JP2002294061A - 光学用成形物用ポリカーボネート樹脂組成物、光記録媒体用基板および光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形時の離型性、転写性等の成形性に優れ、
光学的特性にも優れた、光学材料用途、特に光記録用デ
ィスク基板用途に好ましく用いることができるポリカー
ボネート組成物、このポリカーボネート組成物からなる
光記録用ディスク基板を提供する。 【解決手段】 特定範囲の末端ヒドロキシル濃度と特定
範囲の分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ）とを有する芳香族ポリ
カーボネート樹脂および特定の脂肪族カルボン酸と多価
脂肪族アルコールとのエステル化合物からなる芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、光学用成形物用
ポリカーボネート樹脂組成物、それを用いた光記録媒体
およびそのための基板に関するものである。さらに詳し
くは、成形時の色相保持などの熱安定性が良好で、かつ
離型性、転写性などの成形性にも優れた、新規な光学用
成形物用ポリカーボネート樹脂組成物並びにそれを用い
た光記録媒体およびそのための基板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】芳香族ポリカーボネートは、耐衝撃性な
どの機械的物性に優れ、しかも、耐熱性、透明性などに
も優れているため、光学用部品、各種機械部品、自動車
部品をはじめとする様々な用途に広く用いられている。

【０００３】また、芳香族ポリカーボネートは、その優
れた光学特性により、近年、光学用成形物としての需要
が著しく、例えば、光学用ディスク、情報ディスク、光
学レンズ、プリズムなどに広く用いられてきている。そ
して、それに伴い、熱安定性、離型性、転写性などの要
求がこれまで以上に高まってきている。

【０００４】光学用ディスク、情報ディスク、光学レン
ズなどは、主に射出成形によって製造されるため、成形
物が金型から離型する際に離型抵抗が大きいと反りを生
じ、光学歪みの原因となるため、離型剤の使用が必要不
可欠である。

【０００５】特に、コンパクトディスク（ＣＤ）、レー
ザーディスク（登録商標）（ＬＤ）などの光学記録用デ
ィスクの製造では、スタンパーの１μｍ以下の微細な凹
凸を正確に転写することを目的として３００℃以上の高
温で射出成形されるため、使用される樹脂には離型性に
加えて熱安定性も同様に要求される。

【０００６】従来、ポリカーボネート樹脂の離型剤とし
ては、パラフィン、シリコーンオイル、脂肪酸、脂肪酸
エステル、脂肪酸部分エステルなどが知られている。特
に、近年、光ディスク用ポリカーボネート樹脂の離型性
を改良するために脂肪酸エステル、特に多価アルコール
の部分エステルが用いられている。

【０００７】特公昭４７−４１０９２号公報には、炭素
数１２〜３０の脂肪族飽和１価カルボン酸と炭素数３０
以下の脂肪族飽和１価アルコールまたは多価アルコール
とのエステルまたは部分エステルをポリカーボネート樹
脂に０．０５〜５重量％添加した滑性ポリカーボネート
樹脂組成物が開示されている。

【０００８】特公平２−４８０８１号公報には、炭素数
１６〜２２の飽和１価脂肪酸のモノグリセリドを、粘度
平均分子量が約１２，０００〜約１９，０００のポリカ
ーボネート１００重量部当り０．０１〜０．２重量部含
有する、優れた型転写性および無傷の表面を持つ成形物
を与えるポリカーボネート樹脂組成物並びにそれからな
る光学用成形物が開示されている。

【０００９】特開平８−７３７２４号公報には、脂肪族
カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルを、２〜
４０モル％の末端ヒドロキシル濃度と２．０〜２．８の
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を持つ芳香族ポリカーボネー
ト樹脂１００重量部に、０．０１〜０．１重量部含有さ
せる、離型性、耐熱性および転写性に優れたポリカーボ
ネート樹脂組成物が開示されている。

【００１０】また、特公昭５５−４１４１号公報には、
ポリカーボネートの帯電防止性を改善すべく、脂肪族モ
ノグリセリドをポリカーボネート１００重量部当り０．
１〜５重量部含有させる、帯電防止性ポリカーボネート
組成物が開示されている。

【００１１】上記先行技術に開示された飽和脂肪族モノ
カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルはそれ自
身熱分解を起こしやすく、また、ポリマーと反応して熱
分解もしくはエステル交換反応などを引き起こしやす
い。それ故、ポリカーボネート樹脂中に従来の飽和モノ
カルボン酸と多価アルコールの部分エステルを添加する
と残留フェノール類が増加したり、また、特に高温での
溶融成形時に成形物の品質低下を生じやすく、場合によ
ってはシルバーストリークが起こるなどの不具合が生じ
るなどという問題を有する。

【００１２】また、他の離型剤、例えば多価アルコール
の完全エステルを用いる場合は、飽和脂肪族モノカルボ
ン酸と多価アルコールとの部分エステルの場合と同程度
の添加量であれば熱安定性に関する問題は生じないもの
の、十分な離型性を実現することができない。

【００１３】上記の理由により、溶融成形時の熱安定性
および離型性の双方に優れたポリカーボネート樹脂組成
物の出現が望まれている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本願発明の主たる目的
は、上述のような従来技術の問題点を解決し、十分な離
型性と熱安定性とを兼ね備えたポリカーボネート樹脂組
成物を提供することにある。

【００１５】本願発明の他の目的は、溶融成形時の色相
保持、例えば黄変防止などの熱安定性および離型性や転
写性などの成形性との両方に優れ、そのため特に光学用
ディスク基板、レンズなどの精密な光学用成形物を製造
するのに適したポリカーボネート樹脂組成物を提供する
ことにある。

【００１６】本願発明のさらに他の目的は、本願発明の
基板を用いた光記録媒体を提供することにある。

【００１７】本願発明のさらに他の目的および利点は、
以下の説明から明らかになろう。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本願発明の上記目的およ
び利点は、第１に、末端ヒドロキシル濃度が２〜４０モ
ル％であり、かつＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー）で測定した分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ）が
１．４〜１．７である芳香族ポリカーボネート（Ａ）１
００重量部および脂肪族カルボン酸と多価脂肪族アルコ
ールとのエステル化合物（Ｂ）０．００５〜０．１重量
部からなる光学用成形物用芳香族ポリカーボネート樹脂
組成物によって達成される。

【００１９】本願発明の上記目的および利点は、第２
に、本願発明の組成物からなる光記録媒体用基板によっ
て達成される。

【００２０】本願発明の上記目的および利点は、第３
に、本願発明の光記録媒体用基板、およびこの基板の片
面上に直接または中間層を介して存在する光記録層から
なる光記録媒体によって達成される。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本願発明について順次好ま
しい実施態様を説明する。これらの説明は本願発明を例
示するものであり、本願発明の範囲を制限するものでは
ない。本願発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も
本願発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。

【００２２】芳香族ポリカーボネート（Ａ）は、末端ヒ
ドロキシル濃度が２〜４０モル％であり、かつＧＰＣ
（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）で測定し
た分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ）が１．４〜１．７である熱
可塑性ポリカーボネートである。

【００２３】かかる繰返し単位は、例えば下記式（１）

【００２４】

【化３】 （ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は互いに独立に水素
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０の
アリール基または炭素数７〜１０のアラルキル基であ
り、Ｗは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１
０のアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレ
ン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数
８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基、酸
素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基で
ある）で表される。

【００２５】炭素数１〜１０のアルキル基は直鎖状であ
っても分岐鎖状であってもよい。その例としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、デシル等を
挙げることができる。炭素数６〜１０のアリール基とし
ては、例えばフェニル、トリル、クミル、ナフチル等を
挙げることができる。炭素数７〜１０のアラルキル基と
しては、例えばベンジル、２−フェネチル、２−メチ
ル、２−フェニルエチル等を挙げることができる。

【００２６】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴としては、互いに
独立に、水素原子、メチル基およびｔ−ブチル基が好ま
しく、水素原子が特に好ましい。また、Ｗの定義につい
ては下記のとおりである。

【００２７】炭素数１〜１０のアルキレン基は直鎖状で
あっても分岐鎖状であってもよい。その例としては、メ
チレン、１，２−エチレン、２，２−プロピレン、２，
２−ブチレン、１，１−デシレン等を挙げることができ
る。

【００２８】炭素数２〜１０のアルキリデン基として
は、例えばエチリデン、プロピリデン、ブチリデン、ヘ
キシリデン等を挙げることができる。

【００２９】炭素数６〜１０のシクロアルキレン基とし
ては、例えば１，４−シクロヘキシレン、２−イソプロ
ピル−１，４−シクロヘキシレン等を挙げることができ
る。

【００３０】炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基と
しては、例えばシクロヘキシリデン、イソプロピルシク
ロヘキシリデン等を挙げることができる。

【００３１】炭素数８〜１５のアルキレン−アリーレン
−アルキレン基としては、例えばｍ−ジイソプロピルフ
ェニレン基などが挙げられる。

【００３２】Ｗとしては、シクロヘキシリデン基、２，
２−プロピリデン基が好ましく、２，２−プロピリデン
基が特に好ましい。

【００３３】芳香族ポリカーボネートは、上記式（１）
で表される繰返し単位を全繰返し単位に基づき５０モル
％以上、好ましくは７０モル％以上、特に好ましくは８
０モル％以上含有する。上記式（１）で表される繰返し
単位以外の、場合により含有されていてもよい繰返し単
位は以下の説明から当業者には理解されるであろう。

【００３４】本願発明で用いられる芳香族ポリカーボネ
ートは、好ましくは粘度平均分子量が１０，０００〜２
５０，０００であり、また光記録媒体用基板として使用
する場合には１２，０００〜１８，０００であることが
好ましく、さらに１３０００〜１６０００であることが
好ましい。重量平均分子量が上記範囲より小さい場合に
は機械強度が不十分となり、また大きい場合には流動性
が不十分となり光学歪みや転写性不良を生じ易くなるた
め好ましくない。

【００３５】本願発明で用いられる芳香族ポリカーボネ
ートは、主たる末端基構造としてアリールオキシ基
（イ）とフェノール性ＯＨ基（ロ）とからなり、両者の
モル比（イ）／（ロ）が９８／２〜６０／４０であるの
が好ましい。すなわちフェノール性ＯＨ基（ロ）のモル
割合が２〜４０モル％であるのが好ましい。さらに好ま
しくは２〜３０モル％であり、よりさらに好ましくは５
〜２５モル％である。

【００３６】フェノール性ＯＨ基（ロ）のモル割合が上
記範囲より小さい場合には十分な離型性が得られなかっ
たり成形時に金型汚れが生じ、また大きい場合には得ら
れるポリカーボネート樹脂の熱安定性等が低下するため
好ましくない。

【００３７】本願発明で用いられる芳香族ポリカーボネ
ートは、そのｚ平均分子量（Ｍｚ）と重量平均分子量
（Ｍｗ）の比（Ｍｚ／Ｍｗ）が１．４〜１．７であり、
好ましくは１．４５〜１．６である。

【００３８】重合平均分子量（Ｍｚ）と重量平均分子量
（Ｍｗ）との比（Ｍｚ／Ｍｗ）はポリマーの分子量分布
を評価する重要なパラメーターであり、上記範囲を逸脱
した場合流動性等の変動により光学歪や転写性不良を生
じ易くなるため好ましくない。すなわち、（Ｍｚ／Ｍ
ｗ）が上記範囲にある芳香族ポリカーボネートを使用し
た光記録媒体用基板は、光記録媒体用基板として、光学
的特性や転写性に優れた基板となる。

【００３９】分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ）の調整は末端封
止剤の添加や重合反応条件により調節することができ
る。例えば溶融重合の場合には原料である芳香族ジヒド
ロキシ化合物と炭酸ジエステルの仕込みモル比を変更し
たり、重合条件（温度／真空度／滞留時間）を変更する
ことにより分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ）を変更することが
できる。

【００４０】また本願発明で用いられる芳香族ポリカー
ボネートは成形性、転写性をより一層良好に実施するた
め主鎖構造中に下記式（３）−１および／または（３）
−２で表される分岐構造の合計量を０．０１〜０．３０
モル％含有していることが好ましく、０．０３モル〜
０．２０モル％含有していることがさらに好ましい。

【００４１】

【化４】

【００４２】

【化５】 ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＷの定義は上記式
（１）に同じである。

【００４３】上記式（３）−１および／または（３）−
２で表される分岐構造は後述するように多官能化合物を
併用することによっても得られるが、溶融重合法で製造
する場合には副反応として生成し、反応条件等により抑
制することが可能である。

【００４４】本願発明で用いられるかかる芳香族ポリカ
ーボネートは、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネー
ト結合形成化合物とより界面重合法等のホスゲン法、あ
るいは溶融重合法、固相重合法等、従来公知の方法で好
ましく製造することができるが、芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとをエステル交換触媒存在下で溶
融重縮合法させる溶融重合法で製造することが好まし
い。

【００４５】かかる芳香族ジヒドロキシ化合物として
は、下記式（４）に示される化合物が好ましく使用でき
る。

【００４６】

【化６】 ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、およびＷの定義は上記式
（１）に同じである。

【００４７】このような芳香族ジヒドロキシ化合物
（４）としては、具体的にはビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３，５−ジクロロフェニル）プロパン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）フェニルメタン、４，４’−ジヒドロ
キシフェニル−１，１’−ｍ−ジイソプロピルベンゼ
ン、４，４’−ジヒドロキシフェニル−９，９−フルオ
レンなどのビス（４−ヒドロキシアリール）アルカン
類；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、１−メチル−１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−（ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メチ
ル−シクロヘキサン、４−［１−〔３−（４−ヒドロキ
シフェニル）−４−メチルシクロヘキシル〕−１−ネチ
ルエチル］−フェノール、４，４’−〔１−メチル−４
−（１−メチルエチル）−１，３−シクロヘキサンジイ
ル〕ビスフェノール、２，２，２’，２’−テトラヒド
ロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−ス
ピロビス−〔１Ｈ−インデン〕−６，６’−ジオールな
どのビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類；ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）エーテル、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルエー
テルなどのジヒドロキシアリールエーテル類；４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒ
ドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルフィドな
どのジヒドロキシジアリールスルフィド類；４，４’−
ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒ
ドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホキシド
などのジヒドロキシジアリールスルホキシド類；４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジ
ヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホン、
などのジヒドロキシジアリールスルホン類；４，４’−
ジヒドロキシジフェニル−３，３’−イサチンなどのジ
ヒドロキシジアリールイサチン類；３，６−ジヒドロキ
シ−９，９−ジメチルキサンテンなどのジヒドロキシジ
アリールキサンテン類；レゾルシン、５−メチルレゾル
シン、５−エチルレゾルシン、５−ｔ−ブチルレゾルシ
ン、５−フェニルレゾルシン、５−クミルレゾルシン、
ヒドロキノン、２−メチルヒドロキノン、２−エチルヒ
ドロキノン、２−ｔ−ブチルヒドロキノン、２−フェニ
ルヒドロキノン、２−クミルヒドロキノンなどのジヒド
ロキシベンゼン類；および４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニル等ジヒドロキシジフェニル類が挙げられる。

【００４８】中でも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンがモノマーとしての安定性、さらにはそ
れに含まれる不純物の量が少ないものとしての入手が容
易であることなどから好ましいものとして挙げられる。

【００４９】本願発明において、芳香族ポリカーボネー
ト分子中には、ガラス転移温度の制御、あるいは流動性
の向上、あるいは、屈折率のアップ、あるいは複屈折の
低減等の光学的性質の制御を目的として各種モノマーを
必要に応じて、１種あるいは２種以上含有させることが
できる。

【００５０】これらの具体例としては、例えばエチレン
グリコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロ
ヘキサンジメタノール、２，２−ジメチル−１，３−プ
ロパンジオール、１，１０−デカンジオール、ジエチレ
ングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメ
チレングリコールのごとき脂肪族ジヒドロキシ化合物；
コハク酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボ
ン酸、アジピン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、テレ
フタル酸のごときジカルボン酸；あるいはｐ−ヒドロキ
シ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、乳酸の
ごときオキシ酸が挙げられる。

【００５１】カーボネート結合形成性化合物としては、
ホスゲン法ではホスゲンなどのハロゲン化カルボニル、
ハロホーメート化合物が用いられる。

【００５２】またカーボネート結合形成性化合物とし
て、溶融重合法では具体的にはジフェニルカーボネー
ト、ジトリルカーボネート、ビス（２−クロロフェニ
ル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネートのごとき
芳香族炭酸エステルが用いられる。その他ジメチルカー
ボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカ
ーボネート等も所望により使用できる。

【００５３】これらのうちジフェニルカーボネートが、
反応性、得られる樹脂の着色に対する安定性、さらには
コストの点からしても、特に好ましい。

【００５４】固相重合法では、上述のホスゲン法または
溶融重合法で製造される分子量の小さな芳香族カーボネ
ートオリゴマーを、結晶化させ、高温において、さらに
は所望により減圧下、固体状態で重合を進めることによ
り、（１）式で示される繰返し単位構造を有する芳香族
ポリカーボネートとすることができる。

【００５５】また上記の芳香族ポリカーボネートの製造
方法において、ホスゲンまたは炭酸ジエステルとともに
ジカルボン酸あるいはジカルボン酸ハライド、ジカルボ
ン酸エステルのごときジカルボン酸誘導体を使用するこ
とにより芳香族ポリエステルカーボネートを製造するこ
とができる。このような芳香族ポリエステルカーボネー
トも、本願発明における芳香族ポリカーボネートとして
使用することができる。

【００５６】かかるジカルボン酸あるいはジカルボン酸
誘導体としては、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、テレフ
タル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなどの芳香
族ジカルボン酸類；コハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンニ
酸、ドデカンニ酸、アジピン酸クロリド、スベリン酸ク
ロリド、アゼライン酸クロリド、セバシン酸クロリド、
アゼライン酸ジフェニル、セバシン酸ジフェニル、デカ
ンニ酸ジフェニル、ドデカンニ酸ジフェニル、などの脂
肪族ジカルボン酸類；シクロプロパンジカルボン酸、
１，３−シクロブタンジカルボン酸、１，３−シクロペ
ンタンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボ
ン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸；シクロプ
ロパンジカルボン酸クロリド、１，３−シクロブタンジ
カルボン酸クロリド、１，３−シクロペンタンジカルボ
ン酸クロリド、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸ク
ロリド、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸クロリ
ド；シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、１，３−
シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロ
ペンタンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロヘキ
サンジカルボン酸ジフェニル、１，４−シクロヘキサン
ジカルボン酸ジフェニルなどの脂環式ジカルボン酸類を
挙げることができる。

【００５７】また上記式（１）で表される繰返し単位構
造を有する芳香族ポリカーボネートを製造するとき、上
記ジヒドロキシ化合物とともに、一分子中に３個以上の
官能基を有する多官能化合物を併用することもできる。
このような多官能化合物としてはフェノール性水酸基ま
たはカルボキシル基を有する化合物が好ましく使用され
る。

【００５８】具体的には例えば１，１，１−トリス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２’，２”−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベ
ンゼン、２，２’，２”−トリス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、α−メチル−
α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１，４−ジエチルベンゼン、α，α’，α”−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプ
ロピルベンゼン、フロログルシン、４，６−ジメチル−
２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプ
タン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）
ベンゼン、２，２−ビス〔４，４−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−シクロヘキシル〕−プロパン、トリメリット
酸、１，３，５−トリカルボキシベンゼン、ピロメリッ
ト酸などが挙げられる。

【００５９】これらのうち１，１，１−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、α，α’，α”−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプ
ロピルベンゼンなどが好ましく使用できる。

【００６０】多官能化合物を併用するとき、例えばポリ
カーボネートの溶融粘度をあげる目的では、多官能化合
物を、芳香族ジヒドロキシ化合物の１モルに対して０．
０３モル以下、好ましくは０．００００５〜０．０２モ
ル、さらに好ましくは０．０００１〜０．０１モルの範
囲で使用するのが好ましい。

【００６１】繰返し単位が上記（１）で表される芳香族
ポリカーボネートを製造する方法において、前述したホ
スゲン法では、触媒として３級アミン、４級アンモニウ
ム塩、３級ホスフィン、４級ホスホニウム塩、含窒素複
素環化合物またはその塩、イミノエーテルまたはその塩
あるいはアミド基を有する化合物などが使用される。

【００６２】このホスゲン法では反応の際生じる塩酸な
どのハロゲン化水素の捕捉剤として多量のアルカリ金属
化合物あるいはアルカリ土類金属化合物が使用されるの
で、製造後のポリマー中に、こうした不純物が残留しな
いように十分な洗浄、精製をすることが好ましい。

【００６３】溶融重合法、固相重合法では、触媒として
は、アルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物
を含有するエステル交換触媒が好ましく使用される。触
媒として使用されるアルカリ金属化合物またはアルカリ
土類金属化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物の１モル
に対し、１×１０^-8〜１×１０^-5モルの範囲で使用され
る。このとき炭酸ジエステルは１．０〜１．１モルの範
囲で好ましく使用される。上記範囲を逸脱すると、得ら
れる芳香族ポリカーボネートの諸物性に悪影響をおよぼ
したり、またエステル交換反応が十分に進行せず、高分
子量の芳香族ポリカーボネートが得られない等の問題の
起こることがあり、好ましくない。エステル交換触媒と
してはアルカリ金属化合物が好ましい。

【００６４】エステル交換触媒をかかる量範囲において
使用することにより芳香族ポリカーボネートの製造を効
率的に生産性よく実施しうるとともに得られる芳香族ポ
リカーボネートの物性も本願発明の目的を達成するため
に好ましいものとなる。

【００６５】かかるエステル交換触媒として使用される
アルカリ金属化合物としては、例えばアルカリ金属の水
酸化物、炭化水素化合物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜
硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、ステ
アリン酸塩、水素化ホウ素塩、安息香酸塩リン酸水素化
物、ビスフェノール、フェノールの塩等が挙げられる。

【００６６】具体例としては水酸化ナトリウム、水酸化
リチウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
セシウム、酢酸ナトリウム、酢酸リチウム、硝酸ルビジ
ウム、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナト
リウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、シア
ン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸
カリウム、チオシアン酸セシウム、ステアリン酸ナトリ
ウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウ
ム、安息香酸ナトリウム、安息香酸リチウム、リン酸水
素ジナトリウム、ビスフェノールＡのジナトリウム塩、
ジリチウム塩、モノナトリウム塩、モノカリウム塩、ナ
トリウムカリウム塩、ナトリウムリチウム塩、フェノー
ルのナトリウム塩、リチウム塩、カリウム塩、セシウム
塩などが挙げられる。

【００６７】またかかるエステル交換触媒として使用さ
れるアルカリ土類金属化合物としては、例えばアルカリ
土類金属の水酸化物、炭化水素化合物、炭酸塩、酢酸
塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシ
アン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホウ素塩、安息香酸
塩リン酸水素化物、ビスフェノール、フェノールの塩等
が挙げられる。

【００６８】具体例としては水酸化カルシウム、水酸化
バリウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸
カルシウム、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酢酸
カルシウム、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、硝酸
カルシウム、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム、亜硝
酸カルシウム、亜硝酸バリウム、亜硝酸ストロンチウ
ム、亜硫酸カルシウム、亜硫酸バリウム、亜硫酸ストロ
ンチウム、シアン酸カルシウム、シアン酸バリウム、シ
アン酸ストロンチウム、チオシアン酸カルシウム、チオ
シアン酸バリウム、チオシアン酸ストロンチウム、ステ
アリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリ
ン酸ストロンチウム、水素化ホウ素カルシウム、水素化
ホウ素バリウム、水素化ホウ素ストロンチウム、安息香
酸カルシウム、安息香酸バリウム、安息香酸ストロンチ
ウム、ビスフェノールＡのカルシウム塩、バリウム塩、
ストロンチウム塩、フェノールのカルシウム塩、バリウ
ム塩、ストロンチウム塩などが挙げられる。

【００６９】またエステル交換触媒として塩基性窒素化
合物、および／または塩基性リン化合物を併用するのが
好ましい。

【００７０】これらのうち、塩基性窒素化合物の具体例
としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド（Ｍｅ₄ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド（Ｅｔ₄ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒ
ドロキシド（Ｂｕ₄ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアン
モニウムヒドロキシド（Ｐｈ−ＣＨ₂（Ｍｅ）₃ＮＯ
Ｈ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシ
ドなどのアルキル、アリール、アルキルアリール基など
を有するアンモニウムヒドロキシド類；テトラメチルア
ンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムフェ
ノキシド、テトラブチルアンモニウム炭酸塩、ベンジル
トリメチルアンモニウム安息香酸塩、ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムエトキシドなどのアルキル、アリー
ル、アルキルアリール基などを有する塩基性アンモニウ
ム塩；トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチル
ベンジルアミン、ヘキサデシルジメチルアミンなどの第
３級アミン；あるいはテトラメチルアンモニウムボロハ
イドライド（Ｍｅ₄ＮＢＨ₄）、テトラブチルアンモニウ
ムボロハイドライド（Ｂｕ₄ＮＢＨ₄）、テトラブチルア
ンモニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ₄ＮＢＰ
ｈ₄）、テトラメチルアンモニウムテトラフェニルボレ
ート（Ｍｅ₄ＮＢＰｈ₄）などの塩基性塩などを挙げるこ
とができる。

【００７１】また塩基性リン化合物の具体例としては、
例えばテトラメチルホスホニウムヒドロキシド（Ｍｅ₄
ＰＯＨ）、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド（Ｅ
ｔ₄ＰＯＨ）、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド
（Ｂｕ₄ＰＯＨ）、ベンジルトリメチルホスホニウムヒ
ドロキシド（Ｐｈ−ＣＨ₂（Ｍｅ）₃ＰＯＨ）、ヘキサデ
シルトリメチルホスホニウムヒドロキシドなどのアルキ
ル、アリール、アルキルアリール基などを有するホスホ
ニウムヒドロキシド類、あるいはテトラメチルホスホニ
ウムボロハイドライド（Ｍｅ₄ＰＢＨ₄）、テトラブチル
ホスホニウムボロハイドライド（Ｂｕ₄ＰＢＨ₄）、テト
ラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ₄
ＰＢＰｈ₄）、テトラメチルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート（Ｍｅ₄ＰＢＰｈ₄）などの塩基性塩などを挙
げることができる。

【００７２】上記塩基性窒素化合物および／または塩基
性リン化合物は、塩基性窒素原子あるいは塩基性リン原
子が芳香族ジヒドロキシ化合物の１モルに対し、１×１
０^-5〜５×１０^-4モルとなる割合で用いるのが好まし
い。より好ましい使用割合は同じ基準に対し２×１０^-5
〜５×１０^-4モルとなる割合である。特に好ましい割合
は同じ基準に対し５×１０^-5〜５×１０^-4モルとなる割
合である。

【００７３】触媒として使用するアルカリ金属化合物と
しては、所望により周期律表第１４族元素のアート錯体
アルカリ金属塩または周期律表第１４族元素のオキソ酸
のアルカリ金属塩を用いることができる。ここで周期律
表第１４族の元素とは、ケイ素、ゲルマニウム、スズの
ことをいう。かかるアルカリ金属化合物を重縮合反応の
触媒として用いることにより、重縮合反応を迅速にかつ
十分に進めることができる利点がある。また重縮合反応
中に進行する分岐反応のような好ましくない副反応を低
いレベルに抑えることができる。

【００７４】周期律表第１４族元素のアート錯体アルカ
リ金属塩としては、特開平７−２６８０９１号公報に記
載のものが用いられる。例えばＮａＧｅ（ＯＭｅ）₅、
ＮａＧｅ（ＯＰｈ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＭｅ）₅、ＬｉＧｅ
（ＯＰｈ）₅、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）₃、ＮａＳｎ（ＯＭ
ｅ）₅、ＮａＳｎ（ＯＰｈ）₅などを挙げることができ
る。

【００７５】また周期律表第１４族元素のオキソ酸のア
ルカリ金属塩としては、例えばケイ酸、スズ酸、ゲルマ
ニウム（II）酸、ゲルマニウム（IV）酸のアルカリ金属
塩を好ましいものとして挙げることができる。

【００７６】これらの具体例としてはオルトケイ酸ジナ
トリウム、モノスズ酸ジナトリウム、モノスズ酸テトラ
ナトリウム、ゲルマニウム（II）酸モノナトリウム（Ｎ
ａＨＧｅＯ₂）、オルトゲルマニウム（IV）酸ジナトリ
ウム、オルトゲルマニウム（IV）酸テトラナトリウムを
挙げることができる。

【００７７】重縮合反応には、アルカリ金属化合物であ
る上記触媒と一緒に、必要により周期律表第１４属元素
のオキソ酸、酸化物および同元素のアルコキシド、フェ
ノキシドよりなる群から選ばれる少なくとも、１種の化
合物を助触媒として共存させることができる。

【００７８】これらの助触媒を用いることにより分子末
端の封鎖反応、重縮合反応速度を損うことなく重縮合反
応中に生成しやすい分岐反応、主鎖開裂反応や、成形加
工時における装置内での異物の生成、焼けといった好ま
しくない現象を効果的に抑止できる。

【００７９】周期律表第１４族のオキソ酸としては、例
えばケイ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げることがで
きる。

【００８０】周期律表第１４族の酸化物としては、例え
ば二酸化ケイ素、二酸化スズ、一酸化ゲルマニウム、二
酸化ゲルマニウム、シリコンテトラメトキシド、シリコ
ンテトラブトキシド、シリコンテトラフェノキシド、テ
トラエトキシスズ、テトラノニルオキシスズ、テトラフ
ェノキシスズ、テトラメトキシゲルマニウム、テトラブ
トキシゲルマニウム、テトラフェノキシゲルマニウムお
よびこれらの縮合体を挙げることができる。

【００８１】これらの助触媒は重縮合反応触媒中のアル
カリ金属元素１モル原子当り、周期律表第１４族の元素
が５０モル原子以下となる割合で存在せしめるのが好ま
しい。同金属元素が５０モル原子を超える割合で助触媒
を用いると、重縮合反応速度が遅くなり好ましくない。
助触媒は、重縮合反応触媒のアルカリ金属元素１モル原
子当り助触媒としての周期律表第１４族の元素が０．１
〜３０モル原子となる割合で存在せしめるのがさらに好
ましい。

【００８２】本願発明で製造される芳香族ポリカーボネ
ートは、さらに、下記式（２） Ａ¹−ＳＯ₃Ｘ¹ …… （２） （ここで、Ａ¹は置換基を有していてもよい炭素数１〜
３０の１価の炭化水素基であり、Ｘ¹はアンモニウムカ
チオン、ホスホニウムカチオンまたは炭素数１〜１０の
１価の炭化水素基である）で表わされるスルホン酸化合
物を含有するのが好ましい。

【００８３】これを含有することで、エステル交換触媒
として使用したアルカリ金属またはアルカリ土類金属化
合物の活性を低下もしくは失活させることができ、色
相、耐熱性、耐加水分解性などの品質に優れたポリカー
ボネートを得ることができる。

【００８４】スルホン酸化合物としては、下記式（２）
−１

【００８５】

【化７】 （ここで、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、Ａ⁵およびＡ⁶は、互いに独
立に、炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である）で表
わされるスルホン酸ホスホニウム塩が効果が大きく、好
ましい。

【００８６】なお、上記式（２）−１におけるＡ²は、
例えば、水素原子、メチル基、ヘキシル基、ドデシル
基、Ａ³〜Ａ⁶は、それぞれ独立に、メチル基、ブチル
基、オクチル基から選ばれる基が好ましい。

【００８７】このようなスルホン酸化合物は、ポリマー
中に残存するエステル交換触媒の失活剤として機能する
もので、触媒失活剤としては、例えば特開平８−５９９
７５号公報記載のような公知の剤も有効に使用される
が、この中でもスルホン酸のアンモニウム塩、スルホン
酸のホスホニウム塩が好ましい。さらに具体的は、ドデ
シルベンゼンスルホン酸のアンモニウム塩、ホスホニウ
ム塩、パラトルエンスルホン酸のアンモニウム塩、ホス
ホニウム塩やベンゼンスルホン酸のアンモニウム塩、ホ
スホニウム塩が好ましい。

【００８８】本願発明においては、これらの触媒失活剤
のうち、上記式（２）−１のスルホン酸化合物、とりわ
けドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩や、パラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモニ
ウム塩が最も好ましく使用される。

【００８９】触媒失活剤は触媒の活性を著しく低下させ
るものであり、このような触媒失活剤はそれだけでポリ
カーボネート樹脂に添加してもよく、水と触媒失活剤と
の混合液として同時にポリカーボネート樹脂に添加して
もよい。

