JP2006179822A - プリント配線板とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ブラインドバイアホールとラウンドとの位置ズレがなく、容易に高密度配線化を図ることができるプリント配線板の提供。
【解決手段】 配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】 配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法。
【選択図】 図1
Description
本発明はプリント配線板とその製造方法に関し、特に、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板とその製造方法に関する。
プリント配線板の回路形成方法は、銅箔などの金属箔上にエッチングレジストパターンを形成し、当該エッチングレジストパターンから露出している金属箔をエッチング処理して配線パターンを形成するサブトラクティブ法と、回路と逆パターンのめっきレジストを形成し、当該めっきレジスト開口部にめっきを析出させて配線パターンを形成するアディティブ法の2つに大別される。
サブトラクティブ法はアディティブ法と比較して製造工程が容易なことから、非常に安価に製造することが可能であるが、スルーホール及びブラインドバイアホール等の形成の際、絶縁基板全体に無電解めっき及び電解めっき処理を施す必要があるため、エッチングする導体厚さ(金属箔+めっき)が非常に厚くなり、良好な回路形成が困難であった。特に、パターン幅/パターン間隙=75μm/75μm以下の微細配線パターンの形成には不向きな工法であった。
これに対してアディティブ法は、微細配線パターン形成には有利であるが、絶縁層にめっきを析出して配線パターンを形成するため、サブトラクティブ法のように、元から絶縁層に金属箔が積層された絶縁基板を加工するのと比較して、配線パターンの密着性に劣る等の不具合を有していた。
更に、プリント配線板の設計上、配線パターンは基板面内に不均一に形成されるため、アディティブ法のように、選択めっきで配線パターンを形成すると、配線パターンが粗な部分では必要以上に電流が集中し、配線パターンの厚みばらつきが大きくなる結果、インピーダンス整合がとりにくいなどの不具合も有していた。
このような不具合を解決するものとして、本発明者は、図6(当該図6は、レーザ加工及び露光工程において位置ズレがない状態を示している)に示した如き構成のプリント配線板の製造方法を発明し、当該発明は既に特許公開されている(特許文献1参照)。
図6は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、まず、図6(a)に示したように、内層に形成された下層配線パターン3の形成層上に絶縁層1と銅箔等の金属箔2を順次積層し(例えば樹脂付き銅箔を積層する)、次いで、レーザ照射により、下層配線パターン3に達する非貫通孔7を穿孔する(図6(b)参照)。
次に、当該非貫通孔7のデスミア処理を行った後、図6(c)に示したように、置換型の無電解めっき処理により、金属箔2の表側面と非貫通孔7から露出した下層配線パターン3の表面にバリア金属層6(例えばNi−BやNi−P等)を形成する。
次に、非貫通孔7を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき(例えば無電解銅めっき)を形成した後、電解めっき(例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき)処理を行うことによって、非貫通孔7にめっき8を充填するとともに外層にも当該めっき8を析出させる(図6(d)参照)。
次に、図6(e)に示したように、ブラインドバイアホール10とそのラウンド部(以降これを「めっきラウンド8a」と呼ぶことにする)のパターン形成を行った後、図6(f)に示したように、外層に露出しているバリア金属層6をエッチング除去し、次いで、露出した金属箔2に回路形成を行うことによって、外層に上層配線パターン4が形成された図6(g)のプリント配線板Paを得る。
このようにブラインドバイアホールにめっきを充填する際、外層にもめっきを析出させるようにしたため、ブラインドバイアホールの形成部のみにめっきを析出させる場合と比較して、安定してブラインドバイアホールにめっきを充填することができるとともに(めっきを析出させるエリアの粗密によるめっき析出量のばらつきが解消できる)、元から絶縁層に積層されている金属箔をエッチングして配線パターンを形成するようにしたため、当該絶縁層に対する配線パターンの密着性も確保できるというものである。更に、金属箔がバリア金属層で保護されていることから一定の厚みを確保することができるため、微細配線パターン(図中の上層配線パターン4に相当)を容易に形成できるというものである。
しかし上記構成においては、非貫通孔7を穿孔する際のレーザ加工、めっきラウンド8a及び金属箔ラウンド2a(図6(g)に示した金属箔2の回路形成を行って得られる最外周のラウンド)の形成の際の露光工程の計3回の加工を要するため、全てのアライメント精度を考慮するとラウンド径(上記金属箔ラウンド2aに相当)がかなり大きくなってしまい、高密度配線化の妨げとなっていた(これは金属箔に予めレーザ加工用のウインドウ部をエッチング加工してから非貫通孔を穿孔する工法においても同様である)。
簡単に説明すると、金属箔2上から直接レーザ加工を行っているため、レーザ加工機の加工精度上、基準点から片側20μm(直径40μm)程度の範囲の位置ズレが発生してしまうため、後にめっき8をエッチングしてめっきラウンド8aを形成する場合、上記位置ズレ量を考慮して形成しなければならない。
