JP2007164188A - インクジェットプリンティングシステム及びこれを用いた薄膜トランジスタ表示板の製造方法 - Google Patents
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- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 22
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Chemical class 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Chemical class 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Chemical class 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J11/00—Devices or arrangements of selective printing mechanisms, e.g. ink-jet printers or thermal printers, for supporting or handling copy material in sheet or web form
- B41J11/0015—Devices or arrangements of selective printing mechanisms, e.g. ink-jet printers or thermal printers, for supporting or handling copy material in sheet or web form for treating before, during or after printing or for uniform coating or laminating the copy material before or after printing
- B41J11/002—Curing or drying the ink on the copy materials, e.g. by heating or irradiating
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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Abstract
【解決手段】インクジェットプリンティングシステムは、基板上にインキを滴下するインクジェットプリンティングチャンバーと、インクジェットプリンティングチャンバーと所定間隔離間しており、基板に滴下されたインキの溶媒の蒸気圧を調節してインキを乾燥させる乾燥チャンバーとを有する。
【選択図】図1
Description
1対をなす電場生成電極のうちの1つは、通常、スイッチング素子に接続されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層は、この電気信号を光学信号に変換することによって画像を表示する。
有機半導体はほとんどが結晶性物質であり、結晶性または分子配向性に優れている有機半導体の場合には、薄膜トランジスタの特性が向上する。
また、前記乾燥チャンバーには、前記溶媒の蒸気圧を調節する蒸気圧調節装置と、前記乾燥チャンバー内部の蒸気圧を測定する蒸気圧測定器とが設けられることが望ましい。また、前記インクジェットプリンティングチャンバーには、基板が搭載されるステージと、前記基板上にインキを滴下するインクジェットヘッドと、そして、前記インクジェットヘッドを所定位置に移動させる移送装置とが設けられることが望ましい。また、前記蒸気圧調節装置は、前記インキの溶媒を蒸気で噴射して蒸気圧を調節することが好ましい。また、前記溶媒は有機溶媒であり、前記有機溶媒はメシチレンまたはテトラリンの中から選択されたいずれか1つとすることができる。
また、前記インクジェットプリンティングチャンバーには、基板が搭載されるステージと、前記基板上にインキを滴下するインクジェットヘッドと、そして、前記インクジェットヘッドを所定位置に移動させる移送装置とが設けられることが望ましい。また、前記蒸気圧調節装置は、前記インキの溶媒を蒸気で噴射して蒸気圧を調節することが望ましい。また、前記溶媒は有機溶媒であることが望ましい。また、前記有機溶媒は、メシチレンまたはテトラリンの中から選択されたいずれか1つとすることができる。
図1は本発明の一実施形態に係るインクジェットプリンティングシステムの斜視図であり、図2は本発明の一実施形態に係るインクジェットプリンティングシステムのヘッドユニットの底面図であり、図3は本発明の一実施形態に係るインクジェットプリンティングシステムのインクジェットヘッドを用いて有機半導体を形成する方法を概略的に示した図面である。
インクジェットプリンティングチャンバー51の内部には、基板110を搭載するステージ510と、ステージ500上に所定間隔離間して配置されるヘッドユニット700と、ヘッドユニット700を所定位置に移動させる移送装置300とが設けられている。ヘッドユニット700は、インクジェットヘッド400と、インクジェットヘッド400の位置を整列するための整列センサー600とを有する。インクジェットヘッド400は長い棒状を有しており、その底面に配置された複数のノズル410を有し、このノズル410を通じて有機半導体を形成するための有機半導体用インキ5が基板110上に滴下される。有機半導体用インキ5の溶媒として、メシチレン、テトラリン、シクロヘキサノン等の有機溶媒を使用することができ。また、有機半導体用のインキに影響を及ぼし得る様々な溶媒を使用することが可能である。
次に、このような構造を有するインクジェットプリンティングシステムを利用して基板110上に有機半導体を形成する動作について説明する。
図4は、本発明の一実施形態に係る有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態により製造する方法の第1の工程を示した配置図であり、図5は図4に示す有機薄膜トランジスタ表示板のV-V線に沿った断面図であり、図6は図4に続く工程を示した配置図であり、図7は図6に示す有機薄膜トランジスタ表示板のVII-VII線に沿った断面図であり、図8は図6に続く工程を示す配置図であり、図9は図8に示す有機薄膜トランジスタ表示板のIX-IX線に沿った断面図であり、図10は図8に続く工程を示した配置図であり、図11は図10に示す有機薄膜トランジスタ表示板のXI-XI線に沿った断面図であり、図12は図10に続く工程を示した配置図であり、図13は図12に示す有機薄膜トランジスタ表示板のXIII-XIII線に沿った断面図であり、図14は図12に続く工程を示した配置図であり、図15は図14に示す有機薄膜トランジスタ表示板のXIV-XIV線に沿った断面図である。
次に、無機物質を化学気相蒸着(CVD)したり、有機物質をスピンコーティングしたりして、コンタクトホール163、162を有する下部層間絶縁膜160を形成する。コンタクトホール163、162は、無機物質である場合には感光膜を用いたフォトエッチング工程により形成し、有機物質である場合にはフォト工程のみで形成できる。
次に、図8及び図9に示すように、感光性有機物等をスピンコーティングしパターニングして、開口部144及びコンタクトホール141、143、147の上部側壁を有する上部層間絶縁膜140を形成する。このとき、データ線171の端部179近傍から有機物が全て除去されるようにする。
次に、乾燥チャンバー52に基板110を移送する。そして、蒸気圧調節装置800を利用して乾燥チャンバー52内部の溶媒蒸気圧を調節してインキ5の乾燥速度を調節することにより、有機半導体154の結晶性を向上させる。次に、図14及び図15に示すように、有機半導体154上に、遮断部材186を形成して有機薄膜トランジスタ表示板を完成する。
透明なガラス、シリコン、またはプラスチック等からなる絶縁基板110上に、複数のデータ線171及び複数の維持電極線131が形成されている。データ線171はデータ信号を伝達し、主に図14の縦方向に延びている。各データ線171は、側方に突出した複数の突出部173と、他の層または外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部179を有する。データ信号を生成するデータ駆動回路(図示せず)は、基板110上に取り付けられるフレキシブル印刷回路膜(図示せず)上に装着することができ、基板110上に直接装着することもでき、基板110に集積することも可能である。データ駆動回路を基板110上に集積する場合には、データ線171を延長してこれと直接接続することができる。
データ線171及び維持電極線131は、アルミニウム(Al)やアルミニウム合金等のアルミニウム系金属、銀(Ag)や銀合金等の銀系金属、金(Ag)や金合金等の金系金属、銅(Cu)や銅合金等の銅系金属、モリブデン(Mo)やモリブデン合金等のモリブデン系金属、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、及びチタニウム(Ti)等で形成することができる。また、これらは物理的性質が異なる2つの導電膜(図示せず)を含む多重膜構造とすることもできる。このうちの1つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗(resistivity)が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属等で構成できる。また、もう1つの導電膜は、基板110との接着性が優れており、他の物質、特にITO及びIZOとの物理的、化学的、電気的接触特性に優れている、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウム等で構成できる。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム(合金)上部膜及びアルミニウム(合金)下部膜とモリブデン(合金)上部膜がある。しかし、データ線171及び維持電極線131は、これ以外にも様々な金属または導電体で構成することができる。
データ線171及び維持電極線131上には、下部層間絶縁膜160が形成されている。下部層間絶縁膜160は、無機絶縁物または有機絶縁物で形成されるものであって、無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiO2)がある。下部層間絶縁膜160の厚さは、約0.2〜4μmとすることができる。
ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図14の横方向に延びてデータ線171及び維持電極線131と交差している。各ゲート線121は、上方に突出した複数のゲート電極124と、他の層または外部駆動回路との接続のために幅が拡張された端部129を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路(図示せず)は、基板110上に取り付けられるフレキシブル印刷回路膜(図示せず)上に装着することができ、基板110上に直接装着することもでき、基板110に集積することも可能である。ゲート駆動回路を基板110上に集積する場合には、ゲート線121を延長してゲート駆動回路と直接接続するように構成できる。
上部層間絶縁膜140は、データ線171の端部179の近傍には存在しない。これは、データ線171の端部179上に形成された下部層間絶縁膜160と上部層間絶縁膜140とが接着性不良によって分離されるのを防止する一方、データ線171の端部179と外部回路とが効果的に接続されるように、層間絶縁膜の厚さを減らすためである。
上部層間絶縁膜140の開口部144の中には、ゲート絶縁体146が形成されている。ゲート絶縁体146はゲート電極124を覆い、その厚さは1000〜10000Å程度である。開口部144の側壁は、その高さが上部層間絶縁膜140より高くて上部層間絶縁膜140が堤防(bank)の役割をし、開口部144は、ゲート絶縁体146の表面が平坦になるように充分な大きさを有する。
ソース電極193は、コンタクトホール143を介してデータ線171と接続されてゲート電極124上に延長されている。画素電極191は、ゲート電極124を中心としてソース電極193と対向する部分(以下、ドレイン電極という。)195を有し、コンタクトホール147を介してストレージキャパシタ用導電体127と接続されている。ドレイン電極195とソース電極193の対向する2辺は、互いに平行に蛇行している。画素電極191は、ゲート線121及びデータ線171と重畳されて開口率を高める。
有機半導体154は、テトラセンまたはペンタセンの置換基を有する誘導体を含むことができる。また、有機半導体154は、チオフェン環の2,5位置によって連結された4〜8個のチオフェンを有するオリゴチオフェンを含むことができる。
