CN1982070A - 喷墨印刷系统和制造薄膜晶体管阵列板的方法 - Google Patents
喷墨印刷系统和制造薄膜晶体管阵列板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1982070A CN1982070A CNA2006101362522A CN200610136252A CN1982070A CN 1982070 A CN1982070 A CN 1982070A CN A2006101362522 A CNA2006101362522 A CN A2006101362522A CN 200610136252 A CN200610136252 A CN 200610136252A CN 1982070 A CN1982070 A CN 1982070A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ink
- jet printing
- steam pressure
- substrate
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 208000016853 pontine tegmental cap dysplasia Diseases 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- WHLUQAYNVOGZST-UHFFFAOYSA-N tifenamil Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C(=O)SCCN(CC)CC)C1=CC=CC=C1 WHLUQAYNVOGZST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J11/00—Devices or arrangements of selective printing mechanisms, e.g. ink-jet printers or thermal printers, for supporting or handling copy material in sheet or web form
- B41J11/0015—Devices or arrangements of selective printing mechanisms, e.g. ink-jet printers or thermal printers, for supporting or handling copy material in sheet or web form for treating before, during or after printing or for uniform coating or laminating the copy material before or after printing
- B41J11/002—Curing or drying the ink on the copy materials, e.g. by heating or irradiating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统包括：在基板上淀积墨水的喷墨印刷室；以及与所述喷墨印刷室间隔预定间距的干燥室，其通过调节淀积在所述基板上的墨水的溶剂的蒸汽压力来干燥所述墨水。单独设置干燥室，并调节所述干燥室内的溶剂的蒸汽压力，从而调节墨水的干燥速度，以改善有机半导体的结晶度。
Description
技术领域
本发明涉及用于制造平板显示器的薄膜晶体管阵列的喷墨印刷系统。
背景技术
通常，诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器的平板显示器包括多对场发生电极和插置于其间的电-光激活层。液晶显示器包括作为电-光激活层的液晶层，有机发光二极管显示器包括作为电-光激活层的有机发射层。
一对场发生电极中的一个通常连接至开关元件，以接收由电-光激活层转换为图像的电信号。
在平板显示器中，采用作为三端子元件的薄膜晶体管(TFT)作为开关元件。在显示屏板上，栅极线传输扫描信号，以控制薄膜晶体管的导通和截止，从而将图像信号从数据线连接至像素电极。
由于可以通过低温下的溶液工艺(solution process)，尤其是通过喷墨印刷法构建主要由具有增强的结晶度和分子排序的晶体材料构成的有机薄膜晶体管，因此，其对大面积平板显示器的适用性仅受所采用的淀积工艺的限制。但是，通过喷墨印刷形成的有机半导体可能具有不良的晶体生长，从而导致低下的晶体管特性。
发明内容
本发明提供了一种制造具有改善的结晶度的有机半导体的喷墨印刷系统。本发明的示范性实施例提供了一种喷墨印刷系统，其包括：在基板上淀积墨水的喷墨印刷室；以及与所述喷墨印刷室隔开的干燥室，其通过调节淀积在基板上的溶剂的蒸汽压力干燥墨水。
根据本发明的示范性实施例的薄膜晶体管阵列板的制造方法包括：在喷墨印刷室内，通过在基板上淀积含有墨水的溶剂形成有机半导体；将基板从所述喷墨印刷室中取出，之后将其放置在干燥室内；以及采用蒸汽压力调节装置调节墨水溶剂的蒸汽压力，由此干燥所述有机半导体。有利地，所述有机溶剂可以是三甲基苯和萘满之一。
附图说明
通过阅读下文中结合附图的说明，本发明的前述和其他目的和特征将变得更为显见，附图中：
图1是根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统的透视图。
图2是根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统的头单元的底部平面图。
图3是说明采用根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统的喷墨头形成有机半导体的方法的示意图。
图4是说明根据本发明的示范性实施例的有机薄膜晶体管阵列板的制造方法的第一步骤的布局图。
