JPH06342769A - エッチング方法及び装置 - Google Patents
エッチング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06342769A JPH06342769A JP22241592A JP22241592A JPH06342769A JP H06342769 A JPH06342769 A JP H06342769A JP 22241592 A JP22241592 A JP 22241592A JP 22241592 A JP22241592 A JP 22241592A JP H06342769 A JPH06342769 A JP H06342769A
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- Japan
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- etching
- plasma
- gas
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- pulse
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングガスをプラズマ化し、エッチング
対象物をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチ
ング方法及び装置であって、サイドエッチが抑制され、
エッチング形状の制御性が良好となり、しかもエッチン
グレートが高く、面均一性も向上し、低パーティクルで
エッチング対象物への不純物の付着が抑制され、レジス
ト焼けも抑制或いは防止されるエッチング方法及び装置
を提供する。 【構成】 エッチングガスをプラズマ化し、エッチング
対象膜を形成した基板８をこのプラズマに曝してエッチ
ングを行うエッチング方法及び装置において、前記エッ
チングガスのプラズマ化をパルス変調をかけた高周波電
圧の印加にて行うことを特徴とするエッチング方法及び
装置。
対象物をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチ
ング方法及び装置であって、サイドエッチが抑制され、
エッチング形状の制御性が良好となり、しかもエッチン
グレートが高く、面均一性も向上し、低パーティクルで
エッチング対象物への不純物の付着が抑制され、レジス
ト焼けも抑制或いは防止されるエッチング方法及び装置
を提供する。 【構成】 エッチングガスをプラズマ化し、エッチング
対象膜を形成した基板８をこのプラズマに曝してエッチ
ングを行うエッチング方法及び装置において、前記エッ
チングガスのプラズマ化をパルス変調をかけた高周波電
圧の印加にて行うことを特徴とするエッチング方法及び
装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングガスをプラ
ズマ化し、エッチング対象物をこのプラズマに曝してエ
ッチングを行うエッチング方法及び装置に関する。
ズマ化し、エッチング対象物をこのプラズマに曝してエ
ッチングを行うエッチング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のエッチング方法及び装置には、
代表的には、ＲＩＥモード（反応性イオンエッチング）
による方法及び装置と、プラズマモードによる方法及び
装置があり、太陽電池、液晶表示装置等の各種薄膜デバ
イスの製造に広く利用さている。
代表的には、ＲＩＥモード（反応性イオンエッチング）
による方法及び装置と、プラズマモードによる方法及び
装置があり、太陽電池、液晶表示装置等の各種薄膜デバ
イスの製造に広く利用さている。
【０００３】ＲＩＥモードのエッチング方法及び装置で
は、真空チャンバ内に対向電極を配置し、そのうち一方
を接地電極、他方を高周波電極とし、この高周波電極上
にエッチング対象物を設置する。真空チャンバ内に導入
されるエッチングガスは高周波電圧印加のもとにプラズ
マ化され、エッチング対象物はこのプラズマに曝される
ことでエッチングされる。
は、真空チャンバ内に対向電極を配置し、そのうち一方