1つのゲート電極124、1つのソース電極193及び1つのドレイン電極195は、有機半導体154とともに1つの薄膜トランジスタ(TFT)(Q)をなし、薄膜トランジスタ(Q)のチャネルは、ソース電極193とドレイン電極195との間の有機半導体154に形成される。
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
52 乾燥チャンバー
110 絶縁基板
121 ゲート線
124 ゲート電極
127 ストレージキャパシタ用導電体
129 ゲート線の端部
131 維持電極線
137 維持電極
140、160、180 層間絶縁膜
146 ゲート絶縁体
154 有機半導体
171 データ線
179 データ線の端部
81、82 接触補助部材
141、143、147、162、163 コンタクトホール
144、184 開口部
186 遮断部材
191 画素電極
193 ソース電極
195 ドレイン電極
Q 有機薄膜トランジスタ
Claims (12)
- 基板上にインキを滴下するインクジェットプリンティングチャンバーと、
前記インクジェットプリンティングチャンバーと所定間隔離間しており、前記基板に滴下されたインキの溶媒の蒸気圧を調節して前記インキを乾燥させる乾燥チャンバーと、
を有することを特徴とするインクジェットプリンティングシステム。 - 前記乾燥チャンバーには、前記溶媒の蒸気圧を調節する蒸気圧調節装置と、
前記乾燥チャンバー内部の蒸気圧を測定する蒸気圧測定器と、
が設けられることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリンティングシステム。 - 前記インクジェットプリンティングチャンバーには、基板が搭載されるステージと、前記基板上にインキを滴下するインクジェットヘッドと、前記インクジェットヘッドを所定位置に移動させる移送装置とが設けられることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリンティングシステム。
- 前記蒸気圧調節装置は、前記インキの溶媒を蒸気で噴射して蒸気圧を調節することを特徴とする請求項2に記載のインクジェットプリンティングシステム。
- 前記溶媒は有機溶媒であることを特徴とする請求項4に記載のインクジェットプリンティングシステム。
- 前記有機溶媒は、メシチレンまたはテトラリンの中から選択されたいずれか1つであることを特徴とする請求項5に記載のインクジェットプリンティングシステム。
- インクジェットプリンティングチャンバー内で基板上にインキを滴下して有機半導体を形成し、
前記有機半導体が形成された基板を前記インクジェットプリンティングチャンバーから取り出して乾燥チャンバー内部に搬入し、
前記乾燥チャンバー内部の蒸気圧調節装置を利用して有機半導体を乾燥させることを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記有機半導体の乾燥は、前記蒸気圧調節装置を利用して前記乾燥チャンバー内部の蒸気圧を調節して前記有機半導体の乾燥速度を調節することを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記インクジェットプリンティングチャンバーには基板が搭載されるステージと、
前記基板上にインキを滴下するインクジェットヘッドと、
前記インクジェットヘッドを所定位置に移動させる移送装置とが設けられることを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記蒸気圧調節装置は、前記インキの溶媒を蒸気で噴射して蒸気圧を調節することを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記溶媒は有機溶媒であることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記有機溶媒は、メシチレンまたはテトラリンの中から選択されたいずれか1つであることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050123136A KR101272328B1 (ko) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
KR10-2005-0123136 | 2005-12-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007164188A true JP2007164188A (ja) | 2007-06-28 |
JP4928926B2 JP4928926B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=38138855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006334683A Active JP4928926B2 (ja) | 2005-12-14 | 2006-12-12 | インクジェットプリンティングシステム及びこれを用いた薄膜トランジスタ表示板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7712888B2 (ja) |
JP (1) | JP4928926B2 (ja) |
KR (1) | KR101272328B1 (ja) |
CN (1) | CN1982070B (ja) |
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- 2006-10-06 US US11/544,092 patent/US7712888B2/en active Active
- 2006-10-19 CN CN2006101362522A patent/CN1982070B/zh active Active
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KR101272328B1 (ko) | 2013-06-07 |
CN1982070A (zh) | 2007-06-20 |
JP4928926B2 (ja) | 2012-05-09 |
KR20070063174A (ko) | 2007-06-19 |
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