JP2006517053A - 無関係な導電トレースを有する多層集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
空の空間が層群において金属のストリップにより充填され、その充填操作はコンピュータプログラムにより生成される。コンピュータ生成の無関係な導電ストリップの方向は、“配置及び配線”プロセスにおいて規定される特定の導電層各々の方向選択に従う。無関係な導電ストリップは、好適には、ルーティング金属と同じ幅を有する。それらのストリップは、互いから、又、プロセスデザインルールにおいて指定された距離だけ同じ層のルーティング金属から分離している。
第2ソフトウェアルーチンは、グリッドサイズに対比して各々の導電トレースの長さを検出する。グリッドは、導電トレースの中心に正確に位置する想像上の線である。グリッドサイズは、この技術のデザインルールにより指定される2つの隣接する導電コネクタの中心から中心までの一意の距離である。全ての機能性金属及び無関係な金属は、好適には、同じグリッドサイズ(幅に隔たりを加えたもの)を有する。それ故、本段階は、リバースエンジニアが回路における異なるパターンを個別化しようとするとき、彼の作業に負担を課す。
パターンを示している。
第3のソフトウェアルーチンは、図10に示すように、上層と下層とが重なり合う全ての位置において、図7のビア106、107、111及び112が生成された同じ処理段階を用いて、無関係な接続ビア350を生成する。各々のビアは、製造プロセスの要求のために、デザインルールにより規定される標準的サイズを有している。
本物のコネクタのように見える無関係な導電トレース及び無関係な接続ビアを生成するために、前の段階で付加された無関係な接続ビアの一部を削除する必要がある。この理由は、殆どの場合、本物のコネクタは、図7に示すように、金属が終端する位置で2つの導電層を接続するビアを有することである。前の段階においては、ビアは、2つの金属の重なり合った範囲全体に亘って位置付けられている。更なるソフトウェアルーチンがこれらの位置付けられているビアの一部を除去するために用いられる。除去の判断はユーザ指定割合により制御される。例としては、80%が指定されている場合、プログラムは導電トレースの終端において2つのビアを持ち続け、ビアの数字において80%を削除し、その中間の値にする。
このプロセスノ第1段階は、無関係な金属トレースと無関係な接続ビアとから構成される多くの異なる基本セルをデザインするプロセスである。配置及び配線プログラムにおいて生成された機能性導電トレース及び接続ビアから構成される機能性接続は特定の特性を有するため、それらを複製する最善方法は、無関係な金属層及び接続ビアにおいて類似する全ての種類のルーティング構造をマニュアルによりデザインすることである。これらのデザインされる基本セルの数は、例えば、最大30乃至50までとすることができる。図14A乃至14Cは、これらのセルの3つの例を示している。これらのセルの金属及びビアパターンは、それらが基本的な配置及び配線のコネクタのようにみえるようにする方法で、意図的にデザインされている。種々の異なる形状のセルが、勿論、本発明を用いた接続において使用されることができ、上記の3つのセルは、例示目的のみで挙げたものである。いずれの種類のセルであって、単一の導電線又は単一のビアホールを有するセルでさえ、デザインすることが可能である。
この段階においては、前の段階においてデザインされた基本セルは、より大きいセルである次のレベルを生成するために結合される。
更なるソフトウェアルーチンは、次いで、機能性金属線に近過ぎるか又は重なり合っている無関係な金属全てを削除する、即ち、デザインルールにより近くなるようにする。これは、デザイン上、金属層全てに対してなされる。その結果については図17に示しており、無関係な充填金属の部分が削除されている。
ルーティング金属に近過ぎるか又は接触している充填金属の一部を削除した後、他のソフトウェアルーチンが、前の段階において削除されたカバー金属を有する不必要な接続ビアの処理を行う。適切な無関係な金属トレースのカバーを伴わない不必要なビア全てが、リバースエンジニアの作業に負担を課すように、削除される必要がある。
Claims (44)
- 集積回路の構成要素間で電気信号を流すための上部導電線を有する上部導電層;
前記集積回路の構成要素間で電気信号を流すための下部導電線を有するための下部導電層;及び
前記上部導電線を前記下部導電線と電気的に接続する導電性ビアホールを有する中間層;
から構成される多層集積回路であって、
前記上部導電線と前記下部導電線との間の少なくとも1つの線は無関係な導電線であり;
前記の少なくとも1つの無関係な導電線は、前記上部導電線及び前記下部導電線の材料と同じ材料から成り;そして
前記の少なくとも1つの無関係な導電線は、前記集積回路の動作に対して不必要な機能を実行する;
ことを特徴とする多層集積回路。 - 請求項1に記載の多層集積回路であって、前記の少なくとも1つの無関係な導電線は、前記上部導電線及び前記下部導電線の寸法と同じ寸法を有する、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項1又は2に記載の多層集積回路であって:
前記上部導電線が位置付けられた上部ルーティングチャネル;及び
前記下部導電線が位置付けられた下部ルーティングチャネル;
から構成される多層集積回路であり、
前記の少なくとも1つの無関係な導電線は、前記ルーティングチャネルの少なくとも1つにおいて位置付けられている;
ことを特徴とする多層集積回路。 - 請求項1に記載の多層集積回路であって、前記上部導電線及び前記下部導電線の両方は無関係な導電線から構成される、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項1乃至4のいずれ一項に記載の多層集積回路であって、該集積回路はCMOS集積回路である、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項1乃至4のいずれ一項に記載の多層集積回路であって、該集積回路はバイポーラ集積回路である、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項1乃至4のいずれ一項に記載の多層集積回路であって、該集積回路はIII−V族化合物半導体材料から成る、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項1乃至7のいずれ一項に記載の多層集積回路であって、前記の少なくとも1つの無関係な導電線は複数の無関係な導電線である、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項8に記載の多層集積回路であって、前記の複数の無関係な導電線は接地電圧に接続された無関係な導電線から構成される、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項8に記載の多層集積回路であって、前記の複数の無関係な導電線は電源電圧に接続された無関係な導電線から構成される、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項8に記載の多層集積回路であって、前記の複数の無関係な導電線はクロック電圧に接続された無関係な導電線から構成される、ことを特徴とする多層集積回路。
