JP2006294665A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極端子と半導体チップのバンプとを、好適に金属結合させる事ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板本体１４と、アクティブマトリクス基板本体１４上に設けられた第１電極端子１３とを有する第２配線基板５０と、突起電極を有する第１ＩＣチップ３０とを備えた半導体装置１を製造する方法に関する。第１電極端子１３を、端子先端から基板本体方向に向かって広がるように、第２配線基板５０上に形成する第１工程と、第１電極端子１３の先端部分を突起電極にめり込ませる第２工程とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置及びその製造方法に関する。

従来、Ａｕ（金）バンプを用いた半導体チップのフリップチップ実装法として、１）Ａｕ／Ａｕの金属接合（例えば、特許文献１、２等）、２）絶縁樹脂によるチップ接着でＡｕ／Ａｕ接触接合、３）異方導電性樹脂によるチップ接着でＡｕ／Ａｇ粒子／Ａｕ接触接合、４）Ａｕ／Ｓｎの溶融接合などが提案されている（例えば、特許文献３等）。しかしながら、絶縁樹脂や異方導電性樹脂等を用いた接触接合方式は高湿度環境下における信頼性が乏しいという問題がある。また、Ａｕ／Ｓｎの溶融接合方式では、接合部分における電気抵抗を小さくできるが、外部環境によってはクラックが発生しやすいという問題がある。また、錫（Ｓｎ）を溶融する必要があるため実装温度が高いという問題がある。Ａｕ／Ａｕ金属接合は、接合部分における電気抵抗を小さくすることができるため、電圧降下を抑制することができるという利点を有する。
特開２００３−１９７６７３号公報 特開平１０−３３５３７３号公報 特開平１１−２１４４４１号公報

Ａｕ／Ａｕ金属接合は、一般的に、半導体チップのＡｕバンプと電極端子とを圧接することにより形成される。圧接により電極端子とＡｕバンプとの間に金属結合を形成させるためには、電極端子の表面とＡｕバンプの表面とを数オングストロームまで近接させる必要がある。しかしながら、電極端子の表面とＡｕバンプの表面とを広範囲にわたって数オングストロームまで近接させることは非常に困難である。その原因としては、１）電極端子の表面やＡｕバンプの表面には酸化膜や不純物等の汚染物質が付着していること、２）電極端子の表面及びＡｕバンプの表面が十分に平坦ではないため、電極端子の表面とＡｕバンプの表面との間にボイドが介在すること等が挙げられる。このため、従来行われている圧接のみでは電極端子とバンプとを好適に、広範囲にわたって金属結合させることが困難であるという問題がある。

また、一般的に圧接によりＡｕ／Ａｕ金属接合する場合、Ａｕバンプと電極端子とを高温（例えば５００℃以上）に加熱する必要がある。Ａｕバンプと電極端子とを高温に加熱した場合、電極端子が形成されている基板やＩＣチップが熱により延びるため、Ａｕバンプと電極端子とが位置ずれを起こし、好適にＩＣチップを実装できない虞があるという問題がある。

例えば、特許文献２には、電極端子とＡｕバンプとの接触箇所に超音波を印加し、接触箇所に固相拡散することによって金属結合させる技術が開示されている。しかし、超音波を用いて金属結合させる場合、金属結合させるために好適な超音波の印加条件がシビアであるため、安定生産が困難であるという問題がある。特に３００ピン以上といった端子数が比較的多いＩＣチップでは、超音波の印加条件がよりシビアとなる。

本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電極端子と半導体チップのバンプとを、好適に金属結合させることにある。

本発明に係る製造方法は、基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第１基板と、突起電極を有する第２基板とを備えた半導体装置を製造する方法に関する。本発明に係る製造方法は、電極端子を、端子先端から基板本体方向に向かって広がるように、第１基板上に形成する第１工程と、電極端子の先端部分を突起電極にめり込ませる第２工程とを含む。

本発明に係る半導体装置の製造方法では、端子先端から基板本体方向に向かって広がるように形成された電極端子を突起電極にめり込ませる。このため、汚染物質が付着していない、突起電極内部の清浄な部分を接合界面として使用することができる。従って、第２工程において、汚染物質を介在させることなく、電極端子の先端部分と突起電極とを近接させることができるので、電極端子と突起電極とを好適に金属結合させることができる。

