JP2006191572A - 入力バッファ回路 - Google Patents
入力バッファ回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006191572A JP2006191572A JP2005366562A JP2005366562A JP2006191572A JP 2006191572 A JP2006191572 A JP 2006191572A JP 2005366562 A JP2005366562 A JP 2005366562A JP 2005366562 A JP2005366562 A JP 2005366562A JP 2006191572 A JP2006191572 A JP 2006191572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- unit
- channel transistor
- output
- node
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1084—Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45237—Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/109—Control signal input circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
- H03K19/018528—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS with at least one differential stage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】互いに差動入力される2つの入力信号を有する差動増幅器構造の入力バッファ回路において、前記2つの入力信号中で第1入力信号が入力される第1インバータ回路を備える第1入力部と、前記2つの入力信号中で残り信号の第2入力信号が入力される第2インバータ回路を備える第2入力部と、出力ノードが前記第1入力部の出力ノードと互いに連結される構造であって、動作電流が前記第1インバータ回路の動作電流の2倍である第3インバータ回路を備えて第出力信号を出力する第1出力部と、出力ノードが前記第2入力部の出力ノードと互いに連結される構造であって、動作電流が前記第2インバータ回路の動作電流の2倍である第4インバータ回路を備えて第2出力信号を出力する第2出力部と、を具備する。
【選択図】図1
Description
図7に示すように、従来の電流ミラー型NMOSタイプの差動増幅器構造の入力バッファ回路はPMOSトランジスタMP1,MP2、NMOSトランジスタMN1,MN2、及び電流源I0を備える。
図8に示すように、従来の電流ミラー型PMOSタイプの差動増幅器構造の入力バッファ回路はPMOSトランジスタMP3,MP4、NMOSトランジスタMN3,MN4、及び電流源I0を備える。
本発明の他の目的は、レール対レール動作を行い得る入力バッファ回路を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、どんな共通モード入力電圧の範囲でも出力電圧の共通モード電圧が一定に維持される入力バッファ回路を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、電流消費を減らし得る入力バッファ回路を提供することにある。
図1に示すように、本発明の第1実施例による差動増幅器構造の入力バッファ回路は電流ソース部20a、電流シンク部20b、第1入力部10a、第2入力部10b、第1出力部30a、及び第2出力部30bを備える。
第1出力部30aを構成するインバータ回路の動作電流は第1入力部10aを構成する第1インバータ回路の動作電流の2倍とならなければならず、第2出力部30bを構成するインバータ回路の動作電流は第2入力部10bを構成する第2インバータ回路の動作電流の2倍とならなければならない。即ち、第1出力部10aを構成するトランジスタP0,N2に流れる電流量は第1入力部10aを構成するトランジスタP2,N0に流れる電流量の2倍であり、第2出力部30bを構成するトランジスタP3,N1に流れる電流量は第2入力部10bを構成するトランジスタP1,N3に流れる電流量の2倍とならなければならない。
図2に示すように、本発明の第2実施例による差動増幅器構造の入力バッファ回路は図1に示した入力バッファ回路に第1スイッチング部50aが追加された構造となる。そこで、入力バッファ回路に対する具体的説明は省略し、第1スイッチング部50aに対してのみ説明する。
図3に示すように、本発明の第3実施例による差動増幅器構造の入力バッファ回路は、図1に示した入力バッファ回路に第2スイッチング部50bが追加された構造である。そこで、入力バッファ回路に対する具体的説明は省略し、第2スイッチング部50bに対してのみ説明する。
図4に示すように、本発明の第4実施例による入力バッファ回路は、電流ソース部120a、電流シンク部120b、第1入力部110a、第2入力部110b、第1制御部130a、第2制御部150a,150b、及び出力部130bを備える。
図5に示すように、本発明の第5実施例による入力バッファ回路は、電流ソース部220a、電流シンク部220b、第1入力部210a、第2入力部210b、第1制御部230a、第2制御部240、出力部230b、及び出力ドライバ部360を備える。
第6PチャンネルトランジスタP20はダイオード構造であって、電源電圧端子VCCと第6NチャンネルトランジスタN21との間に連結される。
第7NチャンネルトランジスタN21は第6PチャンネルトランジスタP20と第6NチャンネルトランジスタN22との間に連結され、ゲートに第1出力信号Aが印加される。
第6NチャンネルトランジスタN22は第7NチャンネルトランジスタN21と接地端子との間に連結され、第2出力信号Bがゲートに印加される。
インバータ回路I5はダイオード構造の第6PチャンネルトランジスタP20の入力信号と同一な入力信号を入力にして出力信号VOUTを出力する。
図6は本発明の第6実施例による入力バッファ回路を示す。
入力バッファ回路は出力部230bを構成するトランジスタP13と電源電圧端子VCCとのスイッチングのための第1スイッチング部(図示せず)がさらに具備される。第1スイッチング部は本発明の第2実施例(図2)で説明したような構造から構成される。
第1スイッチング部及び第2スイッチング部は出力部230bがダイオード構造を有するので電流消費が大きいため、電流消費を減らすためのものである。
110b:第2入力部
120a:電流ソース部
120b:電流シンク部
130a:第1制御部
130b:出力部
150a、150b:第2制御部
160:バッファ
Claims (18)
- 互いに差動入力される2つの入力信号を有する差動増幅器構造の入力バッファ回路において、
前記2つの入力信号中で第1入力信号が入力される第1インバータ回路を備える第1入力部と、
前記2つの入力信号中で残り信号の第2入力信号が入力される第2インバータ回路を備える第2入力部と、
出力ノードが前記第1入力部の出力ノードと互いに連結される構造であって、動作電流が前記第1インバータ回路の動作電流の2倍である第3インバータ回路を備えて第1出力信号を出力する第1出力部と、
出力ノードが前記第2入力部の出力ノードと互いに連結される構造であって、動作電流が前記第2インバータ回路の動作電流の2倍である第4インバータ回路を備えて第2出力信号を出力する第2出力部と、を具備することを特徴とする入力バッファ回路。 - 前記入力バッファ回路は、電源電圧端子に一端が連結された電流ソース部と接地端子に一端が連結された電流シンク部とをさらに備え、前記第1インバータ回路及び前記第2インバータ回路が前記電流ソース部と前記電流シンク部との間にそれぞれ並列に連結されるようにする構造を有することを特徴とする請求項1に記載の入力バッファ回路。
- 前記入力バッファ回路はコントロール信号により前記第1出力部及び前記第2出力部の動作電源をコントロールするスイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項2に記載の入力バッファ回路。
- 互いに差動入力される2つの入力信号を有する差動増幅器構造の入力バッファ回路において、
互いに直列連結された第1Pチャンネルトランジスタ及び第1Nチャンネルトランジスタを備えて、前記2つの入力信号中で残り入力信号の第2入力信号が入力される第1入力部と、
互いに直列連結された第2Pチャンネルトランジスタ及び第2Nチャンネルトランジスタを備えて、前記2つの入力信号中で残り入力信号の第2入力信号が入力される第2入力部と、
電源電圧端子と前記第1入力部の出力信号が出力される第1ノードとの間に連結されるダイオード構造の第3Pチャンネルトランジスタ、及び前記第1ノードと接地端子との間に連結されるダイオード構造の第3Nチャンネルトランジスタを備えて、前記第1ノードを出力ノードにして第1出力信号を出力する第1出力部と、
電源電圧端子と前記第2入力部の出力信号が出力される第2ノードとの間に連結されるダイオード構造の第4Pチャンネルトランジスタ、及び前記第2ノードと接地端子との間に連結されるダイオード構造の第4Nチャンネルトランジスタを備えて、前記第2ノードを出力ノードにして第2出力信号を出力する第2出力部と、を具備することを特徴とする入力バッファ回路。 - 前記入力バッファ回路は電源電圧端子に一端が連結された電流ソース部と接地端子に一端が連結された電流シンク部とを備え、前記第1入力部及び前記第2入力部が前記電流ソース部と前記電流シンク部との間にそれぞれ並列に連結されるようにする構造を有することを特徴とする請求項4に記載の入力バッファ回路。
- 前記第1出力部を構成するトランジスタに流れる電流量は前記第1入力部を構成するトランジスタに流れる電流量の2倍であり、前記第2出力部を構成するトランジスタに流れる電流量は前記第2入力部を構成するトランジスタに流れる電流量の2倍であることを特徴とする請求項5に記載の入力バッファ回路。
- 前記第1出力部及び第2出力部は前記第1出力部及び前記第2出力部を構成するトランジスタと電源電圧端子とのスイッチングのための第1スイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項6に記載の入力バッファ回路。
- 前記第1出力部及び第2出力部は前記第1出力部及び前記第2出力部を構成するトランジスタと接地端子とのスイッチングのための第2スイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項6に記載の入力バッファ回路。
- 互いに差動入力される2つの入力信号を有する差動増幅器構造の入力バッファ回路において、
前記2つの入力信号中で第1入力信号によりそれぞれ駆動される第1Pチャンネルトランジスタ及び第1Nチャンネルトランジスタを備える第1入力部と、
前記2つの入力信号中で残り入力信号の第2入力信号を入力とするインバータ形態からなる第2Pチャンネルトランジスタ及び第2Nチャンネルトランジスタを備える第2入力部と、
電源電圧端子と前記第1Nチャンネルトランジスタとの間に連結されるダイオード構造の第3Pチャンネルトランジスタ、及び前記第1Pチャンネルトランジスタと接地端子との間に連結されるダイオード構造の第3Nチャンネルトランジスタを備える第1制御部と、
第1ノードと出力ノードとの間に連結されるダイオード構造の第4Pチャンネルトランジスタ、及び前記出力ノードと第2ノードとの間に連結されるダイオード構造の第4Nチャンネルトランジスタを備え、前記出力ノードを前記第2入力部の出力ノードと共通に有する出力部と、
前記第3Pチャンネルトランジスタの入力信号と同一な入力信号により駆動され、電源電圧端子と前記第1ノードとの間に連結される第5Pチャンネルトランジスタ、及び前記第3Nチャンネルトランジスタの入力信号と同一な入力信号により駆動され、前記第2ノードと接地端子との間に連結される第5Nチャンネルトランジスタを備える第2制御部と、を具備することを特徴とする入力バッファ回路。 - 前記入力バッファ回路は電源電圧端子に一端が連結された電流ソース部と接地端子に一端が連結された電流シンク部とをさらに備え、前記第1入力部及び第2入力部が前記電流ソース部と前記電流シンク部との間にそれぞれ並列に連結されるようにする構造を有することを特徴とする請求項9に記載の入力バッファ回路。
