JPS63295065A - プラズマ加工装置 - Google Patents
プラズマ加工装置Info
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- JPS63295065A JPS63295065A JP12696287A JP12696287A JPS63295065A JP S63295065 A JPS63295065 A JP S63295065A JP 12696287 A JP12696287 A JP 12696287A JP 12696287 A JP12696287 A JP 12696287A JP S63295065 A JPS63295065 A JP S63295065A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
不発８１３は４複数のプラズマ加工トーチに選択的にプ
ラズマジェット、或いはプラズマアーク七発生し得るプ
ラズマ加工装置に関する。
ラズマジェット、或いはプラズマアーク七発生し得るプ
ラズマ加工装置に関する。
プラズマアーク又はプラズマジェットはアルミニウムや
ステンレス等の非鉄金属の他、一般鋼材の切断或いは溶
接などに多用されている。一台のプラズマ加工装置で選
択的にプラズマジェットｉ発生したシ、プラズマアーク
を発生する場合には、第６図に示すように、プラズマ加
工トーチ（以下トーチという）１のスリーブ１ａ、被加
工材２と主’を源６との間にスイッチ４’、５’ｔ−夫
々接続し、これらスイッチ金開閉してプラズマジェット
とプラズマアークを選択して発生させてぃた。なお、６
はトーチ１の起動時にそのスリーブ１ａとカンード電極
１ｂｒｌＪ１１１ＩＣアークを形成するための通常の起
動用電源である。この装置の電気面での動作についても
う少し詳しく説明すると、先ず高周彼発生器とパイロッ
ト電源とか°らなる起動用電源６を動作式ぜ、トーチ１
のスリーブ１ａとカソード′成他１ｂとの間にアーク金
発生させる。次に主［源６を起動させ、スイッチ４′ヲ
閉じることによシトーチ１のスリーブ１ａとカソード電
極１ｂ間にパイロットアークが発生する。そして主電源
６の電流量全調整し、かつトーチ１を流れるプラズマガ
スの流ｉｔヲ調整することによｐ、所望のプラズマジェ
ットが発生する。プラズマジェットに代えてプラズマア
ークを発生さぜ九い場合には、スイッチ５’ｔ−閉じる
と共にスイッチ４’ｔ−開けばよい。
ステンレス等の非鉄金属の他、一般鋼材の切断或いは溶
接などに多用されている。一台のプラズマ加工装置で選
択的にプラズマジェットｉ発生したシ、プラズマアーク
を発生する場合には、第６図に示すように、プラズマ加
工トーチ（以下トーチという）１のスリーブ１ａ、被加
工材２と主’を源６との間にスイッチ４’、５’ｔ−夫
々接続し、これらスイッチ金開閉してプラズマジェット
とプラズマアークを選択して発生させてぃた。なお、６
はトーチ１の起動時にそのスリーブ１ａとカンード電極
１ｂｒｌＪ１１１ＩＣアークを形成するための通常の起
動用電源である。この装置の電気面での動作についても
う少し詳しく説明すると、先ず高周彼発生器とパイロッ
ト電源とか°らなる起動用電源６を動作式ぜ、トーチ１
のスリーブ１ａとカソード′成他１ｂとの間にアーク金
発生させる。次に主［源６を起動させ、スイッチ４′ヲ
閉じることによシトーチ１のスリーブ１ａとカソード電
極１ｂ間にパイロットアークが発生する。そして主電源
６の電流量全調整し、かつトーチ１を流れるプラズマガ
スの流ｉｔヲ調整することによｐ、所望のプラズマジェ
ットが発生する。プラズマジェットに代えてプラズマア
ークを発生さぜ九い場合には、スイッチ５’ｔ−閉じる
と共にスイッチ４’ｔ−開けばよい。
このようにトーチ七単体で溶接、或いは切断に用いる場
合は従来例のとおシで良いが、複数のトーチにグラズマ
アーク或いはプラズマジェットを同時に発生させて同一
の被加工材、又は別々の被加工付ヲ加工する場合には次
のような問題点が生じる。
合は従来例のとおシで良いが、複数のトーチにグラズマ
アーク或いはプラズマジェットを同時に発生させて同一
の被加工材、又は別々の被加工付ヲ加工する場合には次
のような問題点が生じる。
（υ 先ず、トーチ毎に夫々専用の主″ｍ源、起動用［
源を備えることは、装置全体の価格を上昇させると共に
大型重量化する。特にトーチが士数個乃至ｔ′ｉ数十個
の場合にはこれらの欠点は実用上極め工大きなものとな
る。また、これら電源と各トーチと全接続するワイヤの
数も非常に多くなり、加工作業上支障全米すことも多い
