JP2006310845A - U字状浮遊ゲートを有するフラッシュメモリの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】U字状浮遊ゲートを有するフラッシュメモリの製造方法を提供する。
【解決手段】上面と両側面の一部とが基板表面から突出した素子分離膜を形成した後、素子分離膜の間の基板上にトンネル酸化膜を形成する。トンネル酸化膜上に素子分離膜の間を満たさない厚さに導電膜を形成した後、導電膜上に研磨犠牲膜を形成する。素子分離膜上の研磨犠牲膜及び導電膜を除去して素子分離膜の間に自己整列されたU字状浮遊ゲートを形成すると同時に、浮遊ゲート上に研磨犠牲膜パターンを残す。研磨犠牲膜パターンをマスクとして用いて素子分離膜をリセスさせて、浮遊ゲートの両側壁を露出させる。浮遊ゲートに対して研磨犠牲膜パターンを選択的に除去して浮遊ゲートの上面を露出させるフラッシュメモリの製造方法である。
【選択図】図10
【解決手段】上面と両側面の一部とが基板表面から突出した素子分離膜を形成した後、素子分離膜の間の基板上にトンネル酸化膜を形成する。トンネル酸化膜上に素子分離膜の間を満たさない厚さに導電膜を形成した後、導電膜上に研磨犠牲膜を形成する。素子分離膜上の研磨犠牲膜及び導電膜を除去して素子分離膜の間に自己整列されたU字状浮遊ゲートを形成すると同時に、浮遊ゲート上に研磨犠牲膜パターンを残す。研磨犠牲膜パターンをマスクとして用いて素子分離膜をリセスさせて、浮遊ゲートの両側壁を露出させる。浮遊ゲートに対して研磨犠牲膜パターンを選択的に除去して浮遊ゲートの上面を露出させるフラッシュメモリの製造方法である。
【選択図】図10
Description
本発明は、フラッシュメモリの製造方法に係り、特にU字状浮遊ゲートを有するフラッシュメモリの製造方法に関する。
フラッシュメモリは、不揮発性であってデータ保全性に優れているので、システム内でメインメモリ代替が可能であり、DRAMインターフェースに適用が可能である。また、高集積及び大容量が可能であるので、既存のハードディスク及びフロッピー(登録商標)ディスクを置き換える素子としてメモリ市場で注目されている。フラッシュメモリを構成するセルトランジスタは、トンネル酸化膜、浮遊ゲート、ゲート間絶縁膜、及び制御ゲートが積層されていることが一般的である。かかるゲート構造を有するフラッシュメモリのプログラム動作は、制御ゲートに印加された正の電圧が浮遊ゲートにカップリングされて、ファウラーノルドハイム(Fowler−Nordheim)トンネルリングまたはホットキャリア注入によって基板から電子がトンネル酸化膜を経て浮遊ゲート内に捕獲されることを原理とする。したがって、低い制御ゲート入力電圧でトンネル酸化膜に高電界を印加するためには、制御ゲートと浮遊ゲートとの間に高いカップリング比が必要となる。ここで、制御ゲートに印加される電圧対浮遊ゲートに誘起される電圧の比をカップリング比という。また、カップリング比は、トンネル酸化膜及びゲート間絶縁膜の静電容量の和に対するゲート間絶縁膜の静電容量の比として表現される。
図1は、従来のフラッシュメモリのセルトランジスタを概略的に説明するための断面図である。
図1を参照すると、基板1に素子分離膜2が形成されている。そして、素子分離膜2の間の基板1上にトンネル酸化膜3を介在して浮遊ゲート4が形成されている。また、浮遊ゲート4上にゲート間絶縁膜6を介在して制御ゲート7が形成されている。
このようなフラッシュメモリでは、浮遊ゲート4の上面と両側壁に形成されたゲート間絶縁膜6の面積がカップリング比に影響を及ぼす。したがって、ゲート間絶縁膜6の面積を増加させようとする場合、浮遊ゲート4の面積の増加によってセル面積が増加する。
一方、セル間のカップリング静電容量を最小化するために、図1の構造でセル間の素子分離膜2をリセスさせた図2のような構造も提案された(ゲート間絶縁膜6及び制御ゲート7は図示せず)。参照符号2’は、リセスされた素子分離膜を示す。しかし、デザインルールが60nm以下に小さくなって、隣接するセル間の距離が40nm以下になれば、セル間のカップリング静電容量が急激に増加する。これを最小化するためには、浮遊ゲート4の高さを下げねばならない。しかし、このようにすれば、カップリング比が低くなって、フラッシュメモリの動作自体が不可能になるので、図2の構造を使用してもさらに小さなデザインルールの素子には適用できないという限界がある。
このような限界の克服のために、図3のように浮遊ゲート5がU字状である構造が提案されているが、この構造の長所は、浮遊ゲート5とゲート間絶縁膜(図示せず)との間の面積、すなわち、キャパシタの面積を大きくできるという点である。例えば、58nmのデザインルールで図2の浮遊ゲート4と図3の浮遊ゲート5とによるキャパシタ面積を計算してみれば、それぞれ9296nm2、14336nm2でU字状の浮遊ゲート5である時の面積が40%以上大きい。したがって、カップリング比が大きく増加して、プログラム電圧Vpgmを下げうるという長所がある。
現在提案された工程では、シリンダー型キャパシタ製造工程と同様に、酸化膜からなる研磨犠牲膜を利用してノード分離を進行して浮遊ゲートを形成した後、研磨犠牲膜が浮遊ゲート内にある状態で素子分離膜リセスを開始している。ところが、素子分離膜をリセスさせる過程で浮遊ゲート内の研磨犠牲膜もエッチングされて、浮遊ゲートが露出されながら浮遊ゲートのリセスが発生する。浮遊ゲートの厚さが100Åである場合、現在の工程では浮遊ゲートのリセスが〜70Å発生して、膜損失のない均一な厚さのU字状浮遊ゲートを失敗なしに具現するのが難しい。また、研磨犠牲膜が残っていれば、HF希釈液を使用して除去しているが、リセスされてはならない周辺回路領域の素子分離膜がこの過程でリセスされるという問題がある。
