JP2006253381A - 有機強誘電体メモリおよびその製造方法 - Google Patents
有機強誘電体メモリおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006253381A JP2006253381A JP2005067268A JP2005067268A JP2006253381A JP 2006253381 A JP2006253381 A JP 2006253381A JP 2005067268 A JP2005067268 A JP 2005067268A JP 2005067268 A JP2005067268 A JP 2005067268A JP 2006253381 A JP2006253381 A JP 2006253381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- organic ferroelectric
- ferroelectric memory
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 本発明にかかる有機強誘電体メモリ100は、薄膜トランジスタ構造のメモリセル114および当該メモリセル114を制御する薄膜トランジスタ112を有し、前記メモリセル114は、前記薄膜トランジスタ112の上方に形成され、かつ、有機半導体層140と、有機強誘電体層150と、ゲート電極160と、ソース電極120と、ドレイン電極122とを含む。
【選択図】 図14
Description
前記メモリセルは、前記駆動回路部の上方に形成され、かつ、有機半導体層と、有機強誘電体層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを含む。
前記有機半導体層は、前記駆動回路部の上方に形成され、
前記有機強誘電体層は、前記有機半導体層の上方に形成され、
前記ゲート電極は、前記有機強誘電体層の上方に形成されていることができる。
前記メモリセルは、前記駆動回路部と前記有機半導体層との間に形成されたソース電極およびドレイン電極をさらに含むことができる。
前記ゲート電極は、前記駆動回路部の上方に形成され、
前記有機強誘電体層は、前記ゲート電極の上方に形成され、
前記有機半導体層は、前記有機強誘電体層の上方に形成されていることができる。
前記有機半導体層の上方に形成されたソース電極およびドレイン電極をさらに含むことができる。
前記駆動回路部は、前記メモリセルとオーバーラップして配置されている薄膜トランジスタを有することができる。
前記薄膜トランジスタは、基板の上方に形成された低温ポリシリコンからなる半導体層を有することができる。
前記薄膜トランジスタは、基板の上方に形成された有機半導体層を有することができる。
薄膜トランジスタ構造のメモリセルおよび当該メモリセルを制御する駆動回路部を有する有機強誘電体メモリの製造方法であって、
(a)薄膜半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
(b)前記薄膜トランジスタの上方に層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記層間絶縁膜を貫通し、前記薄膜半導体層と電気的に接続するコンタクト層を形成する工程と、
(d)前記コンタクト層と電気的に接続し、有機半導体層、有機強誘電体層、およびゲート電極を有する前記メモリセルを形成する工程と、
を含む。
前記基板の上方に、前記工程(a)〜(d)の工程により被転写層を形成する工程と、
前記工程(d)の後に、前記被転写層を転写体に転写させる工程と、
をさらに含むことができる。
前記工程(d)は、
層間絶縁膜の上方の所定の領域に有機半導体材料を塗布することにより有機半導体層を形成する工程と、
前記有機半導体層の上方の所定の領域に有機強誘電体材料を塗布することにより有機強誘電体層を形成する工程と、
前記有機強誘電体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
を有することができる。
前記工程(d)において、前記有機半導体層を形成する前に、前記層間絶縁膜の上方の所定の領域に電極の原料を含む液体材料を塗布することによりソース電極またはドレイン電極を形成することができる。
前記工程(d)は、
層間絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上方の所定の領域に有機半導体材料を塗布することにより有機半導体層を形成する工程と、
前記有機半導体層の上方の所定の領域に有機強誘電体材料を塗布することにより有機強誘電体層を形成する工程と、
を含むことができる。
前記材料の塗布は、液滴吐出法により行われることができる。
前記転写体は、ガラス基板またはフレキシブル基板であることができる。
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)、ポリフッ化ビニリデン、(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)コオリゴマー、フッ化ビニリデンオリゴマーおよび奇数ナイロンのいずれかの有機強誘電体材料を用いて形成されることができる。
前記有機半導体層は、フルオレン−チオフェン共重合体を用いて形成されることができる。
前記ゲート電極は、金属微粒子または導電性有機材料を含む液体材料を用いて形成されることができる。
薄膜トランジスタ構造のメモリセルおよび当該メモリセルを制御する駆動回路部を有する有機強誘電体メモリの製造方法であって、
(a)基板の上方に、有機半導体層、有機強誘電体層、およびゲート電極を有する前記メモリセルを形成する工程と、
(b)前記メモリセルの上方に層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記層間絶縁膜を貫通し、前記メモリセルと電気的に接続するコンタクト層を形成する工程と、
(a)前記コンタクト層と電気的に接続し、薄膜半導体層、ゲート絶縁層、及びゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、を含む。
(1)まず、図1に示すように第1の基板10を用意する。本実施の形態において第1の基板10は、転写用基板であり、製造工程においてのみ使用する基板である。第1の基板10の上方には、後述する工程により、被転写層110(図11参照)が形成される。最終的には被転写層110が第3の基板14(転写体)に転写されることにより、有機強誘電体メモリ100が形成される(図14参照)。転写技術を適用することにより、製造プロセスに要求される条件(プロセス耐性など)および完成品に要求される条件(フレキシブル性など)の両方を満たすことが可能となる。
図14は、有機強誘電体メモリ100を模式的に示す断面図であり、図15は、有機強誘電体メモリ100の回路図である。本実施の形態にかかる有機強誘電体メモリ100は、薄膜トランジスタ112およびメモリセル114を含む。薄膜トランジスタ112は、メモリセル114を駆動する駆動回路部の一部として機能し、かつ、絶縁層30と、ポリシリコン層40と、ゲート絶縁層50、第1のゲート電極60とを含む。メモリセル114は、薄膜トランジスタ構造を有し、薄膜トランジスタ112の上方にオーバーラップして配置され、かつ、有機半導体層140と、有機強誘電体層150と、第2のゲート電極160と、ソース電極120と、ドレイン電極122とを含む。
本実施の形態の変形例にかかる有機強誘電体メモリについて説明する。
図16は、第1の変形例にかかる有機強誘電体メモリ200を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ200は、第2のゲート電極160が有機強誘電体層150の上に形成されている点で、図14に示す有機強誘電体メモリ100と異なる。有機強誘電体メモリ200のメモリセル214は、第2の層間絶縁膜72上に形成されたソース電極120およびドレイン電極122と、ソース電極120およびドレイン電極122上に形成された有機半導体層140と、有機半導体層140上に形成された有機強誘電体層150と、有機強誘電体層150上に形成された第2のゲート電極160とを含む。コンタクト層64とドレイン電極122とが接続されている。メモリセル214は、いわゆるトップゲート型の1T型メモリセル構造を有し、有機強誘電体メモリ200は、有機強誘電体メモリ100と同様に図15に示す回路方式に基づいて動作する。
図17は、第2の変形例にかかる有機強誘電体メモリ300を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ300は、プレーナ構造を有する点で、スタック構造を有する有機強誘電体メモリ100と異なる。有機強誘電体メモリ300のメモリセル314は、第2の層間絶縁膜72上に形成されたコンタクト層67、66と、コンタクト層67、66上に形成されたソース電極120およびドレイン電極122と、ソース電極120およびドレイン電極122の上に形成された有機半導体層140と、有機半導体層140上に形成された有機強誘電体層150と、有機強誘電体層150上に形成された第2のゲート電極160とを含む。メモリセル314は、いわゆるトップゲート型の1T型メモリセル構造を有し、有機強誘電体メモリ300は、有機強誘電体メモリ100と同様に図15に示す回路方式に基づいて動作する。
図18は、第3の変形例にかかる有機強誘電体メモリ400を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ400は、薄膜トランジスタが有機材料から形成されている点で、図14に示す有機強誘電体メモリ100と異なる。有機強誘電体メモリ400の薄膜トランジスタ412は、第3の基板14上に形成されたソース電極142およびドレイン電極144と、ソース電極142およびドレイン電極144上に形成された有機半導体層146と、有機半導体層146上に形成されたゲート絶縁層152と、ゲート絶縁層152上に形成された第1のゲート電極162とを含む。薄膜トランジスタ412は、いわゆるトップゲートボトムコンタクト構造を有する。
図19は、第4の変形例にかかる有機強誘電体メモリ500を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ500は、薄膜トランジスタが有機材料から形成されている点で、図14に示す有機強誘電体メモリ100と異なる。また有機強誘電体メモリ500は、薄膜トランジスタがボトムゲートボトムコンタクト構造を有する点で有機強誘電体メモリ400と異なる。有機強誘電体メモリ500の薄膜トランジスタ512は、第3の基板14上に形成された第1のゲート電極162と、第1のゲート電極162上に形成されたゲート絶縁層152と、ゲート絶縁層152上に形成されたソース電極142およびドレイン電極144と、ソース電極142およびドレイン電極144上に形成された有機半導体層146とを含む。
図20は、第5の変形例にかかる有機強誘電体メモリ600を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ600は、薄膜トランジスタが有機材料から形成されている点で、図14に示す有機強誘電体メモリ100と異なる。また有機強誘電体メモリ600は、薄膜トランジスタがボトムゲートトップコンタクト構造を有する点で有機強誘電体メモリ400と異なる。有機強誘電体メモリ600の薄膜トランジスタ612は、第3の基板14上に形成された第1のゲート電極162と、第1のゲート電極162上に形成されたゲート絶縁層152と、ゲート絶縁層152上に形成された有機半導体層146と、有機半導体層146上に形成されたソース電極142およびドレイン電極144とを含む。
Claims (19)
- 薄膜トランジスタ構造のメモリセルおよび当該メモリセルを制御する駆動回路部を有する有機強誘電体メモリであって、
前記メモリセルは、前記駆動回路部の上方に形成され、かつ、有機半導体層と、有機強誘電体層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを含む、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1において、
前記有機半導体層は、前記駆動回路部の上方に形成され、
前記有機強誘電体層は、前記有機半導体層の上方に形成され、
前記ゲート電極は、前記有機強誘電体層の上方に形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項2において、
前記メモリセルは、前記駆動回路部と前記有機半導体層との間に形成されたソース電極およびドレイン電極をさらに含む、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1において、
前記ゲート電極は、前記駆動回路部の上方に形成され、
前記有機強誘電体層は、前記ゲート電極の上方に形成され、
前記有機半導体層は、前記有機強誘電体層の上方に形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項4において、
前記有機半導体層の上方に形成されたソース電極およびドレイン電極をさらに含む、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記駆動回路部は、前記メモリセルとオーバーラップして配置されている薄膜トランジスタを有する、有機強誘電体メモリ。 - 請求項6において、
前記薄膜トランジスタは、基板の上方に形成された低温ポリシリコンからなる半導体層を有する、有機強誘電体メモリ。 - 請求項6において、
前記薄膜トランジスタは、基板の上方に形成された有機半導体層を有する、有機強誘電体メモリ。 - 薄膜トランジスタ構造のメモリセルおよび当該メモリセルを制御する駆動回路部を有する有機強誘電体メモリの製造方法であって、
(a)薄膜半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
(b)前記薄膜トランジスタの上方に層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記層間絶縁膜を貫通し、前記薄膜半導体層と電気的に接続するコンタクト層を形成する工程と、
(d)前記コンタクト層と電気的に接続し、有機半導体層、有機強誘電体層、およびゲート電極を有する前記メモリセルを形成する工程と、
を含む、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9において、
前記基板の上方に、前記工程(a)〜(d)の工程により被転写層を形成する工程と、
前記工程(d)の後に、前記被転写層を転写体に転写させる工程と、
をさらに含む、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9または10において、
前記工程(d)は、
層間絶縁膜の上方の所定の領域に有機半導体材料を塗布することにより有機半導体層を形成する工程と、
前記有機半導体層の上方の所定の領域に有機強誘電体材料を塗布することにより有機強誘電体層を形成する工程と、
前記有機強誘電体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
を有する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項11において、
前記工程(d)において、前記有機半導体層を形成する前に、前記層間絶縁膜の上方の所定の領域に電極の原料を含む液体材料を塗布することによりソース電極またはドレイン電極を形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9または10において、
前記工程(d)は、
層間絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上方の所定の領域に有機半導体材料を塗布することにより有機半導体層を形成する工程と、
前記有機半導体層の上方の所定の領域に有機強誘電体材料を塗布することにより有機強誘電体層を形成する工程と、
を含む、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項11ないし13のいずれかにおいて、
前記材料の塗布は、液滴吐出法により行われる、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項10ないし14のいずれかにおいて、
前記転写体は、ガラス基板またはフレキシブル基板である、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9ないし15のいずれかにおいて、
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)、ポリフッ化ビニリデン、(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)コオリゴマー、フッ化ビニリデンオリゴマーおよび奇数ナイロンのいずれかの有機強誘電体材料を用いて形成される、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9ないし16のいずれかにおいて、
前記有機半導体層は、フルオレン−チオフェン共重合体を用いて形成される、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9ないし18のいずれかにおいて、
前記ゲート電極は、金属微粒子または導電性有機材料を含む液体材料を用いて形成される、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 薄膜トランジスタ構造のメモリセルおよび当該メモリセルを制御する駆動回路部を有する有機強誘電体メモリの製造方法であって、
(a)基板の上方に、有機半導体層、有機強誘電体層、およびゲート電極を有する前記メモリセルを形成する工程と、
(b)前記メモリセルの上方に層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記層間絶縁膜を貫通し、前記メモリセルと電気的に接続するコンタクト層を形成する工程と、
(a)前記コンタクト層と電気的に接続し、薄膜半導体層、ゲート絶縁層、及びゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
を含む、有機強誘電体メモリの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005067268A JP4632034B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 有機強誘電体メモリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005067268A JP4632034B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 有機強誘電体メモリの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006253381A true JP2006253381A (ja) | 2006-09-21 |
JP4632034B2 JP4632034B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=37093547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005067268A Expired - Fee Related JP4632034B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 有機強誘電体メモリの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4632034B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018074093A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210015073A (ko) | 2019-07-31 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 강유전성 물질을 포함하는 반도체 소자, 이를 포함하는 뉴로모픽 회로 및 뉴로모픽 컴퓨팅 장치 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263386A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-26 | Toshiba Corp | 強誘電体メモリ |
JPH0897386A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体不揮発性メモリセル及びその動作方法 |
JPH08228035A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-09-03 | At & T Corp | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法 |
JPH10209389A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-08-07 | Samsung Electron Co Ltd | 高集積強誘電性フローティングゲートramを備える半導体装置及びその製造方法 |
JPH11297947A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置 |
JP2001156183A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 記憶装置 |
JP2001168295A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Seiko Epson Corp | 新規な誘電体の形成 |
JP2002110829A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-04-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002318554A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Hitachi Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2003163331A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Ricoh Co Ltd | 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置 |
JP2004006645A (ja) * | 2002-04-19 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子並びに液滴吐出式記録ヘッド |
JP2004040094A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Xerox Corp | 有機強誘電メモリーセル |
JP2004111856A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Ricoh Co Ltd | 不揮発性有機半導体記憶素子、その製造方法、及び非接触情報管理表示装置 |
JP2004146430A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ、有機tft装置およびそれらの製造方法 |
JP2004296679A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
JP2004311945A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
-
2005
- 2005-03-10 JP JP2005067268A patent/JP4632034B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263386A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-26 | Toshiba Corp | 強誘電体メモリ |
JPH0897386A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体不揮発性メモリセル及びその動作方法 |
JPH08228035A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-09-03 | At & T Corp | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法 |
JPH10209389A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-08-07 | Samsung Electron Co Ltd | 高集積強誘電性フローティングゲートramを備える半導体装置及びその製造方法 |
JPH11297947A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置 |
JP2001156183A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 記憶装置 |
JP2001168295A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Seiko Epson Corp | 新規な誘電体の形成 |
JP2002110829A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-04-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002318554A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Hitachi Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2003163331A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Ricoh Co Ltd | 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置 |
JP2004006645A (ja) * | 2002-04-19 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子並びに液滴吐出式記録ヘッド |
JP2004040094A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Xerox Corp | 有機強誘電メモリーセル |
JP2004111856A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Ricoh Co Ltd | 不揮発性有機半導体記憶素子、その製造方法、及び非接触情報管理表示装置 |
JP2004146430A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ、有機tft装置およびそれらの製造方法 |
JP2004296679A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
JP2004311945A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018074093A1 (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム |
US10964370B2 (en) | 2016-10-20 | 2021-03-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor storage element, semiconductor storage device, and semiconductor system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4632034B2 (ja) | 2011-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4466853B2 (ja) | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 | |
JP4204870B2 (ja) | 薄膜トランジスタ・デバイスを形成する方法、及びトランジスタ構造を形成する方法 | |
US7138682B2 (en) | Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same | |
US7655943B2 (en) | Organic electroluminescent display device having OTFT and method of fabricating the same | |
EP1629546B1 (en) | A field effect transistor arrangement and method of manufacturing a field effect transistor arrangement | |
JP2006005352A (ja) | 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US7955869B2 (en) | Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same | |
CN1982070A (zh) | 喷墨印刷系统和制造薄膜晶体管阵列板的方法 | |
US20080076204A1 (en) | Method for manufacturing a thin film transistor array panel | |
JP4632034B2 (ja) | 有機強誘電体メモリの製造方法 | |
JP4221495B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2007173728A (ja) | 有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器 | |
JP2006148114A (ja) | 半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP2006245185A (ja) | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 | |
JP2006253380A (ja) | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 | |
JP2009295678A (ja) | 半導体装置の製造方法、強誘電体素子の製造方法および電子機器の製造方法 | |
JP2019153653A (ja) | 有機半導体装置 | |
KR102277814B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 소자 | |
JP4553135B2 (ja) | 有機強誘電体メモリ | |
JP2006253475A (ja) | 有機強誘電体メモリおよびその製造方法 | |
JP2006253295A (ja) | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 | |
JP2006253474A (ja) | 有機強誘電体メモリおよびその製造方法 | |
KR100626032B1 (ko) | 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치 | |
JP2006245184A (ja) | 有機強誘電体メモリおよびその製造方法 | |
KR100626033B1 (ko) | 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070814 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080626 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091021 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |