JP2006352470A - 高周波用電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電損失が格段に小さく、電気絶縁特性にも優れ、かつ薄さと力学的な強度を兼ね備えた、高周波用電子部品を提供する。
【解決手段】１００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚ の電気信号を伝送する導体配線と、少なくとも一方向に延伸配向された空洞含有熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁層とを有する高周波用電子部品であって、前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、内部に３〜４５体積％の空洞を含有し、フィルムの厚み方向に存在する空洞の積層数が５個以上、かつ下記式で定義される空洞積層数密度が０．１〜１０個／μｍの範囲であることを特徴とする高周波用電子部品。
空洞積層数密度（個／μｍ）
＝フィルム厚み方向の空洞の積層数（個）／フィルム厚み（μｍ）
【選択図】図４

Description

本発明は、１００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚの電気信号を伝送する導体配線と、空洞含有熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁層とを有する高周波用電子部品に関する。

近年、ＰＨＳ、携帯電話等の情報通信機器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイムは、ＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進んでいる。電機信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁層の比誘電率の平方根、誘電正接および電気信号の周波数の積に比例するため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。一方、誘電損失の増大は電気信号を減衰させて信号の信頼性を損なうので、これを抑制するためには、絶縁層の材料として誘電率、誘電正接の小さな材料を選定することが重要である。

材料の低誘電率化や低誘電正接化には、材料の分子構造中の極性基の除去が有効であり、種々の材料が提案されている。その中でも、特にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素樹脂は、誘電率及び誘電正接が共に低く、高周波信号を扱う各種電気部品の絶縁層として広く使用されている。しかしながら、ＰＴＦＥは、加工性、接着性、価格などの点から制限が多く、汎用性のある材料が要望されていた。特に、ＲＦ−ＩＤ用アンテナ回路やフレキシブルフラットケーブルなどの電子部品においては、上記の誘電特性に加え、絶縁膜の薄肉化が要求される。

前者のＲＦ−ＩＤ用アンテナ回路は、非接触認証用のＩＣチップ内臓カードやタグに使用される高周波回路であり、無線にて外部との信号の授受をする電子装置ないし素子である。そして、信号授受の方法や使用周波数、カード・タグの形状に応じて、プラスチックフィルム上に、アンテナ回路が形成される。

前記の信号授受の方法には、２つの主要な型式のものがあり、「電磁誘導方式」と「マイクロ波方式」に大別される。前者のアンテナ形状はループコイル状になっており、磁界を電力に変えて通信をすることから電磁誘導方式と呼ばれる。電磁誘導方式のＲＦタグに用いられる周波数帯は、１３５ＫＨｚ以下帯または、１３．５６ＭＨｚ帯であり、その通信周波数は低い。したがって、電磁誘導方式のアンテナ回路においては、絶縁材料に対する低誘電正接化要求は、比較的小さい。

これに対し、「マイクロ波方式」は、それ自体の送信機を有しないが、入射する信号をタグのデータにより変調し且つ同時にその信号を読取装置に反射して戻すことにより、読取装置からタグのアンテナに衝突（ｉｍｐｉｎｇｉｎｇ）する信号を利用するものである。この通信方法は、後方散乱変調法とも呼ばれ、レーダの原理に従う。そして、その通信周波数帯には、ＵＨＦ帯（８００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）または２．４５ＧＨｚ帯が用いられる。また、タグ側のアンテナには、波長の１／２〜１／４の長さに合わせて設計されたダイポールアンテナが使用される。そして、マイクロ波方式のＲＦタグは電磁誘導方式のタグに比べて通信距離が長くなるという利点があり、物流市場などで急速に利用が拡大しつつある。しかしながら、その使用周波数帯は高く、アンテナ回路の絶縁材料に対する低誘電正接化の要求は非常に大きい。

また、フレキシブルフラットケーブルは、並列に配置した平角導体の両面をプラスチックフィルムで挟んだ薄型テープ形状の並列多芯電線であり、電子機器のプリント基板相互間や、プリント基板と電子部品間を接続するためのリード線として使用される、機器の小型化、高密度化には不可欠の電子部品である。そして、フレキシブルフラットケーブルにおける誘電損失は、伝送信号の劣化、エラー発生の要因となり、ひいては電子機器の信頼性を低下させてしまう。

しかしながら、フッ素樹脂では、製造可能な厚みの下限に制約があることや、薄肉化時に力学的な強度が不十分となることなどから、前記用途の絶縁材料においては、力学特性に優れ、かつ容易に薄肉化できる、ポリエステルフィルムが広く用いられているのが実情である。すなわち、これらの電子部品においては、低誘電損失の絶縁材料は実用化されていない。

なお、材料の低誘電率化や低誘電正接化には、絶縁材料中に空隙（空気）を分散させる方法も知られている。そして、この方法を採用すれば比較的安価に、誘電率が小さい絶縁材料を得ることが出来る。例えば、二枚の合成樹脂フィルムの間に、孔開きの合成樹脂フィルムを貼り合わせたものが開示されている（例えば、特許文献１を参照）。また、絶縁材料の誘電率が２．５以下になるように、微小中空球体（ガラス、シリカ、アルミナ等のマイクロバルーン）を含有させた電気・電子機器、これらの絶縁材料を用いた電線（マグネットワイヤ）、複合フィルム、コイル含浸用ワニス、粘着テープ、絶縁スリーブ、プリプレグ材料が開示されている（例えば、特許文献２を参照）。
特開平９−１５１８５１号公報 特開平１１−２８８６２１号公報

しかしながら、これらの方法では、空隙率に応じて誘電率と誘電正接が低下するに過ぎず、革新的な低誘電損失を図ることは不可能であるとされてきた。具体的には、誘電率εｏ、誘電正接ｔａｎδｏの絶縁体を発泡させた場合、発泡度（空気泡と原絶縁体の体積比）をＰとすると、発泡体の実効誘電率εと実効誘電正接ｔａｎδは、それぞれ以下の数式（１）、（２）で示されるＷａｇｎｅｒの式として知られている。

図１及び図２は、それぞれ、前記式（１）および（２）から求められる発泡度Ｐと実効誘電率εの関係、及び発泡度Ｐと実効誘電正接ｔａｎδとの関係を示すものである。図１及び図２より、発泡度が大きくなると、実効誘電率も実効誘電正接が小さくなることが分かる。すなわち、これまで認識されてきた空隙の導入による低誘電化及び低誘電正接化は、前記の数式から予測される範囲に過ぎない。

また、絶縁材料中に空隙を導入することは、低誘電率化や低誘電正接化には有効であるものの、絶縁系の電極的性能を低下させる要因として、これまでは認識されてきた。具体的には、内部にボイド（気泡，空隙）やギャップを有する固体絶縁体に電圧を印加すると、低い電圧でも絶縁破壊の強さが低い空気層が先に放電する。そして、この部分放電の繰り返しにより、先端の鋭いくぼみ（ピット）のようなものが形成されると、そこに放電が集中し、先端の電界が高まって樹枝状（トリー状）の絶縁破壊を生じる。いったんトリー（樹枝状の絶縁破壊の痕跡）が発生すると、そこに空気層ができ、そこでの部分放電が関与しながら長く伸びていく。そして最後に絶縁破壊に至る。すなわち、絶縁材料中への空隙の導入は、これまで、絶縁性能を低下させる原因として広く認識されてきた。絶縁性能の低下は、特に、絶縁膜の厚さが薄くなればなるほど問題になる。

