JP2006269939A5

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Publication number: JP2006269939A5
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Filing date: 2005-03-25
Publication date: 2008-05-08
Anticipated expiration: 2025-03-25

Description

電界効果トランジスタ及びその製造方法

本発明は、窒化ガリウム系半導体半導体を用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。

窒化ガリウム系半導体は禁制帯幅が広いため、これを用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field effect Transistor）は、高周波かつ高耐圧で動作することが可能で、高出力パワー半導体装置として期待され、ＭＥＳＦＥＴ（Metal Semiconductor FET）や高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）等が提案されている。ＨＥＭＴは、高周波用等に普及している高速半導体デバイスであり、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓヘテロ接合を用いたものが実用化されており、その優れたマイクロ波・ミリ波特性により、衛星放送用受信器等の低雑音かつ高速の電界効果トランジスタとして広く使用されている（例えば特許文献１参照）。

ところで近年は、ＧａＡｓ系化合物に代えてＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ（以下、「ＧａＮ系ＨＥＭＴ」という）が、次世代型の高速ＦＥＴとして注目されている。ＧａＮ系化合物はバンドギャップが広く、電子有効質量から見積もられる飽和電子移動度も高いことから、より大出力で高耐圧かつ高温動作可能な高周波デバイスを実現できる可能性があり、研究が重ねられている。ＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ構造の一例を図７に示す。この図に示すＧａＮ系ＨＥＭＴ７００は、絶縁性のサファイア基板７１上にＡｌＮバッファ層７２、電子走行層となるアンドープＧａＮ層７３、キャリア供給層となるｎ型ＡｌＧａＮ層７４を順次積層している。またｎ型ＡｌＧａＮ層７４の上面には、ソース電極７５、ゲート電極７６、ドレイン電極７７が形成される。この構造のＨＥＭＴは、キャリア供給層となるｎ型ＡｌＧａＮ層７４が電子走行層となるアンドープＧａＮ層７３に電子を供給し、供給された電子はＧａＮ層７３の最上層部でｎ型ＡｌＧａＮ層７４に接する領域７３ａをチャネルとして、高移動度で走行する。

このようなＨＥＭＴを高出力化するためには、高電圧を印加できるように更なる高耐圧化を図る必要がある。しかしながら、より多くのドレイン電流を得るためにソース電極７５、ドレイン電極７７間に大きな電圧を印加して動作させると、素子の一部に電界が集中することによって素子の破壊が生じる。特にゲート電極とドレイン電極との間での絶縁破壊による短絡が問題となる。例えば図７に示すようなソース電極７５、ゲート電極７６とが同一平面上に形成されている横方向デバイスの構成では、この電極間で数百Ｖ以上の絶縁を維持することが困難となる。また仮にソース電極とドレイン電極との絶縁を維持できたとしても、数千Ｖといった高電圧の印加時には沿面放電等により、ソース電極とドレイン電極との間に存在する空気やこれらを被膜する絶縁層の耐圧が問題となって絶縁破壊が生じる。さらに上記の構成は、ドレイン電極の直下に電界が集中し易い構造であるため、高電圧動作時には電界集中によって高電圧が印加されて絶縁破壊が起こりやすい。このように、電極間の絶縁破壊がＨＥＭＴ素子の高出力化の障害となっていた。
特開２００３−２９７８５６号公報

本発明は、このような問題点を解決するためになされたものである。本発明の主な目的は、高耐圧化を実現して高出力化を図った電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。

以上の目的を達成するために、本発明の第１の側面に係る電界効果トランジスタは、キャリア走行層を含む半導体構造と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを備える電界効果トランジスタであって、前記半導体構造はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりなり、前記半導体構造上に前記ゲート電極及び前記ソース電極が形成され、前記半導体構造の前記ゲート電極形成面と対向する面に、前記ドレイン電極が形成されている。

これにより、ゲート電極とドレイン電極とが半導体構造の同一面でなく、異なる面にそれぞれ配置されることで物理的に離間されるので、電界効果トランジスタのドレイン耐圧を高めることができる。

また、本発明の第２の側面に係る電界効果トランジスタは、前記半導体構造が、第１半導体層と、前記第１半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第２半導体層とを有する。