图5是沿图4的V-V线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
图6是说明图4所示步骤的后继步骤的布局图。
图7是沿图6的VII-VII线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
图8是说明图6所示步骤的后继步骤的布局图。
图9是沿图8的IX-IX线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
图10是说明图8所示步骤的后继步骤的布局图。
图11是沿图10的XI-XI线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
图12是说明图10所示步骤的后继步骤的布局图。
图13是沿图12的XIII-XIII线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
图14是说明图12所示步骤的后继步骤的布局图。
图15是沿图14的XV-XV线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
具体实施方式
在附图中，为了清晰起见夸大了层、膜、屏板、区域等的厚度。在整个说明书中始终采用类似的附图标记表示类似的元件。应当理解，当称一元件，例如层、膜、区域或基板在另一元件“上”时，它可能直接在另一元件上，或者也可能存在中间元件。相反，在称一元件直接位于另一元件上时，不存在中间元件。
在下文中将参考图1到图3详细说明根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统。图1是根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统的透视图，图2是根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统的头单元的底部平面图，图3是说明采用根据本发明的示范性实施例的喷墨印刷系统的喷墨头形成有机半导体的方法的示意图。
如图1到图3所示，喷墨印刷系统包括在其内执行喷墨印刷过程的喷墨印刷室51和与喷墨印刷室51隔离的调节墨水溶剂的蒸汽压力的干燥室(drying chamber)52。
在喷墨印刷室51内安装向其上安装基板110的台(stage)510、位于台510之上的头单元700和用于移动头单元700的转移装置300。
头单元700包括喷墨头400和用于对喷墨头400定位的传感器600。喷墨头400具有长条形，并且包括多个设置于其底面上的喷嘴410。通过喷嘴410在基板110上淀积用于形成有机半导体154的墨水5。墨水溶剂可以是三甲基苯(mesitylen)、萘满(tetralin)、环己酮等。此外，也可以采用其他合适的墨水溶剂。
喷墨头400相对于Y方向倾斜预定角度θ。喷嘴间距D是指形成于喷墨头400内的喷嘴410之间的距离。距离P表示将要印刷的有机半导体154之间的距离。由于距离D和P互不相同，因此，通过将喷墨头400旋转预定角度θ来提供相邻有机半导体154之间的距离P。尽管图示的喷墨头单元700为整体部分，但是其可以由多个部分构成。
转移装置300包括将头单元700定位于基板110之上从而沿Y方向移动头单元700的Y方向转移构件310、沿X方向移动头单元700的X方向转移构件330和用于使头单元700上升和下降的升降器340。
在干燥室52内，安装台520、蒸汽压力调节装置800和蒸汽压力探测器900。蒸汽压力调节装置800将墨水5的溶剂加热成蒸汽801，之后将蒸汽801喷射到干燥室52的内部空间。在干燥室52之内，蒸汽压力探测器900探测溶剂的蒸汽压力。
现在，将说明采用具有上述结构的喷墨印刷系统在基板110上形成有机半导体的操作。
首先，通过X或Y方向转移构件330或310以及升降器340的操作将头单元700置于喷墨印刷室51中的对应的基板110之上。
接下来，通过驱动转移装置300的X方向转移构件330和喷墨头400的喷嘴410，淀积墨水5，同时沿X方向移动头单元700，由此在各个像素上形成有机半导体154。
接下来，将基板110从喷墨印刷室51中取出，之后放入干燥室52中。在将基板110放入干燥室52之前，形成于基板110上的有机半导体154的晶体154a的尺寸非常小。
接下来，通过采用蒸汽压力调节装置800调节干燥室52内的溶剂的蒸汽压力来调节墨水5的干燥速度，从而改善有机半导体154的结晶度。随着溶剂蒸汽压力的提高，加快有机半导体154的晶体生长，从而提高晶体154b的尺寸，由此改善结晶度。优选将溶剂的蒸汽压力提高至有机半导体154不会再次溶解的值。这时，采用蒸汽压力探测器900检验室52内的溶剂的蒸汽压力，由此调节溶剂的蒸汽压力，使之不会过大。
照此，可以通过提供隔离的干燥室52改善有机半导体154的结晶度，并且可以同时处理多个基板。
将参考图4到图15详细描述采用图1到图3所示的喷墨印刷系统制造有机薄膜晶体管阵列板的方法。
图4是说明根据本发明的示范性实施例的有机薄膜晶体管阵列板的制造方法的第一步骤的布局图；图5是沿图4的V-V线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图；图6是说明图4所示步骤的后继步骤的布局图；图7是沿图6的VII-VII线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图；图8是说明图6所示步骤的后继步骤的布局图；图9是沿图8的IX-IX线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图；图10是说明图8所示步骤的后继步骤的布局图；图11是沿图10的XI-XI线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图；图12是说明图10所示步骤的后继步骤的布局图；图13是沿图12的XIII-XIII线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图；图14是说明图12所示步骤的后继步骤的布局图；图15是沿图14的XV-XV线得到的有机薄膜晶体管阵列板的横截面图。
