び第２反射面のそれぞれが全面に亘って前記プラズマ生成領域に露出するように構成されている
請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第２ミラー部は、前記磁場の前記中心軸に沿って配置される一対の第２ミラーから構成されている
請求項３に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第１ミラー部は、前記磁場の前記中心軸に沿った方向において前記一対の第２ミラーの間に配置される一対の第１ミラーから構成されている
請求項５に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第１ミラー部は、前記磁場の前記中心軸に沿った方向において前記一対の第２ミラーの間に配置される１つの第１ミラーから構成されている
請求項５に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記磁場の前記中心軸と交差する前記チャンバの壁において互い対向して設けられ、前記イオンを前記チャンバ外に排出する一対の排出口を更に備え、
前記磁場は、前記イオンを、前記プラズマ生成領域から前記一対の排出口のそれぞれに向かって進行させる
請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
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