さらに、本発明の第３の側面に係る電界効果トランジスタは、前記第１及び第２半導体層はＧａＮ基板上に形成されており、前記ゲート電極及びソース電極と、前記ドレイン電極は、前記ＧａＮ基板を含む前記半導体構造の両面に形成されている。

さらにまた、本発明の第４の側面に係る電界効果トランジスタは、前記第１半導体層側に前記ゲート電極及び前記ソース電極が形成され、前記第２半導体層側に前記ドレイン電極が形成されている。

さらにまた、本発明の第５の側面に係る電界効果トランジスタは、第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成され該第１半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２半導体層と、を含む半導体構造と、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を備える電界効果トランジスタであって、前記第１半導体層及び第２半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層よりなり、前記第１半導体層上に前記ゲート電極及び前記ソース電極が形成され、前記第２半導体層上に前記ドレイン電極が形成され、前記半導体構造の前記ソース電極形成面と対向する面に、ドレイン電極が形成されている。これにより、ソース電極とドレイン電極とをそれぞれ対向する面に配置することにより、これらを物理的に離間して電界効果トランジスタの耐圧を高めることができる。

さらにまた、本発明の第６の側面に係る電界効果トランジスタは、前記ドレイン電極が、前記ゲート電極と対向する位置よりも前記ソース電極側にシフトさせた位置に形成されている。

さらにまた、本発明の第７の側面に係る電界効果トランジスタは、前記第１半導体層の端面が露出されると共に、前記ソース電極が該端面にオーミック接触するように形成されている。これにより、第２半導体層がｉ型ＧａＮ層などであっても電流を取り出すことができ、高耐圧の電界効果トランジスタが実現できる。

さらにまた、本発明の第８の側面に係る電界効果トランジスタは、前記第２半導体層と前記ドレイン電極との間に介在層が形成されている。これにより、ドレイン電極と第２半導体層とが離間できるので、ドレイン電極とゲート電極との距離をさらに大きくして電界集中を緩和でき、電界効果トランジスタの耐圧をさらに高めることができる。

さらにまた、本発明の第９の側面に係る電界効果トランジスタは、前記第１半導体層がキャリア走行層であり、前記第２半導体層がキャリア供給層である。

さらにまた、本発明の第１０の側面に係る電界効果トランジスタは、前記電界効果トランジスタがＨＥＭＴである。

また、本発明の第１１の側面に係る電界効果トランジスタの製造方法は、
キャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいキャリア供給層を備える電界効果トランジスタの製造方法であって、基板上に、キャリア走行層、キャリア供給層を順次積層し、半導体構造を形成する工程と、前記半導体構造の一方の面側に、ドレイン電極を形成する工程と、前記半導体構造の前記ドレイン電極側を支持基板に固定し、前記基板を除去する工程と、前記半導体構造のドレイン電極形成面と対向する面側に、ゲート電極及びソース電極を形成する工程とを有する。これにより、ゲート電極とドレイン電極とが半導体構造の同一面でなく、異なる面にそれぞれ配置されることで物理的に離間され、ゲート−ドレイン電極間の耐圧を高めて電界効果トランジスタとしての耐圧を高めることができる。

本発明の電界効果トランジスタ及びその製造方法によれば、ゲート電極とドレイン電極とを物理的に離間して配置する構成によって高い絶縁性が達成され、これらの電極間の耐圧を高めることで信頼性が高く、高出力可能な電界効果トランジスタを得ることができる。特にドレイン耐圧を向上させることで、電界効果トランジスタの耐圧を高めることが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための電界効果トランジスタ及びその製造方法を例示するものであって、本発明は電界効果トランジスタ及びその製造方法を以下のものに特定しない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。

なお、本明細書において半導体層上に形成するとは、該層に接触する形で直接形成する他、１層又は２層以上の介在する層その他の介在物を介して形成する構成も含むものとする。また、形成面は主面等一の平面に限定されず、主面と直交する端面等、他の面上に形成する場合も含む意味で使用する。
（実施の形態１）