なお、空洞含有二軸延伸フィルムを絶縁材料として使用することは、コンプレッサー用モーター絶縁用途への適用例として開示されている（例えば、特許文献３、４、５を参照）。
特開平９−２８６８６７号公報 特開平１１−２５７５７号公報 特開２０００−１６９６０７号公報

しかしながら、これらの提案のいずれにおいても特段の誘電損失低減効果は見出されていない。特許文献３では、比重１．０（見かけ密度が２９％低減されている）の空洞含有二軸延伸ポリエステルフィルムを絶縁材料として用いた場合、コンプレッサーのモーターの漏れ電流が、２３％低下したことが開示されている。２９％の空隙を絶縁体中に導入すれば、誘電損失が２３％低下することは、前記の図１から容易に理解できる。また、特許文献４および５においては、絶縁材料の誘電率が空洞含有率に応じて低下することが開示されているに過ぎない。

また、空洞含有率が５〜５０体積％で、かつ少なくとも一方向に延伸配向された空洞含有フィルムを用いたアンテナ回路が開示されている（例えば、特許文献６を参照）。
特開２００５−１００３７１号公報

しかしながら、特許文献６に記載の発明は、１３５ＫＨｚ以下帯または、１３．５６ＭＨｚ帯の低周波数の電磁誘導を利用したループアンテナ回路に関するものであり、本発明で規定する高周波電子部品には該当しない。このことは、特許文献６の実施例１に開示されたアンテナの形状（平面コイル状アンテナ （８０ｍｍ×４８ｍｍ））から明白である。また、当該発明の目的は、ＩＣチップやアンテナ 回路の凹凸がカード表面に現れない、意匠性に優れたアンテナシートを提供することであって、電子部品の誘電損失を低減させることを目的とするものではない。

すなわち、空洞含有フィルムの絶縁材料への用途展開は、コンプレッサー用モーター絶縁用途への適用例、及び１００ＭＨｚ未満の電磁誘導方式のアンテナ回路への適用例が開示されているに過ぎず、これを高周波回路に適用した場合に初めて得られる、優れた特性については何ら開示も示唆もされていない。むしろ、これまで、空隙を絶縁材料中に形成させる方法は、絶縁性能の低下をもたらすものと認識され、敬遠されてきたのが実情である。

さらに、高周波回路の絶縁層には、遅延回路の形成、低インピーダンス回路における配線基板のインピーダンス整合、配線パターンの細密化、基板自身にコンデンサを内蔵した複合回路化等の要求があり、絶縁層の高誘電率化と低誘電正接化が同時に要求される場合がある。そのため、高誘電率層と低誘電率層を複合化した電子部品の例が提案されている（例えば、特許文献７、８、９を参照）。
特開２０００−９１７１７号公報 特開２００１−２４７７３３号公報 特開２００１−３４５２１２

これらのうち、特許文献７では、高誘電率で低誘電正接な絶縁層を用いた電子部品の例を、特許文献８および９では、高誘電率かつ低誘電正接な絶縁層を、前述の誘電率と誘電正接が低い絶縁層に、セラミック粉または絶縁処理を施した金属粉等の高誘電体絶縁材料を分散させることによって形成させている。しかしながら、前記の絶縁材料中に空隙（空気）などの低誘電率体を分散させる方法では、高誘電率を維持しつつ誘電正接を小さくすることは、本質的に極めて困難である。

前述のように、高周波用電子部品では、その絶縁層の誘電率は、形成する回路の性質によってコントロールすることが必要である。しかし、誘電損失の低減を図るために絶縁層を低誘電正接化することと、低誘電正接化に伴う絶縁性能の低下を生じないようにすることは、いずれの場合も必須である。

本発明の目的は、前記の従来技術における問題を背景になされたものであり、誘電損失が格段に小さく、電気絶縁特性にも優れ、かつ薄さと力学的な強度を兼ね備えた、高周波用電子部品を提供することにある。

上記の課題を解決することができた本発明の高周波用電子部品とは、１００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚ の電気信号を伝送する導体配線と、少なくとも一方向に延伸配向された空洞含有熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁層とを有する高周波用電子部品であって、前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、内部に３〜４５体積％の空洞を含有し、フィルムの厚み方向に存在する空洞の積層数が５個以上、かつ下記式で定義される空洞積層数密度が０．１〜１０個／μｍの範囲であることを特徴とする高周波用電子部品である。
空洞積層数密度（個／μｍ）
＝フィルム厚み方向の空洞の積層数（個）／フィルム厚み（μｍ）

本発明の高周波電子材料は、少なくとも一方向に延伸配向された空洞含有熱可塑性樹脂フィルムを絶縁層として使用し、フィルムの厚み方向に多数の空洞を存在させているため、１００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚという高周波領域において、誘電損失が格段に小さく、電気絶縁特性にも優れ、かつ薄さと力学的な強度を兼ね備えているという利点がある。

まず、本発明の高周波電子部品の構成、その作用効果、好適な製造方法について詳細に説明する。

（導体配線）
本発明の高周波電子部品において、前記導体配線は、少なくとも一方向に延伸配向された空洞含有フィルムからなる絶縁層上に形成され、１００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚの電気信号を伝送する機能を有する。

導体配線の形成方法は特に制約されるものではなく任意である。例えば、接着剤を介して空洞含有延伸フィルムと金属箔とを貼り合わせる方法、真空蒸着やスパッター法により、空洞含有延伸フィルム上に直接金属膜を形成する方法が採用できる。次いで、フォトレジストなどの方法によって配線回路をパターンニングし、ケミカルエッチング等の方法によって導体配線を形成する。また、金属線を空洞含有延伸フィルム上に直接パターンニングし、接着させることによって回路を形成しても良い。

１００ＭＨｚ未満の電気信号を伝送する電子部品においては、本発明の目的とする誘電損失の著しい低減効果は得られない。本発明の効果は、１００ＭＨｚ以上の電気信号を伝送する電子部品において初めて発揮され、特に３００ＭＨｚ以上、さらには８００ＭＨｚ以上、殊に１ＧＨｚを超える電気信号を伝送する場合に、いかんなく発揮される。

なお、本発明の効果が最も顕著に発揮される電子部品として、例えば、ＲＦ−ＩＤ用アンテナ回路とフレキシブルフラットケーブルが挙げられる。
本発明の高周波電子部品をＲＦ−ＩＤ用アンテナ回路として使用する場合、使用する周波数が１００ＭＨｚ以上であれば、電磁誘導方式、マイクロ波方式の何れの方式を採用してもよいが、ＵＨＦ帯、または２．４５ＧＨｚ帯の電磁波を用いるマイクロ波方式を採用することが好ましい。さらに、マイクロ波方式と電磁誘導方式を組み合わせて用いてもかまわない。