を接地電極、他方を高周波電極とし、この高周波電極上
にエッチング対象物を設置する。真空チャンバ内に導入
されるエッチングガスは高周波電圧印加のもとにプラズ
マ化され、エッチング対象物はこのプラズマに曝される
ことでエッチングされる。
【０００４】プラズマモードのエッチング方法及び装置
では、真空チャンバ内に対向電極を配置し、そのうち一
方を接地電極、他方を高周波電極とし、該接地電極上に
エッチング対象物を設置する。このエッチングにおいて
も、真空チャンバ内に導入されたエッチングガスは高周
波電圧印加によりプラズマ化され、エッチング対象物は
このプラズマに曝されることでエッチングされる。
では、真空チャンバ内に対向電極を配置し、そのうち一
方を接地電極、他方を高周波電極とし、該接地電極上に
エッチング対象物を設置する。このエッチングにおいて
も、真空チャンバ内に導入されたエッチングガスは高周
波電圧印加によりプラズマ化され、エッチング対象物は
このプラズマに曝されることでエッチングされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来の
エッチング方法及び装置によると次の問題がある。例え
ば、液晶表示装置等に利用される薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を得るために基板上のＴＦＴ用の各種薄膜（金属
薄膜、半導体薄膜、絶縁体薄膜等）をＲＩＥモードでエ
ッチングするにあたり、エッチングマスクの開口部分に
おいてエッチング凹所が形成されるとき、その凹所の側
壁に対するエッチング（いわゆるサイドエッチ）を十分
満足できる程度に防止し難い。
エッチング方法及び装置によると次の問題がある。例え
ば、液晶表示装置等に利用される薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を得るために基板上のＴＦＴ用の各種薄膜（金属
薄膜、半導体薄膜、絶縁体薄膜等）をＲＩＥモードでエ
ッチングするにあたり、エッチングマスクの開口部分に
おいてエッチング凹所が形成されるとき、その凹所の側
壁に対するエッチング（いわゆるサイドエッチ）を十分
満足できる程度に防止し難い。
【０００６】すなわち、かかるサイドエッチを防ぐに
は、エッチングガスをプラズマ化させるための高周波電
力を高くして高バイアスを得、それによってイオン衝撃
を大きくして異方エッチング性を強め、サイドエッチを
抑制することができるが、激しいイオン衝撃のために基
板温度が上昇し、エッチングマスクを形成しているレジ
ストが損傷してしまうので、所望のエッチングパターン
を得られなくなる。そのため、結局のところ、高周波電
力を抑え、ある程度のサイドエッチ発生を許さざるをえ
ない。また、高周波電力を低く抑える結果、イオン化率
が低下し、それだけエッチングレートが低くなったり、
広がりのある基板では、例えばその端部でのエッチング
が中央部より速く進行し、面均一性が低下するが、これ
も許容せざるをえない。
は、エッチングガスをプラズマ化させるための高周波電
力を高くして高バイアスを得、それによってイオン衝撃
を大きくして異方エッチング性を強め、サイドエッチを
抑制することができるが、激しいイオン衝撃のために基
板温度が上昇し、エッチングマスクを形成しているレジ
ストが損傷してしまうので、所望のエッチングパターン
を得られなくなる。そのため、結局のところ、高周波電
力を抑え、ある程度のサイドエッチ発生を許さざるをえ
ない。また、高周波電力を低く抑える結果、イオン化率
が低下し、それだけエッチングレートが低くなったり、
広がりのある基板では、例えばその端部でのエッチング
が中央部より速く進行し、面均一性が低下するが、これ
も許容せざるをえない。
【０００７】さらに、サイドエッチを防ぐための側壁保
護膜を形成するラジカルがエッチング対象面に不純物と
して付着するという問題もある。そこで本発明は、エッ
チングガスをプラズマ化し、エッチング対象物をこのプ
ラズマに曝してエッチングを行うエッチング方法及び装
置であって、サイドエッチが抑制され、エッチング形状
の制御性が良好となり、しかもエッチングレートが高