本発明の目的は、高いカップリング比が得られるU字状浮遊ゲートを均一な厚さに形成してフラッシュメモリを製造する方法を提供することである。
本発明の他の目的は、周辺回路領域の素子分離膜はリセスさせず、セル領域の素子分離膜のみリセスさせてフラッシュメモリを製造する方法を提供することである。
本発明によるフラッシュメモリの製造方法の一態様では、基板に上面と両側面の一部とが前記基板表面から突出した素子分離膜を形成する。前記素子分離膜の間の前記基板上にトンネル酸化膜を形成する。前記トンネル酸化膜上に前記素子分離膜の間を満たさない厚さに導電膜を形成する。前記導電膜上に研磨犠牲膜を形成する。前記素子分離膜上の研磨犠牲膜及び導電膜を除去して前記素子分離膜の間に自己整列されたU字状浮遊ゲートを形成すると同時に、前記浮遊ゲート上に研磨犠牲膜パターンを残す。前記研磨犠牲膜パターンをマスクとして用いて前記素子分離膜をリセスさせて、前記浮遊ゲートの両側壁を露出させる。前記浮遊ゲートに対して前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去して前記浮遊ゲートの上面を露出させる。
望ましい実施形態において、前記導電膜は、ドープドポリシリコン膜で形成し、前記研磨犠牲膜は、シリコンゲルマニウム膜で形成する。前記シリコンゲルマニウム膜は、前記素子分離膜の間を完全に満たす厚さに形成できる。また、前記研磨犠牲膜は、前記素子分離膜の間を満たさない厚さのシリコンゲルマニウム膜と、前記素子分離膜の間を満たす厚さの酸化膜とからなる二重膜で形成してもよい。前記シリコンゲルマニウム膜は、前記導電膜上にシリコンゲルマニウムを蒸着して形成するか、またはエピタキシャル成長させて形成する。
本発明によるフラッシュメモリの製造方法の他の態様では、セル領域及び周辺回路領域からなる基板に上面と両側面の一部とが前記基板表面から突出した素子分離膜を形成する。前記素子分離膜の間の前記基板上にトンネル酸化膜を形成する。前記トンネル酸化膜上に前記素子分離膜の間を満たさない厚さにドープドポリシリコン膜からなる導電膜を形成する。前記導電膜上にシリコンゲルマニウムを含む研磨犠牲膜を形成する。前記素子分離膜上の研磨犠牲膜及び導電膜を除去して前記素子分離膜の間に自己整列されたU字状浮遊ゲートを形成すると同時に、前記浮遊ゲート上に研磨犠牲膜パターンを残す。前記犠牲膜パターンが形成された結果物上に前記セル領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する。前記研磨犠牲膜パターンをマスクとして用いて前記セル領域で前記素子分離膜をリセスさせて、前記浮遊ゲートの両側壁を露出させる。前記フォトレジストパターンを除去した後、前記浮遊ゲートに対して前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去して、前記浮遊ゲートの上面を露出させる。
望ましい実施形態において、前記シリコンゲルマニウム膜は、前記素子分離膜の間を完全に満たす厚さに形成する。他の望ましい実施形態において、前記シリコンゲルマニウム膜は、前記素子分離膜の間を満たさない厚さに形成し、前記研磨犠牲膜は、前記シリコンゲルマニウム膜上に前記素子分離膜の間を完全に満たす酸化膜をさらに含む。この時、前記研磨犠牲膜中の前記酸化膜は、前記素子分離膜をリセスさせる間に除去する。
前記シリコンゲルマニウム膜は、10重量%以上100重量%未満のゲルマニウムを含有することが望ましい。前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去する段階で、前記浮遊ゲートに対する前記研磨犠牲膜パターンの選択比は30以上であることが望ましい。このために、過酢酸、フッ素が含まれている化合物、及び溶媒を含むエッチング液を使用できる。この時、前記過酢酸の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%でありうる。前記フッ素が含まれている化合物はフッ酸を含み、前記溶媒は酢酸を含むことが望ましい。この場合、過酢酸の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であり、前記フッ酸の含量は0.1ないし30重量%であり、前記酢酸の含量は10ないし50重量%であることが望ましい。ここに、純水がさらに添加されていてもよい。前記純水の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として10ないし40重量%でありうる。
本発明によれば、浮遊ゲートの上面をU字状に形成することによって、セルサイズの増大なしにゲート間絶縁膜の面積を増大させてカップリング比を高めることができる。したがって、データの保存及び削除の効率を向上させ、集積度を増加させることができる。
U字状浮遊ゲートの形成時、研磨犠牲膜としてシリコンゲルマニウム膜を利用することを提案する。この膜は、CMPなどを利用したノード分離時に浮遊ゲートを支持し、素子分離膜をリセスさせる過程でも浮遊ゲートを保護することができる。また、過酢酸を含有するエッチング液を使用すれば、浮遊ゲートに対して研磨犠牲膜を選択的に除去できる。