次に、本発明の効果が最も顕著に発揮される電子部品の一例として、フレキシブルフラットケーブルについて説明する。フレキシブルフラットケーブルは、並列に配置した平角導体の両面をプラスチックフィルムで挟んだ、薄型テープ形状の並列多芯電線である。そして、断面矩形の導体を一定間隔に並べ、上下をプラスチックフィルムテープで挟み、熱と圧力を加えて、テープ接合面を熱溶着または、接着剤を用いて接合して製造する。

（絶縁層）
本発明において、高周波電子部品に絶縁層として用いられる空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、少なくとも一方向に延伸配向されていることが、誘電損失を著しく低減し、かつ絶縁破壊電圧を高めるために非常に重要である。

本発明者らは、少なくとも一方向に延伸配向された、種々の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムの高周波特性を評価したところ、１００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚの高周波領域において、著しい誘電正接の低減効果が得られるフィルムがあることを見出したことが、本発明の開発のきっかけとなった。

例えば、内部に空洞を実質的に含有しないポリエステルフィルムでは、１ＧＨｚでの誘電正接が０．０１６であった。このポリエステルフィルムの内部に、２０体積％の空洞を形成した場合（発泡度Ｐ：０．２）、従来の技術常識から予測される誘電正接の推定値は、前記の図２より読み取ると、０．０１４である。これに対し、本願発明において、内部に２０体積％の空洞を有する二軸延伸ポリエステルフィルムを作成した場合（発泡度Ｐ：０．２）、誘電正接の実測値が０．００４であった。したがって、本発明におけるフィルム内部の空洞による誘電正接の低減効果は、従来常識からは予測できないほど顕著で、優れたものであった。

本発明において、高周波電子部品の絶縁層として用いる空洞含有フィルムは、１ＧＨｚにおける誘電正接の上限が、０．０１０であることが好ましく、特に好ましくは０．００５である。また、フィルムの機械的強度が要求される場合には、前記の誘電正接の下限が０．０００５であることが好ましく、特に好ましくは０．００１である。

１ＧＨｚにおける誘電正接が０．０１０を超える場合には、高周波電子部品における誘電損失の低減効果が不十分となる。一方、１ＧＨｚにおける誘電正接は小さいほど好ましいが、１ＧＨｚにおける誘電正接を０．０００５未満とするために、フィルムの内部の空洞の含有率を著しく大きくすると、フィルムの機械的な強度を著しく損なう場合がある。フィルムの内部の空洞の含有率を大きくする方法として、マトリックスの熱可塑性樹脂に、空洞発現剤となる、非相溶な熱可塑性樹脂の含有量を多くする方法、非相溶な熱可塑性樹脂としてマトリックスの熱可塑性樹脂と表面張力の差が大きい熱可塑性樹脂を用いる方法、あるいはフィルム延伸時の延伸応力を大きくする方法、が挙げられる。

本発明において、前記の空洞含有フィルムの空洞の含有率の上限は４５体積％であり、好ましくは４０体積％、特に好ましくは３５体積％である。一方、前記の空洞含有フィルムの空洞の含有率の下限は３体積％であり、好ましくは５体積％、特に好ましくは１０体積％である。

さらに、本発明者らは、空洞含有フィルムの電気絶縁特性についても評価したところ、その絶縁破壊電圧は、従来の技術常識に比べ、空洞を実質的に含有しないフィルムよりも明らかに高く、電気絶縁特性にも優れている事実を見出した。

この空洞含有フィルムを絶縁破壊試験に供した場合、理論的には、フィルム内部の空洞がマトリックスの熱可塑性樹脂よりも先に、部分放電を開始するはずである。しかしながら、実際の絶縁破壊試験における空洞含有フィルムの放電開始電圧は、空洞を含有しないフィルムの放電開始電圧とほとんど変わらない。一方、空洞を含有しないフィルムでは、１回の放電でフィルム全体が完全な絶縁破壊に至る場合が多いが、空洞含有フィルムの場合は、１回の放電でフィルム全体が絶縁破壊に至ることはなく、完全な絶縁破壊には多数回の放電が必要であることを見出した。そのため、絶縁破壊電圧は、空洞含有フィルムの方が、空洞を実質的に含有しないフィルムよりも高くなると考えられる。

本願発明において、絶縁層として用いる空洞含有フィルムが、従来の技術常識と比べ、誘電正接が低く、絶縁破壊電圧が高いという優れた特性が得られる理由は、完全には明確ではないが、フィルム内部での空洞の分散状態や形態が寄与しているものと思われる。特に、絶縁破壊電圧の改善効果に関しては、フィルム内部に空洞が独立した分散体として、フィルムの厚み方向に多数存在するためと推察される。

恐らく、１回の放電で破壊されるのは、フィルムの厚み方向に最初に放電された空洞のみであり、この空洞が絶縁破壊しても、次々と新たな空洞（界面）が発現するため、結果としてトリー（樹枝状の絶縁破壊の痕跡）の連続的な進行が抑制されるものと考えられる。そして、フィルム全体を一気に貫通する絶縁破壊を生じさせるには、極めて高い電圧を印加する必要があるものと考えられる。この考えは、実験結果とも整合している。すなわち、フィルム厚さ方向に空洞を多数存在させることにより、空洞を含有しないフィルムの絶縁破壊電圧と比べ、高い絶縁破壊電圧を得ることが出来るのである。

具体的には、本発明の高周波電子部品に絶縁層として用いられる空洞含有フィルムの厚み２５０μｍにおける絶縁破壊電圧が、空洞を実質的に含有しないフィルムのそれに比べ１．２倍を超えることが好ましい。ここで、空洞を実質的に含有しないフィルムとは、空洞積層数密度が０．０個／μｍ未満のフィルムを意味する。

このような誘電損失が著しく小さく、かつ絶縁破壊電圧が大きい空洞含有フィルムの技術的特徴は、フィルムの内部に３〜４５体積％の空洞を含有し、フィルムの厚み方向に存在する空洞の積層数が５個以上、かつ下記式で定義される空洞積層数密度が０．１〜１０個／μｍの範囲を満足するような、フィルム厚み方向に空洞が多数存在することである。
空洞積層数密度（個／μｍ）
＝フィルム厚み方向の空洞の積層数（個）／フィルム厚み（μｍ）

空洞含有フィルムの内部の空洞積層数密度は、絶縁破壊電圧の点からは、大きいことが好ましいが、一般にフィルム強度が低下しやすくなる。空洞積層数密度を大きくするためには、（１）フィルム内部の空洞を物理的あるいは化学的な方法により微分散化して数を増やす方法、（２）空洞を円盤状に薄く広げ、フィルムの厚み方向に対し、空洞の面積を大きくする方法が好ましい。実用上必要なフィルム強度を維持しながら、絶縁破壊電圧を高くするためには、前記の空洞積層数密度の上限を５個／μｍとすることが好ましく、さらに好ましくは１個／μｍとする。

なお、フィルム内部の空洞を物理的あるいは化学的な方法により微分散化して数を増やす方法は任意であり、特に制限されるものではない。例えば、熱可塑性樹脂ａ、熱可塑性樹脂ａに非相溶な熱可塑性樹脂ｂ１、熱可塑性樹脂ａ及びｂ１に非相溶で、かつ熱可塑性樹脂ｂ１よりも表面張力の大きい熱可塑性樹脂ｂ２を併用する方法、あるいはポリアルキレングリコール又はその誘導体を併用する方法、を用いて非相溶樹脂ｂを微分散化させる化学的方法、樹脂の溶融押出工程に静的混合機を設置し、その剪断力により非相溶樹脂ｂを微分散化させる物理的方法、などが挙げられる。

