JP2006228396A - 不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ページバッファ内に含まれたラッチ部のいずれか一つのみを用いてコピーバックプログラムを行うことにより、ラッチ間のデータ伝送の際にエラー発生を無くし且つコピーバックプログラム時間を短縮させることが可能な不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法は、コピーバックプログラム動作の際には複数のページバッファそれぞれに含まれた第1ラッチ部のみを活性化させ、第2ラッチ部を非活性化させ、プログラム、読み出しおよび検証動作の際には前記第1ラッチ部または前記第2ラッチ部を活性化させることを特徴とする。
【選択図】図4
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法は、コピーバックプログラム動作の際には複数のページバッファそれぞれに含まれた第1ラッチ部のみを活性化させ、第2ラッチ部を非活性化させ、プログラム、読み出しおよび検証動作の際には前記第1ラッチ部または前記第2ラッチ部を活性化させることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明は、不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法に係り、特に、コピーバックプログラム動作時間を短縮させることが可能なNAND型フラッシュメモリ装置のページバッファ動作方法に関する。
電気的にプログラム(program)と消去(erase)が可能であり、一定の周期でデータを再作成するリフレッシュ(refresh)機能が不要な半導体メモリ素子の需要が増加しつつある。ここで、プログラムとは、データをメモリセルに書き込む動作をいう。
メモリ素子の高集積化のために、複数のメモリセルが直列に接続(すなわち、隣接したセル同士がドレインまたはソースを互いに共有する構造)されて1本のストリングを構成するNAND型フラッシュメモリ素子が開発された。NAND型フラッシュメモリ素子は、NOR型フラッシュメモリ素子とは異なり、順次情報を読み出すメモリ素子である。
NAND型フラッシュメモリ素子は、短時間内に大容量の情報を格納しあるいは格納された情報を読み出すために、ページバッファを使用する。ページバッファは、入出力パッド(Input/Output PAD)から大容量のデータの提供を受けてメモリセルへ提供し、あるいはメモリセルのデータを格納した後出力する機能を行う。通常、ページバッファはデータを臨時格納するために単一レジスタから構成されることが普遍的であったが、最近、NAND型フラッシュメモリ素子において大容量データプログラムの際にプログラム速度を増加させるためにデュアルレジスタを採用している。
コピーバックとは、セルに問題が発生したとき、問題発生セルのデータをページバッファを用いて安定なセルに伝送して問題なく使用することをいう。
図1は既存のNAND型フラッシュメモリ装置のコピーバックプログラム動作を説明するブロック図である。
図1を参照すると、既存のコピーバックプログラム動作は、メモリセルアレイ10内の問題発生セルに在るデータをページバッファ20の第1ラッチ部24に読み出した後(段階(i))、第1メイン部24に読み出してきたデータを第2ラッチ部25へ伝送した後(段階(ii))、第2ラッチ部25に伝送されたデータを他のメモリセル(正常的なセル)にプログラムした(段階(iii))。
ところが、上述した既存のコピーバックプログラム方式は、第1ラッチ部24と第2ラッチ部25間のデータ伝送の際にエラーが発生しうる確率が高いため、コピーバックプログラムの際にタイミングマージンが十分ではないという問題点がある。
そこで、本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、ページバッファ内に含まれたラッチ部のいずれか一つのみを用いてコピーバックプログラムを行うことにより、ラッチ間のデータ伝送の際にエラー発生を無くし且つコピーバックプログラム時間を短縮させることが可能な不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の好適な実施例によれば、ワードラインとビットラインとの交差領域に配置されるメモリセルを有するアレイと、センシングラインを介して前記アレイに連結され、第1および第2ラッチ部をそれぞれ有する複数のページバッファを含む不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法は、コピーバックプログラム動作の際には前記複数のページバッファそれぞれに含まれた前記第1ラッチ部のみを活性化させ、前記第2ラッチ部を非活性化させ、プログラム、読み出しおよび検証動作の際には前記第1ラッチ部または前記第2ラッチ部を活性化させることを特徴とする。
本発明によれば、既存のようにメインラッチに格納された不良セルのデータをキャッシュラッチに伝送せず、直ちに選択ビットラインに伝送して正常的なメモリセルに再プログラムすることができるため、コピーバックプログラム速度を向上させることができるという利点がある。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例について詳細に説明する。
図2は本発明の好適な実施例に係るNAND型フラッシュメモリ装置のコピーバックプログラム動作を説明するためのブロック図である。
図2を参照すると、NAND型フラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイ100の不良セルに格納されたデータを、選択されたビットライン(例えば、BLe)を介して読み出して第1ラッチ部240に格納させた後(段階(i))、第1ラッチ部240に格納されたデータをコピーバックプログラム部230を介してメモリセルアレイ100の正常的なセルに再プログラムする(段階(ii))。
上述したように、本発明に係るNAND型フラッシュメモリ装置は、第1ラッチ部240のみでコピーバックプログラム動作を行うことが分かる。
図3は図2のNAND型フラッシュメモリ装置を示す詳細回路図である。
図3を参照すると、NAND型フラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイ100、ページバッファ200およびカラム選択部300を含む。
メモリセルアレイ100において、BLeは偶数番目のビットラインを示し、BLo
は奇数番目のビットラインを示す。多数のメモリセルMC1〜MCnはビットラインBLeに連結され、残りのメモリセルはビットラインBLoに連結される。メモリセル(例えばMC1)は1本のワードライン(例えば、WL1)によって制御され、一つのページを形成する。
は奇数番目のビットラインを示す。多数のメモリセルMC1〜MCnはビットラインBLeに連結され、残りのメモリセルはビットラインBLoに連結される。メモリセル(例えばMC1)は1本のワードライン(例えば、WL1)によって制御され、一つのページを形成する。
ページバッファ200は、メモリセルアレイ100とカラム選択部300との間に接続され、ビットラインBLe、BLoは、センシングラインS0を介してページバッファ200に連結される。このようなページバッファ200は複数個が連結されるが、図5には1つのみが示されている。
このページバッファ200は、ビットライン選択部210、プリチャージ部220、コピーバックプログラム部230、第1ラッチ部240および第2ラッチ部250を含む。
ビットライン選択部210はトランジスタN11〜N14を含む。トランジスタN11は、一端がビットラインBLeに連結され、他端が電圧供給信号VIRPWRを提供するラインに連結され、ゲートにゲート制御信号DISCHeの印加を受けることにより、ターンオン/オフされる。このトランジスタN11は、ビットラインBLoにデータをプログラムしようとする場合にゲート制御信号DISCHeによってターンオンされ、ビットラインBLeに電圧供給信号VIRPWRとして電源電圧VCCを印加する。トランジスタN12は、一端がビットラインBLoに連結され、他端が電圧供給信号VIRPWRを提供するラインに連結され、ゲートにゲート制御信号DISCHoの印加を受けることにおり、ターンオン/オフされる。このトランジスタN12は、ビットラインBLeにデータをプログラムしようとする場合にゲート制御信号DISCHoによってターンオンされ、ビットラインBLoに電圧供給信号VIRPWRとして電源電圧VCCを印加する。電圧供給信号VIRPWRは、プログラム動作の際に電源電圧VCCを有する。NMOSトランジスタN13は、ビットライン選択信号BSLeに応答してビットラインBLeをセンシングラインS0に連結させ、NMOSトランジスタN14は、ビットライン選択信号BSLoに応答してビットラインBLoをセンシングラインS0に連結させる。
プリチャージ部220は、電源電圧VCCとセンシングラインS0との間に接続され、ゲートにプリチャージ信号PRECHbの印加を受けてターンオン/オフされるPMOSトランジスタP11から構成されるが、このPMOSトランジスタP11は、読み出し動作の際にセンシングラインS0を電源電圧VCCでプリチャージさせてセンシングラインS0を介してビットラインBLeまたはBLoに電流を供給する。
コピーバックプログラム部230は、センシングラインS0と第1ラッチ部240との間に接続され、コピーバックプログラム動作の際にゲートにコピーバック信号CPBKの印加を受けてターンオン/オフされるNMOSトランジスタN28から構成される。このNMOSトランジスタN28は、コピーバックプログラム動作の際に第1ラッチ部240に格納された不良セルのデータを正常的なセルに再プログラムするために第1ラッチ部240とセンシングラインS0とを連結させる役割をする。
第1ラッチ部240は、NMOSトランジスタN21〜N27、メインラッチLT1、PMOSトランジスタP12およびインバータIV3を含む。メインラッチLT1は、インバータIV1、IV2から構成され、メモリセルから読み出されたデータをラッチさせる。NMOSトランジスタN21は、センシングラインS0の信号に応答してターンオン/オフされ、NMOSトランジスタN22は、メインラッチ信号LCH_Lに応答してターンオン/オフされる。NMOSトランジスタN22は、NMOSトランジスタN21
がターンオンされると共にターンオンされ、メインラッチLT1のノードQAbを「0」に、ノードQAを「1」にそれぞれ変更させる。NMOSトランジスタN23は、メインラッチLT1のノードQAと接地電圧VSSとの間に接続され、ゲートにリセット信号RST_Lの印加を受けてメインラッチLT1のノードQAを「0」に、ノードQAbを「1」にそれぞれ初期化させる。インバータIV3は、メインラッチLT1のノードQAbの信号を反転させて出力する。NMOSトランジスタN24、N25は、プログラム動作の際にのみデータ入力信号DI_LおよびnDI_Lによってそれぞれターンオンされ、外部からデータラインDLを介して伝送されるプログラムされるべきデータをメインラインLT1に格納させる。NMOSトランジスタN26は、プログラム動作の際にのみプログラム信号PGM_Lによってターンオンされ、メモリセルにプログラムされるべきデータ、すなわちインバータIV3の出力信号をセンシングラインS0を介して選択ビットラインBLeまたはBLoに伝送する。NMOSトランジスタN27は、読み出し動作の際にのみ読み出し信号PBD0_Lによってターンオンされ、選択されたビットラインから出力されたデータ、すなわちメインラッチLT1のノードQAの信号をカラム選択部300を介してデータラインDLに伝送する。PMOSトランジスタP12は、プログラムを検証するためのもので、メインラインLT1のノードQAの信号を読み出してプログラムのパス/フェールを検証する。
がターンオンされると共にターンオンされ、メインラッチLT1のノードQAbを「0」に、ノードQAを「1」にそれぞれ変更させる。NMOSトランジスタN23は、メインラッチLT1のノードQAと接地電圧VSSとの間に接続され、ゲートにリセット信号RST_Lの印加を受けてメインラッチLT1のノードQAを「0」に、ノードQAbを「1」にそれぞれ初期化させる。インバータIV3は、メインラッチLT1のノードQAbの信号を反転させて出力する。NMOSトランジスタN24、N25は、プログラム動作の際にのみデータ入力信号DI_LおよびnDI_Lによってそれぞれターンオンされ、外部からデータラインDLを介して伝送されるプログラムされるべきデータをメインラインLT1に格納させる。NMOSトランジスタN26は、プログラム動作の際にのみプログラム信号PGM_Lによってターンオンされ、メモリセルにプログラムされるべきデータ、すなわちインバータIV3の出力信号をセンシングラインS0を介して選択ビットラインBLeまたはBLoに伝送する。NMOSトランジスタN27は、読み出し動作の際にのみ読み出し信号PBD0_Lによってターンオンされ、選択されたビットラインから出力されたデータ、すなわちメインラッチLT1のノードQAの信号をカラム選択部300を介してデータラインDLに伝送する。PMOSトランジスタP12は、プログラムを検証するためのもので、メインラインLT1のノードQAの信号を読み出してプログラムのパス/フェールを検証する。
第2ラッチ部250は、NMOSトランジスタN31〜N37、キャッシュラッチLT2、PMOSトランジスタP13およびインバータIV6を含むが、これらの構成要素は、第1ラッチ部240の構成要素と同様に動作するので、上述した第1ラッチ部240の動作を参照されたい。
カラム選択部300は、カラム選択信号YAおよびYBによって制御される2つのNMOSトランジスタN41、N42から構成される。このNMOSトランジスタN41、N42は、読み出し/プログラム動作の際にページバッファ200とデータラインDLとを連結させる役割をする。カラム信号YAおよびYBは、カラムアドレスによって生成される。
上述したように、ページバッファの第1および第2ラッチ部240、250は、プログラム、読み出しおよび検証動作の際に選択的に全て動作するが、例えば、第1ラッチ部240が活性化されてプログラム、読み出しおよび検証動作を行うと、第2ラッチ部250が非活性化され、第2ラッチ部250が活性化されてプログラム、読み出しおよび検証動作を行うと、第1ラッチ部240が非活性化される。
図4は本発明の好適な実施例に係るNAND型フラッシュメモリ装置のコピーバックプログラム動作を説明する回路図である。
以下、不良メモリセルがMC1の場合、この不良メモリセルMC1のデータを第1ラッチ部240に読み出して正常的なメモリセルに再プログラムするコピーバックプログラム動作について図4を参照して説明する。
まず、メモリセルMC1のデータを読み出して他の正常的なメモリセルに再プログラムするためには、ワードラインWL1が選択され、ビットラインBLeが選択されなければならない。その後、メインラッチLT1のノードQAを「0」に、ノードQAbを「1」にそれぞれ初期化させ、センシングラインS0を電源電圧VCCのレベルにプリチャージさせる。この際、センシングラインS0に流れる電流がディスチャージされると、メモリセルMC1は消去されたセルであり、プリチャージされた状態を維持すると、メモリセルMC1はプログラムされたセルである。
不良メモリセルMC1は、プログラムされたセルなので、センシングラインS0は、電源電圧VCCでプリチャージされた状態を維持する。すると、NMOSトランジスタN21、N22がターンオンされてメインラッチLT1のノードQAbが「0」になり、ノードQAが「1」に変更される(段階(i))。すると、コピーバック信号CPBKによってNMOSトランジスタN28がターンオンされてメインラッチLT1のノードQAbの「0」がビットラインBLeに伝送され、メモリセルMC2にデータが再プログラムされる(段階(ii))。