即ち、図7(a)は図6(b)の工程で穿孔した非貫通孔7を上面から見た場合の平面図を示したものであるが、当該非貫通孔7が基準の位置だとすると、点線で示した範囲内(非貫通孔7の径L1より直径40μm大きい範囲)で位置ズレが発生することになる。
従って、めっきラウンド8aから非貫通孔7がはみ出さないように当該めっきラウンド8aを形成するには、図示しないエッチングレジストパターン形成の際の露光精度(例えば基準点から片側20μm(直径40μm)の範囲の位置ズレ)も考慮すると、図7(b)(図6(e)を上面から見た場合の平明図)に示したように、非貫通孔7の径より片側40μm(直径で80μm)大きい径L2(めっきラウンド8aの径)で形成しなければならないため、最外周の金属箔ラウンド2aの径L3を非常に大きく設定しなければならなかった。{図7(c)(図6(g)を上面から見た場合の平面図)は、めっきラウンド8aが金属箔ラウンド2aからはみ出すことがないように形成する場合を示したもので、この場合も露光精度を考慮しなければならないため、当該金属箔ラウンド2aの径L3は、非貫通孔7の径より片側80μm(直径で160μm)大きい径となる}。
特開2004−319994号公報
本発明は、上記不具合を解消するためになされたもので、ブラインドバイアホールとラウンドとの位置ズレをなくすことによって高密度配線化を図るようにした微細配線パターンを有するプリント配線板とその製造方法を提供することを課題とする。
請求項1に係る本発明は、配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成されていることを特徴とするプリント配線板により上記課題を解決したものである。
このように、ブラインドバイアホールと配線パターン(具体的にはブラインドバイアホールの周囲に形成されるラウンド)との間で位置ズレをなくすことによってラウンド径を小さくすることができ、その結果、高密度配線化を図ることができる。
請求項2に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを形成するための非貫通孔が、当該上層側の配線パターン形成の際に設けられたウインドウ部を有するラウンドをマスクとしたレーザ加工により形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
これにより、ラウンドとブラインドバイアホールとの間に位置ズレのないプリント配線板とすることができる。
請求項3に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、当該ブラインドバイアホール及びその他のバイアホールを形成する際に穿孔された孔内とその孔周縁に設けられたラウンド上にのみ形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
これにより、微細配線パターンを有するプリント配線板の高密度化を図ることができる。
請求項4に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
これにより、ブラインドバイアホール等の形成部のみにめっきを析出させる場合と比較して、安定して当該ブラインドバイアホール等の孔部にめっきが析出するため、当該ブラインドバイアホールを信頼性の高いものとすることができる。
請求項5に係る本発明は、配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
これにより、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板を得ることができる。
請求項6に係る本発明は、配線パターンの形成後に、少なくとも当該配線パターンの非形成部に無電解めっきを析出させる工程を有することを特徴とする請求項5に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
これにより、非貫通孔の穿孔後に行われるデスミア処理において、表面に露出している絶縁層が当該非貫通孔部のみとなるため、デスミア処理液の浴劣化を抑制でき、ライフ期間を通常使用と変わらぬライフ期間とすることができる。また、当該デスミア処理の際に、配線パターンの裾に位置する絶縁層が溶解することがないため、後工程で行われるソフトエッチング処理等の液が配線パターンの下面に回り込むことによって発生する当該配線パターンの細りの懸念がなくなる。
請求項7に係る本発明は、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも析出させることを特徴とする請求項5又は6に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
これにより、めっき析出エリアが広くなるため、非貫通孔内にも容易にめっきを析出させることができる。
請求項8に係る本発明は、配線パターン形成後に、少なくとも当該配線パターンの表側面に、当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層を形成することを特徴とする請求項5に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
これにより、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板を容易に得ることができる。
ブラインドバイアホールを有するプリント配線板を本発明の構成とすることにより、ブラインドバイアホールとラウンドとの位置ズレが生じないので、ランド径を小さくすることができる結果、容易に高密度配線化を図ることができる。
本発明の第一の実施の形態を、図1(e)を用いて説明する。
図1(e)は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を積層したプリント配線板Pの要部拡大断面図を示したもので、内層コア基板上に形成された下層配線パターン3と、当該下層配線パターン3の形成層上に積層された絶縁層1と、当該絶縁層1の表面に形成された上層配線パターン4、及び後のめっきラウンド8aの回路形成時に、当該めっきラウンド8aがはみ出すことのない径で形成された金属箔ラウンド2aと、当該金属箔ラウンド2aのウインドウ部5をマスクとして穿孔された非貫通孔7と、当該非貫通孔7にめっき8が充填されたブラインドバイアホール10と、当該金属箔ラウンド2aの一部にオーバーラップして形成されためっき8からなるめっきラウンド8aとからなり、当該金属箔ラウンド2aとブラインドバイアホール10との間に発生する位置ズレをなくすことによって、めっきラウンド8a及び金属箔ラウンド2aの径を小さくし、高密度配線化を図ったものである。
続いて、図1(e)のプリント配線板Pの製造方法について説明する。
まず、図1(a)に示したように、内層に形成された下層配線パターン3の形成層上に絶縁層1と銅箔等の金属箔2を順次積層し(例えば、樹脂付き銅箔を積層する)、次いで、図1(b)に示したように、エッチング処理によって、上層配線パターン4を形成するとともにウインドウ部5を有する金属箔ラウンド2aを形成する。
ここで、ウインドウ部5と金属箔ラウンド2aとが同じ露光工程により形成されるため、両者の間に位置ズレは発生しない。従って、金属箔ラウンド2aの径L3は、後に形成されるめっきラウンド8aを形成する際の露光精度のみを考慮して設定すればよい(図2(a)の平面図参照)。例えば、基準点から片側20μm(直径で40μm)の範囲で位置ズレが発生すると仮定すると、ウインドウ部5の外径L1に対して片側40μm(直径で80μm)プラスした径で形成することができる。
次に、外層全面に無電解めっき(例えば、無電解銅めっき)を析出させた後、金属箔ラウンド2aをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部5の径より大きく、金属箔ラウンド2aの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン3に達する非貫通孔7を穿孔する(図1(c)参照)。
ここで、上記でも説明したように、ウインドウ部5と金属箔ラウンド2aとは同じ露光工程により形成されるため、両者の間に位置ズレは発生しない。従って、当該ウインドウ部5の径L1よりも大きく、金属箔ラウンド2aの径L3より小さい径のレーザ照射によって形成される非貫通孔7も必然的に位置ズレなく穿孔される。
また、本実施の形態においては、レーザ加工前に外層全面に無電解めっきを析出させた例を用いて説明したが、当該無電解めっきは必ずしも形成する必要がない。しかし、後に行われるデスミア処理の浴劣化の抑制、及び当該デスミア処理を原因とする配線パターンの細りを防止する上で、当該無電解めっきを形成し、表面に露出している絶縁層の面積を少なくするのが好ましい。更に、当該無電解めっきについては、必ずしも外層全面に形成する必要はなく、少なくとも配線パターン非形成部(配線パターンから露出している絶縁層上)に形成されていればよい。
次に、デスミア処理を行った後、図1(c)の状態の基板の表面に図示しない無電解めっき(例えば無電解銅めっき)を析出させ、次いで、めっきレジストを積層した後、露光・現像を行うことによって、非貫通孔7と金属箔ラウンド2aの一部が露出する開口部9aを有するめっきレジストパターン9を形成する(めっきレジストパターン9の開口部9aの径L2aは上記露光精度を考慮した径であり、例えば上記の例でいうと、ウインドウ部5の径L1より直径40μmプラスした径に設定できる(図2(b)の平面図参照))。
次に、前記無電解めっきを給電層として電解めっき処理(例えば、フィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき)を行うことにより、めっきレジストパターン9の開口部9aから露出している非貫通孔7にめっき8を充填するとともに金属箔ラウンド2aの一部に重なるようにめっき8を析出させ、次いで、当該めっきレジストパターン9を剥離した後、表面に露出している図示しない無電解めっきをエッチング除去することによって、下層配線パターン3と上層配線パターン4間がブラインドバイアホール10で接続された図1(e)のプリント配線板Pを得る(めっきラウンド8aの径L2が、ウインドウ部5の径L1より直径40μmプラスした径で形成できる(図2(c)参照))。
このように、金属箔に予め回路形成を行うようにし、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを当該ブラインドバイアホール形成部(貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む)のみに形成するようにしたため、微細配線パターンを容易に形成することができ、更にブラインドバイアホールを形成する際の非貫通孔の穿孔を、上記回路形成の際に形成された金属箔ラウンドをマスクとするレーザ加工によって形成するようにしたため、ブラインドバイアホールと金属箔ラウンドとが位置ズレなく形成でき、その結果、ブラインドバイアホールの周囲に形成されるラウンド(具体的には金属箔ラウンド)の径を従来に比して小さくできるため、高密度配線化を図ることができる。
また、本実施の形態においては、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを、当該ブラインドバイアホール形成部(貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む)のみに形成する例を用いて説明したが、当該めっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成することが、当該ブラインドバイアホール形成部(貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む)に安定してめっきを析出させる上で好ましい。
次に、本発明の第二の実施の形態を、図3を用いて説明する。尚、最終的に得られるプリント配線板P(図3(h)参照)の構成については、めっきラウンド8aと金属箔ラウンド2aとが重なった部分にバリア金属層6が残存している以外は、図1(e)で得られたプリント配線板Pと同じ構成となるため説明を省略し、製造工程のみ説明することとする。また、図3の製造工程は、上記図1で示した例と同様に、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、図3(a)及び図3(b)が上記図1(a)及び図1(b)と同様の工程であるため説明を省略し、図3(c)以降について説明する。
図3(b)の上層配線パターン4(金属箔ラウンド2aも含む)の形成後、当該上層配線パターン4(金属箔ラウンド2aも含む)を含んだ外層全面に、後のブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層6を形成する(図3(c)参照)。
当該バリア金属層6としては、後のブラインドバイアホール部の回路形成の際に、上層配線パターン4がエッチングされなければいずれの金属でも良く、例えば、無電解めっき処理による、Ni、Sn、Ag等が挙げられる。
また、当該バリア金属層6としては、剥離性を留意して選択することが製造工程上好ましい。例えば、Niを例にとると、NiやNi−Bめっきでは剥離が容易であるが、Ni−Pめっきでは、リン濃度が高いと剥離が困難になるため、3%以下の低リンのものが好ましいといった具合である。
次に、図3(d)に示したように、金属箔ラウンド2aをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部5の径より大きく、金属箔ラウンド2aの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン3に達する非貫通孔7を穿孔する。
次に、当該非貫通孔7のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔7を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき(例えば無電解銅めっき)を形成し、次いで、当該無電解めっきを給電層として電解めっき(例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき)処理を行うことによって、当該非貫通孔7にめっき8を充填するとともに、外層にもめっき8を析出させる(図3(e)参照)。
次に、図3(f)に示したように、ブラインドバイアホール10とそのラウンド部(後のめっきラウンド8a)の形成予定部にエッチングレジストパターン11を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターン11から露出しているめっき8(図示しない無電解めっきも含む)を除去する(図3(g)参照)。
そして最後に、エッチングレジストパターン11を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層6をエッチング除去することによって、図3(h)のプリント配線板Pを得る。
本実施の形態においても、上記第一の実施の形態と同じ効果が得られるが、バリア金属層を利用したブラインドバイアホール形成(非貫通孔を含んだ外層全面に電解めっきを析出させる)としたため、上記第一の実施の形態のようにブラインドバイアホール形成部(貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む)のみに電解めっきを析出させる場合と比較して、容易に非貫通孔内にめっきを析出させることができる。
続いて、本発明の第三の実施の形態を、図4を用いて説明する。尚、本実施の形態においても(a)、(b)の工程までは第一、第二の実施の形態と同じなので説明を省略する。
図4(b)の上層配線パターン4(金属箔ラウンド2aも含む)の形成後、当該上層配線パターン4(金属箔ラウンド2aも含む)の表側面に、後のブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層6を形成する(図4(c)参照)。
次に、図4(d)に示したように、金属箔ラウンド2aをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部5の径より大きく、金属箔ラウンド2aの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン3に達する非貫通孔7を穿孔する。
次に、当該非貫通孔7内のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔7を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき(例えば無電解銅めっき)を形成し、次いで、当該無電解めっきを給電層として電解めっき(例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき)処理を行うことによって、当該非貫通孔7にめっき8を充填するとともに、外層にもめっき8を析出させる(図4(e)参照)。
次に、図4(f)に示したように、ブラインドバイアホール10とそのラウンド部(後のめっきラウンド8a)の形成予定部にエッチングレジストパターン11を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターン11から露出しているめっき8(図示しない無電解めっきも含む)を除去する(図4(g)参照)。
そして最後に、エッチングレジストパターン11を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層6をエッチング除去することによって、図4(h)のプリント配線板Pを得る。
本実施の形態は、上記第二の実施の形態で外層全面に設けていたバリア金属層を、配線パターンの表側面のみに設けたもので、それ以外は第二の実施の形態と同じである。ただし、本構成においては、上層配線パターンの非形成部に絶縁層が露出している状態で非貫通孔のデスミア処理を行うため、絶縁層として、デスミア処理の際に溶解しにくい材料を選定する必要がある。
続いて、第四の実施の形態を、図5を用いて説明する。尚、本実施の形態においても、(a)、(b)の工程までは上記実施の形態と同じであるため省略する。
図5(b)の上層配線パターン4(金属箔ラウンド2aも含む)の形成後、当該上層配線パターン4(金属箔ラウンド2aも含む)を含んだ外層全面に無電解めっき(例えば、無電解銅めっき)を析出させ、次いで、金属箔ラウンド2aをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部5の径より大きく、金属箔ラウンド2aの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン3に達する非貫通孔7を穿孔する(図5(c)参照)。
次に、非貫通孔7のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔7を含んだ外層全面に図示しない無電解めっき(例えば無電解銅めっき)を析出させ、次いで、当該無電解めっきを給電層とする電解めっき処理を行うことによって、非貫通孔7を含んだ外層全面にバリア金属層6(例えば電解ニッケルめっき)を析出させる(図5(d)参照)。
次に、当該バリア金属層6を給電層として電解めっき(例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき)処理を行うことによって、当該非貫通孔7にめっき8を充填するとともに、外層にもめっき8を析出させる(図5(e)参照)。
次に、図5(f)に示したように、ブラインドバイアホール10とそのラウンド部(後のめっきラウンド8a)の形成予定部にエッチングレジストパターン11を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターン11から露出しているめっき8を除去する(図5(g)参照)。
そして最後に、エッチングレジストパターン11を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層6、及びその下に形成されている無電解めっき(例えば無電解銅めっき)を除去することによって、図5(h)のプリント配線板Pを得る(バリア金属層6の下に形成されている無電解めっきは、バリア金属層6の剥離液(例えばニッケル剥離液等)を用いたエッチング処理にて、同時に除去することができる)。
本発明を説明するに当たって、コア基板上にビルドアップ層を形成する例を用いて説明したが、構成としてはこの限りでなく、両面配線板においても本発明を利用することができる。
また、形成するブラインドバイアホールとして、非貫通孔内にめっきを充填するフィルドビアを用いて説明したが、非貫通孔の内壁にめっきを析出させる通常のブラインドバイアホールにおいても同様の効果を得られることはいうまでもない。
本発明の一実施例を、図5に倣って説明する。尚、配線幅/配線間隙=30μm/30μmの設計仕様でプリント配線板を作製した。
下層配線パターンが形成されたコア基板上に、厚さ60μmの絶縁層と厚さ12μmの銅箔からなる樹脂付き銅箔を積層し(図5(a)に相当)、エッチングレジスト用のドライフィルム(旭化成社製:SPG102)をラミネートした。
次に、一般的な露光・現像(1%の炭酸ナトリウム水溶液)、及びエッチング(エッチャント:塩化第二鉄使用)処理を行うことによって、上層配線パターン(配線幅30μm/配線間隙30μm)、金属箔(銅箔)ラウンド(φ150μm)、ウインドウ部(φ70μm)をそれぞれ形成した(図5(b)に相当)。
次に、後のデスミア処理の際に、当該デスミア処理液の浴劣化を抑制するために、外層全面に無電解銅めっき(0.5μm)を析出させ、次いで、金属箔ラウンドをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部の径(φ70μm)より大きく、金属箔(銅箔)ラウンドの径(φ150μm)よりも小さい径(φ110μm→レーザ加工位置精度である基準点から直径40μmの範囲でズレが発生しても、金属箔ラウンドからはみ出さない大きさ)の炭酸ガスレーザを照射することによって、下層配線パターンに達する非貫通孔を穿孔した(図5(c)に相当)。