- 互いに差動入力される2つの入力信号を有する差動増幅器構造の入力バッファ回路において、
電源電圧端子に一端が連結された電流ソース部と、
接地端子に一端が連結された電流シンク部と、
前記2つの入力信号中で第1入力信号によりそれぞれ駆動され、前記電流ソース部と第1ノードとの間に連結される第1Pチャンネルトランジスタ及び前記電流シンク部と第2ノードとの間に連結される第1Nチャンネルトランジスタを備える第1入力部と、
前記2つの入力信号中で残り入力信号の第2入力信号によりそれぞれ駆動され、前記電流ソース部と第3ノードとの間に連結される第2Pチャンネルトランジスタ及び前記電流シンク部と第4ノードとの間に連結される第2Nチャンネルトランジスタを備える第2入力部と、
電源電圧端子と前記第2ノードとの間に連結されるダイオード構造の第3Pチャンネルトランジスタ及び前記第1ノードと接地端子との間に連結されるダイオード構造の第3Nチャンネルトランジスタを備える第1制御部と、
電源電圧端子と第3ノードとの間に連結されるダイオード構造の第4Pチャンネルトランジスタ及び前記第4ノードと接地端子との間に連結されるダイオード構造の第4Nチャンネルトランジスタを備え、第1出力信号を前記第4ノードに出力し、第2出力信号を前記第3ノードに出力する出力部と、
前記第3Pチャンネルトランジスタの入力信号と同一な入力信号により駆動され、電源電圧端子と前記第3ノードとの間に連結される第5Pチャンネルトランジスタ、及び前記第3Nチャンネルトランジスタの入力信号と同一な入力信号により駆動され、前記第4ノードと接地端子との間に連結される第5Nチャンネルトランジスタを備える第2制御部と、を具備することを特徴とする入力バッファ回路。 - 前記入力バッファ回路は、電源電圧端子に一端が連結されるダイオード構造の第6Pチャンネルトランジスタと、接地端子に一端が連結され、前記第2出力信号により駆動される第6Nチャンネルトランジスタと、前記第6Pチャンネルトランジスタと前記第6Nチャンネルトランジスタとの間に連結され、前記第1出力信号により駆動される第7Nチャンネルトランジスタと、前記第6Pチャンネルトランジスタの入力信号と同一な入力信号を入力にして出力信号を出力するインバータ回路を備える出力ドライバ部と、をさらに具備することを特徴とする請求項11に記載の入力バッファ回路。
- 前記出力ドライバ部は前記出力ドライバ部を構成するトランジスタと電源電圧端子とのスイッチングのための第1スイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項12に記載の入力バッファ回路。
- 前記出力ドライバ部は前記出力ドライバ部を構成するトランジスタと接地端子とのスイッチングのための第2スイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項12に記載の入力バッファ回路。
- 前記第3ノードと前記第4ノードとは互いに連結されて1つの出力ノードを構成することを特徴とする請求項11に記載の入力バッファ回路。
- 前記入力バッファ回路は出力信号をバッファーリングして出力するために偶数個のインバータ回路からなるバッファ回路をさらに具備することを特徴とする請求項15に記載の入力バッファ回路。
- 前記出力部は前記出力部を構成するトランジスタと電源電圧端子とのスイッチングのための第1スイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項16に記載の入力バッファ回路。
- 前記出力部は前記出力部を構成するトランジスタと接地端子とのスイッチングのための第2スイッチング部がさらに具備されることを特徴とする請求項16に記載の入力バッファ回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040113586A KR100577566B1 (ko) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | 입력버퍼회로 |
KR2004-113586 | 2004-12-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006191572A true JP2006191572A (ja) | 2006-07-20 |
JP4989885B2 JP4989885B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=36610729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005366562A Expired - Fee Related JP4989885B2 (ja) | 2004-12-28 | 2005-12-20 | 入力バッファ回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7262651B2 (ja) |
JP (1) | JP4989885B2 (ja) |
KR (1) | KR100577566B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0702628D0 (en) * | 2007-02-09 | 2007-03-21 | Texas Instruments Ltd | Clock correction circuit |
KR101147360B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2012-05-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 버퍼링 회로 및 이를 구비하는 반도체 장치 |