また、第１工程において、電極端子は端子先端から基板本体方向に向かって広がるように形成される。このため、第１工程において尖鋭に形成された電極端子の先端部分が、第２工程において、ボイド（気泡）を排除しながら突起電極にめり込んでいく。従って、電極端子の表面と突起電極の表面とを、ボイドを介在させることなく近接させることができるので、電極端子と突起電極とをより好適に金属結合させることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法では、電極端子の先端部分を突起電極にめり込ませる第２工程において、電極端子及び突起電極のうち少なくともいずれか一方を加熱してもよい。加熱することによって、突起電極の塑性変形が促進されると共に、突起電極を構成する原子の拡散が活発化される。このため、電極端子と突起電極との間の金属結合形成を促進させることができる。また、加熱することにより、第２工程において、電極端子の先端部分と突起電極との間に付与する圧力を小さくすることができる。電極端子と突起電極との間に付与する圧力を小さくすることができれば、第２工程における第２基板や第１基板の損傷を抑制することができ、生産歩留まりを向上することができる。

尚、本発明に係る製造方法では、電極端子の先端部分が尖鋭であるため、電極端子と突起電極間に印加される圧力を大きくすることができる。従って、従来のＡｕ／Ａｕ金属結合よりも金属結合形成時における温度を低くすることができる。

本発明に係る第１の半導体装置は、基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第１基板と、突起電極を有する第２基板とを備えている。本発明に係る半導体装置において、電極端子は端子先端から基板本体方向に向かって広がるように形成されており、電極端子の先端部分は突起電極にめり込んでいる。電極端子と突起電極とは金属結合している。

本発明に係る半導体装置では、電極端子が端子先端から基板本体方向に向かって広がるように形成されている。このため、電極端子の先端部分を突起電極に容易にめり込ませることができる。従って、電極端子と突起電極とが金属結合した本発明に係る半導体装置は容易に製造することができる。

本発明に係る第２の半導体装置は、基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第１基板と、突起電極を有する第２基板とを備えている。本発明に係る第２の半導体装置では、電極端子が端子先端から基板本体方向に向かって広がるように形成されており、突起電極が電極端子の側面部分と金属結合している。

本発明に係る第１及び第２の半導体装置では、電極端子の表層部と突起電極とが同じ種類の金属を含むことが好ましい。この構成によれば、電極端子と突起電極とをさらに容易に金属結合させることができる。従って、さらに製造容易な半導体装置を実現することができる。

電極端子は単層構造であっても、複層構造であってもよい。単層構造である場合は、電極端子は、突起電極と同じ種類の金属又は突起電極と同じ種類の金属を含む合金によって形成することが好ましい。複層構造である場合、換言すれば、表層部が独立した層を形成している場合は、電極端子を構成する層のうち少なくとも突起電極と接触する最外層を、突起電極と同じ種類の金属又は突起電極と同じ種類の金属を含む合金によって形成することが好ましい。

電極端子の表層部と突起電極とに含ませる金属としては、金（Ａｕ）が好ましい。特に、実質的に金のみで電極端子と突起電極とを形成することが好ましい。金は酸素に対して非常に安定であるため、金を含む電極端子と突起電極とには、金属結合形成の妨げとなる酸化膜が形成されにくい。また、金は柔らかいため、塑性変形しやすい。このため、この構成によれば、より製造容易な半導体装置を実現することができる。

尚、第１基板及び第２基板のいずれか一方は、半導体素子基板、より詳細には集積回路（ＩＣ）チップであってもよい。

以上説明したように、本発明に係る半導体の製造方法によれば、電極端子の先端部分と突起電極を近接させることができるので、電極端子と突起電極とを好適に金属結合させることができる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は本実施形態に係る液晶表示装置１の概略平面図である。

