JP2006131788A - 低複屈折性芳香族ポリカーボネート共重合体、及びそれより形成された光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

【課題】固有複屈折が極めて小さく、低光弾性係数、高剛性を有する特定のポリカーボネート共重合体を提供する。
【解決手段】６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、７，７’−ジメチル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、または７，７’−ジフェニル−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンなど特定のニ価フェノールに由来する繰り返し単位（Ａ１）と、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカンなど特定のニ価フェノールに由来する繰り返し単位（Ｂ１）で実質的に構成され、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ１）と単位（Ｂ１）の割合がモル比で（Ａ１）：（Ｂ１）＝７０：３０〜９５：５である芳香族ポリカーボネート共重合体。
【選択図】なし

Description

本発明は、配向複屈折が極めて低く、低光弾性係数、高剛性を併せ持つ芳香族ポリカーボネート共重合体、及びそれより形成された光ディスク基板及び光ディスクに関する。さらに詳しくは、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）やＭＯ（光磁気ディスク）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋ）、ＨＤ−ＤＶＤ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）などの光ディスク分野において高速回転時の面振れが小さく、さらには複屈折の低い光ディスク基板及び光ディスクに関する。特に本発明は、記録容量の極めて大きな高密度光ディスク用の基板に関する。

光ディスクの記録密度は、ＣＤの０．６ＧＢからＤＶＤの４．７ＧＢと向上の一途を辿っている。例えば、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭをはじめ、記録再生可能なＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭにおいても４．７ＧＢの容量が実現されてきた。また、最近ではデジタルハイビジョン放送に対応した大容量記録媒体であるＢＤ、ＨＤ−ＤＶＤが１５〜２５ＧＢを実現している。しかしながら、情報技術の進展に伴い、光ディスク分野の市場発展は目覚しく発展しているため、今後はより膨大な情報を記録できる高密度光ディスクの登場が期待されている。例えば、デジタル放送などのハイビジョン映像を長時間録画できる１００ＧＢｉｔ／ｉｎｃｈ²以上の記録密度を有する光ディスクが要望されている。

従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡという）にカーボネート前駆物質を反応させて得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニアリングプラスチックとして多くの分野に広く使用されてきた。さらに近年その透明性を生かして光ディスク、光ファイバー、レンズ等の分野への光学用材料としての利用が展開されており、特に光ディスクの分野で情報記録媒体用基板の素材として広く使用されている。

しかしながら、記録情報の大容量化に伴い、光ディスクを記録再生する際の光ディスクの回転速度は高速化する傾向にあり、ディスク基板自体の剛性すなわち曲げ弾性率が低いと高速回転時の光ディスクの面振れが大きくなり、高密度の情報記録媒体にとっては大きな問題になってくる。

また、高密度の情報記録媒体において、微細化した溝にレーザーを集光させて信号を読取る場合は、斜め入射光成分の影響が強くなるため、光ディスク基板が光学的に均質であることも重要となる。通常、光ディスク基板にレーザー光線を通過させると射出成形過程で生じた分子配向や残留応力などが原因となり複屈折を生じる。この複屈折が高いことは、基板にレーザー光を通過させて信号を読み取るタイプの光ディスクにとって致命的な欠陥ともいえる。

そこで、上記課題に関する改善策として様々な手法が検討されている。まず、光ディスクの高速回転時の面振れ防止策として、曲げまたは引張り弾性率が高い剛性のある材料を使用する事が有効である事が知られている。この為、ポリカーボネート樹脂の剛性を改良する事を目的として、ガラス繊維や充填材などの添加物を配合する手法が試みられている。しかし、上記添加物は、ポリカーボネート樹脂の剛性を向上させるが、射出成形時の流動性を低下させる傾向にあるため、転写精度が低下するという問題があった。さらに、成形品表面に浮き出ることが多く、基板の外観不良の原因になるという問題もあった。

複屈折低減の要求に対しては、樹脂自身の光弾性定数を低減させ得る特定構造のビスフェノールをカーボネート結合して得られる光学式ディスク基板用芳香族ポリカーボネート共重合体が一般式の表現形式で広範囲に開示されている。（例えば特許文献１〜３参照）

