JP2006303471A5

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Publication number: JP2006303471A5
Application number: JP2006078726A
Authority: JP
Filing date: 2006-03-22
Publication date: 2007-03-01
Anticipated expiration: 2026-03-22

Claims

窒化物系半導体基板上に形成される窒化物系半導体層の発光部分に対応する前記窒化物系半導体基板の第１領域以外の第２領域の所定領域を所定の深さまで選択的に除去することにより、前記窒化物系半導体基板に溝部を形成する工程と、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域および前記溝部上に、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有する前記窒化物系半導体層を形成する工程とを備えた、窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板は、ＧａＮ基板を含み、
前記窒化物系半導体層は、ＡｌとＧａとＮとを含有する層を含む、請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板上に前記窒化物系半導体層を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面上、前記溝部の底面および側面上に前記窒化物系半導体層を形成する工程を含み、
前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比は、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比よりも低い、請求項２に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記溝部の開口幅が、前記溝部の底面から開口端に向かって徐々に大きくなるように形成する工程を含む、請求項３に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板上に前記窒化物系半導体層を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面上、前記溝部の底面および側面上に前記窒化物系半導体層を形成する工程を含み、
前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みは、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みよりも小さい、請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記溝部の側面が、前記窒化物系半導体基板の表面に対して実質的に垂直になるように形成する工程を含む、請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記溝部の開口幅が、前記溝部の底面から開口端に向かって徐々に小さくなるように形成する工程を含む、請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板に、所定の方向に延びる細長状の前記溝部を形成する工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
前記窒化物系半導体基板の表面は（Ｈ，Ｋ，−Ｈ−Ｋ，０）面を有し、
前記溝部を［Ｋ，−Ｈ，Ｈ−Ｋ，０］方向に沿って延びるように形成する、請求項８記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法（ＨとＫは整数であり、ＨとＫの少なくとも一方は０ではない）。
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板に、前記第１領域を囲むように、第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる細長状の前記溝部を格子状に形成する工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
発光部分に対応する第１領域と、所定の高さを有する段差部を介して前記第１領域に隣接するように配置された第２領域とを含む窒化物系半導体基板と、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面および前記段差部の側面上に形成されるとともに、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有する窒化物系半導体層とを備え、
前記段差部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みは、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みよりも小さい、窒化物系半導体発光素子。
発光部分に対応する第１領域と、所定の高さを有する段差部を介して前記第１領域に隣接するように配置された第２領域とを含む窒化物系半導体基板と、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面および前記段差部の側面上に形成されるとともに、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有するとともに、ＡｌとＧａとＮとを含有する窒化物系半導体層とを備え、
前記段差部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比は、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比よりも低い、窒化物系半導体発光素子。
前記窒化物系半導体基板の表面は（Ｈ，Ｋ，−Ｈ−Ｋ，０）面を有し、
前記溝部は［Ｋ，−Ｈ，Ｈ−Ｋ，０］方向に沿って延びるように形成されている、請求項１１または１２に記載の窒化物系半導体発光素子（ＨとＫは整数であり、ＨとＫの少なくとも一方は０ではない）。