く、面均一性も向上し、低パーティクルでエッチング対
象物への不純物の付着が抑制され、レジスト焼けも抑制
或いは防止されるエッチング方法及び装置を提供するこ
とを目的とする。
護膜を形成するラジカルがエッチング対象面に不純物と
して付着するという問題もある。そこで本発明は、エッ
チングガスをプラズマ化し、エッチング対象物をこのプ
ラズマに曝してエッチングを行うエッチング方法及び装
置であって、サイドエッチが抑制され、エッチング形状
の制御性が良好となり、しかもエッチングレートが高
く、面均一性も向上し、低パーティクルでエッチング対
象物への不純物の付着が抑制され、レジスト焼けも抑制
或いは防止されるエッチング方法及び装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的に従
い、エッチングガスをプラズマ化し、エッチング対象物
をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチング方
法において、前記エッチングガスのプラズマ化をパルス
変調をかけた高周波電圧の印加にて行うことを特徴とす
るエッチング方法、及び真空チャンバ内に導入したエッ
チングガスを高周波電圧印加手段にて高周波電圧を印加
してプラズマ化し、該チャンバ内に配置したエッチング
対象物をこのプラズマに曝すことでエッチングを行うエ
ッチング装置において、前記高周波電圧印加手段が、所
定周波数の高周波電圧に所定のオンタイム及びオフタイ
ムのパルス変調をかける手段を含んでいることを特徴と
するエッチング装置を提供するものである。
い、エッチングガスをプラズマ化し、エッチング対象物
をこのプラズマに曝してエッチングを行うエッチング方
法において、前記エッチングガスのプラズマ化をパルス
変調をかけた高周波電圧の印加にて行うことを特徴とす
るエッチング方法、及び真空チャンバ内に導入したエッ
チングガスを高周波電圧印加手段にて高周波電圧を印加
してプラズマ化し、該チャンバ内に配置したエッチング
対象物をこのプラズマに曝すことでエッチングを行うエ
ッチング装置において、前記高周波電圧印加手段が、所
定周波数の高周波電圧に所定のオンタイム及びオフタイ
ムのパルス変調をかける手段を含んでいることを特徴と
するエッチング装置を提供するものである。
【０００９】本発明は次の知見に基づいている。すなわ
ち、エッチングガスをプラズマ化させるためにこれにパ
ルス変調した高周波電圧を印加すると、電子温度及び密
度が従来より高いプラズマが得られる。プラズマにおけ
る各種イオン、ラジカルの生成はこの電子温度及び密度
に関係し、これが高いほど、エッチングに有効なイオ
ン、ラジカルの生成が多い（イオン化率が高くなる）。
よって、印加する高周波電圧にパルス変調をかけること
でイオン化率が高くなり、従来よりエッチングガスの圧
力を低くしても十分なエッチング速度を得ることがで
き、エッチングの面均一性も向上する。さらに、ガス圧
を低くすることでイオンの平均自由行程が大きくなり、
エッチング面に衝突するイオンの方向が乱され難くな
り、異方性の高いエッチングが可能となる。また、エッ
チング対象物のＤＣバイアス（自己バイアス）が連続的
に大きいままでなく、大小に繰り返し変化するので、該
エッチング対象物の温度上昇がそれだけ抑制され、エッ
チングマスクを形成するレジスト焼けが抑制或いは防止
される。また、パルス変調することでパーティクル（ポ
リマーを形成するラジカル）の発生の原因となるラジカ
ルを抑制することができ、エッチング対象物への不純物
の付着を抑えられる。
ち、エッチングガスをプラズマ化させるためにこれにパ
ルス変調した高周波電圧を印加すると、電子温度及び密
度が従来より高いプラズマが得られる。プラズマにおけ
る各種イオン、ラジカルの生成はこの電子温度及び密度
に関係し、これが高いほど、エッチングに有効なイオ
ン、ラジカルの生成が多い（イオン化率が高くなる）。
よって、印加する高周波電圧にパルス変調をかけること
でイオン化率が高くなり、従来よりエッチングガスの圧
力を低くしても十分なエッチング速度を得ることがで
き、エッチングの面均一性も向上する。さらに、ガス圧
を低くすることでイオンの平均自由行程が大きくなり、
エッチング面に衝突するイオンの方向が乱され難くな
り、異方性の高いエッチングが可能となる。また、エッ
チング対象物のＤＣバイアス（自己バイアス）が連続的
に大きいままでなく、大小に繰り返し変化するので、該
エッチング対象物の温度上昇がそれだけ抑制され、エッ
チングマスクを形成するレジスト焼けが抑制或いは防止
される。また、パルス変調することでパーティクル（ポ
リマーを形成するラジカル）の発生の原因となるラジカ
ルを抑制することができ、エッチング対象物への不純物
の付着を抑えられる。
【００１０】以上の説明のうち、エッチングガスをプラ
ズマ化するための高周波電圧にパルス変調をかける様子
を図２の（Ａ）図に、該パルス変調による電子温度、密
度の変化の様子を図２の（Ｂ）図に、該パルス変調にお
けるＤＣバイアスの変化の様子を図２の（Ｃ）図にそれ
ぞれ示す。なお、（Ｂ）図及び（Ｃ）図において、破線
はパルス変調をかけないときの変化を示している。
ズマ化するための高周波電圧にパルス変調をかける様子
を図２の（Ａ）図に、該パルス変調による電子温度、密
度の変化の様子を図２の（Ｂ）図に、該パルス変調にお
けるＤＣバイアスの変化の様子を図２の（Ｃ）図にそれ
ぞれ示す。なお、（Ｂ）図及び（Ｃ）図において、破線
はパルス変調をかけないときの変化を示している。
【００１１】
【作用】本発明エッチング方法及び装置によると、エッ
チングを行うための真空チャンバ内に導入されたエッチ
ングガスはパルス変調をかけた高周波電圧の印加により
プラズマ化され、エッチング対象物はこのプラズマに曝
されることでエッチングされる。
チングを行うための真空チャンバ内に導入されたエッチ
ングガスはパルス変調をかけた高周波電圧の印加により
プラズマ化され、エッチング対象物はこのプラズマに曝
されることでエッチングされる。
【００１２】前記エッチングガスのプラズマ化はパルス
変調をかけた高周波電圧の印加により行われるので、イ
オン化率が高くなり、そのため低ガス圧でのプロセスを
行っても、高エッチングレートで、面均一性の良いエッ
チングが行える。また、ガス圧を低くすることで、イオ
ンの平均自由行程が大きくなって異方性良くエッチング
できる（従ってエッチング形状の制御性が良い）。ま
た、パルス変調をかけることでパーティクルの原因とな
るラジカルの発生が抑えられ、エッチング対象物への不
純物の付着が抑制される。さらに、エッチング対象物に
かかるＤＣバイアスが大小に変化するので、エッチング
対象物の温度上昇がそれだけ抑制され、レジスト焼けが
抑制或いは防止される。
変調をかけた高周波電圧の印加により行われるので、イ
オン化率が高くなり、そのため低ガス圧でのプロセスを
行っても、高エッチングレートで、面均一性の良いエッ
チングが行える。また、ガス圧を低くすることで、イオ
ンの平均自由行程が大きくなって異方性良くエッチング
できる（従ってエッチング形状の制御性が良い）。ま
た、パルス変調をかけることでパーティクルの原因とな
るラジカルの発生が抑えられ、エッチング対象物への不
純物の付着が抑制される。さらに、エッチング対象物に
かかるＤＣバイアスが大小に変化するので、エッチング
対象物の温度上昇がそれだけ抑制され、レジスト焼けが
抑制或いは防止される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明方法の実施に使用する反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）装置の一例の概略断面を示してい
る。図示の装置は、真空チャンバ１、該チャンバに接続
した排気装置２、チャンバ１内に対向設置した上側電極
３、下側電極４、チャンバ１に接続したエッチングガス
源５を備えている。
する。図１は本発明方法の実施に使用する反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）装置の一例の概略断面を示してい
る。図示の装置は、真空チャンバ１、該チャンバに接続
した排気装置２、チャンバ１内に対向設置した上側電極
３、下側電極４、チャンバ１に接続したエッチングガス
源５を備えている。
【００１４】電極３は接地電極であり、電極４は高周波
電極で、これにはそれ自体既に知られているマッチング