次に、過マンガン酸系のデスミア処理液にて非貫通孔のデスミア処理を行い、無電解銅めっきの前処理としてソフトエッチング処理(当該処理にて、上層配線パターン形成後に析出させた無電解銅めっきは除去される)を行った後、当該非貫通孔を含んだ外層全面に図示しない無電解銅めっき(0.5μm)を析出させ、次いで、当該無電解銅めっきを給電層とする電解ニッケルめっき処理を行うことによって、非貫通孔を含んだ外層全面にバリア金属層(1.5μm)を析出させた(図5(d)に相当)。
次に、当該バリア金属層を給電層として電解銅めっき(めっき液として、フィルドビア用のめっき液を用いた)処理を行うことによって、当該非貫通孔内に銅めっきを充填するとともに、外層にも銅めっき(20μm)を析出させた(図5(e)に相当)。
次に、図5(f)に示したように、一般的な露光・現像工程にてブラインドバイアホールとめっきラウンドの形成予定部に、φ110μmのエッチングレジストパターンを形成し、次いで、銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリエッチング液でエッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターンから露出しているめっきを除去した(図5(g)に相当)。
そして最後に、水酸化ナトリウム水溶液(3%)にて、エッチングレジストパターンを剥離した後、バリア金属層(ニッケル)の剥離液(硝酸系のニッケル剥離液)を用いたエッチング処理を行い、表面に露出しているバリア金属層、及びその下に形成されている無電銅解めっき(例えば無電解銅めっき)を除去することによって、プリント配線板を得た(図5(h)に相当)。
本実施例によって得られたプリント配線板を確認した結果、めっきラウンドが、金属箔ラウンドからはみ出したり、非貫通孔を露出させたりするような位置ズレは確認されなかった。
比較例
比較例
従来技術である図6の製造工程に倣って、プリント配線板を作製した。尚、レーザ加工及び露光条件、並びに形成するラウンドの径等も同じ条件で製造した。
その結果、めっきラウンドが金属箔ラウンドの外径から20μm程度はみ出し、隣接する配線パターンとの間隙が10μm程度と非常に近接して絶縁不良となっている箇所や(配線幅/配線間隙=30μm/30μmの設計仕様で作製しているため、同じエッチング加工によって形成される金属箔ラウンドと隣接する配線パターンの間隙は30μmとなるので、当該金属箔ラウンドから20μm程度はみ出しためっきラウンドと配線パターンとの間隙が約10μmとなる)、非貫通孔が露出して(エッチングレジストパターンの位置ズレによる)、ブラインドバイアホール内のめっきが一部欠けている箇所が確認された。
1:絶縁層
2:金属箔
2a:金属箔ラウンド
3:下層配線パターン
4:上層配線パターン
5:ウインドウ部
6:バリア金属層
7:非貫通孔
8:めっき
8a:めっきラウンド
9:めっきレジストパターン
9a:開口部
10:ブラインドバイアホール
11:エッチングレジストパターン
P、Pa、:プリント配線板
L1:ウインドウ部及び非貫通孔の径
L2:めっきラウンドの径
L2a:めっきレジストパターンの開口部の径
L3:金属箔ラウンドの径
2:金属箔
2a:金属箔ラウンド
3:下層配線パターン
4:上層配線パターン
5:ウインドウ部
6:バリア金属層
7:非貫通孔
8:めっき
8a:めっきラウンド
9:めっきレジストパターン
9a:開口部
10:ブラインドバイアホール
11:エッチングレジストパターン
P、Pa、:プリント配線板
L1:ウインドウ部及び非貫通孔の径
L2:めっきラウンドの径
L2a:めっきレジストパターンの開口部の径
L3:金属箔ラウンドの径
Claims (8)
- 配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成されていることを特徴とするプリント配線板。
- 当該ブラインドバイアホールを形成するための非貫通孔が、当該上層側の配線パターン形成の際に設けられたウインドウ部を有するラウンドをマスクとしたレーザ加工により形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。
- 当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、当該ブラインドバイアホール及びその他のバイアホールを形成する際に穿孔された孔内とその孔周縁に設けられたラウンド上にのみ形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプリント配線板。
- 当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプリント配線板。
- 配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法。
- 配線パターンの形成後に、少なくとも当該配線パターンの非形成部に無電解めっきを析出させる工程を有することを特徴とする請求項5に記載のプリント配線板の製造方法。
- ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも析出させることを特徴とする請求項5又は6に記載のプリント配線板の製造方法。
- 配線パターン形成後に、少なくとも当該配線パターンの表側面に、当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層を形成することを特徴とする請求項5に記載のプリント配線板の製造方法。
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