JPS611023A - バツチプラズマ装置 - Google Patents
バツチプラズマ装置Info
- Publication number
- JPS611023A JPS611023A JP12160084A JP12160084A JPS611023A JP S611023 A JPS611023 A JP S611023A JP 12160084 A JP12160084 A JP 12160084A JP 12160084 A JP12160084 A JP 12160084A JP S611023 A JPS611023 A JP S611023A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rectangular wave
- low frequency
- pulse generation
- generation source
- frequency pulse
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はバッチプラズマ装置の改良に関する。
（従来の技術）
／ヘッチプラズマ装置の反応管に設けた一対の放電電極
に、整合回路を介して高周波電源を接続し、プラズマを
発生させてエンチング、アンシング、デポジション、等
を行なうことは公知である。（発明が解決しようとする
問題点）このようなバッチプラズマ装置にあっては、放
電電極の面上において中心に向かって年輪のように電界
が弱まり、プラズマラジカルは中心シこはいりにくいの
で、一様なエツチング、アッシング、デポジション等を
行なうことができず、一様なエツチング、アンシング、
デポジション等を行なうことができるようプラズマを動
かすには、反応管に供給するカス圧を変化させたり、あ
るいは高周波高電源から供給する高周波エネルギーのし
へルを変化させたりすることが必要で、それらの操作が
困難である。
に、整合回路を介して高周波電源を接続し、プラズマを
発生させてエンチング、アンシング、デポジション、等
を行なうことは公知である。（発明が解決しようとする
問題点）このようなバッチプラズマ装置にあっては、放
電電極の面上において中心に向かって年輪のように電界
が弱まり、プラズマラジカルは中心シこはいりにくいの
で、一様なエツチング、アッシング、デポジション等を
行なうことができず、一様なエツチング、アンシング、
デポジション等を行なうことができるようプラズマを動
かすには、反応管に供給するカス圧を変化させたり、あ
るいは高周波高電源から供給する高周波エネルギーのし
へルを変化させたりすることが必要で、それらの操作が
困難である。
本願発明は上記のような事情に鑑みなされたものであり
、その目的は、上記欠点を除き、簡単な操作でプラズマ
を動かすことができ、容易に一様なエンチング、アッシ
ング、デポジション等を行なうことができるようにした
バッチプラズマ装置を提供することである。
、その目的は、上記欠点を除き、簡単な操作でプラズマ
を動かすことができ、容易に一様なエンチング、アッシ
ング、デポジション等を行なうことができるようにした
バッチプラズマ装置を提供することである。
（問題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明によれば、反応管の
両側に一対の放電電極を設け、該放電電極に高周波高圧
電源を接続したバッチプラズマ装置において、前記放電
電極にさらに矩形波低周波パルス発生源を接続したこと
を特徴とする。
両側に一対の放電電極を設け、該放電電極に高周波高圧
電源を接続したバッチプラズマ装置において、前記放電
電極にさらに矩形波低周波パルス発生源を接続したこと
を特徴とする。
また、本発明によれば、前記矩形波低周波パルス発生源
の発生する矩形波パルスは正負にわたって変化するよう
に構成する。
の発生する矩形波パルスは正負にわたって変化するよう
に構成する。
さらにまた、本発明によれば、前記矩形波低周波パルス
発生源は、その出力矩形波パルスの振幅、周期の両方を
可変に制御できるよう構成する。さらにまた、本発明に
よれば、前記矩形波低周波パルス発生源はフィルタ回路
を介して前記前記放電電極に接続する。
発生源は、その出力矩形波パルスの振幅、周期の両方を
可変に制御できるよう構成する。さらにまた、本発明に
よれば、前記矩形波低周波パルス発生源はフィルタ回路
を介して前記前記放電電極に接続する。
（実施例）
以下、添付した図面を参照して本発明の詳細な説明する
。
。
図において、本発明の一実施例によれば、反応’１１の
両側に一対の放電電極２−Ａおよび２−Ｂを設け、該放
電電極に整合回路３を介して高周波ＴＬ源４を接続した
従来のバッチプラズマ装置５において、矩形波低周波パ
ルス発生ＴＡ６がフィルタ回路７を介してさらに前記放
電電極Ａ、Ｈに接続される。この矩形波低周波パルス発
生源６は、正負にわたって変化する矩形波を発生すると
ともに、その矩形波パルスの振幅、周期の両方を可変に
制御できるよう構成されている。
両側に一対の放電電極２−Ａおよび２−Ｂを設け、該放
電電極に整合回路３を介して高周波ＴＬ源４を接続した
従来のバッチプラズマ装置５において、矩形波低周波パ
ルス発生ＴＡ６がフィルタ回路７を介してさらに前記放
電電極Ａ、Ｈに接続される。この矩形波低周波パルス発
生源６は、正負にわたって変化する矩形波を発生すると
ともに、その矩形波パルスの振幅、周期の両方を可変に
制御できるよう構成されている。
上記構成において、高周波電源４が付勢されると、高周
波高圧エネルギーが整合回路３を介して ゛プラズ
マ装置５の反応管ｌの放電電極２−Ａ、２−８間に印加
され、反応管１内にプラズマを生じる。整合回路３は回
路のマツチングをとるために挿入されている回路である
。これは、回路の負荷インピーダンスが反応管ｌに供給
するガスの種類、圧力、流れの状態等によって変化する
ので、図示しない検出回路によって負荷インピーダンス
の抵抗成分およびリアクタンス成分を検出し、それに基
づいて図示しないモータ等を含む制御回路により可変コ
ンデンサＣ１およびｃ２を時々刻々変化させ、自動的に
マツチングをとるようにするのが普通である。矩形波低
周波パルス発生源６がら発生する矩形波の振ｆｆＡ／周
期を変化させることによってプラズマを動かすことがで
きることは容易に理解されよう。なおフィルタ回路７は
、矩形波低周波パルス発生源６から発生する矩形波パル
ス（通過させるとともに、高周波電源４からの出力高周
波エネルギが矩形波低周波パルス発生源６に入力される
ことを防ぐ働きをする。
波高圧エネルギーが整合回路３を介して ゛プラズ
マ装置５の反応管ｌの放電電極２−Ａ、２−８間に印加
され、反応管１内にプラズマを生じる。整合回路３は回
路のマツチングをとるために挿入されている回路である
。これは、回路の負荷インピーダンスが反応管ｌに供給
するガスの種類、圧力、流れの状態等によって変化する
ので、図示しない検出回路によって負荷インピーダンス
の抵抗成分およびリアクタンス成分を検出し、それに基
づいて図示しないモータ等を含む制御回路により可変コ
ンデンサＣ１およびｃ２を時々刻々変化させ、自動的に
マツチングをとるようにするのが普通である。矩形波低
周波パルス発生源６がら発生する矩形波の振ｆｆＡ／周
期を変化させることによってプラズマを動かすことがで
きることは容易に理解されよう。なおフィルタ回路７は
、矩形波低周波パルス発生源６から発生する矩形波パル
ス（通過させるとともに、高周波電源４からの出力高周
波エネルギが矩形波低周波パルス発生源６に入力される
ことを防ぐ働きをする。
（発明の効果）
本発明によれば、上記のように構成したので、矩形波低
周波パルス発生源６の発生する矩形波パルスの振幅、周
期を制御することにより艙単にプラズマを動かすことが
でき、一様なエツチング、アッシング、デポジション等
を容易に行なうことができる。
周波パルス発生源６の発生する矩形波パルスの振幅、周
期を制御することにより艙単にプラズマを動かすことが
でき、一様なエツチング、アッシング、デポジション等
を容易に行なうことができる。
図は本発明の実施例によるバッチプラズマ装置の構成を
示すブロック図である。 １０１６反応管、２−Ａ、２−８．、、、放電電極、３
２０．整合回路、４１１．高周波電源、５１９．プラズ
マ装置、６８．。 矩形波低周波パルス発生源、７９９．フィルタ回路。
示すブロック図である。 １０１６反応管、２−Ａ、２−８．、、、放電電極、３
２０．整合回路、４１１．高周波電源、５１９．プラズ
マ装置、６８．。 矩形波低周波パルス発生源、７９９．フィルタ回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応管の両側に一対の放電電極を設け、該放電電極
に高周波高圧電源を接続したバッチプラズマ装置におい
て、前記放電電極にさらに矩形波低周波パルス発生源を
接続したことを特徴とするバッチプラズマ装置。 ２、特許請求の範囲第１項の記載において、前記矩形波
低周波パルス発生源は、その出力矩形波パルスが正負に
わたって変化するよう構成したことを特徴とするバッチ
プラズマ装置。 ３、特許請求の範囲第１項の記載において、前記矩形波
低周波パルス発生源は、その出力矩形波パルスの振幅、
周期の両方を可変に制御できるよう構成したことを特徴
とするバッチプラズマ装置。 ４、特許請求の範囲第１項の記載において、前記矩形波
低周波パルス発生源は、フィルタ回路を介して前記放電
電極に接続されることを特徴とするバッチプラズマ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12160084A JPS611023A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | バツチプラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12160084A JPS611023A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | バツチプラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611023A true JPS611023A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14815266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12160084A Pending JPS611023A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | バツチプラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611023A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415927A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Method and device for dry etching |
| JPS6473620A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma applying device |
| JPH02248037A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質半導体の生成方法 |
| US6566272B2 (en) | 1999-07-23 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process |
| US6942813B2 (en) | 2003-03-05 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method of etching magnetic and ferroelectric materials using a pulsed bias source |
| US7786019B2 (en) | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
| US7790334B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| US7879510B2 (en) | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| JP2011094164A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122283A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-14 | Hitachi Ltd | Sputtering device having bias mechanism |
| JPS5328378A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-16 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Method of plasma etching |
| JPS5633839A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Hitachi Ltd | Plasma treatment and device therefor |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12160084A patent/JPS611023A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52122283A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-14 | Hitachi Ltd | Sputtering device having bias mechanism |
| JPS5328378A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-16 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Method of plasma etching |
| JPS5633839A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Hitachi Ltd | Plasma treatment and device therefor |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415927A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Method and device for dry etching |
| JPS6473620A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma applying device |
| JPH02248037A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質半導体の生成方法 |
| US6566272B2 (en) | 1999-07-23 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process |
| US6942813B2 (en) | 2003-03-05 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method of etching magnetic and ferroelectric materials using a pulsed bias source |
| US7879510B2 (en) | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| US7790334B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| US7786019B2 (en) | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
| JP2011094164A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置 |
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