ボックス６を介して高周波電源７から高周波電圧が印加
される。高周波電源７は、任意の高周波パルス変調が可
能な高周波信号発生器７１及び高周波増幅器（ＲＦパワ
ーアンプ）７２を有しており、本発明に従って、所定周
波数の高周波にオンタイムｔ１を０．５μｓｅｃ〜１０
０μｓｅｃの範囲から、オフタイムｔ２を３μｓｅｃ〜
１００μｓｅｃの範囲から選択したパルス変調をかける
ことができる。
電極で、これにはそれ自体既に知られているマッチング
ボックス６を介して高周波電源７から高周波電圧が印加
される。高周波電源７は、任意の高周波パルス変調が可
能な高周波信号発生器７１及び高周波増幅器（ＲＦパワ
ーアンプ）７２を有しており、本発明に従って、所定周
波数の高周波にオンタイムｔ１を０．５μｓｅｃ〜１０
０μｓｅｃの範囲から、オフタイムｔ２を３μｓｅｃ〜
１００μｓｅｃの範囲から選択したパルス変調をかける
ことができる。
【００１５】以上説明した装置によると、本発明方法は
次のように実施される。先ず、エッチングする薄膜を形
成した基板８を装着したトレー９を電極４上に設置す
る。しかるのち、チャンバ１内を排気装置２の運転にて
所定圧まで真空引きしつつ、ガス源５からエッチングガ
スをチャンバ内に導入する。そして、電源７にてこのガ
スにパルス変調された高周波電圧を印加し、プラズマ化
させ、このプラズマに基板８上の膜を曝すことで、これ
をエッチングする。なお、該膜には予めレジストにてエ
ッチングマスクパターンを形成してある。
次のように実施される。先ず、エッチングする薄膜を形
成した基板８を装着したトレー９を電極４上に設置す
る。しかるのち、チャンバ１内を排気装置２の運転にて
所定圧まで真空引きしつつ、ガス源５からエッチングガ
スをチャンバ内に導入する。そして、電源７にてこのガ
スにパルス変調された高周波電圧を印加し、プラズマ化
させ、このプラズマに基板８上の膜を曝すことで、これ
をエッチングする。なお、該膜には予めレジストにてエ
ッチングマスクパターンを形成してある。
【００１６】前記エッチング中、エッチングガスには、
パルス変調した高周波電圧が印加され、イオン化率が高
くなるので（エッチングに必要な反応ラジカル及びイオ
ンが増加するので）、真空チャンバ１内のガス圧を従来
より下げることができ、このガス圧の低下によりイオン
の平均自由行程が長くなり、イオンの方向性が向上し、
このため、エッチングマスク開口部におけるエッチング
凹所の側壁に対するサイドエッチが抑制され、異方性良
くエッチングできる。また、イオン化率が高いので、高
エッチングレートで、しかもエッチング対象物が一定の
面積を有する場合でも面均一性よく行われる。さらに基
板８の温度上昇が抑制され、レジスト焼けが抑制或いは
防止される。
パルス変調した高周波電圧が印加され、イオン化率が高
くなるので（エッチングに必要な反応ラジカル及びイオ
ンが増加するので）、真空チャンバ１内のガス圧を従来
より下げることができ、このガス圧の低下によりイオン
の平均自由行程が長くなり、イオンの方向性が向上し、
このため、エッチングマスク開口部におけるエッチング
凹所の側壁に対するサイドエッチが抑制され、異方性良
くエッチングできる。また、イオン化率が高いので、高
エッチングレートで、しかもエッチング対象物が一定の
面積を有する場合でも面均一性よく行われる。さらに基
板８の温度上昇が抑制され、レジスト焼けが抑制或いは
防止される。
【００１７】また、パルス変調をかけることでエッチン
グに必要なイオン、ラジカル種が選択的に発生、増加す
る一方、パーティクル発生の原因となるラジカルの生成
が抑制され、これによってエッチング対象膜への不純物
の付着が抑制される。次に、以上説明したエッチング方
法及び装置に基づき、ガラス基板上に形成したアモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、
アルミニウム（Ａｌ）の各膜をドライエッチングする具
体的な実施例１、２及び３、並びにエッチングガスのプ
ラズマ化をパルス変調しない高周波電圧で行う場合の比
較例１、２及び３について説明する。
グに必要なイオン、ラジカル種が選択的に発生、増加す
る一方、パーティクル発生の原因となるラジカルの生成
が抑制され、これによってエッチング対象膜への不純物
の付着が抑制される。次に、以上説明したエッチング方
法及び装置に基づき、ガラス基板上に形成したアモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、
アルミニウム（Ａｌ）の各膜をドライエッチングする具
体的な実施例１、２及び３、並びにエッチングガスのプ
ラズマ化をパルス変調しない高周波電圧で行う場合の比
較例１、２及び３について説明する。
【００１８】なお、エッチングする膜にはいずれの場合
もレジストにて同じエッチングマスクパターンを形成し
た。 実施例１ 比較例１ 基板８上の膜 ａ─Ｓｉ ａ─Ｓｉ 高周波電圧 １３．５６ＭＨz １３．５６ＭＨz １８０Ｗ １８０Ｗ パルス変調 有り。 無し。
もレジストにて同じエッチングマスクパターンを形成し
た。 実施例１ 比較例１ 基板８上の膜 ａ─Ｓｉ ａ─Ｓｉ 高周波電圧 １３．５６ＭＨz １３．５６ＭＨz １８０Ｗ １８０Ｗ パルス変調 有り。 無し。
【００１９】 オンタイムｔ１＝２０μｓｅｃ オフタイムｔ２＝１０μｓｅｃ エッチングガス ＣＦ4 ６０ｓｃｃｍ ＣＦ4 ６０ｓｃｃｍ Ｏ2 １５ｓｃｃｍ Ｏ2 １５ｓｃｃｍ チャンバ１内ガス圧 ４０ｍＴｏｒｒ ５０ｍＴｏｒｒ エッチングレート ５５０Å／ｍｉｎ ５００Å／ｍｉｎ 面均一性 ±５％ ±１０％ 実施例２ 比較例２ 基板８上の膜 ＳｉＮ ＳｉＮ 高周波電圧 １３．５６ＭＨz １３．５６ＭＨz ２００Ｗ ２００Ｗ パルス変調 有り。 無し。
【００２０】 オンタイムｔ１＝２０μｓｅｃ オフタイムｔ２＝１０μｓｅｃ エッチングガス ＣＨＦ3 ４５ｓｃｃｍ ＣＨＦ3 ４５ｓｃｃｍ Ｏ2 １０ｓｃｃｍ Ｏ2 １０ｓｃｃｍ チャンバ１内ガス圧 ４０ｍＴｏｒｒ ５０ｍＴｏｒｒ エッチングレート ７００Å／ｍｉｎ ６００Å／ｍｉｎ 面均一性 ±５％ ±１０％ 実施例３ 比較例３ 基板８上の膜 Ａｌ Ａｌ 高周波電圧 １３．５６ＭＨz １３．５６ＭＨz １００Ｗ １００Ｗ パルス変調 有り。 無し。
【００２１】 オンタイムｔ１＝２０μｓｅｃ オフタイムｔ２＝１０μｓｅｃ エッチングガス ＣＨＣｌ3 ７ｓｃｃｍ ＣＨＣｌ3 ７ｓｃｃｍ Ｃｌ2 ５ｓｃｃｍ Ｃｌ2 ５ｓｃｃｍ ＢＣｌ3 ４０ｓｃｃｍ ＢＣｌ3 ４０ｓｃｃｍ チャンバ１内ガス圧 ３０ｍＴｏｒｒ ３５ｍＴｏｒｒ エッチングレート ６００Å／ｍｉｎ ４５０Å／ｍｉｎ 面均一性 ±８％ ±１５％ 前記いずれの実施例においても実用上問題視すべきサイ
ドエッチや不純物の付着が認められなかったが、各比較
例ではそれが認められた。また、いずれの実施例でもレ
ジスト焼けは認められなかった。
ドエッチや不純物の付着が認められなかったが、各比較
例ではそれが認められた。また、いずれの実施例でもレ
ジスト焼けは認められなかった。
【００２２】前記実施例１では、パーティクルポリマー
生成に寄与すると考えられるＣＦラジカル、ＣＦ2 ラジ
カルの生成がパルス変調をかけることで抑制され、実施
例２、３ではパーティクルポリマー生成に寄与すると考
えられるＣＨラジカルの生成がパルス変調をかけること
で抑制されていると考えられる。前記「面均一性」はガ
ラス基板の端部と中央部におけるエッチング量の差を２
分して±に振って示したものである。
生成に寄与すると考えられるＣＦラジカル、ＣＦ2 ラジ
カルの生成がパルス変調をかけることで抑制され、実施
例２、３ではパーティクルポリマー生成に寄与すると考
えられるＣＨラジカルの生成がパルス変調をかけること
で抑制されていると考えられる。前記「面均一性」はガ
ラス基板の端部と中央部におけるエッチング量の差を２
分して±に振って示したものである。
【００２３】
【発明の効果】本発明によると、エッチングガスをプラ
ズマ化し、エッチング対象物をこのプラズマに曝してエ
ッチングを行うエッチング方法及び装置において、サイ
ドエッチが抑制され、エッチング形状の制御性が良好と
なり、しかもエッチングレートが高く、面均一性も向上
し、低パーティクルでエッチング対象物への不純物の付
着が抑制され、レジスト焼けも抑制或いは防止されるエ
ッチング方法及び装置を提供することができる。