液晶表示装置１は、アクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向する対向基板２０と、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間に設けられた液晶層（図示せず）と、第１配線基板４０と、第２配線基板５０とを備えている。アクティブマトリクス基板１０は、アクティブマトリクス基板本体１４と、アクティブマトリクス基板本体１４上に設けられた複数のソース電極１１と、複数のゲート電極１２と、ソース電極１１とゲート電極１２とを有する。複数のソース電極１１は相互に並行に延びるように設けられており、複数のゲート電極１２はソース電極１１の延びる方向に交差する方向に（例えば直交する方向に）相互に並行に延びるように設けられている。複数のソース電極１１と複数のゲート電極１２との交差部近傍のそれぞれにはＴＦＴ（図示せず）が設けられており、ＴＦＴのそれぞれはアクティブマトリクス基板１０の表面にマトリクス状に配設された画素電極（図示せず）に電気的に接続されている。一方、対向基板２０の液晶層側表面には上部共通電極（図示せず）が設けられており、画素電極と上部共通電極とにより、液晶層に電圧が印加される仕組みとなっている。

アクティブマトリクス基板１０の周縁部分には半導体素子基板としての第１ＩＣチップ３０が実装されている。複数のソース電極１１及び複数のゲート電極１２は、各々第１ＩＣチップ３０に電気的に接続されている。また、第１ＩＣチップ３０はアクティブマトリクス基板１０上に設けられた第１電極端子１３に電気的に接続されている。

第２配線基板５０は、第２配線基板本体５１と、第２配線基板本体５１上に設けられた第２電極端子５２及び第３電極端子５３とを備えている。第２電極端子５２は第１配線基板４０を介して第１電極端子１３に電気的に接続されている。また、第２配線基板５０の上には第２ＩＣチップ６０が実装されている。第２ＩＣチップ６０は第２電極端子５２及び第３電極端子５３に電気的に接続されている。第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との間に接着剤等を介在させてもよい。接着剤を介在させることによって、第２ＩＣチップ６０を第２配線基板５０により強固に固定することができる。このため、液晶表示装置１の機械的耐久性を向上することができる。本発明において、第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との接着に使用することができる接着剤は何ら限定されるものではないが、例えば、異方導電性樹脂フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、絶縁樹脂フィルム （ＮＣＦ：Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、異方導電性樹脂ペースト （ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）、絶縁樹脂ペースト（ＮＣＰ：Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等が挙げられる。

第１配線基板４０及び第２配線基板５０は、例えば、樹脂フィルムに配線が形成されたフレキシブルプリント基板（以下、「ＦＰＣ基板」とすることがある。）や樹脂板に配線が形成されたプリント配線基板（以下、「ＰＷＢ基板」とすることがある。）であってもよい。第２配線基板５０がＦＰＣ基板である場合、第２ＩＣチップ６０を第２配線基板５０に実装することをチップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ：ＣＯＦ）という。また、第２配線基板５０がＰＷＢ基板である場合、第２ＩＣチップ６０を第２配線基板５０に実装することをチップオンボード（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｄ：ＣＯＢ）という。

図２は図１中切り出し線ＩＩ−ＩＩで切断した部分の部分断面図である。

第２ＩＣチップ６０はチップ本体６１とチップ本体６１に設けられた突起電極（バンプ）６２を有する。突起電極６２は、接触面５３ａにおいて（詳細には、少なくとも接触面５３ａの側面部分において）、第３電極端子５３と金属結合している。より低い電気抵抗を実現する観点から、接触面５３ａの全面において金属結合していることが好ましい。

第３電極端子５３は、端子先端から第２配線基板本体５１方向に向かって広がるように形成されている。第３電極端子５３は、例えば、図２に示すように、断面形状が略台形、詳細には略等脚台形となるように形成してもよい。本発明において、略台形とは、頂角が鈍角化された台形を含む。鈍角化とは、９０度を超える角（複数でもよい）又は曲線で角部を構成することをいう。勿論、曲線と鈍角との組み合わせによって角部を構成しても構わない。また、略台形とは、斜辺が曲線によって構成されている形状を含む。

図３は図２に示す第３電極端子５３部分を拡大した図である。

図３に示すように、第３電極端子５３を断面形状が略等脚台形となるように形成した場合、上底の長さＬ１は下底の長さＬ２よりも短い。Ｌ１は０であってもよい。換言すれば、第３電極端子５３の断面が三角形であってもよい。図３に示す角度θは、例えば、１０°以上６０°以下であることが好ましい。角度θは、実装条件、第３電極端子５３及び突起電極６２の材質等によって好適な値が変化する値であるが、一般的に好ましい角度θの範囲は１０°以上２０°以下である。