首先，如图4和图5所示，通过(例如)溅射法在基板110上淀积金属层，并采用光刻(photolithography)对其进行蚀刻，由此形成每者均包括多个突起173和端部179的数据线171和每者均包括多个存储电极137的存储电极线131。
接下来，采用无机材料进行化学气相淀积(CVD)或采用有机材料进行旋涂，由此形成具有接触孔163和162的下部层间绝缘层160。就无机材料而言可以通过采用感光膜的光刻法形成接触孔163和162，或者就有机材料而言可以仅通过平版印刷(lithography)形成接触孔163和162。
参考图6和图7，在下部层间绝缘层160上淀积金属层，并采用光刻法对其进行蚀刻，由此形成每者均包括多个栅电极124和端部129的栅极线121和存储电容器导体127。
接下来，参考图8和图9，采用(例如)感光有机材料进行旋涂，并对其构图，由此形成上部层间绝缘层140，上部层间绝缘层140具有开口144的上侧壁和接触孔141、143、147。这时，形成数据线171的端部179，从而去除所有的有机材料。
接下来，通过(例如)喷墨印刷法在上部层间绝缘层140的开口144内形成栅极绝缘体146。为了通过喷墨印刷形成栅极绝缘体146，在开口144内淀积溶液，然后使其干燥。但是，本发明不限于此，可以通过诸如旋涂或狭缝涂覆的各种溶液工艺形成栅极绝缘体146。
参考图10和图11，通过溅射(例如)无定形ITO，之后对其进行光刻来形成包括漏极195的像素电极191、源电极193以及接触辅助物81和82。温度优选为25℃到130℃的低温，例如室温，优选采用弱碱性(basic)蚀刻剂蚀刻所述无定形ITO。通过在低温下形成ITO，并采用弱碱性蚀刻剂对其蚀刻，防止由有机材料构成的栅极绝缘体146和上部层间绝缘层140受到热或化学溶液的损坏。
接下来，如图12和图13所示，通过淀积感光有机层并对其显影，形成具有开口184的堤坝180。之后，在开口184内淀积来自喷墨头400的喷嘴410的墨水5，以形成有机半导体154。
接下来，将基板110转移到干燥室52内，在干燥室52内，蒸汽压力调节装置800控制墨水溶剂蒸汽的干燥速度，从而提高所淀积的有机半导体154的结晶度。
接下来，如图14和图15所示，在有机半导体154上形成光阻挡构件186，由此制毕有机薄膜晶体管阵列板。
在下文中，将详细描述由根据本发明的上述示范性实施例的有机薄膜晶体管阵列板的制造方法制造的有机薄膜晶体管阵列板。
在由透明玻璃、硅酮、塑料等构成的绝缘基板110上形成多条数据线171和多条存储电极线131。
数据线171传输数据信号，并且总体上沿垂直方向延伸。每条数据线171包括多个向侧面突出的突起173和端部179，端部179被放大，从而具有用于与其他层或外部驱动电路连接的大面积。可以将用于生成数据信号的数据驱动电路(未示出)安装在附着于基板110上的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者将其直接安装在基板110上，或者将其与基板110集成。在将数据驱动电路与基板110集成的情况下，数据线171可以通过延伸与其直接连接。
存储电极线131接收预定电压，并且基本与数据线171平行延伸。每条存储电极线131设置于两条数据线171之间，并且更为接近两条数据线171中左侧的一条。存储电极线131包括侧向延伸的存储电极137。但是，可以对存储电极线131的形状和淀积做出各种修改。
数据线171和存储电极线131可以由诸如铝Al或铝合金的基于铝的金属、诸如银Ag或银合金的基于银的金属、诸如金Au或金合金的基于金的金属、诸如铜Cu或铜合金的基于铜的金属、诸如钼Mo或钼合金的基于钼的金属、铬Cr、钽Ta、钛Ti等构成。它们可以具有包括两个具有不同物理特性的导电层(未示出)的多层结构。所述导电层之一可以由诸如基于铝的金属、基于银的金属和基于铜的金属的具有低电阻率的金属构成，从而降低信号延迟或电压降。相反，另一导电层由与基板之间具有良好的粘合特性的材料，或者具有良好的物理、化学特性以及与其他材料，尤其是与氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)之间具有良好的电接触特性的材料构成，例如基于钼的金属、铬、钛和钽。作为此类组合的例子，可以有铬下层和铝(合金)上层，或者铝(合金)下层和钼(合金)上层。但是，数据线171和存储电极线131可以由各种金属或导体构成。
数据线171和存储电极线131的侧面优选相对于基板110的表面倾斜30到80度。
在数据线171和存储电极线131上，形成下部层间绝缘层160。下部层间绝缘层160可以由无机绝缘体或有机绝缘体构成。作为无机绝缘体的例子，可以采用氮化硅SiNx或二氧化硅SiO2。下部层间绝缘层160的厚度可以是大约2000到4μm。
下部层间绝缘层160可以具有多个分别暴露数据线171的突起173和端部179的接触孔163和162。
在下部层间绝缘层160上，形成多个栅极线121和多个存储电容器导体127。
栅极线121传输栅极信号，并且总体上沿水平方向延伸，从而与数据线171和存储电极线131交叉。每条栅极线121包括多个向上突起的栅电极124和端部129，端部129被扩大，从而使其具有用于连接其他层或外部驱动电路的大面积。可以将用于生成栅极信号的栅极驱动电路(未示出)安装在附着于基板110上的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者将其直接安装在基板110上，或者将其与基板110集成。在将栅极驱动电路与基板110集成的情况下，栅极线121可以通过延伸与栅极驱动电路直接连接。
存储电容器导体127与栅极线121分隔，并且与存储电极137重叠。
栅极线121和存储电容器导体127可以由与数据线171和存储电极线131相同的材料构成。栅极线121和存储电容器导体127的侧面相对于基板110的表面倾斜，所述倾斜角优选处于大约30°到大约80°之间。