また、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン構成単位を特定割合導入したポリカーボネート共重合体についても提案されているが、ガラス転移温度が２００℃を超える組成領域であり、光学記録媒体用の基板やレンズなどの射出成形材料としては使用することが困難である。（例えば特許文献４参照）

その他に例えば、ビス（ヒドロキシフェニル）フルオレン化合物から得られるポリカーボネート共重合体を基材とした光ディスクが開示され、このものはビスフェノールＡより得られるポリカーボネート樹脂より複屈折が小さくなることが具体的に示されている。（例えば特許文献５参照）

また、ビス（ヒドロキシフェニル）フルオレン化合物から得られるポリカーボネート共重合体は光ディスクとして優れたものであることが示されている。（例えば特許文献６，７参照）

しかしながら、いずれも具体的に示されている共重合体は、記録密度の高い光ディスク基板用材料として良好な特性を有するものの、近年のより高密度の記録容量を要する光ディスク基板用材料としては、必ずしも十分とはいえず、剛性が高く、光弾性定数の小さい光ディスク基板用材料が求められている。

特開平２−９９５２１号公報 特開平２−１２８３３６号公報 特開平２−２０８８４０号公報 特開平６−３１３０３５号公報 特開平２−３０４７４１号公報 特開平８−３４８４５号公報 特開平８−３４８４６号公報

本発明の目的は、配向複屈折が極めて低く、低光弾性係数、高剛性を有する特定のポリカーボネート共重合体により形成される複屈折および高速回転時の面振れの小さい光ディスク基板を提供する事にある。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、特定構造の二価フェノールを共重合させることによって配向複屈折が極めて低く、剛性がより高く、光弾性定数がより低いこと、及び該樹脂を光学用成形材料として用いることによって、高速回転時の面振れが小さく、且つ複屈折の低い光ディスク基板が得られることを見出した。本発明は、この知見に基づいて完成したものである。

以下、本発明を詳細に説明する。上記課題を解決する為に、本発明では、下記式［１］

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_２は夫々水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはハロゲン原子である。）
で表される二価フェノール（Ａ）に由来する繰り返し単位（Ａ１）と、
下記式［２］

（式中、複数のＲ_３は各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数１〜６のアルコキシ基を表す。また、Ｒ_４、Ｒ_５は各々水素原子または炭素原子数１〜９のアルキル基を表す。ただし、Ｒ_４、Ｒ_５の炭素原子数の合計は９〜１０である。）
で表される二価フェノール（Ｂ）に由来する繰り返し単位（Ｂ１）より実質的に構成され、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ１）と単位（Ｂ１）の割合がモル比で（Ａ１）：（Ｂ１）＝７０：３０〜９５：５である低複屈折性芳香族ポリカーボネート共重合体、及び該樹脂からなる光ディスク基板が提供される。

光ディスク基板はポリカーボネート樹脂を射出成形することによって作製される際に、樹脂が配向を受けるような加工に供されたとき、無視できない程大きな複屈折（配向複屈折）が発生する。つまり、光ディスク成形時の複屈折は、応力に起因する複屈折のみならず配向に起因する複屈折においても低複屈折性が要求される。従って、従来のように応力に起因する複屈折を低減させるために、光弾性係数の低い材料を用いて成形を行った場合十分な複屈折低減効果は得られなかった。

本発明者らが複屈折について詳細に検討したところ、配向に起因する複屈折を低くするため、固有複屈折値の正負符号の異なる２つ以上の二価フェノールを共重合させることにより配向に起因する複屈折を低減させることが可能であることが判明した。つまり、上記式[１]で表されるスピロ環含有二価フェノールと固有複屈折値の正負符号が異なる二価フェノールとして、上記式[２]で表されるようにビスフェノールＡ骨格のアルキリデン部位を変性させた二価フェノールを使用することにより、従来のビスフェノールＡポリカーボネート樹脂よりも固有複屈折値の絶対値を低くすることが可能であり、またスピロ環含有二価フェノールの含有量を低減させることで成形性が向上することが判明した。更に、スピロ環含有二価フェノールを共重合相手とすることにより、低光弾性係数、高剛性を同時に発現できることも判明した。以上の知見から、下記式［１］

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_２は夫々水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはハロゲン原子である。）
で表される二価フェノール（Ａ）に由来する繰り返し単位（Ａ１）と、下記式［２］