したがって、本発明によれば、素子分離膜をリセスさせる時に浮遊ゲートが保護され、研磨犠牲膜の除去時にも浮遊ゲートがリセスされない。したがって、均一な厚さの浮遊ゲートを維持でき、浮遊ゲートのダメージによる素子の電気的特性不良を除去することができる。さらに、過酢酸を含有するエッチング液は、酸化膜に対してシリコンゲルマニウム膜の選択比も確保できるので、浮遊ゲートに対して研磨犠牲膜を選択的に除去する時に周辺回路領域の素子分離膜もリセスされない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施形態によって限定されると解釈されてはならない。本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はさらに明確な説明を強調するために誇張したものであり、図面上で同じ符号で表示された要素は同じ要素を意味する。
図4ないし図12は、本発明の第1実施形態によってフラッシュメモリを製造する方法を工程順序によって示す断面図である。
図4を参照すると、セル領域C及び周辺回路領域Pからなる、単結晶Siのような半導体基板110を準備する。次に、基板110上にパッド酸化膜115とパッド窒化膜120とを蒸着してパターニングする。次に、パターニングされたパッド酸化膜115及びパッド窒化膜120をエッチングマスクとして用いて基板110をエッチングすることによって、基板110内にトレンチ125を形成する。
パッド酸化膜115の形成前、あるいは形成後に、基板110内にイオン注入を実施して、井戸及びしきい電圧の調節のためのイオン層を形成してもよい。パッド酸化膜115は、基板110の上部表面の結晶欠陥抑制または表面処理のために形成し、O2を用いた乾式酸化またはH2Oを用いた湿式酸化方式で、例えば、700℃〜950℃範囲の温度で50Å〜250Å厚さに形成でき、ファーネス型やチャンバ型の装備を何れも利用できる。
パッド窒化膜120は、500℃ないし850℃の温度でSiH4とNH3の反応を用いたLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法で蒸着でき、後続工程により形成される素子分離膜の上面及び両側面一部とが十分に高く突出するほどの厚さ、例えば500Å〜3000Åの厚さに形成できる。
図5は、トレンチ125を満たす絶縁膜を蒸着した後に平坦化させて、素子分離膜130、131を形成した状態を示す断面図である。絶縁膜を満たす前にトレンチ125の内壁及び底に熱酸化膜を形成することで、トレンチエッチング時に発生された欠陥を治癒することができる。そして、絶縁膜との接着を強化し、かつ漏れ電流を防止する役割を担い、後続エッチング工程で素子分離膜と基板110との間がへこんで発生されるモウト(moat)現象を防止するためにライナー酸化膜あるいはライナー窒化膜をさらに形成してもよい。トレンチ125を満たす絶縁膜としては、HDP(High Density Plasma)酸化膜、PE−TEOS(Plasma Enhanced−TetraEthylOrthoSilicate)、USG(Undoped Silicate Glass)酸化膜などのMTO(Middle Temperature Oxide)またはその組合わせを蒸着する。その後、N2、O2、H2Oなどを用いた雰囲気で800℃〜1100℃の温度で緻密化させて絶縁膜内部の水分を抽出し、硬化させて後続工程のエッチングなどによる損失を最小化させうる。このような緻密化によってMTOなどの絶縁膜は、熱酸化膜レベルの密度を有するようになる。しかし、緻密化段階は選択的である。トレンチ125を満たす絶縁膜を平坦化する工程は、パッド窒化膜120を平坦化終了点とする化学機械的研磨(CMP:chemical Mechanical Polishing)またはエッチバックによることができる。CMP時には、セリア(CeO2)系の研磨剤を含むスラリーを使用することができる。
図6を参照すると、パッド窒化膜120とパッド酸化膜115とを除去して素子分離膜130、131の上面と両側面の一部とを基板110表面から突出させる。パッド窒化膜120の除去は、リン酸(H3PO4)ストリップを利用できる。パッド酸化膜115を除去する段階は、湿式エッチバック工程により実施できる。この過程で、素子分離膜130、131の上部もエッチングされて、図示したように幅が狭くなりうる。パッド酸化膜115の湿式エッチング液としては、HF希釈液とNH4OH、H2O2及びH2Oからn構成されたSC−1を利用するか、またはBOE(Buffer Oxide Etchant;HFとNH4Fが100:1または300:1で混合された溶液)とSC−1を利用できる。
図7を参照すると、素子分離膜130、131の間の基板110上にトンネル酸化膜140を形成する。トンネル酸化膜140は、電子のトンネルリングができるようにその厚さは85ないし110Å程度で薄く形成する。そして、例えば、750ないし800℃の温度で湿式酸化方式で形成し、900ないし910℃の温度でN2を用いて20ないし30分間熱処理工程を実施することによって、トンネル酸化膜140と基板110との間の界面の欠陥密度を最小化する。次に、素子分離膜130、131の間を満たさない厚さ、例えば100Å程度に導電膜145、望ましくはドープドポリシリコン膜を形成する。ドープドポリシリコン膜は、LPCVDで500℃〜700℃の温度でシリコンを蒸着して形成できる。不純物がドーピングされない状態で蒸着した後、ヒ素(As)またはリン(P)をイオン注入によりドーピングするか、または蒸着時にインシチュ(in−situ)で不純物をドーピングしてもよい。ドーピング濃度は、例えば1E21(1×1021)以上でありうる。