在栅极线121和存储电容器导体127上形成上部层间绝缘层140。上部层间绝缘层140由具有大约2.5到4.0的相对较低的介电常数的有机材料或无机材料构成。作为有机材料的例子，可以采用基于聚丙烯的化合物、基于聚苯乙烯的化合物和诸如苯并环丁烯(BCB)的可溶高分子化合物，作为无机材料的例子，可以采用氮化硅和氧化硅。上部层间绝缘层140的厚度可以是大约5000到4μm。
通过采用具有低介电常数的上部层间绝缘层140，降低数据线171和栅极线121与上部导电层之间的寄生电容。
上部层间绝缘层140不存在于数据线171的端部179的附近。这样做的原因不仅在于防止形成于数据线171的端部179上的下部层间绝缘层160和层间绝缘层140之间产生太大间隔，还在于降低层间绝缘层的厚度，从而使数据线171的端部179与外部电路有效地相互连接。
在上部层间绝缘层140内形成多个暴露栅电极124的开口144、多个暴露栅极线121的端部129的接触孔141、多个暴露数据线171的突起173的接触孔143和多个暴露存储电容器导体127的接触孔147。
在上部层间绝缘层140的开口144内形成栅极绝缘体146。栅极绝缘体146覆盖栅电极124，其厚度大约为1000到10000。开口144的侧壁高于栅极绝缘体146，因而上部层间绝缘层140起着堤坝的作用，开口144具有足够的尺寸，使得栅极绝缘体146的表面变为平面。
栅极绝缘体146由具有大约3.5到10的较高介电常数的有机材料或无机材料构成。作为有机材料的例子，可以采用诸如基于聚酰亚胺的化合物、基于聚乙烯醇的化合物、基于聚荧烷的化合物和聚对二甲苯(parylene)的可溶高分子化合物，作为无机材料的例子，可以采用通过十八烷基三氯硅烷(octadecyl trichloro silane，OTS)进行表面处理的氧化硅。具体地，栅极绝缘体146的介电常数优选高于上部层间绝缘层140的介电常数。
通过设置具有高介电常数的栅极绝缘体146，可以降低有机薄膜晶体管的阈值电压，并且可以提高其离子电流，由此提高有机薄膜晶体管的效率。
在上部层间绝缘层140和栅极绝缘体146上形成多个源电极193、多个像素电极191以及多个接触辅助物81和82。它们可以由诸如IZO和ITO的透明导电材料构成，其厚度可以是大约300到大约800。
源电极193通过接触孔143连接到数据线171，并且在栅电极124之上延伸。
像素电极191包括以栅电极124为中心面对源电极193的部分195(以下称为漏电极)，并且通过接触孔147连接到存储电容器导体127。漏电极195和源电极193各自的互相面对的侧边相互平行迂回蛇行(snakewindingly)。像素电极191与栅极线121和数据线171叠置，以增大开口率。
将接触辅助物81和82分别通过接触孔141和162连接至栅极线121的端部129和数据线171的端部。接触辅助物81和82补充栅极线121的端部129和数据线171的端部179与外部装置之间的粘合特性，并且保护这些构件。
在源电极193、像素电极191和上部层间绝缘层140上形成多个堤坝180。
在堤坝180中形成多个开口184。开口184位于栅电极124和上部层间绝缘层140的开口144上，并且暴露源电极193和漏电极195的部分以及位于其间的栅极绝缘体146。
堤坝180由厚度大约为5000到4μm的可以对其实施溶液工艺的感光有机材料构成。堤坝180的开口184小于上部层间绝缘层140的开口144。因此，堤坝180牢固地固定了形成于下方的栅极绝缘体146，从而能够防止栅极绝缘体146的脱落，并且可以在后续过程中减少化学溶液的渗透。
在堤坝180的开口184内形成多个有机半导体岛154。有机半导体154接触位于栅电极124之上的源电极193和漏电极195，其高度低于堤坝180的高度，因而有机半导体154被堤坝180完全包围。由于有机半导体154被堤坝180完全包围，因此，其侧面没有露出，因而能够在后续过程中防止化学溶液渗透到半导体154的侧面当中。
有机半导体154可以包括溶于有机溶剂的高分子化合物或低分子化合物，并且可以通过喷墨印刷法形成有机半导体154。
有机半导体154可以包括具有并四苯或并五苯的取代基(substituent)的衍生物。有机半导体154可以包括具有四到八个连接至噻吩环的位置2或5的噻吩的寡噻吩(oligothiophene)。
有机半导体154可以包括聚噻吩基乙烯撑(polythienylenevinylene)、聚3己基噻吩、聚噻吩、酞菁染料、金属化酞菁染料或其衍生物。有机半导体154可以包括二萘嵌苯四羧酸二酐(perylenetetracarboxylic dianhydride，PTCD)、萘四羧酸二酐(naphthalenetetracarboxylic dianhydride，NTCDA)或其酰亚胺衍生物。有机半导体154可以包括二萘嵌苯或六苯并苯以及包括其取代基的衍生物。有机半导体的厚度可以是大约300到3000。
一个栅电极124、一个源电极193和一个漏电极195连同一个有机半导体154形成一个薄膜晶体管(TFT)Q。在源电极193和漏电极195之间的有机半导体154上形成薄膜晶体管Q的沟道。
薄膜晶体管Q向像素电极191施加数据电压，从而连同施加到显示屏板(未示出)的公共电极(未示出)上的公共电压一起形成电场，由此决定位于所述两个电极之间的液晶层(未示出)的液晶分子的方向。像素电极191和公共电极形成电容器(以下称为液晶电容器)，从而在薄膜晶体管截止之后保持外加电压。
在有机半导体154上形成光阻挡构件186。光阻挡构件186由基于氟的碳氢化合物、基于聚乙烯醇的化合物等构成，并保护有机半导体154不受外部的热、等离子体和化学物质的影响。
可以在阻挡构件186上形成用于增强对有机半导体154的保护的钝化层(未示出)。
在根据本发明实施例的喷墨印刷系统和制造有机薄膜晶体管阵列板的方法当中，单独设置干燥室，并调节干燥室内溶剂的蒸汽压力，从而调节墨水的干燥速度，由此改善有机半导体的结晶度。
尽管已经结合当前被认为是实际的示范性实施例的内容对本发明进行了描述，但是，应当理解本发明不限于所公开的实施例，反之，本发明意在涵盖不违背本发明的精神和范围的各种修改和等同设置，这些修改和等同设置对于本领域技术人员而言是显而易见。
本申请要求于2005年12月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2005-0123136的优先权和权益，在此将其内容引入以供参考。
Claims (12)
1.一种喷墨印刷系统，包括：
在基板上淀积墨水的喷墨印刷室；以及
与所述喷墨印刷室间隔预定间距的干燥室，其通过调节淀积在所述基板上的墨水的溶剂的蒸汽压力来干燥所述墨水。
2.根据权利要求1所述的喷墨印刷系统，其中，在所述干燥室内安装用于调节所述溶剂的所述蒸汽压力的蒸汽压力调节装置和用于探测所述干燥室内的所述蒸汽压力的蒸汽压力探测器。
3.根据权利要求1所述的喷墨印刷系统，其中，在所述喷墨印刷室内安装向其上安装所述基板的台、在所述基板上淀积墨水的喷墨头和将所述喷墨头移动到预定位置的转移装置。
4.根据权利要求2所述的喷墨印刷系统，其中，所述蒸汽压力调节装置在所述干燥室内喷射所述墨水的所述溶剂。
5.根据权利要求4所述的喷墨印刷系统，其中，所述溶剂为有机溶剂。
6.根据权利要求5所述的喷墨印刷系统，其中，所述有机溶剂为三甲基苯和萘满之一。
7.一种制造薄膜晶体管阵列板的方法，包括：
在喷墨印刷室内，通过在基板上淀积墨水形成有机半导体；
将其上形成了所述有机半导体的基板从所述喷墨印刷室中取出，之后将所述基板放置在干燥室内；以及
在所述干燥室内，采用蒸汽压力调节装置干燥所述有机半导体。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述有机半导体的干燥采用所述蒸汽压力调节装置调节所述干燥室内的蒸汽压力，由此调节所述有机半导体的干燥速度。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其中，在所述喷墨印刷室内安装向其上安装所述基板的台、在所述基板上淀积墨水的喷墨头和将所述喷墨头移动到预定位置的转移装置。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述蒸汽压力调节装置以蒸汽的形式喷射所述墨水的溶剂，从而调节所述蒸汽压力。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述溶剂为有机溶剂。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述有机溶剂为三甲基苯和萘满之一。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR123136/05 | 2005-12-14 | ||
| KR1020050123136A KR101272328B1 (ko) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1982070A true CN1982070A (zh) | 2007-06-20 |
| CN1982070B CN1982070B (zh) | 2011-11-09 |
Family
ID=38138855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006101362522A Active CN1982070B (zh) | 2005-12-14 | 2006-10-19 | 喷墨印刷系统和制造薄膜晶体管阵列板的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7712888B2 (zh) |
| JP (1) | JP4928926B2 (zh) |
| KR (1) | KR101272328B1 (zh) |
| CN (1) | CN1982070B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104908423A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜制作方法及系统 |
| CN107053870A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷墨打印方法及装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5052370B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2012-10-17 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び閾値補正方法 |
| JP2009218327A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100982471B1 (ko) * | 2008-04-15 | 2010-09-16 | 한국과학기술원 | 잉크젯 프린터를 이용한 유기 반도체의 형성 방법 |
| CN101993032B (zh) * | 2009-08-14 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微结构薄膜图形和tft-lcd阵列基板制造方法 |
| KR101102657B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2012-01-04 | 서울대학교산학협력단 | 프린팅과 기상증착중합법을 이용한 유연성 있는 유기반도체 소자 |
| KR101767632B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2017-08-11 | 주식회사 엘지화학 | 필름 건조 장치 및 이를 포함하는 필름 제조 시스템 |
| CA2984397C (en) | 2015-04-28 | 2021-10-26 | Charles Hensley | Soil conditioning apparatus and method |
| CN110588186B (zh) * | 2019-08-07 | 2020-07-10 | 华中科技大学 | 一种喷墨打印柔性显示器件制造系统及方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3168275B2 (ja) | 1992-08-05 | 2001-05-21 | エア・ウォーター株式会社 | 半導体結晶成長装置 |
| JP3432735B2 (ja) * | 1998-01-27 | 2003-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置 |
| JP3193898B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法 |
| JP3158276B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2001-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜処理装置 |
| JP3330335B2 (ja) * | 1998-11-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置およびエージング処理装置 |
| JP2002231708A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜処理装置および塗布膜処理方法 |
| JP2002252199A (ja) | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Speedfam Clean System Co Ltd | 蒸気によるワークの処理方法及び装置 |
| US6808749B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-10-26 | Seiko Epson Corporation | Thin film forming method, solution and apparatus for use in the method, and electronic device fabricating method |
| EP1308300A1 (en) | 2001-10-31 | 2003-05-07 | Hewlett Packard Company, a Delaware Corporation | Ink condensate removal in hardcopy apparatus |
| JP2004088094A (ja) | 2002-07-01 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 組成物、成膜方法及び成膜装置、電気光学装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、デバイス及びその製造方法、電子機器 |
| JP2004087482A (ja) | 2002-07-01 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 組成物、成膜方法及び成膜装置、電気光学装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、デバイス及びその製造方法、電子機器 |
| US6957608B1 (en) * | 2002-08-02 | 2005-10-25 | Kovio, Inc. | Contact print methods |
| JP2004167304A (ja) | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Seiko Epson Corp | 液状体吐出装置 |
| KR101035850B1 (ko) * | 2003-11-17 | 2011-05-19 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성용 프린팅 설비 |
| JP4387775B2 (ja) | 2003-11-25 | 2009-12-24 | 株式会社リコー | 有機薄膜の形成方法及びその形成装置 |
| JP4357943B2 (ja) | 2003-12-02 | 2009-11-04 | エス・イー・エス株式会社 | 基板処理法及び基板処理装置 |
| US7554121B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor device |
| KR100712097B1 (ko) | 2004-03-02 | 2007-05-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 외부압 인가에 의해 전사가 가능한 도너 필름 및 이를이용한 풀칼라 유기 전계 발광 소자의 제조방법 |
-
2005
- 2005-12-14 KR KR1020050123136A patent/KR101272328B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-10-06 US US11/544,092 patent/US7712888B2/en active Active
- 2006-10-19 CN CN2006101362522A patent/CN1982070B/zh active Active