。
源を備えることは、装置全体の価格を上昇させると共に
大型重量化する。特にトーチが士数個乃至ｔ′ｉ数十個
の場合にはこれらの欠点は実用上極め工大きなものとな
る。また、これら電源と各トーチと全接続するワイヤの
数も非常に多くなり、加工作業上支障全米すことも多い
。
（２）従って、複数のトーチで一台の主’ａｍ及び起動
用電源を共用する構成が考えらｎるが、各トーチのプラ
ズマジェット或いはプラズマアークの状態は非常に不安
定なので絶えず変動してお夕、各トーチから発生するプ
ラズマジェット又はプラズマアークのエネルギ？ｅ−は
ぼ等しく制御し難い。
用電源を共用する構成が考えらｎるが、各トーチのプラ
ズマジェット或いはプラズマアークの状態は非常に不安
定なので絶えず変動してお夕、各トーチから発生するプ
ラズマジェット又はプラズマアークのエネルギ？ｅ−は
ぼ等しく制御し難い。
また、各トーチから発生するプラズマジェット又はプラ
ズマアークのエネルギｔはぼ等しく、或いは所定の割合
になるよう制御できたとしても、各トーチ間の電位、或
いは被加工材の電位が問題となｒ、ａ数のトーチで一台
の電源を共用する構成の装置は実用化されておらず、斯
かる構成ではプラズマジェットとプラズマアークを問題
なく切替えるという具体的な構成の提案は皆無でらる。
ズマアークのエネルギｔはぼ等しく、或いは所定の割合
になるよう制御できたとしても、各トーチ間の電位、或
いは被加工材の電位が問題となｒ、ａ数のトーチで一台
の電源を共用する構成の装置は実用化されておらず、斯
かる構成ではプラズマジェットとプラズマアークを問題
なく切替えるという具体的な構成の提案は皆無でらる。
この装置は、正の出力端子が被加工部材に接続されると
共に、負の出力端子が各スイッチ素子を介して複数のト
ーチのカソード電極に接続され得る。、ｇｌの電源と、
正の出力端子が前記トーチのスリーブに接続されると共
に、負の出力端子が夫々の＃−導体スイッチ素子を介し
て前記トーチのカソード電極に接続され得る第２の電源
とを備えている０ 〔作 用〕 このように構成しているので、半導体スイッチ素子のイ
ンピーダンスを制御することによシ各トーチから発生す
るプラズマジェット或いはプラズマアークのエネルギ七
等しく、又は所定の割合になるよう制御できることは勿
論のこと、トーチのスリーブ同士、被加工材同士の電位
をほぼ等しくできるので、トーチ同士が接触することが
らっても事故に至らず、ま九被加工材をアースから絶縁
する必要もなく、このことは大面積の単一の被加工材ｔ
−複数のトーチで加工できることｔ示している〇 〔実施例〕 第１図により本発明の一実施例について説明すると、５
に、５Ｂは夫々プラズマアーり用電源、プラズマジェッ
ト用電源であり、電＠５Ａの正、負端子は夫々４巌９Ａ
、９Ｂに接続され、′を源３Ｂの正、負端子は夫々４巌
１０Ａ、１０Ｂに接続されている０導１ｉＡ９ ＡＫは
各被加工材２Ａ、２Ｂ。
共に、負の出力端子が各スイッチ素子を介して複数のト
ーチのカソード電極に接続され得る。、ｇｌの電源と、
正の出力端子が前記トーチのスリーブに接続されると共
に、負の出力端子が夫々の＃−導体スイッチ素子を介し
て前記トーチのカソード電極に接続され得る第２の電源
とを備えている０ 〔作 用〕 このように構成しているので、半導体スイッチ素子のイ
ンピーダンスを制御することによシ各トーチから発生す
るプラズマジェット或いはプラズマアークのエネルギ七
等しく、又は所定の割合になるよう制御できることは勿
論のこと、トーチのスリーブ同士、被加工材同士の電位
をほぼ等しくできるので、トーチ同士が接触することが
らっても事故に至らず、ま九被加工材をアースから絶縁
する必要もなく、このことは大面積の単一の被加工材ｔ
−複数のトーチで加工できることｔ示している〇 〔実施例〕 第１図により本発明の一実施例について説明すると、５
に、５Ｂは夫々プラズマアーり用電源、プラズマジェッ
ト用電源であり、電＠５Ａの正、負端子は夫々４巌９Ａ
、９Ｂに接続され、′を源３Ｂの正、負端子は夫々４巌
１０Ａ、１０Ｂに接続されている０導１ｉＡ９ ＡＫは
各被加工材２Ａ、２Ｂ。
・・・・・・２Ｎが接続され、導線？ＯＡには各トーチ
１Ａ、ＩＢ、・・・・・・ＩＮのスリーブが接続される
。プラズマジェット用電源３Ｂの負端子に接続された導
１１１０Ｂには、夫々の抵抗７Ａ、７Ｂ、・・・・・・
７Ｎ、及びトランジスタのような半導体スイッチ素子４
Ａ 、 ４Ｂ 、・・・・・・４Ｎｔ−直列にした接続
体を介して、各トーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・・、ＩＮ