以上述べたように、本発明は、キャッシュラッチLT2を利用せずに、メインラッチLT2のみを利用してコピーバックプログラム動作を行うことができることが分かる。
前述した本発明の技術的思想は、好適な実施例で具体的に述べられたが、これらの実施例は本発明を説明するためのもので、制限するものではないことに注意すべきである。また、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想の範囲内で様々な実施が可能であることを理解できるであろう。
10、100 メモリセルアレイ
20、200 ページバッファ
21、210 ビットライン選択&バイアス部
22、220 プリチャージ部
23、230 コピーバックプログラム部
24、25、240、250 ラッチ部
30、300 カラム選択部
20、200 ページバッファ
21、210 ビットライン選択&バイアス部
22、220 プリチャージ部
23、230 コピーバックプログラム部
24、25、240、250 ラッチ部
30、300 カラム選択部
Claims (7)
- ワードラインとビットラインとの交差領域に配置されるメモリセルを有するアレイと、センシングラインを介して前記アレイに連結され、第1および第2ラッチ部をそれぞれ有する複数のページバッファを含む不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法において、
コピーバックプログラム動作の際には前記複数のページバッファそれぞれに含まれた前記第1ラッチ部のみを活性化させ、前記第2ラッチ部を非活性化させ、プログラム、読み出しおよび検証動作の際には前記第1ラッチ部または前記第2ラッチ部を活性化させることを特徴とする不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。 - 前記コピーバックプログラム動作は、前記メモリセルのうち問題の発生したメモリセルにプログラムされたデータを、前記ビットラインのうち選択されたビットラインと前記センシングラインを介して読み出して前記第1ラッチ部に格納する段階と、
前記第1ラッチ部の第1および第2ノードのうち第1ノードのデータを前記センシングラインを介して前記選択されたビットラインに伝送し、前記メモリセルのうち正常的なメモリセルに再プログラムする段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。 - 前記読み出しおよび格納段階は、前記コピーバックプログラム動作の際に前記センシングラインをプリチャージさせた後、前記センシングラインのプリチャージ状態あるいはディスチャージ状態を検出し、前記問題の発生したセルにプログラムされたデータを読み出して前記第1ラッチ部に格納することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。
- 前記再プログラム段階は、前記第1ラッチ部の前記第1ノードと前記センシングラインとの間に接続されるコピーバックプログラム用スイッチング素子を介して前記第1ラッチ部の前記第1ノードのデータを前記センシングラインを介して前記選択ビットラインに伝送して前記正常的なメモリセルに再プログラムすることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。
- 前記プログラム動作は、外部から伝送されるプログラムされるべきデータを前記第1ラッチ部あるいは前記第2ラッチ部に格納する段階と、
前記第1ラッチ部あるいは前記第2ラッチ部に格納された前記プログラムされるべきデータを反転させる段階と、
前記反転されたデータを前記センシングラインを介して前記ビットラインのうち選択されたビットラインに伝送して前記メモリセルにプログラムする段階とを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。 - 前記読み出し動作は、前記センシングラインをプリチャージさせる段階と、
前記センシングラインのプリチャージ状態あるいはディスチャージ状態を検出し、前記メモリセルにプログラムされたデータを、前記ビットラインのうち選択されたビットラインと前記センシングラインを介して読み出して前記第1ラッチ部あるいは前記第2ラッチ部に格納する段階と、
前記第1ラッチ部あるいは前記第2ラッチ部に格納されたデータを反転させる段階と、
前記反転されたデータをデータラインを介して外部に読み出す段階とを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。 - 前記検証動作は、前記センシングラインをプリチャージさせる段階と、
前記センシングラインのプリチャージ状態およびディスチャージ状態を検出し、前記メモリセルにプログラムされたデータを前記第1ラッチ部あるいは前記第2ラッチ部に格納する段階と、
前記第1ラッチ部あるいは前記第2ラッチ部に格納されたデータの電圧レベルに応答してプログラムのパス/フェールを判定する段階とを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のページバッファ動作方法。
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