JP2002234994A - ポリカーボネート樹脂組成物、光記録媒体およびその基板 - Google Patents

ポリカーボネート樹脂組成物、光記録媒体およびその基板

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JP2002234994A
JP2002234994A JP2001033458A JP2001033458A JP2002234994A JP 2002234994 A JP2002234994 A JP 2002234994A JP 2001033458 A JP2001033458 A JP 2001033458A JP 2001033458 A JP2001033458 A JP 2001033458A JP 2002234994 A JP2002234994 A JP 2002234994A
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Japan
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aromatic polycarbonate
carbon atoms
resin composition
polycarbonate resin
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Application number
JP2001033458A
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English (en)
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Shigeki Hirata
滋己 平田
Toru Sawaki
透 佐脇
Katsuji Sasaki
勝司 佐々木
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶融成型時の熱安定性および離型性の双方に
優れたポリカーボネート樹脂、光記録媒体および基板を
提供する。 【解決手段】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとを、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属
化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種のエステ
ル交換触媒の存在下で反応せしめて得られた芳香族ポリ
カーボネート(A)100重量部および脂肪族カルボン
酸と多価アルコールがエステル結合を有し、かつ少なく
とも一つの脂肪族カルボン酸が分岐状脂肪族カルボン酸
であるエステル化合物(B)5×10-4〜0.5重量部
からなる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、およびそ
の樹脂を用いて成型した光記録媒体基板によって達成で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
樹脂組成物、それを用いた光記録媒体およびそのための
基板に関するものである。さらに詳しくは、成形時の色
相保持などの熱安定性が良好で、かつ離型性、転写性な
どの成形性にも優れた、新規ポリカーボネート樹脂組成
物並びにそれを用いた光記録媒体およびそのための基板
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】芳香族ポリカーボネートは、耐衝撃性な
どの機械的物性に優れ、しかも、耐熱性、透明性などに
も優れているため、光学用部品、各種機械部品、自動車
部品をはじめとする様々な用途に広く用いられている。
【0003】また、芳香族ポリカーボネートは、その優
れた光学特性により、近年、光学用成形品としての需要
が著しく、例えば、光学用ディスク、情報ディスク、光
学レンズ、プリズムなどに広く用いられてきている。そ
して、それに伴い、熱安定性、離型性、転写性などの要
求がこれまで以上に高まってきている。
【0004】光学用ディスク、情報ディスク、光学レン
ズなどは、主に射出成形によって製造されるため、成形
品が金型から離型する際に離型抵抗が大きいと反りを生
じ、光学歪みの原因となるため、離型剤の使用が必要不
可欠である。特に、コンパクトディスク(CD)、レー
ザーディスク(登録商標)(LD)などの光学記録用デ
ィスクの製造では、スタンパーの1μm以下の微細な凹
凸を正確に転写することを目的として300℃以上の高
温で射出成形されるため、使用される樹脂は離型性に加
えて熱安定性も同様に要求される。
【0005】従来、ポリカーボネート樹脂の離型剤とし
ては、パラフィン、シリコーンオイル、脂肪酸、脂肪酸
エステル、脂肪酸部分エステルなどが知られている。特
に、近年、光ディスク用ポリカーボネート樹脂の離型性
を改良するために脂肪酸エステル、特に多価アルコール
の部分エステルが用いられている。
【0006】特公昭47−41092号公報には、炭素
数12〜30の脂肪族飽和1価カルボン酸と炭素数30
以下の脂肪族飽和1価アルコールまたは多価アルコール
とのエステルまたは部分エステルをポリカーボネート樹
脂に0.05〜5重量%添加した滑性ポリカーボネート
樹脂組成物が開示されている。
【0007】特公平2−48081号公報には、炭素数
16〜22の飽和1価脂肪酸のモノグリセリドを、粘度
平均分子量が約12,000〜約19,000のポリカ
ーボネート100重量部当り0.01〜0.2重量部含
有する、優れた型転写性および無傷の表面を持つ成形品
を与えるポリカーボネート樹脂組成物並びにそれからな
る光学用成形品が開示されている。
【0008】特開平8−73724号公報には、脂肪族
カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルを、2〜
40モル%の末端ヒドロキシル濃度と2.0〜2.8の
分子量分布(Mw/Mn)を持つ芳香族ポリカーボネー
ト樹脂100重量部に、0.01〜0.1重量部含有す
る、離型性、耐熱性および転写性に優れたポリカーボネ
ート樹脂組成物が開示されている。
【0009】また、特公昭55−4141号公報には、
ポリカーボネートの帯電防止性を改善すべく、脂肪族モ
ノグリセリドをポリカーボネート100重量部当り0.
1〜5重量部で含有する、帯電防止性ポリカーボネート
組成物が開示されている。
【0010】上記先行技術に開示された飽和脂肪族モノ
カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルはそれ自
身熱分解を起こしやすく、また、ポリマーと反応して熱
分解もしくはエステル交換反応などを引き起こしやす
い。それ故、ポリカーボネート樹脂中に従来の飽和モノ
カルボン酸と多価アルコールの部分エステルを添加する
と残留フェノール類が増加したり、また、特に高温での
溶融成形時に成形品の品質低下を生じやすく、場合によ
ってはシルバーストリークが起こるなどの不具合が生じ
るなどという問題を有する。
【0011】また、他の離型剤、例えば多価アルコール
の完全エステルを用いる場合は、飽和脂肪族モノカルボ
ン酸と多価アルコールの部分エステルと同程度の添加量
であれば熱安定性に関する問題は生じないものの、十分
な離型性を実現することができない。
【0012】上記の理由により、溶融成形時の熱安定性
および離型性の双方に優れたポリカーボネート樹脂組成
物およびそれを満足させる離型剤の出現が望まれてい
る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、上述のような従来技術の問題点を解決し、十分な離
型性と熱安定性とを兼ね備えたポリカーボネート樹脂組
成物を提供することにある。
【0014】本発明の他の目的は、溶融成形時の色相保
持、例えば黄変防止などの熱安定性および離型性や転写
性などの成形性との両方に優れ、そのため特に光学用デ
ィスク基板、レンズなどの精密な光学用成形品を製造す
るのに適したポリカーボネート樹脂組成物を提供するこ
とにある。
【0015】本発明のさらに他の目的は、本発明の基板
を用いた光記録媒体を提供することにある。
【0016】本発明のさらに他の目的は、ポリカーボネ
ート樹脂の離型性を改善するための新規な離型性改善剤
を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を達成
するためになされたものであり、すなわち以下のとおり
である。 1.芳香族ジヒドロキシ化合物と、該芳香族ジヒドロキ
シ化合物1モルに対し1.0〜1.1モルの炭酸ジエス
テルとを、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属
化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種のエステ
ル交換触媒1×10-8〜1×10-5モルの存在下で反応
せしめて得られた芳香族ポリカーボネート(A)100
重量部および脂肪族カルボン酸と多価アルコールがエス
テル結合を有し、かつ少なくとも一つの脂肪族カルボン
酸が分岐状脂肪族カルボン酸であるエステル化合物
(B)5×10-4〜0.5重量部からなる芳香族ポリカ
ーボネート樹脂組成物。 2.芳香族ポリカーボネート(A)が下記式(1)
【0018】
【化5】
【0019】[ここで、R1、R2、R3およびR4は互い
に独立に水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素
数6〜10のアリール基または炭素数7〜10のアラル
キル基でありそしてWはメチレン基、炭素数2〜10の
アルキレン基、炭素数2〜10のアルキリデン基、炭素
数6〜10のシクロアルキレン基、炭素数6〜10のシ
クロアルキリデン基、炭素数8〜15のアルキレン−ア
リーレン−アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホ
キシド基またはスルホン基である。]で表される繰返し
単位から主としてなる1.に記載の芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物。 3.エステル化合物(B)が炭素数1〜25の脂肪族カ
ルボン酸と炭素数2〜14の2〜6価の脂肪族アルコー
ルとの部分エステル化合物であり、かつ少なくとも一つ
の脂肪族カルボン酸が分岐状脂肪族カルボン酸である
1.に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。 4.エステル化合物(B)が下記式(2)
【0020】
【化6】
【0021】[ここでR5、R6、R7は、それぞれ独立
して水素原子、炭素数1〜25の直鎖状脂肪族カルボン
酸残基、分岐状脂肪族カルボン酸残基、脂肪族炭化水素
基、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基のいずれかで
あり、かつR5、R6、R7の少なくとも一つは分岐状脂
肪族カルボン酸残基であり、かつR5、R6、R7の少な
くとも一つは水素原子である。またl、m、nは、それ
ぞれ独立して0〜5の整数である。]で表される1.に
記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。 5.上記式(2)で表わされる脂肪族エステル化合物
(B)が下記式(2)−1
【0022】
【化7】
【0023】[ここでR5、R6、R7はそれぞれ独立し
て水素原子もしくは炭素数1〜25の分岐状脂肪族カル
ボン酸残基であり、かつR5、R6、R7の少なくとも一
つは分岐状脂肪族カルボン酸残基であり、かつR5
6、R7の少なくとも一つは水素原子である。]で表わ
される1.に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物。 6.塩酸、リン酸、亜リン酸、ホウ酸、これらのアミン
塩およびアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なく
とも1種の化合物1×10-5〜1×10-2重量部をさら
に含有する1.に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物。 7.下記式(3) A1−SO31 (3) [ここで、A1は置換していてもよい炭素数1〜30の
1価の炭化水素基でありそしてX1はアンモニウムカチ
オン、ホスホニウムカチオンまたは炭素数1〜10の一
価の炭化水素基である。]で表わされるスルホン酸化合
物を1×10-5〜1×10-2重量部さらに含有する1.
に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。 8.上記式(3)のスルホン酸化合物が下記式(3)−
【0024】
【化8】
【0025】[ここで、A2、A3、A4、A5およびA6
は、互いに独立に、炭素数1〜20の1価の炭化水素基
である。]で表わされる請求項1。の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物。 9.亜リン酸エステルおよび/またはリン酸エステルを
1×10-4〜0.1重量部でさらに含有する1.に記載
の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。 10.上記エステル化合物(B)の、芳香族ポリカーボ
ネートと混合して芳香族ポリカーボネートの離型性を改
善するための使用方法。 11.上記エステル化合物(B)からなる、芳香族ポリ
カーボネートの離型性改善剤。 12.1.記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物か
らなる光記録媒体用基板。 13.12.に記載の基板および該基板の片面上に直接
または中間層を介して存在する光記録層からなる光記録
媒体。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明について好ましい実
施態様を説明する。
【0027】芳香族ポリカーボネート(A)は、芳香族
ジヒドロキシ化合物と、該芳香族ジヒドロキシ化合物1
モルに対し1.0〜1.1モルの炭酸ジエステルとを、
アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物より
なる群から選ばれる少なくとも1種のエステル交換触媒
1×10-8〜1×10-5モルの存在下で反応せしめるこ
とにより得られた、芳香族ジオール化合物の炭酸エステ
ルを主たる繰返し単位とする熱可塑性ポリカーボネート
である。かかる繰返し単位は、例えば下記式(1)
【0028】
【化9】
【0029】[ここで、R1、R2、R3およびR4は互い
に独立に水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素
数6〜10のアリール基または炭素数7〜10のアラル
キル基でありそしてWは炭素数1〜10のアルキレン
基、炭素数2〜10のアルキリデン基、炭素数6〜10
のシクロアルキレン基、炭素数6〜10のシクロアルキ
リデン基、炭素数8〜15のアルキレン−アリーレン−
アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基ま
たはスルホン基である。]で表される。
【0030】R1、R2、R3およびR4を表す炭素数1〜
10のアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であって
もよい。その例としては、メチル、エチル、プロピル、
ブチル、オクチル、デシル等を挙げることができる。ま
た炭素数6〜10のアリール基としては、例えばフェニ
ル、トリル、クミル、ナフチル等を挙げることができ
る。炭素数7〜10のアラルキル基としては、例えばベ
ンジル、2−フェネチル、2−メチル、2−フェニルエ
チル等を挙げることができる。これらの中でR1、R2
3およびR4としては、互いに独立に、水素原子、メチ
ル基およびt−ブチル基が好ましく、水素原子が特に好
ましい。
【0031】また、Wの定義も上記のとおりである。よ
り詳細に説明すると、炭素数1〜10のアルキレン基は
直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。その例とし
ては、メチレン、1,2−エチレン、2,2−プロピレ
ン、2,2−ブチレン、1,1−デシレン等を挙げるこ
とができる。また炭素数2〜10のアルキリデン基とし
ては、例えばエチリデン、プロピリデン、ブチリデン、
ヘシリデン等を挙げることができる。炭素数6〜10の
シクロアルキレン基としては、例えば1,4−シクロヘ
キシレン、2−イソプロピル−1,4−シクロヘキシレ
ン等を挙げることができる。炭素数6〜10のシクロア
ルキリデン基としては、例えばシクロヘキシリデン、イ
ソプロピルシクロヘキシリデン等を挙げることができ
る。炭素数8〜15のアルキレン−アリーレン−アルキ
レン基としては、例えばm−ジイソプロピルフェニレン
基などが挙げられる。
【0032】これらの中でWとしては、シクロヘキシリ
デン基、2,2−プロピリデン基が好ましく、2,2−
プロピリデン基が特に好ましい。
【0033】芳香族ポリカーボネートは、上記式(1)
で表される繰返し単位を全繰返し単位に基づき50モル
%以上、好ましくは70モル%以上、特に好ましくは8
0モル%以上で含有する。上記式(1)で表される繰返
し単位以外の、場合により含有されていてもよい繰返し
単位は以下の説明から当業者は理解されるであろう。
【0034】本発明で用いられる芳香族ポリカーボネー
トは、好ましくは粘度平均分子量が5,000〜10
0,000であり、より好ましくは7,000〜50,
000であり、さらに好ましくは10,000〜18,
000である。
【0035】本発明で用いられる芳香族ポリカーボネー
トは、主たる末端基構造としてアリールオキシ基(イ)
とフェノール性OH基(ロ)とからなり、両者のモル比
(イ)/(ロ)が95/5〜40/60であることが好
ましい。すなわちフェノール性末端基濃度が60モル%
以下であることが好ましく、より好ましくはフェノール
性末端基濃度が40モル%以下、さらに好ましくは、3
0モル%以下である。
【0036】その芳香族ポリカーボネートの重合平均分
子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比(Mw/M
n)は、好ましくは3.6以下であり、より好ましくは
3以下である。
【0037】本発明で用いられる芳香族ポリカーボネー
トは、芳香族ジヒドロキシ化合物と、該芳香族ジヒドロ
キシ化合物1モルに対し1.0〜1.1モルの炭酸ジエ
ステルとを、アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金
属化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種のエス
テル交換触媒1×10-8〜1×10-5モルの存在下で反
応せしめて製造される。
【0038】上記製造方法としては溶融状態で反応を進
行させるいわゆる溶融重合法が一般的であるが、得られ
たポリマーを一旦結晶化させ、所望の分子量まで反応を
進行させるいわゆる固相重合法も本発明の範囲として理
解されるであろう。かかる芳香族ジヒドロキシ化合物と
しては、下記式(1)−1
【0039】
【化10】
【0040】に示される化合物が好ましく使用できる。
ここで、R1、R2、R3およびR4およびWの定義は上記
式(1)に同じである。
【0041】このような芳香族ジヒドロキシ化合物
(1)−1としては、具体的にはビス(4−ヒドロキシ
フェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチ
ルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−
3,5−ジクロロフェニル)プロパン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)フェニルメタン、4,4’−ジヒドロ
キシフェニル−1,1’−m−ジイソプロピルベンゼ
ン、4,4’−ジヒドロキシフェニル−9,9−フルオ
レンなどのビス(4−ヒドロキシアリール)アルカン
類;1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペ
ンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン、1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−4−(ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチ
ル−シクロヘキサン、4−[1−〔3−(4−ヒドロキ
シフェニル)−4−メチルシクロヘキシル〕−1−ネチ
ルエチル]−フェノール、4,4’−〔1−メチル−4
−(1−メチルエチル)−1,3−シクロヘキサンジイ
ル〕ビスフェノール、2,2,2’,2’−テトラヒド
ロ−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−ス
ピロビス−〔1H−インデン〕−6,6’−ジオールな
どのビス(ヒドロキシアリール)シクロアルカン類;ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒ
ドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)エーテル、4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルフェニルエー
テルなどのジヒドロキシアリールエーテル類;4,4’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’−ジヒ
ドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルフィドな
どのジヒドロキシジアリールスルフィド類;4,4’−
ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’−ジヒ
ドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルホキシド
などのジヒドロキシジアリールスルホキシド類;4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジ
ヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルホン、
などのジヒドロキシジアリールスルホン類;4,4’−
ジヒドロキシジフェニル−3,3’−イサチンなどのジ
ヒドロキシジアリールイサチン類;3,6−ジヒドロキ
シ−9,9−ジメチルキサンテンなどのジヒドロキシジ
アリールキサンテン類;レゾルシン、5−メチルレゾル
シン、5−エチルレゾルシン、5−t−ブチルレゾルシ
ン、5−フェニルレゾルシン、5−クミルレゾルシン、
ヒドロキノン、2−メチルヒドロキノン、2−エチルヒ
ドロキノン、2−t−ブチルヒドロキノン、2−フェニ
ルヒドロキノン、2−クミルヒドロキノンなどのジヒド
ロキシベンゼン類;および4,4’−ジヒドロキシジフ
ェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジヒドロキシ
ジフェニル等ジヒドロキシジフェニル類が挙げられる。
【0042】中でも2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン(ビスフェノールA)がモノマーとして
の安定性、さらにはそれに含まれる不純物の量が少ない
ものとしての入手が容易であることなどから好ましいも
のとして挙げられる。
【0043】本発明において、芳香族ポリカーボネート
分子中には、ガラス転移温度の制御、あるいは流動性の
向上、あるいは、屈折率のアップ、あるいは複屈折低減
等の光学的性質の制御を目的として各種モノマーを必要
に応じて、1種あるいは2種以上含有させることができ
る。
【0044】これらの具体例としては、例えばエチレン
グリコール、1,4−ブタンジオール、1,4−シクロ
ヘキサンジメタノール、2,2−ジメチル−1,3−プ
ロパンジオール、1,10−デカンジオール、ジエチレ
ングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメ
チレングリコールのごとき脂肪族ジヒドロキシ化合物;
コハク酸、イソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボ
ン酸、アジピン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、テレ
フタル酸のごときジカルボン酸;あるいはp−ヒドロキ
シ安息香酸、6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、乳酸の
ごときオキシ酸が挙げられる。
【0045】かかる炭酸ジエステルとしては、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物とカーボネート結合を形成しうる化合
物であれば特に限定されないが、具体的にはジフェニル
カーボネート、ジトリルカーボネート、ビス(2−クロ
ロフェニル)カーボネート、m−クレジルカーボネート
のごとき芳香族炭酸ジエステルが用いられる。その他ジ
メチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロ
ヘキシルカーボネート等も所望により使用できる。
【0046】これらのうちジフェニルカーボネートが、
反応性、得られる樹脂の着色に対する安定性、さらには
コストの点からしても、特に好ましい。
【0047】また上記の芳香族ポリカーボネートの製造
方法において、炭酸ジエステルとともにジカルボン酸あ
るいはジカルボン酸ハライド、ジカルボン酸エステルの
ごときジカルボン酸誘導体を使用することにより芳香族
ポリエステルカーボネートを製造することができる。こ
のような芳香族ポリエステルカーボネートも、本発明に
おける芳香族ポリカーボネートとして使用することがで
きる。
【0048】かかるジカルボン酸あるいはジカルボン酸
誘導体としては、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、テレフ
タル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなどの芳香
族ジカルボン酸類;コハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンニ
酸、ドデカンニ酸、アジピン酸クロリド、スベリン酸ク
ロリド、アゼライン酸クロリド、セバシン酸クロリド、
アゼライン酸ジフェニル、セバシン酸ジフェニル、デカ
ンニ酸ジフェニル、ドデカンニ酸ジフェニル、などの脂
肪族ジカルボン酸類;シクロプロパンジカルボン酸、
1,3−シクロブタンジカルボン酸、1,3−シクロペ
ンタンジカルボン酸、1,3−シクロヘキサンジカルボ
ン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸;シクロプ