- 2006-12-12 JP JP2006334683A patent/JP4928926B2/ja active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104908423A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜制作方法及系统 |
| CN104908423B (zh) * | 2015-06-26 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜制作方法及系统 |
| CN107053870A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷墨打印方法及装置 |
| CN107053870B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷墨打印方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070132825A1 (en) | 2007-06-14 |
| US7712888B2 (en) | 2010-05-11 |
| JP4928926B2 (ja) | 2012-05-09 |
| KR20070063174A (ko) | 2007-06-19 |
| KR101272328B1 (ko) | 2013-06-07 |
| JP2007164188A (ja) | 2007-06-28 |
| CN1982070B (zh) | 2011-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1982070B (zh) | 喷墨印刷系统和制造薄膜晶体管阵列板的方法 | |
| US7880170B2 (en) | Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same | |
| KR101219035B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| US7919778B2 (en) | Making organic thin film transistor array panels | |
| CN101086996B (zh) | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
| CN1941398B (zh) | 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
| US20070024766A1 (en) | Organic thin film transistor display panel | |
| US7993958B2 (en) | Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| CN101017840A (zh) | 有机薄膜晶体管阵列板 | |
| KR20060104092A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| CN100550412C (zh) | 显示装置 | |
| CN1983620B (zh) | 有机薄膜晶体管阵列面板 | |
| CN1917226B (zh) | 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
| CN100563021C (zh) | 有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法 | |
| US20100197074A1 (en) | Thin film transistor array panel and method of manufacture | |
| KR101240654B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080026957A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| US20080038881A1 (en) | Thin Film Transistor Array Panel and Manufacturing Method Thereof | |
| KR20070052505A (ko) | 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| CN101123265A (zh) | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
| KR101189274B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20070111772A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| KR20080026989A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080072339A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| KR20070105446A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20121029 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121029 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd. |