【００９０】溶融重合で得られるポリカーボネート樹脂
に対する触媒失活剤の添加量は、アルカリ金属化合物、
アルカリ土類金属化合物より選ばれた前記主重縮合触媒
１モル当り０．５〜５０モルの割合で、好ましくは０．
５〜１０モルの割合で、さらに好ましくは０．８〜５モ
ルの割合で使用する。これは通常、ポリカーボネート樹
脂１００重量部に対し１×１０^-5〜１×１０^-2重量部の
割合で使用することに相当する。

【００９１】次に、エステル化合物（Ｂ）とは、脂肪族
カルボン酸と脂肪族アルコールとのエステル化合物であ
る。

【００９２】脂肪族カルボン酸としては炭素数１２〜２
４の飽和脂肪族モノカルボン酸であることが好ましい。
炭素数が１２より小さい脂肪族モノカルボン酸のモノエ
ステルはポリカーボネート組成物の耐熱性が低下する傾
向を示し、またポリカーボネート組成物中にガスの発生
を起こし易く好ましくない。

【００９３】一方、炭素数が２４よりも大きい脂肪族モ
ノカルボン酸のモノエステルはポリカーボネート組成物
の離型性を低下させる傾向を示し好ましくない。

【００９４】炭素数１２〜２４の脂肪族モノカルボン酸
としては、例えばラウリン酸、ドデシル酸、ペンタデシ
ル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、
ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸およびリグノセリ
ン酸が挙げられる。これらのうち、ステアリン酸および
パルミチン酸が特に好ましい。

【００９５】脂肪族アルコールとしては、炭素数２〜１
４の２〜６価の脂肪族アルコールであることが好まし
く、炭素数２〜１０の２または３価の脂肪族アルコール
がより好ましい。かかる多価脂肪族アルコールとして
は、例えばエチレングリコール、プロパンジオール、プ
ロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオー
ル、ネオペンチルグリコール、ヘキサンジオール、デカ
ンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパンおよ
びペンタエリスリトールが挙げられる。これらのうち、
プロピレングリコール、グリセリンが特に好ましい。

【００９６】上記エステル化合物は単独であるいは２種
以上組合せてエステル化合物（Ｂ）として用いることが
できる。

【００９７】上記エステル化合物は、慣用の有機反応に
よって容易に得ることができる。一般に反応生成物はモ
ノエステル、ジエステル等の部分エステルと、完全エス
テルとの混合物になる場合が多く、本願発明の目的を満
たすことができれば混合物のままで使用しても良く、ま
た再結晶もしくは蒸留等により単離精製後使用しても良
い。

【００９８】エステル化合物（Ｂ）は芳香族ポリカーボ
ネート（Ａ）１００重量部に対し５×１０^-4〜０．５重
量部の割合で用いられる。この範囲外では、得られるポ
リカーボネート組成物の耐熱性が低下しまた十分な離型
性が確保できない。エステル化合物（Ｂ）は、同じ基準
に対し、好ましくは５×１０^-4〜０．３重量部であり、
より好ましくは５×１０^-4〜０．１重量部であり、さら
に好ましくは７×１０ ^-4〜８×１０^-2重量部であり、特
に好ましくは１×１０^-3〜７×１０^-2重量部である。

【００９９】また、本願発明は、任意成分として、塩
酸、リン酸、亜リン酸、ホウ酸、これらのアミン塩およ
びアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１
種の化合物を、芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重
量部当り、１×１０^-5〜１×１０^-2重量部の割合で、さ
らに含有することができる。

【０１００】これらの任意成分の使用はポリカーボネー
ト樹脂組成物における高温時、特に３００℃以上の高温
での溶融成形時の着色や品質劣化あるいはシルバースト
リークの発生等の不具合を解消するのに有効である。

【０１０１】上記アミン塩を構成するアミンとしては、
例えばジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミ
ン、ジオクチルアミン、ジラウリルアミン、ピペラジ
ン、ピペリジンおよびシクロブチルアミンのごとき２級
アミン；並びにトリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリブチルアミンおよびピリジンのごとき３級アミンが
挙げられる。

【０１０２】任意成分としてのこれらの化合物は、芳香
族ポリカーボネート１００重量部当り、好ましくは１×
１０^-4〜５×１０^-3重量部である。

【０１０３】さらに本願発明は、亜リン酸エステルおよ
び／またはリン酸エステルを芳香族ポリカーボネート
（Ａ）１００重量部に対し、１×１０^-4〜０．１重量部
でさらに含有することができる。

【０１０４】亜リン酸エステルとしては、例えばトリメ
チルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリブチ
ルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリス
（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリノニルホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシル
ホスファイト、トリステアリルホスファイトなどのトリ
アルキルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイ
トなどのトリシクロアルキルホスファイト、トリフェニ
ルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス
（エチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ
−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニル
フェニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフェニ
ル）ホスファイトなどのトリアリールホスファイト、フ
ェニルジデシルホスファイト、ジフェニルデシルホスフ
ァイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニ
ルイソオクチルホスファイト、２−エチルヘキシルジフ
ェニルホスファイトなどのアリールアルキルホスファイ
トなどを挙げることができる。

【０１０５】さらに、亜リン酸エステルとして、ジステ
アリルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（２，
４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホ
スファイトなどを挙げることができる。

【０１０６】リン酸エステルとしては、例えばトリメチ
ルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチル
ホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリデシル
ホスフェート、トリオクタデシルホスフェート、ジステ
アリルペンタエリスリチルジホスフェートなどのトリア
ルキルホスフェート、トリシクロヘキシルホスフェート
などのトリシクロアルキルホスフェート、トリフェニル
ホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノ
ニルフェニル）ホスフェート、２−エチルフェニルジフ
ェニルホスフェートなどのトリアリールホスフェートな
どを挙げることができる。

【０１０７】これらの化合物は１種のみ、あるいは２種
以上組み合わせて用いることができる。これらのうち芳
香族亜リン酸エステルが好ましく用いられる。

【０１０８】亜リン酸エステルおよび／またはリン酸エ
ステルは、芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部
に対し、好ましくは１×１０^-3〜５×１０^-2重量部含有
させる。

【０１０９】本願発明の組成物には、本願発明の目的を
損わない範囲で通常のその他の添加剤、例えば加工安定
剤、耐熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収
剤、金属不活性化剤、金属石鹸類、造核剤、帯電防止
剤、滑剤、難燃剤、離型剤、防黴剤、着色剤、防曇剤、
天然油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系充填
剤などを添加してもよい。

【０１１０】これらの添加剤のうちの幾つかについて、
具体的には次のようなものが挙げられる。

【０１１１】加工安定剤としては、例えば２−ｔ−ブチ
ル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチ
ルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２−
［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチルフ
ェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニル
アクリレートが挙げられる。

【０１１２】光安定剤としては、例えば２−（３−ｔ−
ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−
クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾト
リアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチル
フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ
−ペンチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾ
ール、２−〔２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−
テトラヒドロフタルイミドメチル）フェニル〕ベンゾト
リアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス
（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリア
ゾールのごときベンゾトリアゾール系化合物；２−ヒド
ロキシ−４−オクチルオキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノンのごときベンゾフ
ェノン系化合物；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル、
３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート
のごときヒドロキシベンゾフェノン系化合物；エチル−
２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレートのごとき
シアノアクリレート系化合物などの紫外線吸収剤：ニッ
ケルジブチルジチオカーバメート、［２，２’−チオビ
ス（４−ｔ−オクチルフェノラート）］−２−エチルヘ
キシルアミンニッケルのごときニッケル系クエンチャー
などが挙げられる。

【０１１３】金属不活性化剤としては、例えばＮ，Ｎ’
−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオニル］ヒドラジン等が挙げられる。金
属石鹸類としては例えばステアリン酸カルシウム、ステ
アリン酸ニッケル等が挙げられる。

【０１１４】造核剤としては、例えばジ（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ホスホン酸ナトリウム、ジベンジリデンソ
ルビトール、メチレンビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェノール）アシッドホスフェートナトリウム塩のごとき
ソルビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。

【０１１５】帯電防止剤としては、例えば（β−ラウラ
ミドプロピル）トリメチルアンモニウムメチルスルフェ
ートのごとき第４級アンモニウム塩系、アルキルホスフ
ェート系化合物が挙げられる。

【０１１６】難燃剤としては、例えばトリス（２−クロ
ロエチル）ホスフェートのごとき含ハロゲンリン酸エス
テル類；ヘキサブロモシクロドデカン、デカブロモフェ
ニルオキサイドのごときハロゲン化物；三酸化アンチモ
ン、五酸化アンチモン、水酸化アルミニウムなどの金属
無機化合物類並びにこれらの混合物が挙げられる。

【０１１７】上記の各成分から本願発明の樹脂組成物を
製造する方法に特に制限はない。各成分の配合順序も、
任意である。

【０１１８】例えば、溶融状態にある芳香族ポリカーボ
ネートに必須成分および任意的成分を加えて混練しても
よく、また、芳香族ポリカーボネートの溶液に必須成分
および任意的成分を加えて混練してもよい。

【０１１９】より具体的には、重合反応が終了して得ら
れる溶融状態にある反応器内または押出機内の反応生成
物である芳香族ポリカーボネートに、直接、必須成分お
よび任意的成分を別々にまたは同時的に加えて混練する
方法、あるいは、得られた芳香族ポリカーボネートをペ
レット化し、このペレットを必須成分および任意的成分
と共に一軸または二軸押出機などに供給して溶融混練す
る方法、さらに、得られた芳香族ポリカーボネートを適
当な溶媒（例えば塩化メチレン、クロロホルム、トルエ
ン、テトラヒドロフラン等）に溶解させ、この溶液に必
須成分および任意的成分を別々にまたは同時的に加えて
撹拌する方法などを挙げることができるが、溶融状態の
熱履歴時間および再溶融回数を減らすという点から、溶
融重合で得られた溶融状態の芳香族ポリカーボネートに
スルホン酸化合物、必須成分等の成分を添加混練しペレ
ット化するのが好ましい。

【０１２０】

【発明の効果】このようにして得られるポリカーボネー
ト組成物は、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定
性および離型性、転写性等の成形性にも優れたものであ
ることから、光学材料用途、特に光記録用ディスク基板
用途等光学用成形物に好ましく用いることができる。

【０１２１】つまり本願発明で得られるポリカーボネー
ト組成物は、熱安定性に優れ、ディスクに成形した際の
離型性に大変優れているので、特に光記録用ディスク基
板用途に好ましく用いることができる。

【０１２２】本願発明によれば、本願発明のポリカーボ
ネート組成物からなる光記録媒体用基板、および上記の
光記録媒体用基板および該基板の片面上に直接または中
間層を介して存在する光記録層からなる光記録媒体が同
様に提供される。

【０１２３】この光記録媒体は、公知の光記録媒体と同
様に、必要により誘電体層および反射層を備えることが
できる。

【０１２４】

【実施例】以下、実施例に基づき、本願発明を詳細に説
明するが、本願発明は、これらの実施例に限定されるも
のではない。

【０１２５】［実施例１〜３および比較例１］ビスフェ
ノールＡ（以下ＢＰＡ）２２８重量部、ジフェニルカー
ボネート（以下ＤＰＣ）２２３重量部およびテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド０．００９重量部、ビスフ
ェノールＡジナトリウム塩０．０００１４重量部を撹拌
装置、蒸留塔および減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒
素置換した後、１４０℃で溶解した。３０分間撹拌後、
内温を２００℃に昇温し、内圧１００ｍｍＨｇで６０分
間反応させ、生成するフェノールを溜去した。

【０１２６】ついで内温を２５０℃に昇温しつつ内圧を
徐々に２０ｍｍＨｇまで減圧し、同温度、同圧下で６０
分間更に反応を続行した。

【０１２７】最終的に２７０℃まで昇温し内圧１ｍｍＨ
ｇでポリカーボネートの重縮合を継続した。得られたポ
リカーボネートの粘度平均分子量は１５，２００であっ
た。

【０１２８】次いで溶融状態のままで、このポリマーを
ギアポンプにて二軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル
温度２７０℃）に挿入し、ポリマーに対して表１記載の
エステル化合物、酸／酸とのアミン塩、スルホン酸化合
物、リン酸エステル、亜リン酸エステルをそれぞれ所定
量添加混練し、ダイを通してストランド状とし、カッタ
ーで切断しペレットとした。

【０１２９】［比較例２］ＤＰＣ２２３重量部に代え
て、ＤＰＣ２３１重量部を使用した以外は実施例１と同
様にして実施した。

【０１３０】［比較例３］ＤＰＣ２２３重量部およびテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド０．００９重量部
に代えて、ＤＰＣ２３１重量部およびビスフェノールＡ
ジナトリウム塩０．０００３重量部を使用し、最終的に
３００℃の温度でポリカーボネートの重縮合を継続した
以外は実施例１と同様にして実施した。

【０１３１】得られたペレットの評価：上記実施例１〜
３および比較例１〜３により得られたペレットについて
以下の評価を行った。評価結果を上記表１に示す。

【０１３２】これらの結果、本願発明に係る実施例１〜
３の組成物は良好な特性を示した。

【０１３３】なお、分析方法は下記の通りである。

【０１３４】（１）粘度平均分子量（Ｍｖ） 塩化メチレン中２０℃での極限粘度［η］を測定し、下
記式にて粘度平均分子量に換算した。

【０１３５】［η］＝１．２３×１０^-4Ｍｗ^0.83 （２）分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ） 昭和電工社製ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｓｈｏｄｅ
ｘ ＧＰＣ Ｓｙｓｔｅｍ−１１）を用いて測定した。

