JP2006245184A - 有機強誘電体メモリおよびその製造方法 - Google Patents
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【解決手段】 本発明にかかる有機強誘電体メモリ100は、ソース領域42およびドレイン領域44を有するポリシリコン層40と、前記ポリシリコン層40の上方に形成された有機強誘電体層50と、前記有機強誘電体層50の上方に形成されたゲート電極60と、を含む。
【選択図】 図15
Description
(a)基板の上方の所定の領域にポリシリコン層を形成する工程と、
(b)前記ポリシリコン層にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
(c)前記ポリシリコン層の上方に有機強誘電体層を形成する工程と、
(d)前記有機強誘電体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
を含む。
前記工程(b)では、前記ポリシリコン層の上方であって、前記ゲート電極を形成するための領域にレジストを形成し、当該レジストをマスクとして、前記ポリシリコン層に不純物を導入することにより、前記ソース領域および前記ドレイン領域を形成することができる。
前記基板の上方に、前記工程(a)〜(d)の工程により被転写層を形成する工程と、
前記工程(d)の後に、前記被転写層を転写体に転写させる工程と、
をさらに含むことができる。
前記基板の耐熱温度は、前記被転写層の耐熱温度より高いことができる。
前記被転写層は、フレキシブル基板であることができる。
前記工程(d)の後に、前記ゲート電極をマスクとして前記有機強誘電体層をアッシングする工程をさらに含むことができる。
前記工程(c)では、液滴吐出法により、有機強誘電体層を形成することができる。
前記工程(a)は、液体シリコン材料を塗布する工程を有することができる。
前記工程(d)は、
液滴吐出法により金属微粒子または導電性高分子を含む液体を前記有機強誘電体層の上方に塗布することによりのゲート電極を形成することができる。
ソース領域およびドレイン領域を有するポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層の上方に形成された有機強誘電体層と、
前記有機強誘電体層の上方に形成されたゲート電極と、
を含む。
前記ポリシリコン層と前記有機強誘電体層との間に形成された絶縁体からなるバッファ層をさらに含むことができる。
前記バッファ層と前記有機強誘電体層との間に形成された中間電極をさらに含むことができる。
ソース領域およびドレイン領域を有するポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層の上方に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に形成された層間絶縁膜と、
前記ゲート電極と電気的に接続され、少なくとも前記層間絶縁膜の上方に形成された中間電極と、
前記中間電極の上方に形成された有機強誘電体層と、
前記有機強誘電体層の上方に形成された上部電極と、
を含む。
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン)共重合体、ポリフッ化ビニリデン、および奇数ナイロンのいずれかの有機強誘電体材料からなることができる。
前記ゲート電極は、導電性高分子からなることができる。
(1)まず、図1に示すように第1の基板10を用意する。本実施の形態において第1の基板10は、転写用基板であり、製造工程においてのみ使用する基板である。第1の基板10の上方には、後述する工程により、被転写層110(図14参照)が形成される。最終的には被転写層110が第3の基板14に転写されることにより、有機強誘電体メモリ100が形成される(図15参照)。転写技術を適用することにより、製造プロセスに要求される条件(プロセス耐性など)および完成品に要求される条件(フレキシブル性など)の両方を満たすことが可能となる。
図15は、有機強誘電体メモリ100を模式的に示す断面図であり、図16は、有機強誘電体メモリ100の回路図である。本実施の形態にかかる有機強誘電体メモリ100は、絶縁層30と、ポリシリコン層40と、有機強誘電体層50と、ゲート電極60とを含む。ポリシリコン層40は、ソース領域42と、ドレイン領域44と、これらの間に形成されたボディ領域46とを有する。ポリシリコン層40、有機強誘電体層50、およびゲート電極60は、薄膜トランジスタ構造を有する。
本実施の形態の変形例にかかる有機強誘電体メモリについて説明する。
図17は、第1の変形例にかかる有機強誘電体メモリ200を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ200は、バッファ層80をさらに含む点で、図15に示す有機強誘電体メモリ100と異なる。バッファ層80は、ポリシリコン層40と有機強誘電体層50との間に形成される。バッファ層80に用いられる材料としては、絶縁体材料であれば特に限定されず、たとえば酸化シリコンを用いることができる。
図18は、第2の変形例にかかる有機強誘電体メモリ300を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ300は、バッファ層80および中間電極82をさらに含む点で、図15に示す有機強誘電体メモリ100と異なる。
図19は、第3の変形例にかかる有機強誘電体メモリ400を模式的に示す断面図である。有機強誘電体メモリ400は、バッファ層80および中間電極86をさらに含む点、強誘電体キャパシタ92が第2の層間絶縁膜72の上方に形成されている点で、有機強誘電体メモリ100と異なる。強誘電体キャパシタ92は、中間電極86と、有機強誘電体層88と、上部電極90とを有する。有機強誘電体メモリ400は、第2の変形例にかかる有機強誘電体メモリ300と同様に、ゲート電極84、バッファ層80、およびポリシリコン層40からなる薄膜トランジスタと、強誘電体キャパシタ92とから構成される。薄膜トランジスタにおいて、バッファ層80は、ゲート絶縁層として機能する。
