JP2006209128A - 保護マスクを使用したホトマスクプラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 クロムをエッチングしホトマスクを形成する方法が提供される。一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。本発明のクロムエッチング方法は、ホトマスクを製造するのに特に適している。
【選択図】 図2
Description
[0001]本発明の実施形態は、一般に、クロムをプラズマエッチングする方法に係り、より詳細には、ホトマスク製造中にクロム層をエッチングする方法に関する。
[0002]集積回路(IC)又はチップの製造においては、チップの異なる層を表わすパターンがチップデザイナーによって作成される。製造プロセス中に各チップ層のデザインを半導体基板に転写するためにこれらのパターンから一連の再使用可能なマスク又はホトマスクが作成される。マスクパターン作成システムは、高精度レーザ又は電子ビームを使用して、チップの各層のデザインを各マスクに像形成する。次いで、マスクは、写真のネガとほぼ同様に使用されて、各層の回路パターンを半導体基板に転写する。これらの層は、一連のプロセスを使用して作り上げられて、各完成チップを構成する小さなトランジスタ及び電気回路へ変換される。従って、マスクに欠陥があると、チップに転写されて、性能に潜在的に悪影響を及ぼすことがある。充分過酷な欠陥は、マスクを完全に無用なものにし得る。通常、1組の15−30個のマスクを使用してチップが構成され、これらを繰り返し使用することができる。
Claims (30)
- クロム層をエッチングする方法において、
クロム層及びパターン化されたホトレジスト層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、
上記パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、
上記適合保護層をエッチングして、上記パターン化されたホトレジスト層を通して上記クロム層を露出させるステップと、
上記クロム層をエッチングするステップと、
を備えた方法。 - 上記堆積ステップは、約100から約500Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項1に記載の方法。
- 上記ポリマーは、水素を伴う炭素ポリマーである、請求項2に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、更に、1つ以上のフルオロカーボンプロセスガスからプラズマを形成する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記1つ以上のフルオロカーボンプロセスガスは、CHF3又はC4F8の少なくとも1つである、請求項4に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、更に、プラズマにArを導入する段階を含む、請求項4に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、約0から約20Wのバイアス電力を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、約10W未満のバイアス電力を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、更に、
約100sccmのCHF3を上記処理チャンバーへ流し込む段階と、
約100sccmのArを上記処理チャンバーへ流し込む段階と、
CHF3及びArガスからプラズマを形成するステップと、
約3から約20ミリトールのチャンバー圧力を維持する段階と、
を備えた請求項7に記載の方法。 - 上記堆積ステップは、更に、約150から約200Åの厚みに炭素ポリマーを堆積することを含む、請求項7に記載の方法。
- 上記エッチングステップは、更に、パルス状のバイアス電力を印加する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記堆積ステップ及びエッチングステップは、上記処理チャンバーにおいてその場で引き続き実行される、請求項2に記載の方法。
- ホトマスクを形成する方法において、
少なくともクロム層を含むホトマスク層上でマスク層をパターン化するステップと、
上記マスク層上に適合保護層を堆積するステップと、
上記保護層が配置された上記マスク層を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、
上記マスク層及び上記保護層を除去するステップと、
を備えた方法。 - 上記堆積ステップは、約100から約500Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項13に記載の方法。
- 上記ポリマーは、水素を伴う炭素ポリマーである、請求項14に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、更に、CHF3又はC4F8の少なくとも1つからプラズマを形成する段階を含む、請求項13に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、更に、プラズマにArを導入する段階を含む、請求項16に記載の方法。
- 上記堆積ステップは、約0から約20Wのバイアス電力を印加することを含む、請求項13に記載の方法。
- クロム層をエッチングする上記ステップは、更に、
少なくとも1つのフルオロカーボンプロセスガスを処理チャンバーへ供給する段階と、
上記処理チャンバー内の基板支持体に配置されたマスク層を600W未満の複数の電力パルスでバイアスする段階と、
を備えた請求項13に記載の方法。 - 上記マスク層及び保護層を除去する上記ステップは、上記クロム層をエッチングする上記ステップが実行された上記処理チャンバーにおいてその場で引き続き実行される、請求項13に記載の方法。
- 上記マスク層及び保護層を除去する上記ステップは、上記処理チャンバーが結合された処理システムにおいてその場で引き続き実行される、請求項13に記載の方法。
- 上記パターン化されたクロム層を使用して減衰層をエッチングするステップを更に備えた、請求項13に記載の方法。
- 上記減衰層はモリブデンを含む、請求項22に記載の方法。
- 上記パターン化されたクロム層を除去するステップを更に備えた、請求項22に記載の方法。
- 上記パターン化されたクロム層上にパターン化されたレジスト層を形成するステップであって、上記クロム層の少なくとも第1開口にレジストを充填すると共に、上記クロム層の少なくとも第2開口を、上記パターン化されたレジストを経て開放するようなステップと、
上記第2開口を通して上記石英層をエッチングするステップと、
上記パターン化されたレジスト層を除去するステップと、
を更に備えた請求項13に記載の方法。 - クロム含有層を有する膜スタック上でレジスト層をパターン化するステップと、
上記パターン化されたレジスト層に20W未満のバイアス電力を使用して適合保護層を堆積するステップと、
上記パターン化されたレジスト層及び上記保護層をエッチングマスクとして使用してクロム含有層をエッチングするステップと、
上記エッチングマスクを除去するステップと、
を備えた方法により形成されたホトマスク。 - 上記堆積ステップは、約100から約500Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項26に記載のホトマスク。
- 上記膜スタックは、更に、上記パターン化されたクロム含有層をエッチングマスクとして使用してパターン化されたモリブデン層を含み、
上記パターン化されたクロム含有層の少なくとも一部分が除去される、請求項26に記載のホトマスク。 - 石英層にエッチング特徴部を更に含む、請求項26に記載のホトマスク。
- 上記石英層のエッチング特徴部は、
上記パターン化されたクロム含有層に第2のパターン化されたレジスト層を形成するステップであって、上記クロム含有層の少なくとも第1開口にレジストを充填すると共に、上記クロム含有層の少なくとも第2開口を、上記第2のパターン化されたレジストを通して開放するようなステップと、
上記第2開口を通して上記石英層をエッチングするステップと、
上記第2のパターン化されたレジスト層を除去するステップと、
を備えたプロセスにより形成される請求項29に記載のホトマスク。
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