次に、図8のように、導電膜145上にシリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜150を形成する。第1実施形態において、シリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜150は、素子分離膜130、131の間を完全に満たす厚さに形成する。例えば、300Å〜5000Åに形成する。シリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜150は、導電膜145上にシリコンゲルマニウムを蒸着して形成するか、あるいはエピタキシャル成長させて形成する。導電膜145がドープドポリシリコン膜で形成された場合、シリコンゲルマニウムは、蒸着によりポリシリコンゲルマニウム膜に形成される。シリコンゲルマニウムの蒸着には、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2などのシラン系ガス及びCeH4、GeF4などのガスをソースガスとして利用する。シリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜150のGe含量は、Geソースガスの流量比で調整できる。その組成比は、特別に限定されるものではなく、工程の特性に応じて調節できる。精密に調節するためには、GeのソースであるGeH4などを水素や窒素などに希釈して供給すれば可能である。シリコンゲルマニウム膜でゲルマニウム含量が高いほどポリシリコン膜に比べて速くエッチングされる性質がある。したがって、ゲルマニウム含量をできるかぎり高めることがポリシリコン膜からなる浮遊ゲート用の導電膜145に対してシリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜150を後続工程で選択的に除去する時に望ましい。10重量%以下のGe含量では好ましいエッチング率を達成し得ない。したがって、シリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜150のゲルマニウム含量は、10重量%以上100重量%未満とする。
次に、図9を参照すると、素子分離膜130、131上の研磨犠牲膜150及び導電膜145を除去して素子分離膜130、131の間に自己整列されたU字状浮遊ゲート145aを形成する。これと同時に浮遊ゲート145a上に研磨犠牲膜パターン150aを残す。ここで、研磨犠牲膜150及び導電膜145は、選択比のないCMPによって除去できる。第1実施形態において、研磨犠牲膜150は、シリコンゲルマニウム膜からなり、導電膜145は、ドープドポリシリコン膜からなっている。一般的に、シリコンゲルマニウム膜は、ポリシリコン膜と物性が類似している。したがって、選択比のないCMPによって容易に研磨犠牲膜150及び導電膜145の除去が可能である。最終浮遊ゲート145aの高さは約600Åになるよう形成できる。
図10を参照すると、研磨犠牲膜パターン150aが形成された結果物上にセル領域Cを露出させるフォトレジストパターンPRを形成する。研磨犠牲膜パターン150aをマスクとして用いてセル領域Cで素子分離膜130をリセスさせて、浮遊ゲート145aの外側壁を露出させる。素子分離膜130のリセスには、乾式エッチングまたは湿式エッチバックが用いられる。参照符号130’は、リセスされた素子分離膜を示す。リセスの深さは、浮遊ゲート145aの上面から約850Åに形成できる。
第1実施形態において、研磨犠牲膜パターン150aはシリコンゲルマニウム膜からなり、素子分離膜130はUSGのようなMTOである。一般的に、酸化膜に対するシリコンゲルマニウム膜の選択比は10以上であるので、素子分離膜130をリセスさせる間にも研磨犠牲膜パターン150aはエッチングされずに残って、浮遊ゲート145aを保護する。したがって、本発明によれば、素子分離膜130をリセスさせる間に浮遊ゲート145aがリセスされずに保護されて膜損失がない。
次に、図11に示すように、フォトレジストパターンPRをアッシングとストリップで除去する。例えば、酸素プラズマを使用してアッシングした後、有機ストリップで除去する。次に、浮遊ゲート145aに対して選択的に研磨犠牲膜パターン150aを除去して、浮遊ゲート145aの上面を露出させる。特に、浮遊ゲート145aに対して選択的に研磨犠牲膜パターン150aを除去するためには、浮遊ゲート145aに対する研磨犠牲膜パターン150aの選択比が30以上であるエッチング液を使用することが望ましい。
ポリシリコンからなる浮遊ゲート145aに対してシリコンゲルマニウムからなる研磨犠牲膜パターン150aを除去するためには、水酸化アンモニウム(NH4OH)及び過酸化水素(H2O2)を含むアンモニア水溶液、HF/HNO3/CH3COOH/純水(DIW:deionized water)の4成分を有するポリエッチャント(polyetchant)溶液、HF/HNO3/DIWの3成分を有する溶液またはHF/H2O2/DIWの3成分を有する溶液、HNO3、HF及びDIWの混合溶液、HF、CH3COOH及びH2O2の混合物を使用できる。しかし、特に、選択比が30以上であるエッチング液として、本発明では、次のように過酢酸を含むシリコンゲルマニウムエッチング液を提案する。このエッチング液には、過酢酸、フッ素が含まれている化合物、及び溶媒が含まれる。過酢酸の含量は、エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%でありうる。フッ素が含まれている化合物はフッ酸、溶媒は酢酸であることが望ましい。この時、過酢酸の含量は、エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であり、フッ酸の含量は0.1ないし30重量%であり、酢酸の含量は10ないし50重量%であることが特に望ましい。ここに、純水がさらに添加されていてもよい。純水の含量は、エッチング液の総重量を基準として10ないし40重量%でありうる。その他に界面活性制などがさらに添加されていてもよい。
過酢酸は、酸化力に優れていて、後述する実験例から分かるようにポリシリコン層をそれほど損傷させず、シリコンゲルマニウムを30:1以上の高いエッチング選択比で除去できる。したがって、過酢酸を含むエッチング液を使用すれば、ポリシリコンからなる浮遊ゲート145aに対してシリコンゲルマニウムからなる研磨犠牲膜パターン150aを選択的に除去できるので、浮遊ゲート145aはリセスされない。したがって、均一な厚さの浮遊ゲート145aを形成することができる。
また、前述したように、一般的に、酸化膜に対するシリコンゲルマニウム膜の選択比は10以上であるので、シリコンゲルマニウムからなる研磨犠牲膜パターン150aを除去する間、周辺回路領域Pの素子分離膜131がリセスされない。
図12を参照すると、露出された浮遊ゲート145a上にゲート間絶縁膜155を形成した後、ゲート間絶縁膜155上に制御ゲート160を形成する。ゲート間絶縁膜155は、ONO(Oxide/Nitride/Oxide)膜で形成できる。代りに、Ta2O5、BSTのように高誘電率を有する誘電物質を蒸着して形成することもできる。ゲート間絶縁膜155を形成した後には、熱処理を実施してトラップ電荷を除去し、膜質を向上させる。制御ゲート160は、ポリシリコン、シリサイド、ポリサイドまたは金属層で形成でき、シリサイドの種類としては、タングステンシリサイド、コバルトシリサイドまたはチタンシリサイドが挙げられる。コバルトシリサイド及びチタンシリサイドは、ポリシリコンを蒸着した上にコバルトまたはチタンを蒸着した後、RTA(Rapid Thermal Annealing)によって反応させて形成する。コバルト層を形成した場合であれば、ポリシリコン及びコバルトが反応するように400℃〜500℃、窒素ガス雰囲気下で約50秒間1次RTAを行う。この過程でCoSi相からなる層が形成される。次に、CoSi2のようにさらに低抵抗である相が形成されるように結果物を800℃〜900℃、窒素ガス雰囲気で約30秒間2次RTAを行う。ニッケル層を形成した場合では、低温で1段階の熱処理を通じてNiSi相が得られる。タングステンシリサイドは、CVDを用いて直接蒸着できる。ポリサイドは、ポリシリコンとこのようなシリサイドとの積層構造から形成されたものである。
このように、本発明では、素子分離膜をリセスさせる過程で浮遊ゲートまでリセスされることを防止するために、浮遊ゲート用の導電膜を形成した後、導電膜上に研磨犠牲膜を形成して、これをマスクとして素子分離膜をリセスさせる。研磨犠牲膜は、浮遊ゲートに対して選択的に除去して、浮遊ゲートに対する損傷を最小化する。
図13ないし図18は、本発明の第2実施形態によってフラッシュメモリを製造する方法を工程順序によって示す断面図である。第1実施形態と同一または類似している事項については、その説明を省略する。
図13を参照すると、第1実施形態と同様に、図4ないし図6の工程を進行してセル領域C及び周辺回路領域Pからなる基板110に上面と両側面の一部とが基板110表面から突出した素子分離膜130、131を形成する。次に、素子分離膜130、131の間の基板110上にトンネル酸化膜140を形成する。次に、素子分離膜130、131の間を満たさない厚さに導電膜145、望ましくはドープドポリシリコン膜を形成する。
次に、図14に示すように、導電膜145上に素子分離膜130、131の間を満たさない厚さ、例えば10Å〜300Åにシリコンゲルマニウム膜146を形成し、シリコンゲルマニウム膜146上に素子分離膜130、131の間を完全に満たす酸化膜147をさらに形成して、シリコンゲルマニウム膜146と酸化膜147との二重膜からなる研磨犠牲膜150’を形成する。シリコンゲルマニウム膜146は、導電膜145上にシリコンゲルマニウムを蒸着して形成するか、またはエピタキシャル成長させて形成する。酸化膜147は、PSG(Phosphorus Silicate Glass)、BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)、またはSOG(Spin On Glass)などで構成できる。
次に、図15を参照すると、素子分離膜130、131上の研磨犠牲膜150’及び導電膜145を除去して素子分離膜130、131の間に自己整列されたU字状浮遊ゲート145aを形成すると同時に、浮遊ゲート145a上に研磨犠牲膜パターン150’aを残す。研磨犠牲膜パターン150’aは、シリコンゲルマニウム膜パターン146a及び酸化膜パターン147aからなる。