一方、突起電極６２の形状は、何ら限定されるものではないが、例えば、断面形状が略四辺形（四辺形、角部が鈍角化された四辺形を含む）等となるように形成してもよい。突起電極６２の幅Ｌ３は第３電極端子５３の幅Ｌ２と同等であるか、又はＬ２よりも長いことが好ましい。突起電極６２はビッカース硬度１００Ｈｖ以下であることが好ましく、３０Ｈｖ以下であることがより好ましい。

第３電極端子５３と突起電極６２とは同じ種類の金属を含んでいることが好ましい。特に、第３電極端子５３と突起電極６２とが金を含むことがより好ましく、第３電極端子５３と突起電極６２とを実質的に金のみにより形成してもよい。第３電極端子５３は単層構造であっても、複層構造であってもよい。単層構造である場合は、第３電極端子５３は、突起電極６２と同じ種類の金属又は突起電極６２と同じ種類の金属（例えば金等）を含む合金によって形成することが好ましい。複層構造である場合、換言すれば、表層部が独立した層を形成している場合は、第３電極端子５３を構成する層のうち少なくとも突起電極６２と接触する最外層を、突起電極６２と同じ種類の金属又は突起電極６２と同じ種類の金属を含む合金によって形成することが好ましい。第３電極端子５３は、例えば、銅（Ｃｕ）により形成した電極端子本体をニッケル（Ｎｉ）で被覆し、さらにその最外層を金（Ａｕ）によって被覆したものであってもよい。

次に本発明に係る液晶表示装置１の製造方法について、図４を参照しながら詳細に説明する。

図４は液晶表示装置１の製造するための各工程を示す断面図である。詳細には、図４（ａ）は第３電極端子５３を形成する第１工程を示す断面図である。図４（ｂ）は第２配線基板５０に第２ＩＣチップ６０を実装する第２工程を示す断面図である。図４（ｃ）は第２ＩＣチップ６０を実装した第２配線基板５０の断面図である。

まず、公知の方法により第２配線基板５０を形成する。第３電極端子５３はサブトラクティブ工法によって形成してもよい。図４（ａ）はサブトラクティブ工法によって第３電極端子５３を形成する第１工程を描画した図である。全面に形成された膜５４の上に所定の形状にパターニングされたマスク５５を形成する。マスク５５の上からエッチング液をスプレー等を用いて吹きかけることによって、マスク５５に被覆されていない膜５４をエッチングすることにより、端子先端から第２配線基板本体５１方向に広がるように、断面形状が略台形状の第３電極端子５３を形成することができる。第３電極端子５３の断面の上底長さＬ１は、後に突起電極６２と金属結合させる観点から、短い方が好ましい。しかし、エッチングばらつきを考慮すると、Ｌ１は０よりも大きいことが好ましい。Ｌ１が０である場合、エッチングばらつきが生じると、第３電極端子５３の高さばらつきが生じるからである。

第３電極端子５３が突起電極６２に含まれる金属と同じ種類の金属を含まない場合は、第３電極端子５３の表面を、さらにコーティングしてもよい。例えば、第３電極端子５３を銅で形成して、その表面をニッケルと金とでコートしてもよい。

次に、第３電極端子５３を形成した第２配線基板５０の上に第２ＩＣチップ６０を配設する。第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との相対位置関係を調節し、その後、第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との間に圧力を付与することにより（図４（ｃ））、第２ＩＣチップ６０の突起電極６２と第２配線基板５０の第３電極端子５３とを金属結合させる（第２工程）。この際に第３電極端子５３の頂面に２００〜１０００ＭＰａ程度の圧力が付与されるように、第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０とをプレスすることが好ましい。これにより、第３電極端子５３と突起電極６２とを好適に金属結合させることができる。第３電極端子５３の頂面に付与される圧力を大きくすることにより、第３電極端子５３と突起電極６２とをより好適に金属結合させることができる。尚、第３電極端子５３は略台形に形成されており、第３電極端子５３と突起電極６２との接触面積比較的小さいため、第３電極端子５３の頂面に２００〜１０００ＭＰａという大きな圧力を付与しようとする場合でも、第２ＩＣチップ６０に付加される単位面積の圧力はそれほど大きくする必要はない。このため、第２ＩＣチップ６０実装時において、第２ＩＣチップ６０等が損傷することを抑制することができる。