さらに、空洞含有フィルムの厚みが薄くなっても、フィルムの絶縁破壊電圧を高くするためには、フィルムの厚み方向に存在する空洞の積層数を５個以上とすることが重要である。また、本発明において、絶縁層となる空洞含有フィルムの厚みは１０〜５００μｍが好ましく、用途や要求特性によって前記範囲で適宜選択すればよい。フィルム厚みの上限は、３５０μｍがより好ましく、特に好ましくは２５０μｍである。一方、フィルム厚みの下限は、より安定した絶縁破壊電圧を確保する点から、２０μｍがより好ましく、特に好ましくは３０μｍである。

次に、本発明の高周波電子部品に絶縁層として用いられる、空洞含有熱可塑性樹脂フィルムの好適な製造方法について説明する。
本発明において、絶縁層として用いる空洞含有フィルムは、（１）マトリックスの熱可塑性樹脂ａと、該熱可塑性樹脂ａに非相溶な熱可塑性樹脂ｂの分散体とからなる、海・島構造を有する樹脂組成物を、シート状に押し出し、次いでこの未延伸シートを少なくとも一方向に延伸させることにより、前記分散体の周囲に空洞（空気）を形成させる方法、または（２）熱可塑性樹脂ａ中に、無機粒子または耐熱性有機粒子を含有させた樹脂組成物を、シート状に押し出し、次いでこの未延伸シートを少なくとも一方向に延伸させることにより、前記粒子の周囲に空洞（空気）を形成させる方法、を用いる。前者の（１）の方法のほうが、空洞発現材となる非相溶な熱可塑性樹脂は密度が小さいため、より多数の空洞が得られるので好適である。

前記の海・島構造を有する（１）の方法について、詳しく説明する。
前記の（１）の方法において、空洞含有フィルムの海成分となる材料は、延伸配向処理が可能な熱可塑性樹脂であれば、特に限定されるものではなく任意であるが、耐熱性の点から、ポリエステルが好適である。

ここで、ポリエステルとは、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボン酸又はそのエステルとエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコールなどのグリコールとを重縮合させて製造されるポリエステルである。これらのポリエステルは、（１）芳香族ジカルボン酸とグリコールとを直接エステル化反応させ、次いで重縮合反応させる直重法、（２）芳香族ジカルボン酸のアルキルエステルとグリコールとをエステル交換反応させ、次いで重縮合させるエステル交換法、（３）芳香族ジカルボン酸のジグリコールエステルを重縮合させる方法、のいずれかの方法で製造することができる。

前記のポリエステルの代表例として、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートあるいはポリエチレン−２，６−ナフタレートが挙げられる。前記のポリエステルはホモポリマーであってもよく、第三成分を共重合したものであってもよい。これらのポリエステルの中でも、エチレンテレフタレート単位、トリメチレンテレフタレート単位、あるいはエチレン−２，６−ナフタレート単位が７０モル％以上、好ましくは８０モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上であるポリエステルが好ましい。

また、島成分となる材料は、ポリエステルに非相溶な熱可塑性樹脂としては、特に限定されるものでなく、ホモポリマーであっても共重合成分を有するポリマーであってもよいが、ポリオレフィン、ポリスチレンを主体とする材料が好ましい。また、ポリスチレンは必ずしもホモポリマーに限定されるものではなく、種々の成分を共重合した共重合ポリマーであってもよい。しかしながら、共重合ポリマーを用いる場合、共重合成分が本発明の効果を妨げないことが必要である。なお、ポリエステルに非相溶な熱可塑性樹脂の配合量は、フィルムの製造に用いる全原料に対し、１〜３０質量％とすることが好ましい。

ポリオレフィンとは、ポリエチレンやポリプロピレン、ポリメチルペンテン、各種の環状オレフィン系ポリマーや、これらの共重合物を指す。これらのポリオレフィンの中でも、高温下でも軟化しにくく、優れた空洞発現性を有する点から、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリオレフィンの主成分としてポリメチルペンテンを用いる場合には、必ずしも単独で用いる必要はなく、他のポリオレフィンを副成分として添加してもよい。副成分として用いる樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレンやこれらに種々の成分を共重合させたものが挙げられるが、特に限定されるものではない。副成分として添加するポリオレフィンの粘度は特に限定されるものではないが、添加量は主成分として添加する樹脂の添加量を超えないことが重要である。

ポリスチレンとは、ポリスチレン構造を基本構成要素として含む熱可塑性樹脂を指し、アタクティックポリスチレン、シンジオタクティックポリスチレン、アイソタクティックポリスチレン等のホモポリマーのほか、その他の成分をグラフトあるいはブロック共重合した改質樹脂、例えば耐衝撃性ポリスチレン樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等、さらにはこれらのポリスチレン系樹脂と相溶性を有する熱可塑性樹脂、例えばポリフェニレンエーテルとの混合物を含む。

また、ポリエステルに非相溶な熱可塑性樹脂として、ポリオレフィンとポリスチレンを併用する場合、ポリオレフィンの溶融粘度ηo（ｐｏｉｓｅ）とポリスチレンの溶融粘度ηs（ｐｏｉｓｅ）の比（ηo／ηs）が０．８０以下であることが好ましい。前記の溶融粘度の比（ηo／ηs）は、０．６０以下であることがより好ましく、０．５０以下であることが最も好ましい。前記の溶融粘度比が、０．８０を越えると、分散粒子中のポリスチレン系樹脂相の分布が不均一になり、分散粒子の相構造が不安定になる。そのため、分散粒子の分散状態を悪化させ、本発明で規定する空洞の積層数密度を満足させることが困難になる。

また、空洞含有フィルムの隠蔽性をさらに高めるために、要求される隠蔽性の程度に応じて、白色粒子を３０質量％以下の範囲で含有させてもよい。白色粒子としては、二酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、硫化亜鉛などが挙げられる。しかしながら、二酸化チタンは誘電体なので、低誘電率が要求される用途では、使用しないか、最小限の量にすべきである。

本発明で、絶縁層として用いる空洞含有フィルムは、単層でもかまわないが、他の機能を付与したり、フィルムの破断を防止したりするために、２層以上の積層構成としてもよい。例えば、空洞含有フィルムのいずれか片面又は両面にポリエステル層又はポリエステルに対し接着性を有する樹脂層を共押出し法により積層してもよい。また、積層する樹脂中には、本前記の空洞含有フィルムと同種又は異種の空洞発現材を含有させてもよい。

また、前記の空洞含有フィルムにおいては、そのいずれか片面又は両面に塗布層を設けてもよい。塗布層を設けることにより、接着性や帯電防止性を改善することができる。塗布層を構成する化合物としては、ポリエステル系樹脂が好ましいが、この他にも、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル系樹脂など、通常のポリエステルフィルムの接着性や帯電防止性を向上させる手段として開示されている化合物などが適用可能である。

塗布層を設ける方法としては、グラビアコート方式、キスコート方式、ディップ方式、スプレイコート方式、カーテンコート方式、エアナイフコート方式、ブレードコート方式、リバースロールコート方式など通常用いられている方法が適用できる。塗布する段階としては、フィルムの延伸前に塗布する方法、縦延伸後に塗布する方法、配向処理の終了したフィルム表面に塗布する方法などのいずれの方法も可能である。

前記の空洞含有フィルムの製造方法は任意であり、特に制限されるものではないが、例えば前述の組成からなる混合物を溶融させ、フィルム状に押出し成形して未延伸フィルムとした後、この未延伸フィルムを少なくとも一方向に延伸するという一般的な方法を用いることができる。

前記（１）の空洞含有フィルムの製造方法においては、原料を溶融して押出し成形する過程で、ポリエステル中に、これと非相溶な熱可塑性樹脂を分散させている。本発明の実施例では、ポリエステル及びこれに混合させる樹脂はペレット形状で供給されているものを用いたが、これに限定されるものではない。フィルム状に溶融成形するため押出機に投入する原料は、目的の組成に応じてこれらの樹脂をペレット混合して準備した。しかし、本発明で用いるポリエステルとポリオレフィンは一般に比重が大きく異なっており、一度混合したペレットが押出機に供給される過程で再分離しない工夫を加えることが好ましい。このための方策の好ましい例としては、事前に原料樹脂の一部又は全部を組み合わせて混練りした後、ペレタイズし、マスターバッチペレットとして準備する方法が挙げられる。本発明ではこの方法を用いたが、本発明の効果を妨げない限り特に限定されるものではない。

また、これらの非相溶な熱可塑性樹脂の混合系の押出しにおいては、溶融状態で混合して微分散させた後も、樹脂の界面エネルギーを減少させようという働きから再凝集する性質がある。これは未延伸フィルムを押出成形する際に空洞発現剤を粗分散化させ、求める物性発現の妨げとなる現象である。

これを防ぐため、本発明のフィルムを成形する際にはより混練り効果の高い二軸押出機を用いて、空洞発現剤をあらかじめ微分散させておくことが好ましい。また、これが困難な場合には補助的な手段として、押出機から吐出される樹脂を静的混合器に通すことで空洞発現剤を微分散させてから、フィードブロック又はダイスに供給することも好ましい。

ここで用いる静的混合器としては、スタティックミキサーやオリフィスなどを用いることができる。ただし、これらの方法をとった場合にはメルトライン中に熱劣化した樹脂を滞留させることもあり、注意が必要である。なお、溶融状態の非相溶樹脂の再凝集は低剪断状態で時間と共に進行すると考えられるので、押出機からダイスに至るメルトライン中にとどまる時間を減少させることが根本的な解決となる。本発明において、この時間は３０分以下であることが好ましく、１５分以下であることがより好ましい。

上述のようにして得た未延伸フィルムを延伸・配向処理する条件は、フィルムの物性と密接に関係する。以下では、最も汎用な逐次二軸延伸方法、特に未延伸フィルムを長手方向次いで幅方向に延伸する方法を例にとり、延伸・配向条件を説明する。

縦延伸工程では、周速が異なる２本あるいは多数本のロール間で延伸する。このときの加熱手段としては、加熱ロールを用いる方法でも非接触の加熱方法を用いる方法でもよく、それらを併用してもよい。次いで、一軸延伸フィルムをテンターに導入し、幅方向にＴｇ以上Ｔｍ−１０℃以下の温度で２．５〜５倍に延伸する。なお、Ｔｇはガラス転移点、Ｔｍは融点を意味する。

また、上記の二軸延伸フィルムに対し、必要に応じて熱処理を施す。熱処理はテンター中で行うのが好ましく、Ｔｍ−６０℃〜Ｔｍの範囲で行うのが好ましい。

次に、前記（２）の空洞を円盤状に薄く広げ、フィルムの厚み方向に対し、空洞の面積を大きくする方法においては、横延伸を施す際、２段階以上の異なる温度領域で行うと共に、最終横延伸の温度を１８０℃以上の範囲とすることが好ましい。この様に横延伸条件を特に規定するのは、従来の延伸温度は８０〜１４０℃と低いため、空洞の変形が十分得られず、厚みの薄い空洞を得ることが困難となる。

上記の横延伸工程は、この様な問題を克服することができる方法として非常に有用なものである。具体的には、まず１回目の横延伸を１００〜１５０℃で２．０〜３．０倍に延伸した後、更に２回目の横延伸を１８０〜２３０℃で１．２〜２．０倍に延伸する。ここで１回目の横延伸倍率は縦延伸の倍率よりも低くすることが必要である。１回目の延伸は、空洞を十分生成させた２軸延伸フィルムを得るためのものであり、２回目の延伸は、薄くて縦横のバランスのとれた空洞とするためのものであり、２回目の延伸による空洞数の増大効果はほとんど見られない。なお、１回目および２回目の横延伸倍率の合計は縦延伸倍率を超えても構わない。

上記延伸を施した後、更に熱処理を行うことが好ましいが、この熱処理温度は、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２２０℃以上、更により好ましくは２３０℃以上である。上記熱処理は、２〜５％の緩和処理を行ってから施しても良い。

（本発明における絶縁層の他の実施形態）
前記の背景技術の欄でも説明したように、高周波回路の絶縁層には、遅延回路の形成、低インピーダンス回路における配線基板のインピーダンス整合、配線パターンの細密化、基板自身にコンデンサを内蔵した複合回路化等の要求があり、絶縁層の高誘電率化と低誘電正接化が同時に要求される場合がある。

このような場合、前記の空洞含有延伸フィルムを、表面層（Ｂ）／空洞含有層（Ａ）の少なくとも２層の層構成とし、表面層（Ｂ）は、セラミック粒子または絶縁処理を施した金属粒子を０．０１〜６０質量％含有する樹脂組成物から構成させることが好ましい。また、前記のセラミック粒子または絶縁処理を施した金属粒子の平均粒径は、０．０１ 〜１０μｍであることが好ましい。

この構成により、前記表面層（Ｂ）は１ＧＨｚにおける誘電率が３．０〜１００の高誘電率層となり、前記空洞含有層（Ａ）は１ＧＨｚにおける誘電率が１．５〜３．０の低誘電率層とすることが可能となる。そして、前記の積層構成とすることにより、フィルム全体の誘電率を任意に制御することができる。

表面層（Ｂ）に含有させることができるセラミック粒子としては、例えば、MgSiO₄ 、MgTiO₃ 、ZnTiO₃ 、ZnTiO₄ 、TiO₂ 、CaTiO₃ 、SrTiO₃ 、SrZrO₃ 、BaTi₂ O₅ 、BaTi₄O₉ 、Ba₂Ti₉O₂₀ 、Ba(Ti,Sn)₉O₂₀ 、ZrTiO₄ 、(Zr,Sn)TiO₄ 、BaNd₂Ti₅O₁₄ 、BaSmTiO₁₄ 、Bi₂O₃-BaO-Nd₂O₃-TiO₂ 系、La₂Ti₂O₇ 、BaTiO₃ 、Ba(Ti,Zr)O₃ 系、(Ba,Sr)TiO₃ 系等の高誘電率絶縁体を挙げることができる。

