JP5169071B2 - 電子部品、電子装置、電子部品の実装構造体及び電子部品の実装構造体の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 145
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910006164 NiV Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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Description
ところが、一般にランドやバンプ電極は金属によって形成されており、したがってランドやバンプ電極に高さのバラツキがある場合に、これらランドとバンプ電極との間で接合強度のバラツキが生じてしまい、一部のランド−バンプ電極間で接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれがあった。
本発明の電子装置は、前記電子部品が実装されていることを特徴とする。
本発明の電子部品の実装構造体は、バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造体であって、
前記バンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面上に導電膜が覆われた構造を有し、前記導電膜は、前記端子に直接導電接触し、前記基板と前記電子部品とには、前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態を保持する保持手段が備えられ、
前記内部樹脂は、前記端子との接合前の状態において、前記電子部品に当接する底面に対して直交する断面のうちの主断面の形状が、前記電子部品に当接する底辺と、該電子部品の外側に突出する外辺とによって囲まれ、かつ、前記外辺が、異なる曲率を有する複数の曲線が連続することで構成されてなり、
前記導電膜は、前記内部樹脂の前記主断面の面方向に沿って該内部樹脂の表面上に設けられていることを特徴としている。
このようにすれば、特にバンプ電極の内部樹脂の肩部分では、曲線形状となっていることで応力集中が抑えられ、導電膜の断線が防止される。また、肩部分と上辺部分とが連続した曲線となるので、肩部分への応力が上辺部分などにも分散され、前記したように肩部分での応力集中が抑えられる。さらに、主断面の略台形状における肩部分の曲率が、前記略台形状における上辺部分の曲率より大であるので、上辺部分は相対的に平坦性が高くなり、例えば端子との接合時に比較的低圧で接合させられても、上辺部分に対応する面が容易に平面となることで端子との間で十分な接合面積(接続)が確保される。したがって、端子との間の接続(接合)信頼性が高くなる。また、例えばバンプ電極が複数ある場合に、バンプ電極間で高さバラツキが小さくなり、このことからも、前記したように端子との間の接続(接合)信頼性が高くなる。
このようにすれば、内部樹脂の表面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。
このようにすれば、弾性変形してなるバンプ電極と端子との間の導電接触状態がより良好に保持され、バンプ電極の導電膜と端子との間の導電接続状態がより良好になる。
電子部品上に、コアとなる内部樹脂を設けてその表面上を導電膜で覆い、バンプ電極を形成するバンプ電極形成工程と、
前記バンプ電極の導電膜を基板の端子に直接導電接触させた状態で、前記基板に前記電子部品を実装する実装工程と、
前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態で、前記基板に前記電子部品を保持させる保持工程と、を備えてなり、
前記バンプ電極形成工程は、
前記コアとなる内部樹脂を、前記電子部品に当接する底面に対して直交する断面のうちの主断面の形状を略台形状にするとともに、少なくとも該略台形状における肩部分を湾曲させて形成する内部樹脂形成工程と、
前記導電膜を、前記内部樹脂の前記主断面の面方向に沿って該内部樹脂の表面上に設ける導電膜形成工程と、を有することを特徴としている。
このようにすれば、前記主断面の略台形状における上辺部分と側辺部分とを、異なる曲率を有する複数の曲線が連続してなるように形成するので、前記導電膜を、内部樹脂の前記上辺部分および側辺部分の形状、すなわち、異なる曲率を有する複数の曲線が連続するなだらかな湾曲形状に沿わせて設けることにより、該導電膜に局部的な応力集中が起こるのを抑制し、応力集中に起因して該導電膜が断線するのを防止することができる。
このようにすれば、内部樹脂の表面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。
図1は本発明に係る電子部品の実装構造体を適用した液晶表示装置を示す模式図である。まず、図1を用いて本発明に係る電子部品の実装構造体の適用例を説明する。
図1において符号100は液晶表示装置であり、この液晶表示装置100は、液晶パネル110と、電子部品(液晶駆動用ICチップ)121とを有して構成されている。なお、この液晶表示装置100には、図示しないものの、偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が、必要に応じて適宜設けられるものとする。
図2(a)は、前記液晶表示装置100における電子部品121の実装構造体を拡大して示す要部拡大斜視図であり、図2(b)は、図2(a)におけるA−A線矢視断面図である。図2(a)(b)において符号11Pは基板111上に設けられた配線パターン、すなわち、前記配線111b、111c、111dのいずれかを表しており、符号11はこれら配線に設けられた端子、すなわち、前記した端子111bx、111cx,111dxのいずれかを表している。また、図2(b)において符号10は、本発明の一実施形態となる実装構造体を示している。
また、前記肩部分13eの曲率R1が、前記上辺部分13cの曲率R2より小となっているので、前述したように上辺部分13cからなる内部樹脂13の上面が、肩部分13eからなる曲面よりなだらかで相対的に平坦性が高い湾曲面となっている。したがって、この上辺部分13cに対応する面が平面になり易いことから、後述するように端子11との間で十分な接合面積(接続)が確保されるようになる。
まず、本発明の製造方法において主要構成となる、バンプ電極12の形成工程について説明する。
このバンプ電極12の形成工程では、まず、図4(a)に示すように電子部品121の能動面上に、内部樹脂13の形成樹脂、例えばネガ型レジストとなるポリイミド樹脂を、例えば10〜20μm程度の厚さに塗布する。ここで、電子部品121の能動面には、予め絶縁材からなる保護膜15を形成しておくとともに、この保護膜15に開口部15aを形成して該開口部15a内に電極16を露出させておく。そして、塗布した形成樹脂をプリベークすることにより、樹脂層130を形成する。
具体的には、図4(b)中矢印で示すように露光光を斜めに照射し、樹脂層130における被露光部分を、図4(b)中破線で示すように横断面略台形状とする。また、図4(c)に示すように、フォトマスク20を樹脂層130から離した状態で露光するオフコンタクト露光を行い、樹脂層130における被露光部分を、図4(c)中破線で示すように横断面略台形状としてもよい。さらに、フォトマスク20として、半透過型のハーフマスクを用い、被露光部分を前記したように横断面を略台形状にしてもよい。ハーフマスクとしては、前記開口部21の周辺部分を半透過性にするともに、該開口部21から遠ざかるに連れて徐々に透光性を低下させる。このように半透過性の領域を形成することで、前記略台形状における側辺部分、すなわち斜面部分の露光を行うことができる。
次いで、導電層14a上に公知のレジスト技術、リソグラフィー技術によってレジストパターン(図示せず)を形成し、さらにこのレジストパターンをマスクにして導電層14aをエッチングすることにより、図3(a)に示したような所定パターンの導電膜14を形成する。これにより、バンプ電極形成工程における導電膜形成工程が終了する。前記エッチングとしては、例えばプラズマを用いたドライエッチングや、薬液を用いるウエットエッチングなど、任意の手法を採用することができる。
なお、特に前記の内部樹脂13の形成に際しては、前述したように樹脂層130に対する露光量を調整するハーフ露光と、現像後の樹脂パターン130aに対するリフロー処理とを組み合わせることで、横断面(主断面)を略台形状に形成したが、前記したようにハーフ露光のみで所望の形状を形成してもよく、また、リフロー処理のみで所望の形状を形成してもよい。
また、例えば電子部品121にバンプ電極12が複数ある場合に、内部樹脂13の上辺部分13cの曲率R2を相対的に大きくしたので、バンプ電極12間で高さバラツキが小さくなる。したがって、このようにバンプ電極12が複数ある場合にも、端子11との間の接続(接合)信頼性が高いものとなる。
このような構造を採用しても、導電膜18はなだらかに湾曲してなる内部樹脂17上に設けられているので、応力集中に起因して断線が起こるのが防止されたものとなる。
また、本発明の電子部品の実装構造体が適用される装置としては、前記した液晶表示装置だけではなく、有機エレクトロルミネッセンス装置(有機EL装置)や、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)など、各種の電気光学装置や各種の電子モジュールに適用可能である。
Claims (8)
- 所定の面に設けられた電極と、
前記電極と接続され、前記所定の面から突出して設けられたバンプ電極と、
を有し、
前記バンプ電極は、
前記所定の面に対して直交する断面の形状が略台形状に設けられた樹脂と、
少なくとも一部が前記樹脂に沿って前記略台形状の上辺から前記電極まで設けられた導電膜と、
を有し、
前記樹脂の断面は、
前記略台形状における上辺と側辺との角部において、曲率中心が前記樹脂の内側にある曲線と、
前記略台形状における底辺と前記側辺との角部において、曲率中心が前記側辺を挟んで前記樹脂の外側にある曲線とからなるS字形状を有することを特徴とする電子部品。 - 前記樹脂は、横断面が前記略台形状となる略蒲鉾状であり、
前記導電膜は、前記樹脂の横断方向に延びる帯状に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。 - 請求項1〜2のいずれか一項に記載の電子部品が実装されていることを特徴とする電子装置。
- バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造体であって、
前記バンプ電極は、樹脂をコアとしてその表面上に導電膜が覆われた構造を有し、前記導電膜は、前記端子に直接導電接触し、前記基板と前記電子部品とには、前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態を保持する保持手段が備えられ、
前記樹脂は、前記端子との接合前の状態において、前記電子部品に当接する底面に対して直交する断面のうちの主断面の形状が略台形状であり、
前記略台形状における上辺と側辺との角部において、曲率中心が前記樹脂の内側にある曲線と、
前記略台形状における底辺と前記側辺との角部において、曲率中心が前記側辺を挟んで前記樹脂の外側にある曲線とからなるS字形状を有し、
前記導電膜は、前記樹脂の前記主断面の面方向に沿って該樹脂の表面上に設けられていることを特徴とする電子部品の実装構造体。 - 前記端子との接合前の状態において、前記樹脂は前記主断面となる横断面を略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記樹脂の前記主断面の面方向に沿って該樹脂の表面上に帯状に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の電子部品の実装構造体。
- 前記保持手段が、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の電子部品の実装構造体。
- バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装する電子部品の実装構造体の製造方法であって、
電子部品上に、コアとなる樹脂を設けてその表面上を導電膜で覆い、バンプ電極を形成するバンプ電極形成工程と、
前記バンプ電極の導電膜を基板の端子に直接導電接触させた状態で、前記基板に前記電子部品を実装する実装工程と、