第３電極端子５３の頂面（先端部分）に印加される圧力を大きくする観点から、第３電極端子５３の角度θは小さい方が好ましい。しかし、突起電極６２が硬い場合は、第３電極端子５３の角度θを小さくしすぎると突起電極６２が第３電極端子５３の傾斜に沿って変形しにくくなる。このため、突起電極６２の表面と第３電極端子５３の表面とを広範囲にわたって近接させることが困難となる。従って、広範囲にわたって突起電極６２と第３電極端子５３とを金属結合させることが困難となる。第３電極端子５３の角度θを大きくする方が、突起電極６２が第３電極端子５３の傾斜に沿って変形しやすくなる。このように、第３電極端子５３の角度θの好適範囲は、突起電極６２の硬度等によって変化するものであるが、一般的に、角度θは０度以上６０度以下であることが好ましい。より好ましい角度θの範囲は１０度以上２０度以下である。

第２工程において、第３電極端子５３は、端子先端から第２配線基板本体５１方向に向かって広がるように、略台形に形成されているため、第３電極端子５３が突起電極６２にめり込んでいく。このため、第３電極端子５３は突起電極６２内部の汚染物質が付着していない清浄な部分と接触することができる。言い換えれば、突起電極６２の内部の清浄な部分を第３電極端子５３との接合界面として使用することができる。従って、第３電極端子５３の表面と突起電極６２の表面とを、広範囲にわたって、汚染物質を介在させることなく、数オングストロームまで近づけることができるので、第３電極端子５３と突起電極６２とを好適に金属結合させることができる。

尚、第３電極端子５３の先端部分を突起電極６２に好適にめり込ませるためには、突起電極６２は柔らかい方が好ましい。具体的には、突起電極６２のビッカース硬度が１００Ｈｖ以下であることが好ましく、３０Ｈｖ以下であることがより好ましい。このような柔らかい金属としては、例えば金、金を含む合金が挙げられる。また、第３電極端子５３の先端部分を突起電極６２に好適にめり込ませる観点から、第３電極端子５３が大きな硬度を有することが好ましい。例えば、突起電極６２を金で形成し、第３電極端子５３を、金よりも硬度の大きな銅製の端子本体を金等で被覆したものとすることが好ましい。これにより、第３電極端子５３を突起電極６２よりも大きな硬度にすることができ、第３電極端子５３の先端部分を突起電極６２に好適にめり込ませることができる。

第２工程では、第３電極端子５３が突起電極６２にめり込んでいく際に、第３電極端子５３と突起電極６２との間に介在していたボイドが排除されていく。このため、第３電極端子５３の表面と突起電極６２の表面とを、広範囲にわたって、ボイドを介在させることなく近接させることができる。従って、第３電極端子５３と突起電極６２とを好適に金属結合させることができる。

第２工程において、突起電極６２及び第３電極端子５３のうち少なくともいずれか一方を加熱することが好ましい。加熱することにより突起電極６２の塑性変形を促進することができる。また、突起電極６２と第３電極端子５３間での原子の拡散が活発化される。このため、突起電極６２と第３電極端子５３との間の金属結合形成を促進することができる。また、突起電極６２及び第３電極端子５３のいずれか一方を加熱することにより、第３電極端子５３と突起電極６２との間に付与する圧力を小さくすることができる。このため、プレスによる第２ＩＣチップ６０等の損傷を効果的に抑制することができる。

具体的には、突起電極６２及び第３電極端子５３のうち少なくともいずれか一方を室温以上５００℃以下に加熱することが好ましい。突起電極６２及び第３電極端子５３のいずれか一方を高温にするほど突起電極６２と第３電極端子５３との間の金属結合形成は促進されるため、１５０度以上であることがより好ましい。一方、突起電極６２及び第３電極端子５３のいずれか一方が高温になるほど、第２ＩＣチップ６０等に損傷を与える虞、及び気泡が発生する虞があるため、４００℃以下に加熱することがより好ましい。