同様に、絶縁処理を施した金属微粒子としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、鉄、コバルト、亜鉛を、リン酸、ほう酸、酸化マグネシウムなどの絶縁材料の水溶液と混合後、乾燥させたものや、Mn-Mg-Zn系、Ni-Zn系、Mn-Zn系、カーボニル鉄、Fe-Si系、Fe-Al-Si系、Fe-Ni系、等を挙げることができる。また、これらの粒子は、前記表面層（Ｂ）層だけでなく、必要により前記空洞含有層（Ａ）やその他の層に添加してもかまわない。

また、前記の高誘電セラミック粒子や絶縁処理を施した金属微粒子以外に、フィルムに滑り性、隠蔽性、難燃性、耐光性などの機能付与を目的として、カオリナイト、タルク、炭酸カルシウム、ゼオライト、アルミナ、硫酸バリウム、カーボンブラック、酸化亜鉛、硫化亜鉛、有機白色顔料等の粒子、難燃剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を、本発明の効果を阻害しない範囲で、表面層（Ｂ）に併用してもかまわない。

次に、本発明の効果を実施例および比較例を用いて説明する。まず、本発明で使用した特性値の評価方法を下記に示す。
［評価方法］
（１）ポリエステル樹脂の固有粘度
ＪＩＳ Ｋ ７３６７−５に準拠し、溶媒としてフェノール（６０質量％）と１，１，２，２−テトラクロロエタン（４０質量％）の混合溶媒を用い、３０℃で測定した。

（２）ポリメチルペンテン及びポリスチレンの溶融粘度（ηo、ηs）
樹脂温度２８５℃、剪断速度１００／秒における溶融粘度を、フローテスター（島津製作所製、ＣＦＴ−５００）を用いて測定した。なお、剪断速度１００／秒での溶融粘度の測定は、剪断速度を１００／秒に固定して行うことが困難であるため、適当な荷重を用いて、１００／秒未満の任意の剪断速度および当該速度よりも大きい任意の剪断速度で溶融粘度を測定し、縦軸に溶融粘度、横軸に剪断速度をとり、両対数グラフにプロットした。前記の２点を直線で結び、内挿により剪断速度１００／秒での溶融粘度（η：ポイズ）を求めた。

（３）フィルムの厚み
ＪＩＳ Ｋ ７１３０「発泡プラスチック−フィルム及びシート−厚さ測定方法」に準拠して測定した。測定器は電子マイクロメーター（マール社製、ミリトロン１２４０）を用い、５ｃｍ角サンプル（４枚）について、各５点（計２０点）測定し、この平均値を厚みとした。

（４）フィルムの見かけ密度
ＪＩＳ Ｋ ７２２２「発泡プラスチック及びゴム−見かけ密度の測定」に準拠して測定した。但し、表記を簡便にするため、単位をｇ／ｃｍ³に換算した。

（５）フィルムの空洞含有率
測定するフィルム片について、上記（３）の方法により見かけ密度を求めた。次に、このフィルム片を凍結粉砕機により十分に細かく粉砕した。粉砕したサンプルは真空中で脱気しながら、再溶融したのちにシート状に固化させた。これを真空中から取り出し、室温に達するまで十分冷却してから、再度見かけ密度を求めた。脱気前後の見かけ密度の差の大きさを脱気後の密度で除して空洞含有率（％）を求めた。

（６）フィルムの比誘電率及び誘電正接
誘電材料測定電極（アジレントテクノロジ（株）製、ＨＰ１６４５３Ａ型）、及びインピーダンス・マテリアルアナライザ（アジレントテクノロジ（株）製、ＨＰ４２９１Ａ型 ）を用いて、平行平板法にて、１．０ＧＨｚにおける特性を評価した。測定に供した試料は、２５ｍｍ×２５ｍｍの大きさに切り揃えたものを複数用意して重ね合わせ、トータル厚みが０．９０〜１．１０ｍｍの範囲となるようにした。そして、重ね合わせた試料を前記電極間に挿入し、比誘電率と誘電正接を測定した。そして、同様の測定を５回行い、その平均値を求めた。なお、これらの測定は、２５℃、相対湿度５０％に制御された実験室内で行った。

（７）フィルムの絶縁破壊電圧
ＪＩＳ Ｃ ２３１８−１９９７の「５．３．１０（１）交流電圧法」に準拠し、油中で測定した。測定に用いた電極の直径は、上部電極は２５ｍｍ、下部電極は７５ｍｍとした。測定に供した試料は、２５０ｍｍ×２５０ｍｍの大きさに切り揃えたものを複数枚用意し、厚みが２５０μｍとなるように重ね合わせて測定に供した。ただし、重ね厚みが２５０μｍとならない試料の場合は、前後の厚みについて絶縁破壊測定を行い、案分計算により厚み２５０μｍでの絶縁破壊電圧（Ｖ１）を求めた。

なお、同様の測定を、厚みが５０μｍと２５０μｍの２種類の二軸延伸透明ポリエステルフィルム（東洋紡製、Ｅ５００１）についても行い、空洞を実質的に含有しないフィルムの絶縁破壊電圧（Ｖ０）とした。次いで、厚み２５０μｍにおける絶縁破壊電圧の比（Ｖ１／Ｖ０）を求めた。

（８）フィルムの厚み方向に存在する空洞の積層数、及びフィルムの空洞積層数密度
フィルム断面の空洞の観察には走査型電子顕微鏡を用い、サンプルの異なる部位の５箇所において、フィルムの縦延伸方向と平行で、かつフィルム面に垂直な割断面を観察した。観察は３００〜３０００倍の適切な倍率で行い、フィルムの全厚みの中における空洞の分散状態が確認できるように写真を撮影した。次いで、写真の画像上の任意の場所で、フィルム表面に垂直方向に直線を引き、この直線に交わる空洞の個数を計数した。この空洞の数を、フィルムの厚み方向の空洞の個数（積層数）と定義する。また、この直線に沿ってフィルムの全厚み（μｍ）を測定し、空洞の積層数をフィルムの全厚みで除して空洞積層数密度（個／μｍ）を求めた。なお、計測は写真１枚につき５箇所で行い、総計２５箇所の平均値を求めてサンプルの空洞積層数密度とした。

実施例１
（１）絶縁層１
（ａ）フィルム原料の製造
（空洞発現材ａ）
溶融粘度（ηo）１，３００ポイズのポリメチルペンテン（ＰＭＰ）樹脂６０質量％、溶融粘度２，０００ポイズのポリプロピレン（ＰＰ）樹脂２０質量％、及び溶融粘度（ηs）３，９００ポイズのポリスチレン（ＰＳ）樹脂２０質量％をペレット混合して、２８５℃に温調したベント式二軸押出機に供給、混練して空洞形成剤（原料ａ）を製造した。