のカソード電極が接続される。プラズマアーク用電源６
Ａの負端子に接続され良導Ｍ９ＢＫは、抵抗８Ａ。
１Ａ、ＩＢ、・・・・・・ＩＮのスリーブが接続される
。プラズマジェット用電源３Ｂの負端子に接続された導
１１１０Ｂには、夫々の抵抗７Ａ、７Ｂ、・・・・・・
７Ｎ、及びトランジスタのような半導体スイッチ素子４
Ａ 、 ４Ｂ 、・・・・・・４Ｎｔ−直列にした接続
体を介して、各トーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・・、ＩＮ
のカソード電極が接続される。プラズマアーク用電源６
Ａの負端子に接続され良導Ｍ９ＢＫは、抵抗８Ａ。
８Ｂ、・・・・・・、８Ｎ及びトランジスタのような半
導体スイッチ素子５Ａ、５Ｂ、・・・・・・、５Ｎｔ−
直列にした接続体奢介して、各トーチＩＡ、ＩＢ、・・
・・・・、ＩＮのカソード電極が接続される。
導体スイッチ素子５Ａ、５Ｂ、・・・・・・、５Ｎｔ−
直列にした接続体奢介して、各トーチＩＡ、ＩＢ、・・
・・・・、ＩＮのカソード電極が接続される。
次Ｋ、このプラズマ加工装置の電気的な動作について説
明する。
明する。
プラズマジェット２発生したい場合には、半導体スイッ
チ５Ａ、５Ｂ、・・・・・・、５Ｎｔ−すべて開いた（
オクラ状態にしておき、半導体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・
・・・・・、４Ｎを閉じる。これに伴い電源６Ｂの電圧
がトーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・・、ＩＮのスリーブと
カンード′框他間に印加され、この間にアークが発生す
ることによりプラズマジェットが形成される。プラズマ
ジェットは不安定であるので、各トーチＩＡ、ＩＢ、・
・・・・・、ＩＮｙｋ均一がっ安定ｆヒする之め、夫々
半導体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・・・・・・、４Ｎ？ｔ−
１ｔｌｌｊ御してそれらのインピーダンス全調整しても
よい。このとき抵抗７Ａ 、 ７Ｂ 、・・・・・・。
チ５Ａ、５Ｂ、・・・・・・、５Ｎｔ−すべて開いた（
オクラ状態にしておき、半導体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・
・・・・・、４Ｎを閉じる。これに伴い電源６Ｂの電圧
がトーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・・、ＩＮのスリーブと
カンード′框他間に印加され、この間にアークが発生す
ることによりプラズマジェットが形成される。プラズマ
ジェットは不安定であるので、各トーチＩＡ、ＩＢ、・
・・・・・、ＩＮｙｋ均一がっ安定ｆヒする之め、夫々
半導体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・・・・・・、４Ｎ？ｔ−
１ｔｌｌｊ御してそれらのインピーダンス全調整しても
よい。このとき抵抗７Ａ 、 ７Ｂ 、・・・・・・。
７Ｎは屯流検出用抵抗として用いられ、抵抗７Ａ、７Ｂ
、・・・・・・、７Ｎ’ｉ流れる電流がほぼ等しくなる
よう、半導体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・・・・・・、４Ｎ
のインピーダンスが夫々制御される。
、・・・・・・、７Ｎ’ｉ流れる電流がほぼ等しくなる
よう、半導体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・・・・・・、４Ｎ
のインピーダンスが夫々制御される。
次にプラズマアークを各トーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・
・、１Ｎとこれらに夫々対応する被加工材２Ａ。
・、１Ｎとこれらに夫々対応する被加工材２Ａ。
２Ｂ、・・・・・・、２Ｎ間に発生させたい場合には、
半導体スイッチ５Ａ、５Ｂ、・・・・・・、５Ｎｋ閉じ
、しかる後に半帰体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・・・・・・
、４Ｎを開く。このようにすることによシ各トーチ１Ａ
、１Ｂ、・・・・・・、１Ｎのカソードｇ極とスリーブ
間に発生していたアーク放電は、夫々のカソード電極と
これらに夫々対応する被加工材２Ａ 、 ２Ｂ 。
半導体スイッチ５Ａ、５Ｂ、・・・・・・、５Ｎｋ閉じ