（式中、複数のＲ_３は各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数１〜６のアルコキシ基を表す。また、Ｒ_４、Ｒ_５は各々水素原子または炭素原子数１〜９のアルキル基を表す。ただし、Ｒ_４、Ｒ_５の炭素原子数の合計は９〜１０である。）
で表される二価フェノール（Ｂ）に由来する繰り返し単位（Ｂ１）より実質的に構成され、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ１）と単位（Ｂ１）の割合がモル比で（Ａ１）：（Ｂ１）＝７０：３０〜９５：５である芳香族ポリカーボネート共重合体が上記課題を満足する光ディスク基板を高効率で得られる材料であることが判明した。

（Ａ）成分としては、Ｒ_１及びＲ_２が同一もしくは異なり、水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基またはフェニル基である化合物が好ましく、例えば６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、７，７’−ジメチル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、７，７’−ジフェニル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン等が挙げられ、（Ｂ）成分としてはＲ_３が水素原子である化合物が好ましく、例えば１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）デカン、１，１−ビス（２，３−ジメチルー４−ヒドロキシフェニル）デカン等が挙げられる。その中でも特に（Ａ）成分が６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンであり、（Ｂ）成分が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカンであることが好ましい。

また、単位（Ａ１）と単位（Ｂ１）の割合（（Ａ１）：（Ｂ１））は７５：２５〜９０：１０がより好ましく、８０：２０〜９０：１０が最も好ましい。

また、それらを成形材料に用いることにより複屈折の極めて低い高密度光ディスク基板が得られる。単位（Ａ１）が７０モル％以下の場合、成形性は向上するが、固有複屈折値及び光弾性係数は高くなり、剛性は低下するため、高密度の情報記録媒体に使用するには不十分である。単位（Ａ１）が９５モル％以上の場合、光弾性係数は低くなるが固有複屈折値の絶対値が大きくため、高密度の情報記録媒体に使用するには不十分である。

さらに本発明によれば、（Ａ）成分において６，６’-ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンを用いた場合、（Ａ１）：（Ｂ１）＝８０：２０〜９０：１０であるポリカーボネート共重合体を用いた場合により複屈折が低い樹脂が得られ、（Ａ）成分において７，７’−ジメチル−６，６’-ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンを用いた場合、（Ａ１）：（Ｂ１）＝７８：２２〜８８：１２であるポリカーボネート共重合体を用いた場合により複屈折が低い樹脂が得られ、（Ａ）成分において７，７’−ジフェニル−６，６’-ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンを用いた場合、（Ａ１）：（Ｂ１）＝７０：３０〜８０：２０であるポリカーボネート共重合体を用いた場合により複屈折が低い樹脂が得られることが判明した。

また、光ディスクは、その使用環境下（光ディスク駆動装置内、放置環境下）において、変形しないことが必要となる。その意味から、本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体のガラス転移温度は１１０℃以上であることが望ましく、１２５℃以上であることがより好ましい。ガラス転移温度が１１０℃未満であると、過酷な使用環境下、例えば自動車内に長時間放置されていた場合において、基板が熱変形を起こしやすくなり、フォーカスエラーやトラッキングエラーなどを起こしやすくなるので好ましくない。本発明におけるガラス転移温度とは、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）を使用し、速度２０℃／ｍｉｎの昇温過程で測定し得られるものである。

また、本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体の粘度平均分子量は、１０，０００〜３０，０００の範囲内に制御される事が好ましく、１２，０００〜２０，０００の範囲内にある事がより好ましい。かかる粘度平均分子量を有するポリカーボネート樹脂光学用成形材料は、光学用材料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。過剰に低い分子量では、成形後の基板としての強度に問題が生じ、また逆に過剰に高いと成形時の溶融流動性が悪く、基板に好ましくない光学歪みが増大する。なお、本発明における粘度平均分子量とは、測定に供する樹脂（０．７ｇ）を塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃における比粘度（η_ｓｐ）を次式に挿入して求めたものである。
η_ｓｐ／ｃ＝[η]＋０．４５×[η]^２ｃ （但し、[η]は極限粘度）
[η]＝１．２３×１０^−４ Ｍ^０．８３
ｃ＝０．７

また、本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体は、４５×１０^−１２ｍ^２／Ｎ（４５×１０^−１３ｃｍ^２／ｄｙｎｅ）以下、より好ましくは４０×１０^−１２ｍ^２／Ｎ（４３×１０^−１３ｃｍ^２／ｄｙｎｅ）の光弾性係数を示すことが好ましい。かかる範囲内の光弾性係数の値を有すると応力に起因する複屈折が小さくなり、殊に高密度の光ディスクにおいて有利に利用される。

また、本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体は後述する方法で測定した複屈折率（複屈折率＝位相差／フィルムの厚み）の絶対値が４×１０^−３未満であることが特に好ましい。かかる範囲内の複屈折率の値を有すると配向に起因する複屈折が小さくなり、殊に高密度の光ディスクにおいて有利に利用される。

さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体はＡＳＴＭ Ｄ−０７９０に従って測定した曲げ弾性率が２，８００ＭＰａ〜４，０００ＭＰａであり、より好ましくは２，９００ＭＰａ〜３，９００ＭＰａである。曲げ弾性率が２，８００ＭＰａより小さいと、成形された光ディスクが高速回転する際に起こる面振れが大きくなり、高密度の記録容量を有する光ディスク基板として好ましくない。また、曲げ弾性率が４，０００ＭＰａより大きいと、成形された光ディスクが脆くなり、成形が困難である。

本発明のポリカーボネート樹脂光学用成形材料は、グルーブもしくはピットの光学的深さが、記録再生に使用されるレーザ光の波長λと基板の屈折率ｎに対してλ／８ｎ〜λ／２ｎ、好ましくはλ／６ｎ〜λ／２ｎ、さらに好ましくはλ／４ｎ〜λ／２ｎの範囲にある光ディスク基板を得ることができる。かくして記録密度が１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上である高密度光学ディスク記録媒体の基材を容易に提供することができる。

上記芳香族ポリカーボネート共重合体は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分をカーボネート前駆体と溶液重合法または溶融重合法によって反応させることよって製造することができる。

また本発明によれば、二価フェノールとして他の二価フェノールから誘導されるカーボネート結合繰り返し単位を、本発明の目的および特性を損なわない限り、１０モル％以下の割合、好ましくは５モル％以下の割合で共重合させてもよい。かかる他のニ価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチル）フェニル｝メタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノール−Ａ）、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（３,５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３−ジメチルブタン、２,４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１,１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−オルト−ジイソプロピルベンゼン、１,１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−メタ−ジイソプロピルベンゼン、１,１’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−パラ−ジイソプロピルベンゼン、９，９―ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）フルオレン、１,３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５,７−ジメチルアダマンタン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４,４’−ジヒドロキシジフェニルエステル、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン等が挙げられる、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。

カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が挙げられ、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたはニ価フェノールのジハロホルメート等が挙げられるが、ホスゲンまたはジフェニルカーボネートが好ましい。上記ニ価フェノールとカーボネート前駆体を界面重合法または溶融重合法によって反応させてポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、ニ価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。

界面重合法による反応は、通常ニ価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。

また、かかる重合反応において、通常末端停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができる。単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。かかる単官能フェノール類としては、一般にはフェノールまたは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式［３］

（式中、Ａは水素原子または炭素原子数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはフェニル置換アルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。）
で表される単官能フェノール類を示すことができる。

上記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、フェニルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。

また、他の単官能フェノール類としては、長鎖のアルキル基あるいは脂肪族エステル基を置換基として有するフェノール類または安息香酸クロライド類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を使用することができ、これらを用いてポリカーボネート重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでなく、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効果があり、また、基板の複屈折が低減される効果もあり好ましく使用される。

これらの末端停止剤は、得られたポリカーボネート樹脂の全末端に対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。

溶融重合法による反応は、通常ニ価フェノールとカーボネートエステルとのエステル交換反応が代表的であり、不活性ガスの存在下にニ価フェノールとカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコールまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応後期には系を１０〜０.１Ｔｏｒｒ（１,３００Ｐａ〜１３Ｐａ）程度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度である。

カーボネートエステルとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１０のアリール基、アラルキル基あるいは炭素原子数１〜４のアルキル基などのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。

また、重合速度を速めるために重合触媒を用いることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上組み合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料のニ価フェノール１モルに対し、好ましくは１×１０^−８〜１×１０^−３当量、より好ましくは１×１０^−７〜５×１０^−４当量の範囲で選ばれる。

また、かかる重合反応において、フェノール性の末端基を減少するために、重縮反応の後期あるいは終了後に例えば２−クロロフェニルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートおよび２−エトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートを加えることが好ましく、特に２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好ましく使用される。

本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体は、その使用目的が光ディスク基板の製造であることを考えると、従来公知の常法（溶液重合法、溶融重合法など）により製造した後、溶液状態において濾過処理を行い未反応成分等の不純物や異物を除去することが好ましい。さらに、射出成形（射出圧縮成形を含む）に供するためのペレット状ポリカーボネート樹脂を得る押出工程（ペレット化工程）においても、溶融状態の時に、焼結金属フィルターを通すなどして異物を除去することが望ましい。該フィルターとしては濾過精度１０μｍのものが好ましく使用される。いずれにしても射出成形（射出圧縮成形を含む）前の原料樹脂は異物、不純物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である。

本発明において、前記芳香族ポリカーボネート共重合体に必要に応じて、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物を配合することができる。かかるリン化合物の配合量は、該芳香族ポリカーボネート共重合体に対して０.０００１〜０.０５重量％が好ましく、０.０００５〜０.０２重量％がより好ましく、０.００１〜０.０１重量％が特に好ましい。このリン化合物を配合することにより、かかる芳香族ポリカーボネート共重合体の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。

かかるリン化合物としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択される少なくとも１種のリン化合物であり、好ましくは下記一般式

［式中、Ｒ^５〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなどの炭素原子数６〜１５のアリール基またはベンジル、フェネチルなどの炭素原子数７〜１８のアラルキル基を表し、また１つの化合物中に２つのアルキル基が存在する場合は、その２つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよい。］
よりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物である。

上記（１）式で示されるリン化合物としては、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。

上記（２）式で示されるリン化合物としては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェートなどが挙げられ、上記（３）式で示されるリン化合物としては、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトなどが挙げられ、また上記（４）式で示される化合物としては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げられる。

これらのリン化合物のなかで、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトが好ましく使用される。

さらに本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。

かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素原子数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルであるのが好ましい。また、かかる一価または多価アルコールと飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとしては、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレート、プロピレングリコールモノステアレート、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレートなどが挙げられ、なかでもステアリン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールテトラステアレートが好ましく用いられる。かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート共重合体に対して０.０１〜２重量％が好ましく、０.０１５〜０.５重量％がより好ましく、０.０２〜０.２重量％がさらに好ましい。配合量がこの範囲内であれば離型性に優れ、また離型剤がマイグレートし金属表面に付着することもなく好ましい。

発明の芳香族ポリカーボネート樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）ウンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０.０００１〜０.０５重量％である。

上記ポリカーボネート樹脂より成形された光ディスク基板は高速回転時の面振れが小さく、且つ複屈折が低くなる。この基板の複屈折は５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましい。また、入射角３０度で測定した斜め入射複屈折位相差は３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。

上記ポリカーボネート樹脂より光ディスク基板を製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐蝕性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。

射出成形の条件としてはシリンダー温度３００〜４５０℃、金型温度５０〜１８０℃が好ましく、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。

成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。

このように成形された光ディスク基板は、コンパクトディスク（ＣＤ）、や光磁気ディスク（ＭＯ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）など現行の光ディスクはもちろん、ディスク基板上に被せた厚さ０．１ｍｍの透明なカバー層を介して記録再生を行うＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（ＢＤ）やＤＶＤと同じ０．６ｍｍ基板を張り合わせたＨＤ−ＤＶＤに代表される高密度光ディスク用基板としても好適に使用される。
光ディスク基板は以下の方法で作成される。

例えば、ＤＶＤ、ＨＤ−ＤＶＤの場合、０．６ｍｍ厚の基板上に記録膜、記録膜保護膜よりなる記録層及び光反射層を形成された基板を２枚貼り合わせる事により作成される。また、Ｂｌｕ―ｒａｙ Ｄｉｓｃの場合は１．１ｍｍ厚の基板上に光反射層、記録膜、記録膜保護膜よりなる記録層及び透明保護層を形成する事により作成される。なお、これらの層は複数形成されてもよい。

