JP2006269551A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜上に形成された半導体層と、半導体層を貫通して埋め込み酸化膜に接合するテーパー形状のトレンチとを設ける。そして、トレンチエッチ工程においてオーバーエッチを長くして、埋め込み酸化膜との接合部近傍でのトレンチの幅を、開口部でのトレンチの幅よりも広くする。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置の製造方法について図2〜4を用いて説明する。
実施の形態2では、トレンチエッチ工程において、はじめ異方性エッチを行い、トレンチと埋め込み酸化膜の接合部近傍で等方性エッチに変更して、埋め込み酸化膜との接合部近傍でのトレンチの幅が、開口部でのトレンチの幅よりも広くなるようにする。その他の工程は実施の形態1と同様である。これにより、工程を追加することなく実施の形態1と同様の半導体装置を容易に作ることができる。そして、トレンチ底部を実施形態1より大きく広げることができるため、さらに分離耐圧低下を抑制することができる。
実施の形態3では、トレンチエッチ工程の後に、スパッタエッチを行って、埋め込み酸化膜との接合部近傍でのトレンチの幅が、開口部でのトレンチの幅よりも広くなるようにする。その他の工程は実施の形態1と同様である。これにより、実施の形態1と同様の半導体装置を容易に作ることができる。そして、実施形態1よりもトレンチ幅を制御よく作ることができる。
13 N型エピタキシャル層(半導体層)
21 トレンチ
Claims (4)
- 埋め込み酸化膜と、
前記埋め込み酸化膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層を貫通して前記埋め込み酸化膜に接合するテーパー形状のトレンチとを備え、
埋め込み酸化膜との接合部近傍での前記トレンチの幅は、開口部での前記トレンチの幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。 - 埋め込み酸化膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を前記埋め込み酸化膜に達するまでエッチングしてテーパー形状のトレンチを形成するトレンチエッチ工程とを備え、
前記トレンチエッチ工程において、前記埋め込み酸化膜との接合部近傍での前記トレンチの幅が、開口部での前記トレンチの幅よりも広くなるまでオーバーエッチを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 埋め込み酸化膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を前記埋め込み酸化膜に達するまでエッチングしてテーパー形状のトレンチを形成するトレンチエッチ工程とを備え、
前記トレンチエッチ工程において、はじめ異方性エッチを行い、トレンチと埋め込み酸化膜の接合部近傍で等方性エッチに変更して、前記埋め込み酸化膜との接合部近傍での前記トレンチの幅が、開口部での前記トレンチの幅よりも広くなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 埋め込み酸化膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を前記埋め込み酸化膜に達するまでエッチングしてテーパー形状のトレンチを形成するトレンチエッチ工程とを備え、
前記トレンチエッチ工程の後に、スパッタエッチを行って、前記埋め込み酸化膜との接合部近傍での前記トレンチの幅が、開口部での前記トレンチの幅よりも広くなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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