、しかる後に半帰体スイッチ４Ａ、４Ｂ、・・・・・・
、４Ｎを開く。このようにすることによシ各トーチ１Ａ
、１Ｂ、・・・・・・、１Ｎのカソードｇ極とスリーブ
間に発生していたアーク放電は、夫々のカソード電極と
これらに夫々対応する被加工材２Ａ 、 ２Ｂ 。
・・・・°・、２Ｎとの間に移行し、プラズマアークが
形成される。ここで各トーチにより発生するプラズマ・
アークは一般に極めて不安定であるので、プラズマジェ
ットの場合と同様に、半導体スイッチ５Ａ、５Ｂ、・・
・・・・、５Ｎのインピーダンス’ｋ １ｔｉｌ制御し
て、抵抗８Ａ、８Ｂ、・・・・・・、８Ｎを流れるｔ流
をほぼ等しく調整することにょシ、各トーチから発生さ
れるプラズマアークｔはぼ等しくすることが出来る。
形成される。ここで各トーチにより発生するプラズマ・
アークは一般に極めて不安定であるので、プラズマジェ
ットの場合と同様に、半導体スイッチ５Ａ、５Ｂ、・・
・・・・、５Ｎのインピーダンス’ｋ １ｔｉｌ制御し
て、抵抗８Ａ、８Ｂ、・・・・・・、８Ｎを流れるｔ流
をほぼ等しく調整することにょシ、各トーチから発生さ
れるプラズマアークｔはぼ等しくすることが出来る。
さてここで、各トーチ１Ａ、ＩＢ、・・・・・・、ＩＮ
のスリーブはすべて直接４線１０ＡＫ接続されているの
で、プラズマジェットの発生中、半導体スイッチ４Ａ、
４Ｂ 、・・・・・・、４Ｎのインピーダンスがかなシ
大幅に異なったシ、或いはいずれかが開放の状態にろっ
ても、各トーチのスリーブは常に同一電位にあシ、従っ
てトーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・・。
のスリーブはすべて直接４線１０ＡＫ接続されているの
で、プラズマジェットの発生中、半導体スイッチ４Ａ、
４Ｂ 、・・・・・・、４Ｎのインピーダンスがかなシ
大幅に異なったシ、或いはいずれかが開放の状態にろっ
ても、各トーチのスリーブは常に同一電位にあシ、従っ
てトーチＩＡ、ＩＢ、・・・・・・。
１Ｎのいずれかが接触しても電気的な短絡の問題を生じ
ることはなく、トーチＩＡ、 １Ｂ、・・・・・・。
ることはなく、トーチＩＡ、 １Ｂ、・・・・・・。
ＩＮ’に接触した状態で配置もできる。また同様に、仮
加工材２Ａ 、 ２Ｂ 、・・・・・・、２Ｎのすべて
が４線９ＡＫｉｌｆ接接続されているので、半導体スイ
ッチ５Ａ 、 ５Ｂ 、・・・・・・、５Ｎのインピー
ダンスががなシ異なったり、或いはそのいずれかが開放
状態にあっても、被加工材２Ａ、２ｇ、・・・・・・、
２Ｎはすべて常に四を位にある。従って、大面積の単一
の被加工材ｋｎ数のトーチで加工したり、或いは接地状
態におかれた夫々の被加工材を独立して夫々のトーチで
加工することが出来る。
加工材２Ａ 、 ２Ｂ 、・・・・・・、２Ｎのすべて
が４線９ＡＫｉｌｆ接接続されているので、半導体スイ
ッチ５Ａ 、 ５Ｂ 、・・・・・・、５Ｎのインピー
ダンスががなシ異なったり、或いはそのいずれかが開放
状態にあっても、被加工材２Ａ、２ｇ、・・・・・・、
２Ｎはすべて常に四を位にある。従って、大面積の単一
の被加工材ｋｎ数のトーチで加工したり、或いは接地状
態におかれた夫々の被加工材を独立して夫々のトーチで
加工することが出来る。
次に第２図によシ本発明の別の一実施例を説明すると、
この実施例ではカンード′ｌｔ極全囲む内側のスリーブ
と七の外側のスリーブとを有するトーチを用いておシ、
このトーチは良く知られているので説明は省く。このプ
ラズマ加工装置は、第１凶に示し友ようなｆ、１ｔｔ−
２組備え、夫々の組が起動用の成像１１のみを共用して
いる。この起動用の電源１１は共通の導線１２Ａ、１２
Ｂ及び夫々）順次切シ換見られるスイッチ１３Ａ□＋１
３Ｂｉｔ ・・・・・・１６Ｎ１．１５Ａ２．１５Ｂ２
．・・・川１６Ｎ２を介して各トーチＩＡ１．ＩＢ１．
・・曲、１Ｎ１及び１Ａ２．Ｉｎ２゜・・・・・・、１
Ｎ２のカソード［ｆｆｌと内側のスリーブ間に接続され
、それらの間にアーク放電全発生させ、維持するのに必
要な電力を与える。１１Ｌ源１１に作動させ、各トーチ
の内側のスリーブとカソード電極間にアーク放電を発生
させ九後、半導体スイッチ４Ａ１．４Ｂ１．・曲・、４
Ｎ１及び４Ａ２．４Ｂ２．・・曲。
この実施例ではカンード′ｌｔ極全囲む内側のスリーブ
と七の外側のスリーブとを有するトーチを用いておシ、
このトーチは良く知られているので説明は省く。このプ
ラズマ加工装置は、第１凶に示し友ようなｆ、１ｔｔ−
２組備え、夫々の組が起動用の成像１１のみを共用して
いる。この起動用の電源１１は共通の導線１２Ａ、１２