記録膜は追記型光ディスクの場合、透明基板上に、レーザ光の照射によって不可逆的な光学特性が変化したり凹凸形状が形成される記録膜であり、例えばレーザー光の照射による加熱で分解して、その光学定数が変化すると共に、体積変化によって基板の変形を生じさせるシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系の有機色素等が用いられる。

書き換え可能型光ディスクの場合、記録膜はレーザ光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶状態の間の可逆的な相構造変化が起こる材料（相変化記録型）、もしくは膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより情報の記録、再生、消去が可能な磁気光学効果を有する磁性薄膜（光磁気記録型）である。相変化記録型の記録膜としては、例えば、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＦｅＴｅ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系等が用いられているが、ＧｅＳｂＴｅ系よりなる膜は繰り返し記録・消去時における安定動作が良好で好ましい。光磁気記録型の記録膜としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、ＣｅＦｅ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質合金薄膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ等の人工格子多層膜、ＣｏＰｔ系合金等を用いることができる。

また本発明においては、記録膜を狭持する記録膜保護膜としては誘電体材料を用いることが好ましい。これにより、媒体としての結晶相と非晶質相の反射率差、および磁気光学効果を高めることができる。さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材料、すなわちｎ≧１．６である材料、さらに好ましくはｎ≧１．８である材料であることが好ましい。例えば、ＳｉＯ系、ＳｉＯＮ系、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＧｅＯ_２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｅＯ_２ＷＯ_２、ＷＯ_３、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２等の酸化物、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ系、ＡｌＳｉＮ系等の窒化物、ＺｎＳ、Ｓｂ_２Ｓ_３、ＣｄＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、Ｇａ_２Ｓ_３、ＧｅＳ、ＳｎＳ_２、ＰｂＳ、Ｂｉ_２Ｓ_３等の硫化物、またはこれらの混合材料やこれらの積層体などを保護膜として用いることが好ましい。

光反射層としては、評価に用いるドライブヘッドのレーザ光に対し、記録層よりも反射率の高い材料であることが特性向上のために好ましい。具体的には、使用レーザ光波長における光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋが、ｎ≦３．５、かつｋ≧３．５であるような材料を選択することが好ましい。さらに好ましくはｎ≦２．５かつ４．５≦ｋ≦８．５であり、この条件で作製した媒体では、再生信号特性のより一層の向上が実現できる。

一方レーザ光による加熱で信号を記録する際、光反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用されているパワーが１５ｍＷ以下の半導体レーザで信号の記録を可能とするためには、光反射層に用いる材料の熱伝導率は１００[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることが好ましく、さらには８０[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることがより好ましい。

このような条件を満足する材料として、ＡｌもしくはＡｇにＡｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の１種類以上の元素を添加した合金が挙げられる。なお、これら合金において添加元素の添加量が、０．５原子％より少ないと前述の熱伝導低下の効果は小さく、逆に２０原子％より多いと前述の光反射率の低下が大きく再生信号特性の面で不利である。従って添加元素の含有量は０．５〜２０原子％の範囲におさめることが好ましい。また、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記特定元素群の中ではＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｅが好ましい。これらの反射層の膜厚範囲は１０〜５００ｎｍであるが、反射率の低下による再生信号特性の低下を抑え、かつレーザパワーが１５ｍＷで記録可能とするためには、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。

なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。

本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体は、高剛性性を示し、固有複屈折値及び光弾性係数が小さいことから、複屈折、高速回転時の面振れ等に優れた光ディスク基板、殊に高密度光ディスク基板用の材料として好適に用いられ、その奏する工業的効果は格別である。

以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り、何らこれに限定されるものではない。実施例及び比較例において「部」は重量部である。なお評価は下記の方法に従った。

（１） 粘度平均分子量Ｍ
塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボネート樹脂パウダー０．７ｇを溶解し、その溶液の２０℃における比粘度（η_ｓｐ）を次式に挿入して求めた。
η_ｓｐ／ｃ＝[η]＋０．４５×[η]^２ｃ （但し、[η]は極限粘度）
[η]＝１．２３×１０^−４ Ｍ^０．８３
ｃ＝０．７

（２）ガラス転移温度
ポリカーボネート樹脂パウダーを用いてＴＡインスツルメント社製の熱分析システム ＤＳＣ−２９１０を使用して、窒素雰囲気下（窒素流量：４０ｍｌ／ｍｉｎ）、昇温速度：２０℃／ｍｉｎの条件下で測定した。

（３）光弾性係数
塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボネート樹脂５．０ｇを溶解させ、その溶液を平坦なガラス板上にキャストして一晩放置し、キャストフィルムを作成した。該フィルムを６０℃、２時間乾燥させた後、長さ５０ｍｍ、幅２０ｍｍ、平均厚み１５０μｍのフィルムを作製し、日本分光社製エリプソメータＭ−２２０にて測定を行った。

（４）複屈折率
ポリカーボネート樹脂パウダーを塩化メチレンに溶解させ、固形分濃度１５重量％の溶液を調製し、平坦なガラス板上にドープをキャストして平均厚み６０μｍ、幅方向の厚さバラツキが１．１μｍのフィルムを作製した。本フィルムの端部を切り落として幅１００ｍｍ、長さ１００ｍｍとし、塩化メチレン溶液を除去するため該フィルムを１２０℃、２時間乾燥させた。得られたフィルムを所定延伸温度（ガラス転移温度＋１０℃）にて長さ方向に延伸速度１５ｍｍ／ｍiｎで２．０倍一軸延伸を行い、幅７１ｍｍ、平均厚み４２μｍ、長さ２００ｍｍの延伸フィルムを得た。該フィルムを偏光板にて観察を行ったところ、均一に延伸されていることを確認した。その後、日本分光社製エリプソメータＭ−２２０にて位相差を測定した。得られた位相差から下記式により複屈折率を算出した。
Δｎ＝Ｒｅｔ／ｄ
Δｎ；複屈折率 Ｒｅｔ；位相差 ｄ；フィルム厚み

（５）曲げ弾性率
ポリカーボネート樹脂ペレットを１２０℃、５時間乾燥した後、射出成形機[住友重機（株）製ＳＧ−１５０]により、シリンダー温度３４０℃で射出成形した試験片を用い、ＡＳＴＭ−Ｄ０７９０に従って測定した。

（６）斜め入射複屈折位相差
オーク社製エリプソメータＡＤＲ−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で測定した。

[実施例１]
温度計、撹拌機および還流冷却器の付いた反応器に、４８％水酸化ナトリウム水溶液６９．１部およびイオン交換水３０１．６部を仕込み、これに６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン５４．８部、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン１０．２部およびハイドロサルファイト０．１３部を溶解した後、塩化メチレン２３１．５部を加え、撹拌下、１５〜２５℃でホスゲン２８．０部を約６０分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液８．６部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．３１部を加え、撹拌を再開、乳化後トリエチルアミン０．０７部を加え、さらに２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後、塩酸酸性にして水洗し、さらに水相の導電率がイオン交換水とほぼ同じになるまで水洗を繰り返し、ポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を得た。次いで、この溶液を目開き０．３μｍのフィルターに通過させ、さらに軸受け部に異物取出口を有する隔離室付きニーダー中の温水に滴下、塩化メチレンを留去しながらポリカーボネート樹脂をフレーク化し、引続き該含液フレークを粉砕・乾燥してパウダーを得た。その後、該パウダーにトリス（２，４−ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．００２５重量％、ステアリン酸モノグリセリドを０．０５重量％添加し、均一に混合した後、かかるパウダーをベント式二軸押出機[神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６]により脱気しながら溶融混錬し、ポリカーボネート樹脂のペレットを得た。該ペレットの粘度平均分子量、ガラス転移温度、光弾性定数、曲げ弾性率、複屈折率を表１に掲載した。該ペレットから、射出成形機（名機製作所製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭ）、キャビティ厚０．６ｍｍｔ、直径１２０ｍｍの金型、スタンパーを用い、シリンダー設定温度３８０℃、金型温度１７５℃、充填時間０．２秒、冷却時間１５秒、型締力３０トンの条件で光ディスク基板を成形した。この基板を用いて斜め入射複屈折位相差を測定し、表１に併記した。

［実施例２］
７，７’−ジメチル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン５６．３部、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン１３．６部とした以外は全て実施例１と同様にし、表１に記載の特性を有するポリカーボネート樹脂のペレットを得た。さらに、金型温度を１６８℃とした以外は実施例１と同様にして光ディスク基板の成形を行い、該基板を用いて斜め入射複屈折位相差を測定し、表１に併記した。

［実施例３］
７，７’−ジフェニル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン７２．２部、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン１７．１部とした以外は全て実施例１と同様にし、表１に記載の特性を有するポリカーボネート樹脂のペレットを得た。さらに、金型温度を１６０℃とした以外は実施例１と同様にして光ディスク基板の成形を行い、該基板を用いて斜め入射複屈折位相差を測定し、表１に併記した。

［比較例１］
６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン３８．７部、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン２７．３部とした以外は全て実施例１と同様にし、表１に記載の特性を有するポリカーボネート樹脂のペレットを得た。さらに、金型温度を１３７℃とした以外は実施例１と同様にして光ディスク基板の成形を行い、該基板を用いて斜め入射複屈折位相差を測定し、表１に併記した。

［比較例２］
６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン１２．９部、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン５４．６部とした以外は全て実施例１と同様にし、表１に記載の特性を有するポリカーボネート樹脂のペレットを得た。さらに、金型温度を５５℃とした以外は実施例１と同様にして光ディスク基板の成形を行い、該基板を用いて斜め入射複屈折位相差を測定し、表１に併記した。

［比較例３］
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンより得られたポリカーボネート樹脂（帝人化成製パンライトＡＤ−５５０３）を用い、金型温度を１２２℃とした以外は実施例１と同様にして光ディスク基板の成形を行い、該基板を用いて斜め入射複屈折位相差を測定し、表１に併記した。

Claims (9)

1. 下記式［１］
   

   

   （式中、Ｒ_１〜Ｒ_２は各々独立に水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、またはハロゲン原子である。）
   で表される二価フェノール（Ａ）に由来する繰り返し単位（Ａ１）と
   下記式［２］
   

   

   （式中、複数のＲ_３は各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数１〜６のアルコキシ基を表す。また、Ｒ_４、Ｒ_５は各々水素原子または炭素原子数１〜９のアルキル基を表す。ただし、Ｒ_４、Ｒ_５の炭素原子数の合計は９〜１０である。）
   で表される二価フェノール（Ｂ）に由来する繰り返し単位（Ｂ１）より実質的に構成され、全カーボネート繰り返し単位における単位（Ａ１）と単位（Ｂ１）の割合がモル比で（Ａ１）：（Ｂ１）＝７０：３０〜９５：５である低複屈折性芳香族ポリカーボネート共重合体。
2. 上記式[１]においてＲ_１及びＲ_２が同一もしくは異なり、水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基またはフェニル基である芳香族ポリカーボネート共重合体より形成された請求項１記載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
3. 上記式[１]で表される二価フェノールが６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、７，７’−ジメチル−６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、または７，７’−ジフェニル−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダンであり、上記式[２]で表される二価フェノール成分が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカンである請求項１〜または２記載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
4. ポリカーボネート樹脂は、２０℃の塩化メチレン溶液で測定された粘度平均分子量が１０，０００〜３０，０００の範囲内にある請求項１〜３のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
5. 請求項１〜４記載のいずれかのポリカーボネート共重合体よりなる光学用成形材料。
6. 請求項５記載の光学用成形材料を用いて成形された光ディスク基板。
7. 請求項５記載の光学用成形材料を用いて成形されたグルーブ列もしくはピット列の間隔が０．１μｍ〜０．８μｍである光ディスク基板。
8. 請求項５記載の光学用成形材料を用いて成形されたグルーブもしくはピットの光学的深さが、記録再生に使われるレーザー光の波長λと基板の屈折率ｎに対してλ／８ｎ〜λ／２ｎの範囲である光ディスク基板。
9. 請求項６〜８記載のいずれかの光ディスク基板を用いた光学記録媒体。