JP2004186685A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 第１の基板上に金属層を形成し、
   前記金属層上に酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に水素を含み非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
   水素を拡散する加熱処理を行い、
   前記半導体膜を一部に有する複数の薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
   前記素子形成層と接して第１の接着層を形成し、前記第１の接着層に第２の基板を接着させ、
   前記第１の基板および前記金属層を前記素子形成層から物理的手段で分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第１のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
   前記第１のフッ素系樹脂を含む膜と接して第２の接着層を形成し、前記第２の接着層に第３の基板を接着させ、
   前記第１の接着層および前記第２の基板を前記素子形成層から分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第２のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
   前記第２の接着層および前記第３の基板を前記素子形成層から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 第１の基板上に金属層を形成し、
   前記金属層上にスパッタリング法によって酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に水素を含み非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
   水素を拡散する加熱処理を行い、
   前記半導体膜を一部に有する複数の薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
   前記素子形成層と接して第１の接着層を形成し、前記第１の接着層に第２の基板を接着させ、
   前記第１の基板および前記金属層を前記素子形成層から物理的手段で分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第１のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
   前記第１のフッ素系樹脂を含む膜と接して第２の接着層を形成し、前記第２の接着層に第３の基板を接着させ、
   前記第１の接着層および前記第２の基板を前記素子形成層から分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第２のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
   前記第２の接着層および前記第３の基板を前記素子形成層から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の接着層および前記第２の接着層は、光照射により接着性が弱まる材料、または水溶性の材料を用いたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
   前記酸化物層の膜応力と前記金属層の膜応力が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
   前記加熱処理は、水素の拡散工程と前記半導体膜の結晶化工程を兼ねることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   前記第１のフッ素系樹脂を含む膜及び前記第２のフッ素系樹脂を含む膜は、スパッタリング法またはスピンコート法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
   前記第１のフッ素系樹脂を含む膜及び前記第２のフッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、またはポリビニリデンフルオライドを用いて形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
   前記第１のフッ素系樹脂を含む膜及び前記第２のフッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレンを用いて形成され、ＣＦ、ＣＦ _２ 、及びＣＦ _３ のうち、ＣＦ _２ が最も多く含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
   前記金属層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、またはＰｔを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の作製方法を用いたことを特徴とする表示装置の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の作製方法を用いたことを特徴とする発光装置の作製方法。