【０１３６】（３）末端ＯＨ基濃度 ＪＥＯＬ社製高分解能ＮＭＲ（ＥＸ−２７０）を用いて
測定し、全末端基量に対する末端ＯＨ基量の割合を算出
した。

【０１３７】（４）分岐構造含有量 式（３）−１，（３）−２構造の含有量はＪＯＥＬ製高
分解能ＮＭＲ（ＥＸ−２７０）により分析した。

【０１３８】（５）離型性 ニッケル製のスタンパーを用い、シリンダー温度３４０
℃、金型温度８０℃、１サイクル７秒の条件で、ＣＤ成
形機にて、φ１２０のコンパクトディスク基板を連続１
００ショット成形し、ディスクまたはスプルーの金型へ
の残りを不良率（％）として評価した。

【０１３９】（６）転写性 （５）の方法にて得たディスク基板に転写されたピット
を光学顕微鏡（８００倍）で観察し、評価した。実施例
および比較例のそれぞれについて、ディスク基板１０枚
を評価した。

【０１４０】具体的には、転写されたピット形状に異常
が認められるか否かを評価した。ここで、「形状にムラ
がある」とは、ディスク基板に転写されたピットの形状
にムラがあり、ミクロンオーダーの転写が不良になるこ
とを意味する。

【０１４１】（７）熱安定性 得られたペレットを射出成形機内（シリンダー温度３４
０℃、金型温度８０℃）で５分滞留させた後、厚さ２ｍ
ｍの成形板を作製した。滞留前後の色差（△Ｅ）を日本
電色工業（株）製のＣｏｌｏｒ ａｎｄ Ｃｏｌｏｒ
Ｄｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｍｅｔｅｒ ＮＤ−１００１ＤＰ
を用いて測定した。なお色差（△Ｅ）はＪＩＳ８７２
２、Ｚ８７３０に従い測定を実施した。

【０１４２】

【表１】

【０１４３】

【表２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/524 Ｃ０８Ｋ 5/524 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６Ｇ (72)発明者 佐々木 勝司 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4J002 CG001 DD017 DH037 DH047 DK007 EH046 EW047 EW067 FD067 FD166 GS02 4J029 AA09 AB05 AC01 AD01 AD03 AE05 BB04A BB04B BB05A BB05B BB10A BB12A BB13A BB13B BB15A BD09A BD09B BF14A BF14B BG07X BG08X BG24X BH01 BH02 DA10 DB07 DB11 DB13 DB17 HA01 HC05A JA091 JA121 JA161 JA201 JA301 JB171 JB201 JC031 JC091 JC551 JC751 JF031 JF041 JF051 JF141 JF151 JF161 KB02 KE02 KE05 KH08 5D029 KA07

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端ヒドロキシル濃度が２〜４０モル％
   であり、かつＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグ
   ラフィー）で測定した分子量分布（Ｍｚ／Ｍｗ）が１．
   ４〜１．７である芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００
   重量部および脂肪族カルボン酸と多価脂肪族アルコール
   とのエステル化合物（Ｂ）５×１０^-4〜０．５重量部か
   らなる光学用成形物用芳香族ポリカーボネート樹脂組成
   物。
2. 【請求項２】 芳香族ポリカーボネート（Ａ）が下記式
   （１） 【化１】 （ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は互いに独立に水素
   原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０の
   アリール基または炭素数７〜１０のアラルキル基であ
   り、Ｗは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１
   ０のアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレ
   ン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数
   ８〜１５のアルキレン−アリーレン−アルキレン基、酸
   素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基で
   ある）で表される繰返し単位から主としてなる請求項１
   に記載の光学用成形物用芳香族ポリカーボネート樹脂組
   成物。
3. 【請求項３】 芳香族ポリカーボネートの粘度平均分子
   量が１２０００〜１８０００である請求項１または２に
   記載の光学用成形物用芳香族ポリカーボネート樹脂組成
   物。
4. 【請求項４】 エステル化合物（Ｂ）が炭素数１２〜２
   ４の脂肪族カルボン酸と炭素数２〜１４の２〜６価の脂
   肪族アルコールとの部分エステル化合物である請求項１
   〜３のいずれかに記載の光学用成形物用芳香族ポリカー
   ボネート樹脂組成物。
5. 【請求項５】 芳香族ポリカーボネート（Ａ）が芳香族
   ジヒドロキシ化合物と、該芳香族ジヒドロキシ化合物１
   モルに対し１．０〜１．１モルの炭酸ジエステルとを、
   アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物より
   なる群から選ばれる少なくとも１種のエステル交換触媒
   １×１０^-8〜１×１０^-5モルの存在下で反応せしめて得
   られたものである請求項１〜４のいずれかに記載の光学
   用成形物用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
6. 【請求項６】 下記式（２） Ａ¹−ＳＯ₃Ｘ¹ …… （２） （ここで、Ａ¹は置換していてもよい炭素数１〜３０の
   １価の炭化水素基であり、Ｘ¹はアンモニウムカチオ
   ン、ホスホニウムカチオンまたは炭素数１〜１０の一価
   の炭化水素基である）で表わされるスルホン酸化合物
   を、芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００重量部に対し
   １×１０^-5〜１×１０^-2重量部さらに含有する請求項１
   〜５のいずれかに記載の光学用成形物用芳香族ポリカー
   ボネート樹脂組成物。
7. 【請求項７】 上記式（２）のスルホン酸化合物が下記
   式（２）−１ 【式２】 （ここで、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴、Ａ⁵およびＡ⁶は、互いに独
   立に、炭素数１〜２０の１価の炭化水素基である）で表
   わされる化合物である請求項６に記載の光学用成形物用
   芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
8. 【請求項８】 亜リン酸のエステルおよび／またはリン
   酸のエステルを、芳香族ポリカーボネート（Ａ）１００
   重量部に対し１×１０^-4〜０．１重量部さらに含有する
   請求項１〜７のいずれかに記載の光学用成形物用芳香族
   ポリカーボネート樹脂組成物。
9. 【請求項９】 塩酸、リン酸、亜リン酸、ホウ酸、これ
   らのアミン塩およびアンモニウム塩よりなる群から選ば
   れる少なくとも１種の化合物を、芳香族ポリカーボネー
   ト（Ａ）１００重量部に対し１×１０^-5〜１×１０^-2重
   量部さらに含有する請求項１〜８のいずれかに記載の光
   学用成形物用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかの芳香族ポリ
    カーボネート樹脂組成物からなる光記録媒体用基板。
11. 【請求項１１】 請求項１０の基板を使用する光記録媒
    体。