図１に、本発明の実施の形態１に係る電界効果トランジスタとして、ＧａＮ系ＨＥＭＴ１００を構成する一例を示す。この図に示すＨＥＭＴ１００は、第１半導体層としてキャリア走行層１３、第２半導体層としてキャリア供給層１４を順次積層した半導体構造１２を有している。またキャリア供給層１４の上面にドレイン電極１７を、キャリア走行層１３の下面にゲート電極１６を、それぞれ形成している。一方、キャリア走行層１３の端面、すなわちキャリア走行層１３がキャリア供給層１４と接触する面とほぼ垂直な方向の面、図１におｄいてはＧａＮ層の右側端面にソース電極１５を形成している。これらソース電極１５及びドレイン電極１７は、第１半導体層及び第２半導体層を含む半導体構造１２とオーミック接触させており、一方ゲート電極１６はショットキー接触させている。この構造のＧａＮ系ＨＥＭＴ１００は、キャリア供給層１４がキャリア走行層１３にキャリアとして電子を供給し、供給された電子はキャリア走行層１３の上部でキャリア供給層１４との界面に二次元電子ガス層を形成し、これをチャネル１３ａとして高移動度で走行する。このようにキャリアが主に電子である場合は、キャリア走行層１３は電子走行層となる。チャネル１３ａの大きさは、ゲート電極１６に印加されるゲート電圧Ｖ_Gによって形成される空乏層により制御される。ゲート電極１６に印加する逆方向電圧によって空乏層の大きさを制御し、ドレイン電流Ｉ_Dの制御すなわちＨＥＭＴのＯＮ／ＯＦＦスイッチングを行う。
（キャリア走行層１３、キャリア供給層１４）

第１半導体層と第２半導体層は、それぞれ窒化物半導体層であって、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を用いることが好ましい。特に第２半導体層が第１半導体層よりバンドギャップエネルギーが大きいことで、第２半導体層がキャリア供給層と、第１半導体層がキャリア走行層として機能しうる。キャリア供給層１４は、キャリア走行層１３にキャリアを供給する。キャリア供給層１４は、好ましくはｎ型窒化物半導体層とする。このキャリア供給層１４はキャリア密度を増すためにドーパントでドープしており、ドーパントとしてｎ型不純物となるＳｉを１×１０¹⁸〜１×１０²⁰／ｃｍ³程度含むことでキャリア密度が増すので好ましい。Ｓｉが１×１０²⁰／ｃｍ³より大きいと、第２半導体層の結晶性が悪くなってしまう。また、キャリア供給層は、ドープ量を下げたりアンドープにすることで、ゲートリーク電流を低減し、耐圧を高めることもできる。図１の例では、キャリア供給層１４としてｎ型ＡｌＧａＮ層、キャリア走行層１３としてアンドープのＧａＮ層を採用している。またキャリア供給層をｉ型のＡｌＧａＮ層とすることでも、高耐圧化に寄与できる。一方でキャリア走行層は適切なドーパントでドープして、チャネル以外のキャリア走行層におけるキャリア走行を軽減してもよい。また第１半導体層と第２半導体層との膜厚については、特に限定するものではないが、好ましくは第１半導体層を１μｍ以上５μm以下、さらに好ましくは２μｍ以上３μｍ以下とし、第２半導体層を５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることで、キャリア供給層とキャリア走行層とを有する素子において、キャリアが高移動度で走行するので好ましい。さらに第１半導体層のゲート電極を形成する面から第１半導体層と第２半導体層との界面までの距離が５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることで、ゲート電極による空乏層の制御効果が顕著に得られ、電流を制御することができるので実用上好ましい。
（電極）

キャリア供給層１４の上面に形成される各電極の内、ソース電極１５とドレイン電極１７はオーミック性電極であり、ゲート電極１６はショットキー電極である。これらの電極は、図示しないがオーミック接合特性、ショットキー接合特性を得るためのコンタクト層を各々介在させることもできる。例えばソース電極１５とドレイン電極１７は、キャリア供給層１４上に形成されたオーミックコンタクト層との界面でオーミック性電極を構成し、一方ゲート電極１６は、キャリア供給層１４上に形成されたショットキーコンタクト層に接触する界面でショットキー接合特性を有する。