特に、例えば５０μｍ以下といったファインピッチを有する第２ＩＣチップ６０を実装する場合は、第２工程における突起電極６２と第３電極端子５３との温度がより低いことが好ましい。低温で第２ＩＣチップ６０を実装することにより第２配線基板５０等の部材の伸縮を抑制することができるので、第２ＩＣチップ６０の突起電極６２と第２配線基板５０の第３電極端子５３との位置ずれが発生することを抑制することができる。

また、第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との間に接着剤を介在させる場合においても、第２工程における突起電極６２と第３電極端子５３との温度がより低いことが好ましい。突起電極６２や第３電極端子５３の温度が高いと、近傍に存在する接着剤中に気泡が残存する虞がある。接着剤中に気泡が発生し、残留した場合、第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との密着力が低下する虞があるためである。第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との高い密着性を実現する観点から、第２工程において突起電極６２や第３電極端子５３の温度を３００℃以下とすることが好ましく、２００度以下とすることがさらに好ましい。尚、接着剤中に残存する可能性のある気泡としては、例えば接着剤自身が気化することにより発生する気泡、基板に吸着している水分が気化（水蒸気化）することにより発生する気泡、及びＩＣ実装時に巻き込む気泡等が挙げられる。

実装時間（第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０とをプレスする時間）は０．２秒以上２０秒以下であることが好ましい。第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との間に接着剤を介在させない場合は、０．２秒以上１秒以下であることが好ましい。第２ＩＣチップ６０と第２配線基板５０との間に接着剤を介在させる場合は、接着剤が固化するまでの時間を考慮して、実装時間を１秒以上２０秒以下とすることが好ましい。

本実施形態では、半導体装置の一例として液晶表示装置１を例示して説明したが、本発明に係る半導体装置は何らこれに限定されるものではない。本発明に係る半導体装置は、例えば、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、フィールドエミッション表示装置等であってもよい。

以上説明したように、本発明に係る半導体装置の製造方法は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、フィールドエミッション表示装置等を製造するのに有用である。

本実施形態に係る液晶表示装置１の概略平面図である。 図１中切り出し線ＩＩ−ＩＩで切断した部分の部分断面図である。 図２に示す第１電極端子１３部分を拡大した図である。 液晶表示装置１の製造するための各工程を示す断面図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置
１０ アクティブマトリクス基板
１１ ソース電極
１２ ゲート電極
１３ 第１電極端子
１４ アクティブマトリクス基板本体
２０ 対向基板
３０ 第１ＩＣチップ
４０ 第１配線基板
５０ 第２配線基板
５１ 第２配線基板本体
５２ 第２電極端子
５３ 第３電極端子
５３ａ 接触面
５４ 膜
５５ マスク
６０ 第２ＩＣチップ
６１ チップ本体
６２ 突起電極

Claims (8)

1. 基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第１基板と、
   突起電極を有する第２基板と、
   を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記電極端子を、端子先端から前記基板本体方向に向かって広がるように、前記第１基板上に形成する第１工程と、
   前記電極端子の先端部分を前記突起電極にめり込ませる第２工程と、
   を含む半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、
   前記第２工程において、前記電極端子と前記突起電極とを金属結合させる半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、
   前記第２工程において、前記電極端子及び前記突起電極のうち少なくともいずれか一方を加熱する半導体装置の製造方法。
4. 基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第１基板と、
   突起電極を有する第２基板と、
   を備えた半導体装置であって、
   前記電極端子は端子先端から前記基板本体方向に向かって広がるように形成されており、
   前記電極端子の先端部分が前記突起電極にめり込んでおり、
   前記電極端子と前記突起電極とが金属結合している半導体装置。
5. 基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第１基板と、
   突起電極を有する第２基板と、
   を備えた半導体装置であって、
   前記電極端子は端子先端から前記基板本体方向に向かって広がるように形成されており、
   前記突起電極は前記電極端子の側面部分と金属結合している半導体装置。
6. 請求項４又は５に記載された半導体装置において、
   前記電極端子の表層部と前記突起電極とは同じ種類の金属を含む半導体装置。
7. 請求項６に記載された半導体装置において、
   前記電極端子の表層部と前記突起電極とは金を含む半導体装置。
8. 請求項４又は５に記載された半導体装置において、
   前記第１基板又は前記第２基板はＩＣチップである半導体装置。

Images