（ポリエステルｂ）
シリカ粒子含有ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂を次の方法で得た。エステル化反応缶を昇温し、２００℃に到達した時点で、テレフタル酸を８６．４質量部及びエチレングリコールを６４．４質量部からなるスラリーを仕込み、攪拌しながら触媒として三酸化アンチモンを０．０３質量部及び酢酸マグネシウム４水和物を０．０８８質量部、トリエチルアミンを０．１６質量部添加した。

次いで、加圧昇温を行い、ゲージ圧０．３４３ＭＰａ、２４０℃の条件下で、加圧エステル化反応を行った。その後、エステル化反応缶内を常圧に戻し、リン酸トリメチル０．０４０質量部を添加した。さらに、２６０℃に昇温し、リン酸トリメチルを添加した１５分後に、平均粒子径（島津製作所製、ＳＡ−ＣＰ３）が１．０μｍの凝集体シリカ粒子のエチレングリコールスラリー（スラリー濃度：１４０ｇ／Ｌ）を、生成ポリエステルに対し、５００ｐｐｍとなるよう添加した。１５分後、得られたエステル化反応生成物を重縮合反応缶に移送し、２８０℃の減圧下で重縮合反応を行った。重縮合反応終了後、９５％カット径が２８μｍのナスロン製フィルターで濾過処理を行い、固有粘度が０．６２ｄｌ／ｇのポリエチレンテレフタレート（原料ｂ）を製造した。

（酸化チタン粒子含有マスターバッチｃ）
上記のポリエチレンテレフタレート（原料ｂ）と、表面にシロキサン処理を施した平均粒径 ０．２μｍのアナターゼ型二酸化チタン粒子（堺化学工業株式会社製）を質量比５０／５０で混合し、ベント式混練機で混練して、二酸化チタン粒子含有マスターバッチ（原料ｃ）を製造した。

（ｂ）フィルム１の製造
加熱下で真空乾燥を施した前記原料を、ａ／ｂ／ｃ＝１５／８５／０（質量比）となるように連続計量・連続攪拌してＡ層の原料とした。次に、この原料を、先端にダルメージゾーンを有するバリアタイプの単軸押出機に供給して溶融混練し、ギアポンプ、フィルター、直径５０ｍｍの短管内部に装着された１２エレメントのスタティックミキサーを経由して、直ちにフィードブロック（共押出し接合器）に供給した。

一方、Ｂ層の原料には前記原料をｂ／ｃ＝６０／４０（質量比）となるように連続計量したものを用い、ベント式二軸押出し機に供給して溶融混練し、ギアポンプ、フィルターを経由して前記フィードブロックに供給した。

フィードブロックでは、前記Ａ層の両面に前記Ｂ層を同じ厚みとなるように接合した。このとき、延伸前の各層の厚み比率がＢ／Ａ／Ｂ＝１０／８０／１０となるように、Ａ層側及びＢ層側の押出機及びギアポンプの回転数を制御した。

次いで、フィードブロックで接合した溶融ポリマーを、フィードブロック直下に連結されたコートハンガーダイに供給し、表面温度３０℃の冷却ドラム上にキャストして、厚さ１．９ｍｍの未延伸フィルムを製造した。このとき、冷却ドラム上に押出された溶融ポリマーの反対面には、１０℃の空気を吹き付け、溶融ポリマーを両面から冷却・固化させた。

次に、前記の方法で得られた未延伸フィルムを、加熱ロールを用いて６５℃に加熱した後、周速が異なるロール間で３．１倍に延伸した。このとき、低速ロールと高速ロールの中間部に、フィルムを挟んで対向する位置に集光ＩＲヒータを設置し、フィルムを均一延伸するために必要十分な熱量をフィルムの両面から均等に与えた。

次に、得られた１軸延伸フィルムをテンターに導入し、１２０℃から１５０℃に加熱昇温しつつ幅方向に３．９倍の延伸を行った。さらに、テンター内で、２２０℃の熱風を３０秒間吹き付け、熱処理を施した。その後、４０秒間をかけて室温まで徐々に冷却しつつ、幅方向に２％の緩和処理を施して、見かけ密度が０．８７ｇ／ｃｍ³、厚みが２５０μｍの空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルム（フィルム１）を製造した。得られたフィルム１の特性値を表１に示した。

（ｂ）フィルム２の製造
加熱下で真空乾燥を施した前記原料をａ／ｂ／ｃ＝８／８７／５（質量比）となるように連続計量・連続攪拌してＡ層の原料とした。次に、この原料を、先端にダルメージゾーンを有するバリアタイプの単軸押出機に供給して溶融混練し、ギアポンプ、フィルター、直径５０ｍｍの短管内部に装着された１２エレメントのスタティックミキサーを経由して、直ちにフィードブロック（共押出し接合器）に供給した。

一方、Ｂ層の原料には前記原料をｂ／ｃ＝７０／３０（質量比）となるように連続計量したものを用い、ベント式二軸押出し機に供給して溶融混練し、ギアポンプ、フィルターを経由して前記フィードブロックに供給した。

フィードブロックでは、前記Ａ層の両面に前記Ｂ層を接合した。このとき、延伸前の各層の厚み比率がＢ／Ａ／Ｂ＝１０／８０／１０となるように、Ａ層側及びＢ層側の押出機及びギアポンプの回転数を制御した。

次いで、フィードブロックで接合した溶融ポリマーを、フィードブロック直下に連結されたコートハンガーダイに供給し、表面温度３０℃の冷却ドラム上に、Ｂ面がドラム面となるようにキャストして、厚さ０．５ｍｍの未延伸フィルムを製造した。

次に、前記の方法で得られた未延伸フィルムを、加熱ロールを用いて６５℃に加熱した後、周速が異なるロール間で３．２倍に延伸した。このとき、低速ロールと高速ロールの中間部に、フィルムを挟んで対向する位置に集光ＩＲヒータを設置し、フィルムを均一延
伸するために必要十分な熱量をフィルムの両面から均等に与えた。

次に、得られた１軸延伸フィルムをテンターに導入し、１２０℃から１５０℃に加熱昇温しつつ幅方向に４．０倍の延伸を行った。さらに、テンター内で、２２０℃の熱風を７秒間吹き付け、熱処理を施した。その後、９秒間をかけて室温まで徐々に冷却しつつ、幅方向に２％の緩和処理を施して、見かけ密度が１．１０ｇ／ｃｍ³、厚みが５０μｍの空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルム（フィルム２）を製造した。得られたフィルム２の特性値を表１に示した。

（２）高周波電子部品（非接触式ＲＦタグ）
前記の空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルムを絶縁層として用い、高周波電子部品の実施態様の１つである非接触式ＲＦタグを作成した。

非接触式ＲＦタグの製造過程を、図３を用いながら説明する。
（ｉ）まず、前記の空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルム１（フィルム２）の片面（Ｂ層側表面）に、アルミニウム（Ａｌ）箔を接着する。表面の箔をアンテナ２のパターンにエッチングして、ダイポールアンテナを形成する。なお、箔を接着しエッチングする代わりに、アンテナ２のパターンに導電性ペーストを用いて直接印刷してもよい。

（ii）次に、アンテナ２の終端をＩＣチップ３の接続端に接続する。
まず、アンテナ２の終端とその付近を、接続材料として異方導電フィルムを用いて接着する。アンテナ２の終端の直上にＩＣチップ３の接続端が配置されるように異方導電フィルムの上にＩＣチップ３を接着する。