電界効果トランジスタにおいては、キャリア供給層１４中のドナーからキャリアとなる電子が放出されるが、このキャリア電子はキャリア供給層１４中に留まっているより、より電子親和力の大きいチャネル１３ａ中に引き込まれ界面近傍に蓄積される。この蓄積された電子はドーパントによる散乱を受けないため、チャネル１３ａ中を高速で走行することができる。一方、図１に示すように、ソース電極１５とドレイン電極１７との電極間にドレインソース間電圧Ｖ_DSを印加すると、チャネル１３ａを介してソース電極１５とドレイン電極１７の間にドレイン電流Ｉ_Dが流れる。またゲート電極１６にゲート電圧Ｖ_Gを印加すると、その電圧に応じてゲート電極１６の下に発生する空乏層が延びるため、図２に示すようにゲート電圧Ｖ_Gでドレイン電流Ｉ_Dを制御することができる。また、ゲート電極１６直下のショットキーコンタクト層は、ゲート電極１６とチャネル１３ａの間を流れる電流（ゲートリーク電流）を抑えるためのバリア層として働き、一方オーミックコンタクト層はソース電極１５及びドレイン電極１７のオーミック電極としてのコンタクト抵抗を低減する作用を奏する。
（ゲート電極１６）

ゲート電極１６は、キャリア供給層１４側でなく、キャリア走行層１３側に形成している。これにより、ゲート電極１６をドレイン電極１７と異なる面、図１に示す例では対向する面に形成して両者を物理的に離間している。このようにゲート電極１６とドレイン電極１７とを同一面側に隣接させず、半導体構造１２の両面に分離することで、両電極間の絶縁を容易にしている。

図７のような電極構造のＨＥＭＴに対して電圧を与えると、ゲート電極７６のドレイン端において他の部分より高い電界が印加されてしまう。電界効果トランジスタ素子に高電圧を与え、局所的な電界の強さが一定の値を越えると、その場所で上述した素子破壊が起こるため、素子の耐圧を上げるには電界の集中を避けることが重要である。本実施の形態では、ドレイン電極をゲート電極から物理的に離間させる距離を大きくするために、ドレイン電極をゲート電極と反対面に形成している。これによって、ゲート−ドレイン電極間に働く電界の集中が緩和され、電界効果トランジスタ素子の高耐圧化に寄与する。またドレイン電極は、ゲート電極と対向する位置よりもソース電極側にシフトさせた位置に形成する。これによって、ゲート電極とドレイン電極との間の距離を更に長くして耐圧を高めると共に、ドレイン電極とソース電極との間にゲート電極を位置させて、空乏層の制御というゲート電極本来の機能を有効に発揮させることができる。
（ソース電極１５）

図１の構成では、ゲート電極１６をドレイン電極１７の形成面と対向する面に形成すると共に、ソース電極１５もゲート電極１６側、すなわちドレイン電極１７の形成面と対向面に形成している。これによって、電界効果型トランジスタのドレイン−ソース電極間耐電圧Ｖ_DSSを高めることもできることは言うまでもない。
（実施の形態２）

また図３に、本発明の実施の形態２に係る電界効果トランジスタの断面図を示す。この図に示す電界効果トランジスタもＨＥＭＴであり、キャリア供給層３４とドレイン電極３７との間に、介在層としてＧａＮ層を形成している。

キャリア供給層とドレイン電極との間に介在層を設ける場合、介在層の膜厚は１０００Å以上１μｍ以下とすることで、ドレイン電極とゲート電極の距離を大きくして電界集中を緩和することができる。この介在層はｎ型ＧａＮ層とすることが好ましく、特に５×１０¹⁹／ｃｍ³以下のＳｉがドープされた層とすることで介在層として好適に機能する。
（ドレイン電極３７）

ドレイン電極３７は、ゲート電極３６及びソース電極３５と離間させる程、より高耐圧化を図ることができる。このため実施の形態２の構成では、図３に示すようにキャリア供給層３４とドレイン電極３７の間に介在層を介在させることによって、さらにドレイン電極３７とゲート電極３６とを離間させ、高電圧印加時にこの間に電界が集中する事態を緩和し、ＨＥＭＴ素子の高耐圧化を実現できる。介在層は、例えばｎ型ＧａＮ層が利用できるが、これに限定されるものでない。
（ゲート電極３６）

ゲート電極は、ゲート電極による空乏層の制御効果を確実にするため、チャネル３３ａとある程度接近させて配置する。図１の例では、ゲート電極１６をＧａＮ層表面上に形成しているが、好ましくは、図３に示すようにキャリア走行層３３の裏面上でゲート電極３６を形成する部位を、エッチングなどにより薄く形成し、ゲート電極３６をチャネル３３ａに近接させる。例えば、キャリア走行層３３がアンドープＧａＮ層である場合、ゲート電極形成面とチャネル３３ａとの距離が１０００Å程度となるようにする。
（ソース電極３５）

ソース電極３５は、キャリア走行層３３の少なくとも端面の一部を被膜している必要がある。ただ、ソース電極３５を大きくすることで、電極の配線を容易にし電流の取り出しを容易にすることもできる。例えば図３に示すように、キャリア走行層３３の端面から下面に連続するように延長したり、キャリア供給層３４の下面に連続させることもできる。このようにすることで、ゲート電極３６と同一面から配線できるので、ゲート電極３６とソース電極３５への配線と同時に行うことができ、配線作業を容易にできる。

なお、キャリア走行にｎ型ＧａＮ層あるいはＡｌＧａＮ層を使用する場合は、ソース電極をキャリア走行層の端面でなく表面側に形成することもできる。キャリア走行にｉ型ＧａＮ層を使用する場合はソース電極を表面側に形成しても高抵抗であるため電流が流れないが、ｎ型ＧａＮ層あるいはＡｌＧａＮ層を使用する場合は上記の構成を採用することができる。
（キャリア供給層３４）

また図３の例では、キャリア供給層３４をｎ型ＡｌＧａＮ層３４ＡとアンドープＡｌＧａＮ層３４Ｂで構成している。このように、キャリア走行層３３との界面をアンドープＡｌＧａＮ層３４Ｂとすることによって、界面すなわちチャネル３３ａの近傍でＡｌＧａＮ層中の不純物によってキャリアが散乱され移動度が低下する事態を回避し、高いキャリア移動度を実現できる。また、変調ドープ等の手段によって、キャリア供給層のドープ量を界面近傍で低減することによっても同様の効果を得ることができる。なお、このようにキャリア供給層を複数層に分けたり、ドープ量を変化させる場合は、アンドープ層やドープ量の少ない層はキャリアを供給しないか、供給量が少ないと考えられ、その意味ではキャリア供給層として機能しないとも解釈できるが、本明細書においては、機能よりも層を区別する必要上から、これらもキャリア供給層に含めるものとする。
（実施の形態３）

さらに、図４の断面図及び図５の平面図に示すように、ＨＥＭＴ素子を円形状に形成することもできる。矩形状の電極を使用する場合は、電極の隅部等、電界が集中しやすい部分が形成されるため、耐圧が悪くなる傾向があった。そこで、このような部分を排して環状や円形に電極を形成することで、電圧や電流の局所的な集中を回避できるので、矩形状の電極を使用する構成に比して耐圧が向上し、信頼性、安定性がさらに改善される。図５の例では、アンドープＧａＮ層の裏面にソース電極４５を円形状に形成し、その周囲にソース電極４５を中心とする環状にゲート電極４６を形成している。さらに、ｎ型ＡｌＧａＮ層上に、半導体構造裏面のゲート電極４６を囲むように、ドレイン電極４７を同心円状の円環状に形成している。この構成により、ドレイン電極４７とソース電極４５との間で、どの部分においてもほぼ一定距離を維持しつつゲート電極４６が形成されているため、ゲート電圧Ｖ_Gでスイッチング制御を行うことが可能であり、さらに電極間の電界集中を緩和して高耐圧のＨＥＭＴ素子を実現することができる。
（実施の形態４）

電界効果トランジスタでは、ドレイン電極とソース電極との間に、ほぼ均一にゲート電極を配置することで空乏層を制御してスイッチングが可能となる。このため、上述した図４の構成に限られず、実施の形態４として図６に示すようにドレイン電極６７とソース電極６５を入れ替えた配置も採用できる。図６の構成においても、ドレイン電極６７を中心とする環状のソース電極６５の内側で、ゲート電極６６が環状に、ドレイン電極６７とソース電極６５との間でほぼ一定の距離を保ちながら配置されている。これによって、図４と同様に電界の集中を回避した高耐圧な電界効果トランジスタを得ることができる。
（電界効果トランジスタ）

本実施の形態では、基板を剥離し、裏面を研磨した後、別々に構成した半導体構造を貼り合わせる基板貼り合せ構造によって、半導体構造の両面に電極を形成したＨＥＭＴ素子を製造している。ただ、ＧａＮ基板上にエピタキシャル成長させて、半導体構造の両面に電極を形成することでも製造できる。

ＧａＮ系ＨＥＭＴは、窒化ガリウム系半導体半導体で構成される。窒化ガリウム系半導体半導体層は、基板上に必要に応じてバッファ層を形成し、さらにキャリア走行層３３、キャリア供給層３４を順にエピタキシャル成長し、さらに電極を積層している。結晶成長方法としては、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：metal-organic chemical vapor deposition）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、ＭＢＥ（molecularbeam epitaxy）等の方法が利用できる。窒化ガリウム系化合物半導体は、一般式がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）であって、ＢやＰ、Ａｓを混晶してもよい。また、本明細書において、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層は、単層、多層を特に限定しない。また、窒化物半導体層にはｎ型不純物、ｐ型不純物を適宜含有させる。ｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ等のＩＶ族、若しくはＶＩ族元素を用いることができ、好ましくはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎを、最も好ましくはＳｉを用いる。また、ｐ型不純物としては、特に限定されないが、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃａ等が挙げられ、好ましくはＭｇが用いられる。これにより、各導電型の窒化物半導体を形成することができる。また基板はサファイア基板やＧａＮ基板等が利用でき、また熱伝導が高く放熱性に優れたＳｉＣ基板、ＣｕＷ基板等も利用できる。

ソース電極３５、ゲート電極３６、ドレイン電極３７等の電極は、典型的には素子を構成する半導体材料とは異なる組成から形成され、例えばＴｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ等導電性に優れた材質で構成される。また金属材料に限定せず、導電性を有する導電性プラスチック等も利用できる。さらに電極は単一元素の材料のみならず、合金化、共晶化、混晶等、複数の元素で構成し、例えばＩＴＯ等が利用できる。さらにまた２層以上の層構造も採用できる。好ましくは、ＡｌＧａＮ系やＧａＮ系半導体層に対するオーミック電極として、Ｔｉ／Ａｌ系電極、ショットキー電極としてＮｉ／Ａｕ系材料からなる電極が採用される。これによってＨＥＭＴ用電極として要求されるオーミック特性、ショットキー特性等において良好に機能する。例えばソース電極３５、ドレイン電極３７のオーミック接触を得るためにはＴｉ／Ｐｔ、Ｔｉ／Ａｕ、ＴｉＡｌ系金属が使用され、８００℃〜９５０℃で急速アニールが行われている。またゲート電極３６には、ＴｉＮ、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／Ａｕ等が使用される。電極の形状は、Ｔ字型、Ｉ型等特に限定されないが、断面形状をＴ字状のゲート電極とすると、電極の断面積が増え電極抵抗を低減できるので、動作周波数の高周波における特性を向上させるためさらに好ましい。また、オーミック電極とワイヤーとの密着性等を考慮して、半導体層との接触面にパッド電極を形成してもよい。パッド電極の上には、外部電極等と接続させるためのメタライズ層（バンプ）を形成する。メタライズ層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の材料から成る。電界効果トランジスタの電極形成面側をサブマウント上に設けられた正負一対の外部電極と対向させ、バンプにて各々の電極を接合する。さらにサブマウントに対してワイヤー等が配線される。

基板上及びバッファ層は、好ましくは除去される。バッファ層の存在によりリーク電流が生じてリークパスが形成されるため、基板のみならずバッファまで除去することでこのような弊害を防止することができる。
（電界効果トランジスタの製造方法）

以下、電界効果トランジスタの製造方法の一例として、図３に示すＨＥＭＴの製造工程を順に説明する。ここではＭＯＣＶＤによりサファイア基板上にＧａＮ系ＨＥＭＴを作製する。まず、ＭＯＣＶＤ反応炉内にサファイア基板をセットし、サファイア基板のＣ面の基板表面を水素雰囲気中で、基板温度を１０５０℃まで上昇させて、水素を流しながら基板のクリーニングを行う。続いて、基板温度を５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）とアンモニアガスを用いて、基板上にＧａＮよりなるバッファ層を約２００Åの膜厚で成長させる。バッファ層を成長後、引き続いてＴＭＧ（トリメチルガリウム）のみ止めて、基板温度を１０５０℃まで上昇させる。基板温度が１０５０℃になると、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層を３μｍの膜厚で成長させる。このアンドープＧａＮ層がキャリア走行層３３となる。なお本明細書において、アンドープとはｎ型不純物濃度が１×１０¹⁷／ｃｍ³以下もしくはｎ型不純物を含まないものをいう。

次に、基板温度１０５０℃で、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモニアガスを用い、ＡｌＮ混晶比０．２であるＡｌ_0.2Ｇａ_0.8ＮよりなるアンドープＡｌＧａＮ層を５０Åの膜厚で成長させる。続いて、基板温度１０５０℃で原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニアガスを用い、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを２×１０¹⁸／ｃｍ³ドープした、Ａｌ混晶比が０．２であるＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなるｎ型ＡｌＧａＮ層を約１００Åの膜厚で成長させる。このＳｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層がキャリアを供給する機能を奏すると考えられる。さらにＳｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層上に、介在層としてＳｉを１×１０¹⁹／ｃｍ³ドープしたｎ型ＧａＮ層を３０００Åの膜厚で成長させる。反応終了後、温度を室温まで下げウェーハを反応容器から取り出す。
（フォトリソグラフィ工程）

まず素子形成領域以外の部分を絶縁するために、スピンコータを用いてレジストを塗布した後、パターン露光してレジストのパターニングを施す。プラズマＲＩＥ装置を用いて素子分離としてＡｌＧａＮ層とＧａＮ層をエッチングするために、ＩＣＰエッチング装置を用いてＣｌ₂ガスにてエッチングする。ここでは、ＧａＮ層上にドレイン電極３７を形成するために、ドレイン電極３７を形成すべき領域を除いて、ＧａＮ層を予めエッチングにより除去する。そして、ドレイン電極３７としてＴｉ／Ａｌをマグネトロンスパッタ装置を用いて、Ｔｉを１００Å、５００ＷでＡｌを３０００Åスパッタし、電極を形成する。その後、リフトオフし、窒素ガス雰囲気中で６００℃にて１０分間アニールを実施する。これによって膜厚３００ｎｍのドレイン電極３７を形成する。

次に、アンドープＧａＮを露出させるために、レーザーリフトオフでサファイア基板を剥離し、バッファ層を研磨する。ここでは基板を反転させて、ドレイン電極３７側を支持基板に固定し、サファイア基板を剥離し、その後アンドープＧａＮ層を裏面から膜厚１μｍ程度まで研磨する。さらに、アンドープＧａＮ層上でゲート電極３６及びソース電極３５を形成すべき領域をエッチングする。ゲート電極形成領域は、図３に示すように凹部となるよう溝状にエッチングされ、凹部の底面でのアンドープＧａＮ層の膜厚は１０００Å程度としている。またソース電極形成領域は、アンドープＧａＮ層の端面としており、このためアンドープＡｌＧａＮ層が露出するまでアンドープＧａＮ層をエッチングしている。その後、ゲート電極３６及びソース電極３５を形成する。ソース電極３５はドレイン電極３７と同様にＴｉ／Ａｌをマグネトロンスパッタ装置を用いて、Ｔｉを１００Å、５００ＷでＡｌを３０００Åスパッタし、その後リフトオフして、窒素ガス雰囲気中で６００℃にて１０分間アニールを実施し、膜厚５ｎｍのソース電極３５を形成する。一方、ゲート電極３６としてＮｉショットキー電極をアンドープＧａＮ層の凹部底面に、３ｎｍの膜厚で形成する。

（パッケージング）

デバイス工程が終了した後、チップをパッケージに実装する。ここで、ワイヤ線を張る場合はワイヤボンダを使用する。ワイヤボンディングにより電極からワイヤ線を通じて放熱させることができ、またワイヤ線の長さでインダクタンス成分を調整でき、整合をとることができるので好ましい。一方、ワイヤレスの場合はゲート電極、ソース電極側にも別途熱伝導性基板を設けることができ、放熱特性を向上させることができる。またワイヤボンディングのためのパッドが不要となり小型化に適する。さらに、ワイヤによるインダクタンス成分及びワイヤ間や半導体素子本体間とのキャパシタンス成分を低減できるメリットもある。

また、本実施の形態に限らずＨＥＭＴのキャリア供給層（典型的にはｎ型ＡｌＧａＮ）は２．５ｎｍ程度以下と薄くすることにより、電子の到達時間が速まりアスペクト比の増大や短チャネル効果の抑制、漏れ電流の抑制等高速動作により適した構造とすることも可能である。

本発明の電界効果トランジスタ及びその製造方法は、キャリア走行層の電子移動度が高いＨＥＭＴ等に利用でき、低損失電力変換素子や電気自動車用の駆動素子、家庭用インバータ等のパワーデバイスや高周波駆動素子として好適に利用できる。

本発明の実施の形態１に係る電界効果トランジスタの一例を示す概略断面図である。ドレインソース間電圧Ｖ_DSに対するドレイン電流Ｉ_Dをゲート電圧Ｖ_Gで制御する様子を示すグラフである。本発明の実施の形態２に係る電界効果トランジスタの一例を示す概略断面図である。本発明の実施の形態３に係る電界効果トランジスタの一例を示す概略断面図である。図４の電界効果トランジスタの概略平面図である。本発明の実施の形態４に係る電界効果トランジスタの一例を示す概略断面図である。従来のＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ構造の一例を示す概略断面図である。

符号の説明

１００…ＨＥＭＴ
７００…ＧａＮ系ＨＥＭＴ
１２…半導体構造
１３、３３…キャリア走行層
１３ａ、３３ａ…チャネル
１４、３４…キャリア供給層
３４Ａ…ｎ型ＡｌＧａＮ層
３４Ｂ…アンドープＡｌＧａＮ層
１５、３５、４５、６５…ソース電極
１６、３６、４６、６６…ゲート電極
１７、３７、４７、６７…ドレイン電極
７１…サファイア基板
７２…バッファ層
７３…アンドープＧａＮ層
７３ａ…領域
７４…ｎ型ＡｌＧａＮ層
７５…ソース電極
７６…ゲート電極
７７…ドレイン電極

Claims

キャリア走行層を含む半導体構造と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを備える電界効果トランジスタであって、
前記半導体構造はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりなり、
前記半導体構造上に前記ゲート電極及び前記ソース電極が形成され、
前記半導体構造の前記ゲート電極形成面と対向する面に、前記ドレイン電極が形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項１に記載の電界効果トランジスタであって、
前記半導体構造が、
第１半導体層と、
前記第１半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第２半導体層と
を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項２に記載に電界効果トランジスタであって、
前記第１及び第２半導体層はＧａＮ基板上に形成されており、
前記ゲート電極及びソース電極と、前記ドレイン電極は、前記ＧａＮ基板を含む前記半導体構造の両面に形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項２に記載の電界効果トランジスタであって、
前記第１半導体層側に前記ゲート電極及び前記ソース電極が形成され、
前記第２半導体層側に前記ドレイン電極が形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成され該第１半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２半導体層と、を含む半導体構造と、
ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を備える電界効果トランジスタであって、
前記第１半導体層及び第２半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層よりなり、
前記第１半導体層上に前記ゲート電極及び前記ソース電極が形成され、
前記第２半導体層上に前記ドレイン電極が形成され、
前記半導体構造の前記ソース電極形成面と対向する面に、ドレイン電極が形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項１から５のいずれか一に記載に電界効果トランジスタであって、
前記ドレイン電極は、前記ゲート電極と対向する位置よりも前記ソース電極側にシフトさせた位置に形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項２から６のいずれか一に記載の電界効果トランジスタであって、
前記第１半導体層の端面が露出されると共に、前記ソース電極が該端面にオーミック接触するように形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項２から７のいずれか一に記載の電界効果トランジスタであって、
前記第２半導体層と前記ドレイン電極との間に介在層が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項２から８のいずれか一に記載の電界効果トランジスタであって、
前記第１半導体層がキャリア走行層であり、前記第２半導体層がキャリア供給層であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項１から９のいずれか一に記載の電界効果トランジスタであって、
前記電界効果トランジスタがＨＥＭＴであることを特徴とする電界効果トランジスタ。
キャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいキャリア供給層を備える電界効果トランジスタの製造方法であって、
基板上に、キャリア走行層、キャリア供給層を順次積層し、半導体構造を形成する工程と、
前記半導体構造の一方の面側に、ドレイン電極を形成する工程と、
前記半導体構造の前記ドレイン電極側を支持基板に固定し、前記基板を除去する工程と、
前記半導体構造のドレイン電極形成面と対向する面側に、ゲート電極及びソース電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。