前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態で、前記基板に前記電子部品を保持させる保持工程と、を備えてなり、
前記バンプ電極形成工程は、
前記コアとなる樹脂を、前記電子部品に当接する底面に対して直交する断面のうちの主断面の形状を略台形状にするとともに、前記樹脂の表面を加熱させて溶融させることにより、
前記略台形状における上辺と側辺との角部において、曲率中心が前記樹脂の内側にある曲線と、
前記略台形状における底辺と前記側辺との角部において、曲率中心が前記側辺を挟んで前記樹脂の外側にある曲線とからなるS字形状を形成する樹脂形成工程と、
前記導電膜を、前記樹脂の前記主断面の面方向に沿って該樹脂の表面上に設ける導電膜形成工程と、を有することを特徴とする電子部品の実装構造体の製造方法。 - 前記樹脂形成工程では、前記樹脂を、前記主断面を横断面とする略蒲鉾状に形成し、
前記導電膜形成工程では、前記樹脂の前記主断面の面方向に沿って該樹脂の表面上に帯状に設けることを特徴とする請求項7に記載の電子部品の実装構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007214513A JP5169071B2 (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | 電子部品、電子装置、電子部品の実装構造体及び電子部品の実装構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007214513A JP5169071B2 (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | 電子部品、電子装置、電子部品の実装構造体及び電子部品の実装構造体の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009049226A JP2009049226A (ja) | 2009-03-05 |
JP2009049226A5 JP2009049226A5 (ja) | 2010-10-07 |
JP5169071B2 true JP5169071B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=40501173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007214513A Active JP5169071B2 (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | 電子部品、電子装置、電子部品の実装構造体及び電子部品の実装構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5169071B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5149876B2 (ja) | 2009-07-23 | 2013-02-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI668821B (zh) * | 2016-10-25 | 2019-08-11 | 日商Tdk股份有限公司 | 電子零件模組及其製造方法 |
CN109287129B (zh) * | 2017-05-19 | 2022-04-08 | 新电元工业株式会社 | 电子模块 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110831A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Seiko Epson Corp | 外部接続突起およびその形成方法、半導体チップ、回路基板ならびに電子機器 |
JP2005101527A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電子部品の実装構造、電気光学装置、電子機器及び電子部品の実装方法 |
JP4165495B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 |
JP4207004B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007165744A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Epson Imaging Devices Corp | 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、半導体装置の製造方法、実装構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP4784304B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法、回路基板及び電子機器 |
JP2007188993A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Epson Imaging Devices Corp | 電子部品の製造方法、及び、電気光学装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-08-21 JP JP2007214513A patent/JP5169071B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009049226A (ja) | 2009-03-05 |
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A977 | Report on retrieval |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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