（iii）最後に、空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルム１（フィルム２）の片面に、空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルム４（フィルム１）を、他面に空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルム５（フィルム１）を貼り合わせる。この際、接着剤を用いてラミネートを行うか、もしくは、熱接着フィルム（ヒートーシーラー）６を用いて、ラミネータにより成形後、所定の形状に打ち抜き、非接触式ＲＦタグを作成した。

比較例１
実施例１において、フィルム２に代わりに、厚みが５０μｍで、空洞を実質的に含有しない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡製、Ｅ５００１）＜フィルム４＞を用い、さらにフィルム１の代わりに、厚みが２５０μｍで、空洞を実質的に含有しない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡製、Ｅ５００１）＜フィルム３＞を用いた以外は、実施例１と同様にして非接触式ＲＦタグを作成した。
フィルム３及び４の特性値を表１に示した。

実施例１と比較例１で得られた非接触式ＲＦタグの通信距離の共振周波数依存性を図４に示す。図４より、空洞含有積層二軸延伸ポリエステルフィルム（フィルム１）を用いることで、通信距離が増大し、本発明の高周波電子部品における絶縁層（フィルム１）の電気特性が有効に作用していることが明確に分かる。

実施例２
前記の空洞含有積層二軸配向ポリエステルフィルムを絶縁層として用い、高周波電子部品の実施態様の１つであるフラットケーブルを作成した。

フラットケーブルの特性を評価するために、以下の手順でサンプルを作製した。
Ｔダイ押出機により、厚みが５０μｍの空洞含有積層二軸延伸ポリエステルフィルム（フィルム２）の片面に、接着剤を所定の厚みに押出コーティングし、絶縁基材を得た。次に、同様にして作成した絶縁基材との間に、０．５ｍｍピッチで１０本の厚さ３５μｍ×幅０．３ｍｍの錫メッキ平型軟銅導体を並列して挟み込み、熱ローラを通すことでこれをラミネート一体化し、サンプルとした。得られたサンプルの断面図を図５に示す。図５において、７は絶縁フィルム、８は接着剤、９は導体である。

比較例２
実施例２において、絶縁フィルム７の代わりに、厚みが５０μｍで、空洞を実質的に含有しない二軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡製、Ｅ５００１）を用いた以外は、実施例２と同様にしてフラットケーブルを作成した。

液晶ディスプレイの画像信号ケーブルとして、実施例２、比較例２のフラットケーブルを用いて、ＳＭＰＴＥカラーバーを用いた画像テストを行った。モニタのウォーミングアップの後、ＰＬＵＧＥ信号の黒＋４ＩＲＥバーが見えて、黒−４ＩＲＥバーが見えないようにセットアップ（明るさ）を調整する。次に、１００％白バーの白が潰れないようにゲイン（映像）を調整する。色調整は、モニタをＢｌｕｅオンリーモード（緑・赤をＯＦＦ）に設定して、カラーバーと反転カラーバーの輝度差が無くなるようにＨＵＥつまみとＳＡＴつまみを調整した。

図６は、また、図７は、液晶ディスプレイの画像信号ケーブルとして、実施例２のフラットケーブルを用いた場合の画像テスト結果である。
図６及び図７に示すように、比較例２では、画像に歪が見られるが、実施例２では、ＳＭＰＴＥカラーバーを良好に伝送する結果が得られた。

本発明の高周波電子部品は、誘電損失が格段に小さいため高周波伝送特性に優れ、かつ電気絶縁特性にも優れ、さらに薄さ、機械的強度、屈曲性に優れる延伸熱可塑性樹脂フィルムを絶縁層として用いているため小型化や屈曲させて使用する用途にも対応できる。そのため、マイクロ波方式のＲＦ−ＩＤ用アンテナ回路やフレキシブルフラットケーブに使用した場合、最も効果が顕著に発揮することができる。

Ｗａｇｎｅｒの式から求められる、発泡度Ｐと実効誘電率εとの関係を示す図である。 Ｗａｇｎｅｒの式から求められる、発泡度Ｐと実効誘電正接ｔａｎδとの関係を示す図である。 本発明の高周波電子部品の実施態様の１つである非接触式ＲＦタグの製造過程を示す説明図である。 実施例１と比較例１で得られた非接触式ＲＦタグの通信距離の共振周波数依存性を示す図である。 本発明の高周波電子部品の実施態様の１つであるフラットケーブルの断面図である。 液晶ディスプレイの画像信号ケーブルとして、実施例２のフラットケーブルを用いた場合の画像テスト結果である。 液晶ディスプレイの画像信号ケーブルとして、比較例２のフラットケーブルを用いた場合の画像テスト結果である。

符号の説明

１ 空洞含有積層二軸延伸ポリエステルフィルム（フィルム２）
２ アンテナ
３ ＩＣチップ
４ 空洞含有積層二軸延伸ポリエステルフィルム（フィルム１）
５ 空洞含有積層二軸延伸ポリエステルフィルム（フィルム１）
６ 熱接着フィルム
７ 絶縁フィルム
８ 接着剤
９ 導体

Claims (7)

1. １００ＭＨｚ〜１００ＧＨｚ の電気信号を伝送する導体配線と、少なくとも一方向に延伸配向された空洞含有熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁層とを有する高周波用電子部品であって、前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、内部に３〜４５体積％の空洞を含有し、フィルムの厚み方向に存在する空洞の積層数が５個以上、かつ下記式で定義される空洞積層数密度が０．１〜１０個／μｍの範囲であることを特徴とする高周波用電子部品。
   空洞積層数密度（個／μｍ）
   ＝フィルム厚み方向の空洞の積層数（個）／フィルム厚み（μｍ）
2. 前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、１ＧＨｚにおける誘電正接の値が０．０００５〜０．０１０であることを特徴とする請求項１に記載の高周波用電子部品。
3. 厚み２５０μｍにおける絶縁破壊電圧が、前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムでＶ１、空洞を実質的に含有しない熱可塑性樹脂フィルムでＶＯとした際に、それらの比（Ｖ１／Ｖ０）が、１．２を超えることを特徴とする請求項１に記載の高周波用電子部品。
4. 前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、表面層（Ｂ）／空洞含有層（Ａ）の少なくとも２層の層構成からなり、表面層（Ｂ）は、セラミック粒子または絶縁処理を施した金属粒子を、０．０１〜６０質量％含有する樹脂組成物からなることを特徴とする請求項１に記載の高周波用電子部品。
5. 前記の空洞含有熱可塑性樹脂フィルムは、ポリエステル樹脂を海成分とし、該ポリエステルに非相溶の熱可塑性樹脂を島成分とする樹脂組成物を少なくとも一方向に延伸配向させてなる空洞含有ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の高周波用電子部品。
6. 前記の電子部品が、無線にて外部との信号の授受をする電子装置ないし素子であることを特徴とする請求項１に記載の高周波用電子部品。
7. 前記の電子部品が、並列に配置した導体の両面をプラスチックフィルムで挟んだ、薄型テープ形状の並列多芯電線であることを特徴とする請求項１に記載の高周波用電子部品。