図20は、第1〜3の変形例に係る有機強誘電体メモリ200、300、400の回路図を示す。有機強誘電体メモリ200、300、400は、図20に示すキャパシタCferroおよびトランジスタT2に相当する。キャパシタCferroは、ワード線とノードN1で接続され、トランジスタT2は、ソース領域42およびドレイン領域44のいずれか一方がビット線とノードN2で接続され、他方が反転ビット線とノードN3で接続されている。
Claims (15)
- ソース領域およびドレイン領域を有するポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層の上方に形成された有機強誘電体層と、
前記有機強誘電体層の上方に形成されたゲート電極と、
を含む、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1において、
前記ポリシリコン層と前記有機強誘電体層との間に形成された絶縁体からなるバッファ層をさらに含む、有機強誘電体メモリ。 - 請求項2において、
前記バッファ層と前記有機強誘電体層との間に形成された中間電極をさらに含む、有機強誘電体メモリ。 - ソース領域およびドレイン領域を有するポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層の上方に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に形成された層間絶縁膜と、
前記ゲート電極と電気的に接続され、少なくとも前記層間絶縁膜の上方に形成された中間電極と、
前記中間電極の上方に形成された有機強誘電体層と、
前記有機強誘電体層の上方に形成された上部電極と、
を含む、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン)共重合体、ポリフッ化ビニリデン、および奇数ナイロンのいずれかの有機強誘電体材料からなる、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記ゲート電極は、導電性高分子からなる、強誘電体メモリ。 - (a)基板の上方の所定の領域にポリシリコン層を形成する工程と、
(b)前記ポリシリコン層にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
(c)前記ポリシリコン層の上方に有機強誘電体層を形成する工程と、
(d)前記有機強誘電体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
を含む、
有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項7において、
前記工程(b)では、前記ポリシリコン層の上方であって、前記ゲート電極を形成するための領域にレジストを形成し、当該レジストをマスクとして、前記ポリシリコン層に不純物を導入することにより、前記ソース領域および前記ドレイン領域を形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項7または8において、
前記基板の上方に、前記工程(a)〜(d)の工程により被転写層を形成する工程と、
前記工程(d)の後に、前記被転写層を転写体に転写させる工程と、
をさらに含む、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9において、
前記基板の耐熱温度は、前記転写体の耐熱温度より高い、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項9または10において、
前記転写体は、フレキシブル基板である、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項7ないし11のいずれかにおいて、
前記工程(d)の後に、前記ゲート電極をマスクとして前記有機強誘電体層をアッシングする工程をさらに含む、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項7ないし12のいずれかにおいて、
前記工程(c)では、液滴吐出法により、有機強誘電体層を形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項7ないし13のいずれかにおいて、
前記工程(a)は、液体シリコン材料を塗布する工程を有する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項7ないし14のいずれかにおいて、
前記工程(d)は、液滴吐出法により金属微粒子または導電性高分子を含む液体を前記有機強誘電体層の上方に塗布することによりゲート電極を形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。
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JP2005057200A JP2006245184A (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 有機強誘電体メモリおよびその製造方法 |
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JP2011049537A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Korea Electronics Telecommun | 不揮発性メモリセル及びその製造方法 |
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2005
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US8558295B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-10-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same |
US8716035B2 (en) | 2009-08-25 | 2014-05-06 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same |
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