- 請求項1乃至11のいずれ一項に記載の多層集積回路であって、付加導電層と該付加導電層間の付加中間層とから更に構成される、ことを特徴とする多層集積回路。
- 多層集積回路を生成するプロセスであって:
集積回路の構成要素間で電気信号を流すための上部導電線を有する上部導電層を生成する段階;
前記集積回路の構成要素間で電気信号を流すための下部導電線を有するための下部導電層を生成する段階;
前記上部導電線を前記下部導電線と電気的に接続する導電性ビアホールを有する中間層を生成する段階;並びに
前記上部導電線及び前記下部導電線の少なくとも1つにおいて無関係な導電線を生成する段階であって、前記の無関係な導電線は前記上部導電線及び前記下部導電線の材料と同じ材料から成り、前記の無関係な導電線は前記集積回路の動作に対して不必要な機能を実行する、段階;
から構成されることを特徴とするプロセス。 - 請求項13に記載のプロセスであって、前記の無関係な導電線は、前記上部導電線及び前記下部導電線の寸法と同じ寸法を有する、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13又は14に記載のプロセスであって:
前記上部導電線が位置付けられた上部ルーティングチャネルを生成する段階;
前記下部導電線が位置付けられた下部ルーティングチャネルを生成する段階;及び
前記ルーティングチャネルの少なくとも1つにおいて前記の少なくとも1つの無関係な導電線は位置付けられている段階;
から構成される、ことを特徴とするプロセス。 - 請求項13乃至15のいずれ一項に記載のプロセスであって、前記の無関係な導電線は前記上部導電線及び前記下部導電線の両方から構成される、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13乃至16のいずれ一項に記載のプロセスであって、該集積回路はCMOS集積回路である、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13乃至16のいずれ一項に記載のプロセスであって、該集積回路はバイポーラ集積回路である、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13乃至16のいずれ一項に記載のプロセスであって、該集積回路はIII−V族化合物半導体材料から成る、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13乃至19のいずれ一項に記載のプロセスであって、前記の複数の無関係な導電線は接地電圧に接続された無関係な導電線から構成される、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13乃至19のいずれ一項に記載のプロセスであって、前記の複数の無関係な導電線は電源電圧に接続された無関係な導電線から構成される、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項13乃至19のいずれ一項に記載のプロセスであって、前記の複数の無関係な導電線はクロック電圧に接続された無関係な導電線から構成される、ことを特徴とするプロセス。
- 電気信号の送信のための機能性導電線及び無関係な導電線から構成される多層電気回路をデザインする方法であって、該デザインされた多層回路は対応する三次元の多層電気回路を生成するために適切である、方法であって:
前記電気回路の構成要素間で電気信号を流すための第1層機能性導電線を有する第1導電層の表示を提供する段階;
前記電気回路の構成要素間で電気信号を流すための第2層機能性導電線を有する第2導電層の表示を提供する段階;
前記第1層機能性導電線を前記第2層機能性導電線に電気的に接続する機能性ビアホールの表示を提供する段階;並びに
前記第1層機能性導電線及び前記第2層機能性導電線の間の少なくとも1層において挿入される無関係な導電線の表示を提供する段階;
から構成されることを特徴とする方法。 - 請求項23に記載の方法であって、前記第1導電層及び前記第2導電層において無関係な導電線の挿入の表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項24に記載の方法であって、前記の無関係な導電線の切断の表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項25に記載の方法であって、前記の無関係な導電線は複数の乱数の発生に従って切断される、ことを特徴とする方法。
- 請求項25に記載の方法であって、前記第1導電層における無関係な導電線を前記第2導電層における無関係な導電線に接続する無関係な接続ビアの表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項27に記載の方法であって、各々の無関係な導電線は第1終端及び第2終端を有し、該方法は、無関係な導電線の前記第1終端又は前記第2終端に位置付けられていない、無関係な接続ビアの削除のコンピュータ生成表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項25に記載の方法であって、各々の無関係な導電線は第1終端及び第2終端を有し、該方法は、無関係な導電線の前記第1終端か又は前記第2終端のどちらかに位置付けられた、無関係な接続ビアの表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項29に記載の方法であって、無関係な導電線の前記第1終端及び前記第2終端の間に位置付けられた、無関係な接続ビアの表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項23に記載の方法であって、基本フィルセルの表示を提供する段階であって、各々の基本フィルセルは少なくとも1つの無関係な導電線又は少なくとも1つの導電ビアから構成される、段階、から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項31に記載の方法であって、より大きいセルを生成するために前記基本フィルセルの結合の表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項32に記載の方法であって、無関係な導電線の一部の削除の表示を提供する段階であって、その一部は機能性導電線と重なり合っている、段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項33に記載の方法であって、前記無関係な接続ビアは第1接続終端及び第2接続終端を有し、該方法は第1接続終端及び第2接続終端の両方において導電線に接続されていない無関係な接続ビアの削除の表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項34に記載の方法であって、無関係な導電線の一部の削除の表示を提供する段階であって、その一部は機能性導電線に近い、ことを特徴とする方法。
- 請求項35に記載の方法であって、前記の無関係な接続ビアは第1接続終端及び第2接続終端を有し、該方法は第1接続終端及び第2接続終端の両方において導電線に接続されていない無関係な接続ビアの削除の表示を提供する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項23乃至36のいずれ一項に記載の方法であって、各々の表示はコンピュータ生成表示である、ことを特徴とする方法。
- 電気回路を生成するプロセスであって:
該電気回路の構成要素間で電気信号を流すための機能性導電線を提供する段階;
前記機能性導電線の電気接続のための機能性ビアホールを提供する段階;
無関係な導電線を提供する段階であって、前記無関係な導電線は前記電気回路の動作に対して不必要な機能を実行する、段階;並びに
前記の無関係な導電線の電気接続のための無関係なビアホールを提供する段階;
を有することを特徴とするプロセス。 - 請求項38に記載のプロセスであって、各々の無関係な導電線は第1終端及び第2終端を有し、無関係なビアホールを提供する段階において、無関係なビアホールは無関係な導電線の前記第1終端か又は前記第2終端のどちらかにおいて備えられる、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項38又は39に記載のプロセスであって、前記の無関係な導電線及び前記の無関係なビアホールは基本フィルセルに結合されている、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項40に記載のプロセスであって、前記基本フィルセルはより大きいセルを生成するために結合される、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項38乃至41のいずれ一項に記載のプロセスであって、機能性導電線と重なり合っている前記の無関係な導電線の一部を削除する段階から更に構成される、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項38乃至42のいずれ一項に記載のプロセスであって、前記の無関係なビアホールは第1接続終端及び第2接続終端を有し、該プロセスは、該第1接続終端及び該第2接続終端の両方において導電線に接続されていない無関係なビアホールを削除する段階から更に構成される、ことを特徴とするプロセス。
- 請求項38乃至43のいずれ一項に記載のプロセスであって、無関係な導電線と機能性導電線との間の所定の最小距離を維持するために、無関係な導電線の一部を削除する段階から更に構成される、ことを特徴とするプロセス。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010505279A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシー | リバースエンジニアリングに対する改善された抵抗力を有する半導体チップ |
KR101383704B1 (ko) | 2008-01-18 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 회로 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR101439182B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2014-09-12 | 엑셀리스 인코포레이티드 | 집적 회로 보호 및 검출 그리드 |
JP2016063061A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 集積回路装置の設計方法,集積回路装置の製造方法及びその集積回路装置 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3986989B2 (ja) | 2003-03-27 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US7577926B2 (en) | 2003-07-11 | 2009-08-18 | Nxp B.V. | Security-sensitive semiconductor product, particularly a smart-card chip |
WO2005117115A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Chips with useful lines and dummy lines |
US7994042B2 (en) * | 2007-10-26 | 2011-08-09 | International Business Machines Corporation | Techniques for impeding reverse engineering |
US7709401B2 (en) * | 2008-02-22 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Method of making thermally programmable anti-reverse engineering interconnects wherein interconnects only conduct when heated above room temperature |
US10691860B2 (en) | 2009-02-24 | 2020-06-23 | Rambus Inc. | Secure logic locking and configuration with camouflaged programmable micro netlists |
US8418091B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-04-09 | Syphermedia International, Inc. | Method and apparatus for camouflaging a standard cell based integrated circuit |
US9735781B2 (en) | 2009-02-24 | 2017-08-15 | Syphermedia International, Inc. | Physically unclonable camouflage structure and methods for fabricating same |
US8510700B2 (en) * | 2009-02-24 | 2013-08-13 | Syphermedia International, Inc. | Method and apparatus for camouflaging a standard cell based integrated circuit with micro circuits and post processing |
US8151235B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-04-03 | Syphermedia International, Inc. | Camouflaging a standard cell based integrated circuit |
US8111089B2 (en) * | 2009-05-28 | 2012-02-07 | Syphermedia International, Inc. | Building block for a secure CMOS logic cell library |
US9218511B2 (en) * | 2011-06-07 | 2015-12-22 | Verisiti, Inc. | Semiconductor device having features to prevent reverse engineering |
FR3007198B1 (fr) | 2013-06-13 | 2015-06-19 | St Microelectronics Rousset | Composant, par exemple transistor nmos, a region active a contraintes en compression relachees, et procede de fabrication |
US9479176B1 (en) | 2013-12-09 | 2016-10-25 | Rambus Inc. | Methods and circuits for protecting integrated circuits from reverse engineering |
FR3018139B1 (fr) | 2014-02-28 | 2018-04-27 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Circuit integre a composants, par exemple transistors nmos, a regions actives a contraintes en compression relachees |
FR3025335B1 (fr) | 2014-08-29 | 2016-09-23 | Stmicroelectronics Rousset | Procede de fabrication d'un circuit integre rendant plus difficile une retro-conception du circuit integre et circuit integre correspondant |
WO2016180977A1 (en) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Nagravision S.A. | Integrated circuit chip protection against physical and/or electrical alterations |
KR102548835B1 (ko) | 2016-08-26 | 2023-06-30 | 인텔 코포레이션 | 집적 회로 디바이스 구조체들 및 양면 제조 기술들 |
CN109952642B (zh) | 2016-12-07 | 2024-03-26 | 英特尔公司 | 具有锯齿状金属迹线布局的集成电路器件 |
US10262956B2 (en) | 2017-02-27 | 2019-04-16 | Cisco Technology, Inc. | Timing based camouflage circuit |
US10381315B2 (en) | 2017-11-16 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing a reverse-engineering resistant hardware embedded security module |
WO2019132863A1 (en) | 2017-12-26 | 2019-07-04 | Intel Corporation | Stacked transistors with contact last |
US11430814B2 (en) | 2018-03-05 | 2022-08-30 | Intel Corporation | Metallization structures for stacked device connectivity and their methods of fabrication |
US10923596B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-02-16 | Rambus Inc. | Camouflaged FinFET and method for producing same |
US11688780B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-06-27 | Intel Corporation | Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization |
CN113451264B (zh) * | 2020-03-24 | 2024-05-31 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 集成电路装置 |
WO2022161590A1 (en) | 2021-01-26 | 2022-08-04 | Tallinn University Of Technology | Physical obfuscation of hardware through capacitive coupling |
US20230139843A1 (en) * | 2021-11-03 | 2023-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992727A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | He Holdings Inc Dba Hughes Electron | リバースエンジニアリングに対する偽装を行ったトランジスタの幾何学的配置およびチャンネルストップを備えたデジタル回路 |
JPH10270562A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路 |
JP2000101055A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2001035853A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001284357A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Sony Corp | 半導体装置 |
WO2002043147A1 (de) * | 2000-11-23 | 2002-05-30 | Infineon Technologies Ag | Integrierte schaltungsanordnung mit analysierschutz und verfahren zur herstellung der anordnung |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0585601B1 (en) | 1992-07-31 | 1999-04-28 | Hughes Electronics Corporation | Integrated circuit security system and method with implanted interconnections |
US5973375A (en) | 1997-06-06 | 1999-10-26 | Hughes Electronics Corporation | Camouflaged circuit structure with step implants |
US6117762A (en) | 1999-04-23 | 2000-09-12 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus using silicide layer for protecting integrated circuits from reverse engineering |
US6207479B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Place and route method for integrated circuit design |
TW515073B (en) * | 1999-11-15 | 2002-12-21 | Winbond Electronics Corp | Method for generating virtual metal pattern layer |
JP4553461B2 (ja) | 2000-08-23 | 2010-09-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、その設計方法および設計装置 |
EP1193758A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Anti-deciphering contacts |
-
2003
- 2003-10-14 US US10/686,545 patent/US6924552B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-16 GB GB0510347A patent/GB2411293B/en not_active Expired - Fee Related
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- 2003-10-20 TW TW092129023A patent/TWI326485B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992727A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | He Holdings Inc Dba Hughes Electron | リバースエンジニアリングに対する偽装を行ったトランジスタの幾何学的配置およびチャンネルストップを備えたデジタル回路 |
JPH10270562A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路 |
JP2000101055A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2001035853A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001284357A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Sony Corp | 半導体装置 |
WO2002043147A1 (de) * | 2000-11-23 | 2002-05-30 | Infineon Technologies Ag | Integrierte schaltungsanordnung mit analysierschutz und verfahren zur herstellung der anordnung |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010505279A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシー | リバースエンジニアリングに対する改善された抵抗力を有する半導体チップ |
KR101439182B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2014-09-12 | 엑셀리스 인코포레이티드 | 집적 회로 보호 및 검출 그리드 |
KR101383704B1 (ko) | 2008-01-18 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 회로 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP2016063061A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 集積回路装置の設計方法,集積回路装置の製造方法及びその集積回路装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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