ズマ化し、エッチング対象物をこのプラズマに曝してエ
ッチングを行うエッチング方法及び装置において、サイ
ドエッチが抑制され、エッチング形状の制御性が良好と
なり、しかもエッチングレートが高く、面均一性も向上
し、低パーティクルでエッチング対象物への不純物の付
着が抑制され、レジスト焼けも抑制或いは防止されるエ
ッチング方法及び装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る方法の実施に使用するＲＩＥエッ
チング装置の一例の概略断面図である。
チング装置の一例の概略断面図である。
【図２】（Ａ）図は高周波電圧のパルス変調の様子を示
す図であり、（Ｂ）図はパルス変調に伴う電子温度、密
度の変化を示すグラフであり、（Ｃ）図はパルス変調に
伴うＤＣバイアスの変化を示すグラフである。
す図であり、（Ｂ）図はパルス変調に伴う電子温度、密
度の変化を示すグラフであり、（Ｃ）図はパルス変調に
伴うＤＣバイアスの変化を示すグラフである。
１ 真空チャンバ ２ 排気装置 ３ 接地電極 ４ 高周波電極 ５ エッチングガス源 ６ マッチングボックス ７ 高周波電源 ７１ 高周波信号発生器 ７２ ＲＦパワーアンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 創 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチングガスをプラズマ化し、エッチ
ング対象物をこのプラズマに曝してエッチングを行うエ
ッチング方法において、前記エッチングガスのプラズマ
化をパルス変調をかけた高周波電圧の印加にて行うこと
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記パルス変調におけるオンタイムｔ１
を０．５μｓｅｃ〜１００μｓｅｃの範囲のものとする
請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 真空チャンバ内に導入したエッチングガ
スを高周波電圧印加手段にて高周波電圧を印加してプラ
ズマ化し、該チャンバ内に配置したエッチング対象物を
このプラズマに曝すことでエッチングを行うエッチング
装置において、前記高周波電圧印加手段が、所定周波数
の高周波電圧に所定のオンタイム及びオフタイムのパル
ス変調をかける手段を含んでいることを特徴とするエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22241592A JPH06342769A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | エッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22241592A JPH06342769A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | エッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342769A true JPH06342769A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=16782032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22241592A Pending JPH06342769A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | エッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342769A (ja) |
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- 1992-08-21 JP JP22241592A patent/JPH06342769A/ja active Pending
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