KR101156059B1 (ko) | 2010-10-15 | 2012-06-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 버퍼 회로 |
EP3154197A4 (en) * | 2014-06-06 | 2018-05-30 | Hitachi, Ltd. | Amplifier circuit and ultrasonic probe |
US10044362B2 (en) * | 2014-06-19 | 2018-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Complementary current reusing preamp for operational amplifier |
US10325659B1 (en) | 2018-01-08 | 2019-06-18 | Micron Technology, Inc. | I/O buffer offset mitigation |
EP3776859A1 (en) * | 2018-03-30 | 2021-02-17 | Intel IP Corporation | Transceiver baseband processing |
KR20220128040A (ko) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4958133A (en) * | 1989-11-13 | 1990-09-18 | Intel Corporation | CMOS complementary self-biased differential amplifier with rail-to-rail common-mode input-voltage range |
JPH06302192A (ja) * | 1990-12-12 | 1994-10-28 | Samsung Electron Co Ltd | 差動感知増幅回路 |
JP2000357961A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-12-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 入力バッファ回路 |
US6169424B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-02 | Intel Corporation | Self-biasing sense amplifier |
US6278323B1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-08-21 | Intel Corporation | High gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier |
JP2001274642A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-10-05 | Seiko Instruments Inc | Cmos入力回路 |
JP2002344260A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Seiko Instruments Inc | 入力レールツーレール差動増幅回路 |
JP2003249829A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US7349681B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Self-biased high-speed receiver |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769564A (en) * | 1987-05-15 | 1988-09-06 | Analog Devices, Inc. | Sense amplifier |
US5311145A (en) | 1993-03-25 | 1994-05-10 | North American Philips Corporation | Combination driver-summing circuit for rail-to-rail differential amplifier |
KR970055494A (ko) * | 1995-12-27 | 1997-07-31 | 김광호 | 반도체장치용 입력버퍼회로 |
KR19990039622A (ko) * | 1997-11-13 | 1999-06-05 | 윤종용 | 차동증폭기형 입력버퍼 |
KR100295064B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2001-07-12 | 박종섭 | 반도체메모리장치의데이타입력버퍼 |
DE10207802B4 (de) | 2002-02-25 | 2012-03-22 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | CMOS-Differenzverstärker |
KR20030078310A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 출력신호폭을 조절하기 위한 입력버퍼를 구비한 반도체 장치 |
KR100893593B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2009-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 입력 버퍼 |
-
2004