Ｂ及び夫々）順次切シ換見られるスイッチ１３Ａ□＋１
３Ｂｉｔ ・・・・・・１６Ｎ１．１５Ａ２．１５Ｂ２
．・・・川１６Ｎ２を介して各トーチＩＡ１．ＩＢ１．
・・曲、１Ｎ１及び１Ａ２．Ｉｎ２゜・・・・・・、１
Ｎ２のカソード［ｆｆｌと内側のスリーブ間に接続され
、それらの間にアーク放電全発生させ、維持するのに必
要な電力を与える。１１Ｌ源１１に作動させ、各トーチ
の内側のスリーブとカソード電極間にアーク放電を発生
させ九後、半導体スイッチ４Ａ１．４Ｂ１．・曲・、４
Ｎ１及び４Ａ２．４Ｂ２．・・曲。
４Ｎ、’！に閉じることにより、外側のスリーブとカソ
ード電極間にアーク放電を発生させることが出来る０電
源容量が切換えられるよう電源６Ｂ１゜５Ｂ２ ｆ構成
しておくことによシ、外側のスリーブとカソード電極間
のアーク放電をプラズマジェットとして、或いはパイロ
ットアークとして利用できる。各トーチと各被加工材間
にプラズマアークを発生させたい場合には、前記実施例
と同様に、半導体スイッチ５Ａ１〜５Ｎ、及び５Ａ２〜
５Ｎ２？閉じ、しかる後に半導体スイッチ４Ａ、〜４Ｎ
、及び４Ａ２〜４Ｎ２會開く。
ード電極間にアーク放電を発生させることが出来る０電
源容量が切換えられるよう電源６Ｂ１゜５Ｂ２ ｆ構成
しておくことによシ、外側のスリーブとカソード電極間
のアーク放電をプラズマジェットとして、或いはパイロ
ットアークとして利用できる。各トーチと各被加工材間
にプラズマアークを発生させたい場合には、前記実施例
と同様に、半導体スイッチ５Ａ１〜５Ｎ、及び５Ａ２〜
５Ｎ２？閉じ、しかる後に半導体スイッチ４Ａ、〜４Ｎ
、及び４Ａ２〜４Ｎ２會開く。
以上述べたように不発明によれば、 ｍ！１−共用する
複数のトーチによって安定でほぼ均等のプラズマジェッ
ト、プラズマアークのいずれでも選択的に発生すること
が出来、しかも各トーチの最外側のスリーブを常時すべ
て同電位に維持できると共に、被加工材も常時すべて同
電位に保持できるので、トーチ間の電気的短絡事故を生
じることがなく、同一被加工材を複数のトーチで同時に
加工できるなど多大な効果を奏する。
複数のトーチによって安定でほぼ均等のプラズマジェッ
ト、プラズマアークのいずれでも選択的に発生すること
が出来、しかも各トーチの最外側のスリーブを常時すべ
て同電位に維持できると共に、被加工材も常時すべて同
電位に保持できるので、トーチ間の電気的短絡事故を生
じることがなく、同一被加工材を複数のトーチで同時に
加工できるなど多大な効果を奏する。
第１図及び第２図は夫々本発明に係るプラズマ加工装置
の別々の一実施例を示す図、第６図は従来例を示す図で
ろる０ ＩＡ１〜ＩＮＫ、ＩＡ２〜ＩＮ、・・・トーチ２Ａ、〜
２Ｎ０．２人２〜２Ｎ２・・・被加工材５Ａｌ＊５ｈ、
＠５Ｂ１＊ ５Ｂ、ｔ １１・・・電源４Ａ、〜４Ｎ、
ｅ４Ａ、〜４Ｎｚ ＊５Ａ１〜５ Ｎ １ ｅ ５ Ａ
ｚ〜５Ｎ。 ・・・牛導体スイッチ、 ７Ａ１〜７ Ｎ １
ｅ ７ Ａ ２〜７Ｎ、、８Ａ□〜８Ｎ□、８Ａ！〜８
Ｎ、・・・抵抗 特許出願人 オリジン電気株式会社 第 １ 図
の別々の一実施例を示す図、第６図は従来例を示す図で
ろる０ ＩＡ１〜ＩＮＫ、ＩＡ２〜ＩＮ、・・・トーチ２Ａ、〜
２Ｎ０．２人２〜２Ｎ２・・・被加工材５Ａｌ＊５ｈ、
＠５Ｂ１＊ ５Ｂ、ｔ １１・・・電源４Ａ、〜４Ｎ、
ｅ４Ａ、〜４Ｎｚ ＊５Ａ１〜５ Ｎ １ ｅ ５ Ａ
ｚ〜５Ｎ。 ・・・牛導体スイッチ、 ７Ａ１〜７ Ｎ １
ｅ ７ Ａ ２〜７Ｎ、、８Ａ□〜８Ｎ□、８Ａ！〜８
Ｎ、・・・抵抗 特許出願人 オリジン電気株式会社 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のプラズマ加工トーチと、 正の出力端子が被加工部材に接続されると共に、負の出
力端子が各半導体スイッチ素子を介して前記複数のプラ
ズマ加工トーチのカソード電極に接続され得る第１の電
源と、 正の出力端子が前記プラズマ加工トーチの最外側に位置
するスリーブに接続されると共に、負の出力端子が夫々
の半導体スイッチ素子を介して前記プラズマ加工トーチ
のカソード電極に接続され得る第２の電源と、 を備え、前記各プラズマ加工トーチの最外側に位置する
スリーブ同士、及び前記被加工部材同士夫々をほぼ同電
位にしたことを特徴とするプラズマ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12696287A JPS63295065A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | プラズマ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12696287A JPS63295065A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | プラズマ加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295065A true JPS63295065A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0366069B2 JPH0366069B2 (ja) | 1991-10-16 |
Family
ID=14948207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12696287A Granted JPS63295065A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | プラズマ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295065A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830784A (en) * | 1993-05-26 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Method for producing a semiconductor device including doping with a group IV element |
| US5962871A (en) * | 1993-05-26 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6337231B1 (en) | 1993-05-26 | 2002-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6566681B2 (en) | 2001-07-19 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus for assisting backside focused ion beam device modification |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12696287A patent/JPS63295065A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830784A (en) * | 1993-05-26 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Method for producing a semiconductor device including doping with a group IV element |
| US5962871A (en) * | 1993-05-26 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6160279A (en) * | 1993-05-26 | 2000-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor device including doping with a catalyst that is a group IV element |
| US6337231B1 (en) | 1993-05-26 | 2002-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6566681B2 (en) | 2001-07-19 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus for assisting backside focused ion beam device modification |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0366069B2 (ja) | 1991-10-16 |
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