図16を参照すると、犠牲膜パターン150’aが形成された結果物上にセル領域Cを露出させるフォトレジストパターンPRを形成する。研磨犠牲膜パターン150’aで浮遊ゲート145aを保護しながら研磨犠牲膜パターン150’aをマスクとしてセル領域Cで素子分離膜130をリセスさせて、浮遊ゲート145aの外側壁を露出させる。参照符号130’は、リセスされた素子分離膜を示す。この時、研磨犠牲膜パターン150’aのうち酸化膜パターン147aは、素子分離膜130をリセスさせる間に除去する。しかし、シリコンゲルマニウム膜パターン146aが存在するので、浮遊ゲート145aはリセスされない。
図17に示すように、フォトレジストパターンPRを除去した後、研磨犠牲膜パターン150’a中のシリコンゲルマニウム膜パターン146aを除去して浮遊ゲート145aの上面を露出させる。ここでも、浮遊ゲート145aに対する研磨犠牲膜パターン150’a(酸化膜パターン147aは前工程で除去するので、究極的にはシリコンゲルマニウム膜パターン146a)の選択比が30以上であるエッチング液を使用する。第1実施形態で言及したような過酢酸、フッ酸及び酢酸を含むエッチング液を使用することが望ましい。この時、過酢酸の含量は、エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であり、フッ酸の含量は0.1ないし30重量%であり、酢酸の含量は10ないし50重量%であることが特に望ましい。
図18を参照すると、露出された浮遊ゲート145a上にゲート間絶縁膜155を形成した後、ゲート間絶縁膜155上に制御ゲート160を形成する。
本発明の最も核心となる工程は、浮遊ゲート145aに対してシリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜パターン150a(第1実施形態)または研磨犠牲膜パターン150’a中のシリコンゲルマニウム膜パターン146a(第2実施形態)を選択比があるように除去する工程である。このために本発明では、過酢酸を含むシリコンゲルマニウムエッチング液を使用する。このようなエッチング液の有用性を示す実験例について説明する。
(実験例)
図19を参照すると、本発明で提示するシリコンゲルマニウムエッチング液によるエピタキシャルシリコンゲルマニウム膜の経時的なエッチング量が示されている。シリコンゲルマニウム膜のゲルマニウムの含量は20重量%であった。このエッチング液は、30重量%の過酢酸、49重量%のフッ酸、酢酸及び純水を1.8:30:30:30の体積比で混合した後、非イオン性界面活性剤を0.1重量%で添加して製造したものである。1分エッチング時のシリコンゲルマニウム膜のエッチング量は908Åであり、3分エッチング時のエッチング量は1954Åであり、5分エッチング時のエッチング量は3046Åであった。ゲルマニウム含量がさらに高くなると、エッチング率が増加するので、同一時間にさらに大きいエッチング量を得ることができる。そして、シリコンゲルマニウム膜がエピ層でないポリシリコンゲルマニウムからなれば、結晶粒界に沿ってエッチング液がより良く侵入してエッチング率が増加するので、同一時間にさらに大きいエッチング量を得ることができる。
図19を参照すると、本発明で提示するシリコンゲルマニウムエッチング液によるエピタキシャルシリコンゲルマニウム膜の経時的なエッチング量が示されている。シリコンゲルマニウム膜のゲルマニウムの含量は20重量%であった。このエッチング液は、30重量%の過酢酸、49重量%のフッ酸、酢酸及び純水を1.8:30:30:30の体積比で混合した後、非イオン性界面活性剤を0.1重量%で添加して製造したものである。1分エッチング時のシリコンゲルマニウム膜のエッチング量は908Åであり、3分エッチング時のエッチング量は1954Åであり、5分エッチング時のエッチング量は3046Åであった。ゲルマニウム含量がさらに高くなると、エッチング率が増加するので、同一時間にさらに大きいエッチング量を得ることができる。そして、シリコンゲルマニウム膜がエピ層でないポリシリコンゲルマニウムからなれば、結晶粒界に沿ってエッチング液がより良く侵入してエッチング率が増加するので、同一時間にさらに大きいエッチング量を得ることができる。
このエッチング液による各種薄膜の経時的なエッチング量を図20に示した。
1分適用時、熱酸化膜エッチング量は26Å、MTOエッチング量は65Å、ポリシリコン膜エッチング量は30.3Åになった。図19及び図20から分かるように、ポリシリコン膜に対するシリコンゲルマニウム膜の選択比は約30となる。この選択比は、20重量%のゲルマニウム含量に対するものであるので、ゲルマニウム含量がさらに高くなれば、さらに高い選択比が得られ、シリコンゲルマニウム膜がエピ層でないポリシリコンゲルマニウムからなれば、30以上のさらに高い選択比が得られる。そして、熱酸化膜及びMTOに対するシリコンゲルマニウム膜の選択比も約24ないし30以上である。したがって、浮遊ゲートに対してシリコンゲルマニウム膜からなる研磨犠牲膜パターンまたは研磨犠牲膜パターン中のシリコンゲルマニウム膜パターンを除去する時に、周辺回路領域の酸化膜からなる素子分離膜がほとんどリセスされないことを確認することができる。
以上では、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態にだけ限定されず、多様な変更や変形が可能である。本発明は、特許請求の範囲によって定義される本発明の思想及び範疇内に含まれうる代案、変形及び等価なものを含む。
本発明は、フラッシュメモリ関連の技術分野に好適に用いられる。
110 基板
115 パッド酸化膜
120 パッド窒化膜
125 トレンチ
130、131 素子分離膜
140 トンネル酸化膜
145 導電膜
145a 浮遊ゲート
146 シリコンゲルマニウム膜
146a シリコンゲルマニウム膜パターン
147 酸化膜
147a 酸化膜パターン
150、150’ 研磨犠牲膜
150a、150’a 研磨犠牲膜パターン
155 ゲート間絶縁膜
160 制御ゲート
PR フォトレジストパターン
115 パッド酸化膜
120 パッド窒化膜
125 トレンチ
130、131 素子分離膜
140 トンネル酸化膜
145 導電膜
145a 浮遊ゲート
146 シリコンゲルマニウム膜
146a シリコンゲルマニウム膜パターン
147 酸化膜
147a 酸化膜パターン
150、150’ 研磨犠牲膜
150a、150’a 研磨犠牲膜パターン
155 ゲート間絶縁膜
160 制御ゲート
PR フォトレジストパターン
Claims (29)
- 基板に上面と両側面の一部とが前記基板表面から突出した素子分離膜を形成する段階と、
前記素子分離膜の間の前記基板上にトンネル酸化膜を形成する段階と、
前記トンネル酸化膜上に前記素子分離膜の間を満たさない厚さに導電膜を形成する段階と、
前記導電膜上に研磨犠牲膜を形成する段階と、
前記素子分離膜上の研磨犠牲膜及び導電膜を除去して前記素子分離膜の間に自己整列されたU字状浮遊ゲートを形成すると同時に、前記浮遊ゲート上に研磨犠牲膜パターンを残す段階と、
前記研磨犠牲膜パターンをマスクとして用いて前記素子分離膜をリセスさせて、前記浮遊ゲートの両側壁を露出させる段階と、
前記浮遊ゲートに対して前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去して、前記浮遊ゲートの上面を露出させる段階と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリの製造方法。 - 前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去する段階において、前記浮遊ゲートに対する前記研磨犠牲膜パターンの選択比は30以上であることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記導電膜は、ドープドポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜は、シリコンゲルマニウム膜で形成することを特徴とする請求項3に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記シリコンゲルマニウム膜は、前記素子分離膜の間を完全に満たす厚さに形成することを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜は、前記素子分離膜の間を満たさない厚さのシリコンゲルマニウム膜と、前記素子分離膜の間を満たす厚さの酸化膜とからなる二重膜で形成することを特徴とする請求項3に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜中の前記酸化膜は、前記素子分離膜をリセスさせる間に除去することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記シリコンゲルマニウム膜は、前記導電膜上にシリコンゲルマニウムを蒸着して形成することを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記シリコンゲルマニウム膜は、前記導電膜上にシリコンゲルマニウムをエピタキシャル成長させて形成することを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記シリコンゲルマニウム膜は、10重量%以上100重量%未満のゲルマニウムを含有することを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去する段階では、過酢酸、フッ素が含まれている化合物、及び溶媒を含むエッチング液を使用して、前記研磨犠牲膜パターンを除去することを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記過酢酸の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であることを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記フッ素が含まれている化合物はフッ酸を含み、前記溶媒は酢酸を含むことを特徴とする請求項11に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記過酢酸の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であり、前記フッ酸の含量は0.1ないし30重量%であり、前記酢酸の含量は10ないし50重量%であることを特徴とする請求項13に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記エッチング液に純水がさらに添加されていることを特徴とする請求項13に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記純水の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として10ないし40重量%であることを特徴とする請求項15に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- セル領域及び周辺回路領域からなる基板に上面と両側面の一部とが前記基板表面から突出した素子分離膜を形成する段階と、
前記素子分離膜の間の前記基板上にトンネル酸化膜を形成する段階と、
前記トンネル酸化膜上に前記素子分離膜の間を満たさない厚さにドープドポリシリコン膜からなる導電膜を形成する段階と、
前記導電膜上にシリコンゲルマニウムを含む研磨犠牲膜を形成する段階と、
前記素子分離膜上の研磨犠牲膜及び導電膜を除去して前記素子分離膜の間に自己整列されたU字状浮遊ゲートを形成すると同時に、前記浮遊ゲート上に研磨犠牲膜パターンを残す段階と、
前記犠牲膜パターンが形成された結果物上に前記セル領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記研磨犠牲膜パターンをマスクとして用いて前記セル領域で前記素子分離膜をリセスさせて、前記浮遊ゲートの両側壁を露出させる段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記浮遊ゲートに対して前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去して前記浮遊ゲートの上面を露出させる段階と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリの製造方法。 - 前記シリコンゲルマニウム膜は、前記素子分離膜の間を完全に満たす厚さに形成することを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記シリコンゲルマニウム膜は、前記素子分離膜の間を満たさない厚さに形成し、前記研磨犠牲膜は、前記シリコンゲルマニウム膜上に前記素子分離膜の間を完全に満たす酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜中の前記酸化膜は、前記素子分離膜をリセスさせる間に除去することを特徴とする請求項19に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去する段階において、前記浮遊ゲートに対する前記研磨犠牲膜パターンの選択比は30以上であることを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記シリコンゲルマニウム膜は、10重量%以上100重量%未満のゲルマニウムを含有することを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記研磨犠牲膜パターンを選択的に除去する段階では、過酢酸、フッ素が含まれている化合物、及び溶媒を含むエッチング液を使用して前記研磨犠牲膜パターンを除去することを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記過酢酸の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であることを特徴とする請求項23に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記フッ素が含まれている化合物はフッ酸を含み、前記溶媒は酢酸を含むことを特徴とする請求項23に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記過酢酸の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として1ないし50重量%であり、前記フッ酸の含量は0.1ないし30重量%であり、前記酢酸の含量は10ないし50重量%であることを特徴とする請求項25に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記エッチング液に純水がさらに添加されていることを特徴とする請求項25に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記純水の含量は、前記エッチング液の総重量を基準として10ないし40重量%であることを特徴とする請求項27に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記露出された浮遊ゲート上にゲート間絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート間絶縁膜上に制御ゲートを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のフラッシュメモリの製造方法。
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