JP2006202852A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の層間絶縁膜13に形成された配線溝に第1のバリアメタル層14とCuを主とする配線材15が埋め込まれて下層配線16が形成されている。第1の層間絶縁膜13及び下層配線16上に絶縁膜17,18が形成されている。絶縁膜17,18に形成されたホール内に第2のバリアメタル層20とCuを主とするプラグ材21が埋め込まれてヴィアプラグ22a,及びスリット状ダミープラグ22bが形成されている。スリット状ダミープラグ22bは上層配線26aに接続しない。
【選択図】 図2
Description
Claims (3)
- 半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に形成された第1の溝内に形成された第1のバリアメタル層とCuを主とする第1の配線材とを具備する下層配線と、
第1の層間絶縁膜及び下層配線層上に形成され、前記下層配線に接続するヴィアホールが形成されている第2の層間絶縁膜と、
前記ヴィアホール内に形成された第2のバリアメタル層とプラグ材とを具備するプラグと、
前記第2の層間絶縁膜及びプラグ上に形成され、前記プラグに接続する第2の溝が形成されている第3の層間絶縁膜と、
前記第2の溝内に形成された第3のバリアメタル層とCuを主とする第2の配線材とを具備する上層配線と、
前記下層配線及び上層配線の一方に接続する前記第2の層間絶縁膜に形成されたダミーヴィアホール内に埋め込まれた前記第2のバリアメタル層と前記プラグ材とを具備するダミープラグとを具備してなる半導体装置であって、
前記ダミープラグの短径は、最小配線系デザインルールの最小線幅以上、且つヴィア系デザインルールの最小系幅以下であり、前記ダミープラグの長径は最小配線系デザインルールの最短配線長さ以上であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に形成された第1の溝内に形成された第1のバリアメタル層とCuを主とする第1の配線材とを具備する下層配線と、
第1の層間絶縁膜及び下層配線層上に形成され、前記下層配線に接続するヴィアホール及びダミーヴィアホール、並びに前記ヴィアホールに接続し,前記ダミーヴィアホールが形成されていない領域に形成された第2の溝を具備する第2の層間絶縁膜と、
前記ヴィアホール及び前記第2の溝内に形成された第2のバリアメタル層とCuを主とする第2の配線材とを具備する上層配線と、
前記ダミーヴィアホール内に形成された前記第3のバリアメタル層とCuを主とする第2のプラグ材とを具備する第2のダミープラグとを具備してなる半導体装置であって、
前記ダミープラグの短径は、最小配線系デザインルールの最小線幅以上、且つヴィア系デザインルールの最小系幅以下であり、前記ダミープラグの長径は最小配線系デザインルールの最短配線長さ以上であることを特徴とする記載の半導体装置。 - 半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に形成された第1のヴィアホール内に形成された第1のプラグと、
第1のプラグ上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜に形成された第1の溝内に形成された配線であって、前記配線は第1のバリアメタル層とCuを主とする第1の配線材とを具備し、前記配線は前記第1のプラグに接続する配線と、
前記配線上に形成された前記配線に接続する第2のプラグと、
前記第2の層間絶縁膜に形成された第2の溝内に形成された第2のバリアメタル層とCuを主とする第2の配線材とを具備するダミー配線であって、前記ダミー配線は前記配線の第1の配線材に接続し、前記ヴィアプラグが形成される領域以外の領域に形成されるダミー配線とを具備し、
前記ダミー配線は最小配線系デザインルールの最小線幅以下の線幅であることを特徴とする半導体装置。
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