- 2004-12-28 KR KR1020040113586A patent/KR100577566B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-26 US US11/258,958 patent/US7262651B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-20 JP JP2005366562A patent/JP4989885B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4958133A (en) * | 1989-11-13 | 1990-09-18 | Intel Corporation | CMOS complementary self-biased differential amplifier with rail-to-rail common-mode input-voltage range |
JPH06302192A (ja) * | 1990-12-12 | 1994-10-28 | Samsung Electron Co Ltd | 差動感知増幅回路 |
US6169424B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-02 | Intel Corporation | Self-biasing sense amplifier |
JP2000357961A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-12-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 入力バッファ回路 |
JP2001274642A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-10-05 | Seiko Instruments Inc | Cmos入力回路 |
US6278323B1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-08-21 | Intel Corporation | High gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier |
JP2002344260A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Seiko Instruments Inc | 入力レールツーレール差動増幅回路 |
JP2003249829A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US7349681B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Self-biased high-speed receiver |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4989885B2 (ja) | 2012-08-01 |
US7262651B2 (en) | 2007-08-28 |
US20060139066A1 (en) | 2006-06-29 |
KR100577566B1 (ko) | 2006-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4989885B2 (ja) | 入力バッファ回路 | |
KR101652824B1 (ko) | 와이드 전압 레인지용 출력 드라이버 | |
US6563357B1 (en) | Level converting latch | |
JP2007128454A (ja) | レギュレータ回路 | |
US6762957B2 (en) | Low clock swing latch for dual-supply voltage design | |
KR100919655B1 (ko) | 입출력 회로 | |
JPH1196749A (ja) | 電圧レベル変換回路 | |
US7167052B2 (en) | Low voltage differential amplifier circuit for wide voltage range operation | |
JP2003198392A (ja) | スケルチ回路 | |
JP4774287B2 (ja) | 出力回路 | |
CN111628758A (zh) | 电源接通清除电路和半导体装置 | |
JP4630782B2 (ja) | レベルシフト回路 | |
JP2001148621A (ja) | ヒステリシスコンパレータ | |
US6426658B1 (en) | Buffers with reduced voltage input/output signals | |
JP4641219B2 (ja) | 出力バッファ回路 | |
KR100713907B1 (ko) | 반도체 장치의 라인 구동 회로 | |
JP2003198358A (ja) | レベルシフト回路 | |
US7015731B2 (en) | CMOS output buffer circuit | |
JP2011061289A (ja) | 入力バッファ回路 | |
JP2006352204A (ja) | 電位検出回路及びそれを備える半導体集積回路 | |
CN111628757A (zh) | 电源接通清除电路和半导体装置 | |
JP2007180671A (ja) | レベルシフタ回路 | |
US20050017770A1 (en) | Chopper comparator circuit | |
JP3811300B2 (ja) | Cmosバッファ回路 | |
TWM657360U (zh) | 減少競爭現象之電位轉換電路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120321 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120410 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120501 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |