JP2006269607A5 - - Google Patents
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Description
そこで、本発明は、基板上に透明導電層を形成する工程と、該透明導電層の上に第一の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記透明導電層又は半導体層に吸着した前記第一の導電型を決定する元素の少なくとも一部を基板温度１００〜４００℃で熱処理及び／又はプラズマ処理により脱離させる工程と、前記第一の導電型を有する半導体層の上に実質的に真性な第二の半導体層を形成する工程と、前記第二の半導体層の上に前記第一の導電型とは反対の導電型を有する第三の半導体層を形成する工程をこの順に少なくとも有することを特徴とする光起電力素子の製造方法を提供する。
本発明においては、前記プラズマ処理が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれる少なくとも一種を用いた希ガスプラズマ処理であることが好ましい。
また、本発明においては、前記第一の導電型を決定する元素がＰである場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層がｃ軸の傾いたＺｎＯ層から成り、該ＺｎＯ層の（１００）面及び／又は（１０１）面のＸ線回折強度が（００２）面の回折強度の０．５％以上である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層の乱反射率が８００ｎｍの波長において６０％以上である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層が、スパッタリング法で作製されたＺｎＯ層と、該ＺｎＯ層上に電解析出法で作製されたＺｎＯ層とから成る場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記実質的に真性な第二の半導体層が微結晶シリコンから成り、膜厚が０．５μｍ以上６μｍ以下の範囲である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記第一の導電型を決定する元素がＰである場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層がｃ軸の傾いたＺｎＯ層から成り、該ＺｎＯ層の（１００）面及び／又は（１０１）面のＸ線回折強度が（００２）面の回折強度の０．５％以上である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層の乱反射率が８００ｎｍの波長において６０％以上である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層が、スパッタリング法で作製されたＺｎＯ層と、該ＺｎＯ層上に電解析出法で作製されたＺｎＯ層とから成る場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記実質的に真性な第二の半導体層が微結晶シリコンから成り、膜厚が０．５μｍ以上６μｍ以下の範囲である場合により高い効果を発揮する。
Claims (7)
- 基板上に透明導電層を形成する工程と、該透明導電層の上に第一の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記透明導電層又は半導体層に吸着した前記第一の導電型を決定する元素の少なくとも一部を基板温度１００〜４００℃で熱処理及び／又はプラズマ処理により脱離させる工程と、前記第一の導電型を有する半導体層の上に実質的に真性な第二の半導体層を形成する工程と、前記第二の半導体層の上に前記第一の導電型とは反対の導電型を有する第三の半導体層を形成する工程をこの順に少なくとも有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
- 前記プラズマ処理が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれる少なくとも一種を用いた希ガスプラズマ処理であることを特徴とする請求項１記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記第一の導電型を決定する元素がＰであることを特徴とする請求項１または２に記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記透明導電層がｃ軸の傾いたＺｎＯ層から成り、該ＺｎＯ層の（１００）面及び／又は（１０１）面のＸ線回折強度が（００２）面の回折強度の０．５％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記透明導電層の乱反射率が８００ｎｍの波長において６０％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記透明導電層が、スパッタリング法で作製されたＺｎＯ層と、該ＺｎＯ層上に電解析出法で作製されたＺｎＯ層とから成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記実質的に真性な第二の半導体層が微結晶シリコンから成り、膜厚が０．５μｍ以上６μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
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