ロパンジカルボン酸クロリド、1,3−シクロブタンジ
カルボン酸クロリド、1,3−シクロペンタンジカルボ
ン酸クロリド、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸ク
ロリド、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸クロリ
ド;シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、1,3−
シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、1,3−シクロ
ペンタンジカルボン酸ジフェニル、1,3−シクロヘキ
サンジカルボン酸ジフェニル、1,4−シクロヘキサン
ジカルボン酸ジフェニルなどの脂環式ジカルボン酸類を
挙げることができる。
【0049】また上記式(1)で表される繰返し単位構
造を有する芳香族ポリカーボネートを製造するとき、上
記ジヒドロキシ化合物とともに、一分子中に3個以上の
官能基を有する多官能化合物を併用することもできる。
このような多官能化合物としてはフェノール性水酸基ま
たはカルボキシル基を有する化合物が好ましく使用され
る。
【0050】具体的には例えば1,1,1−トリス(4
−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2’,2”−トリ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベ
ンゼン、2,2’,2”−トリス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−p−ジイソプロピルベンゼン、α−メチル−
α,α’,α”−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,4−ジエチルベンゼン、α,α’,α”−トリス
(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプ
ロピルベンゼン、フロログルシン、4,6−ジメチル−
2,4,6−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−ヘプ
タン、1,3,5−トリス(4−ヒドロキシフェニル)
ベンゼン、2,2−ビス〔4,4−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキシル〕−プロパン、トリメリット
酸、1,3,5−トリカルボキシベンゼン、ピロメリッ
ト酸などが挙げられる。
【0051】これらのうち1,1,1−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、α,α’,α”−トリス
(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプ
ロピルベンゼンなどが好ましく使用できる。
【0052】多官能化合物を併用するとき、例えばポリ
カーボネートの溶融粘度をあげる目的では、多官能化合
物を、芳香族ジヒドロキシ化合物に1モルに対して0.
03モル以下、好ましくは0.00005〜0.02モ
ル、さらに好ましくは0.0001〜0.01モルの範
囲で使用するのが好ましい。
【0053】また上記の芳香族ポリカーボネートの製造
方法において、アルカリ金属化合物またはアルカリ土類
金属化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種のエ
ステル交換触媒が使用される。
【0054】触媒として使用されるアルカリ金属化合物
またはアルカリ土類金属化合物は、芳香族ジヒドロキシ
化合物、1モルに対し、1×10-8〜1×10-5モルの
範囲で使用される。このとき炭酸ジエステルは1.0〜
1.1モルの範囲で好ましく使用される。上記範囲を逸
脱すると、得られる芳香族ポリカーボネートの諸物性に
悪影響をおよぼしたり、またエステル交換反応が十分に
進行せず、高分子量の芳香族ポリカーボネートが得られ
ない等の問題の起こることがあり、好ましくない。
【0055】エステル交換触媒をかかる量範囲において
使用することにより芳香族ポリカーボネートの製造を効
率的に生産性よく実施しうるとともに得られる芳香族ポ
リカーボネートの物性も本発明の目的を達成するために
好ましいものとなる。
【0056】かかるエステル交換触媒として使用される
アルカリ金属化合物としては、例えばアルカリ金属の水
酸化物、炭化水素化合物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜
硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、ステ
アリン酸塩、水素化ホウ素塩、安息香酸塩リン酸水素化
物、ビスフェノール、フェノールの塩等が挙げられる。
【0057】具体例としては水酸化ナトリウム、水酸化
リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸セシウム、酢酸ナトリウム、酢酸リ
チウム、硝酸ルビジウム、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸リ
チウム、亜硫酸ナトリウム、シアン酸ナトリウム、シア
ン酸カリウム、シアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリ
ウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸セシウム、
ステアリン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水
素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル
化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸リ
チウム、リン酸水素ジナトリウム、ビスフェノールAの
ジナトリウム塩、ジリチウム塩、モノナトリウム塩、モ
ノカリウム塩、ナトリウムカリウム塩、ナトリウムリチ
ウム塩、フェノールのナトリウム塩、リチウム塩などが
挙げられる。
【0058】またかかるエステル交換触媒として使用さ
れるアルカリ土類金属化合物としては、例えばアルカリ
土類金属の水酸化物、炭化水素化合物、炭酸塩、酢酸
塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシ
アン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホウ素塩、安息香酸
塩リン酸水素化物、ビスフェノール、フェノールの塩等
が挙げられる。
【0059】具体例としては水酸化カルシウム、水酸化
バリウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸
カルシウム、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酢酸
カルシウム、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、硝酸
カルシウム、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム、亜硝
酸カルシウム、亜硝酸バリウム、亜硝酸ストロンチウ
ム、亜硫酸カルシウム、亜硫酸バリウム、亜硫酸ストロ
ンチウム、シアン酸カルシウム、シアン酸バリウム、シ
アン酸ストロンチウム、チオシアン酸カルシウム、チオ
シアン酸バリウム、チオシアン酸ストロンチウム、ステ
アリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリ
ン酸ストロンチウム、水素化ホウ素カルシウム、水素化
ホウ素バリウム、水素化ホウ素ストロンチウム、安息香
酸カルシウム、安息香酸バリウム、安息香酸ストロンチ
ウム、ビスフェノールAのカルシウム塩、バリウム塩、
ストロンチウム塩、フェノールのカルシウム塩、バリウ
ム塩、ストロンチウム塩などが挙げられる。
【0060】またエステル交換触媒として塩基性窒素化
合物、およびまたは塩基性リン化合物を併用するのが好
ましい。
【0061】これらのうち、塩基性窒素化合物の具体例
としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド(Me4NOH)、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド(Et4NOH)、テトラブチルアンモニウムヒ
ドロキシド(Bu4NOH)、ベンジルトリメチルアン
モニウムヒドロキシド(Ph−CH2(Me)3NO
H)、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシ
ドなどのアルキル、アリール、アルキルアリール基など
を有するアンモニウムヒドロキシド類;テトラメチルア
ンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムフェ
ノキシド、テトラブチルアンモニウム炭酸塩、ベンジル
トリメチルアンモニウム安息香酸塩、ヘキサデシルトリ
メチルアンモニウムエトキシドなどのアルキル、アリー
ル、アルキルアリール基などを有する塩基性アンモニウ
ム塩;トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチル
ベンジルアミン、ヘキサデシルジメチルアミンなどの第
3級アミン;あるいはテトラメチルアンモニウムボロハ
イドライド(Me4NBH4)、テトラブチルアンモニウ
ムボロハイドライド(Bu4NBH4)、テトラブチルア
ンモニウムテトラフェニルボレート(Bu4NBP
4)、テトラメチルアンモニウムテトラフェニルボレ
ート(Me4NBPh4)などの塩基性塩などを挙げるこ
とができる。
【0062】また塩基性リン化合物の具体例としては、
例えばテトラメチルホスホニウムヒドロキシド(Me4
POH)、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド(E
4POH)、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド
(Bu4POH)、ベンジルトリメチルホスホニウムヒ
ドロキシド(Ph−CH2(Me)3POH)、ヘキサデ
シルトリメチルホスホニウムヒドロキシドなどのアルキ
ル、アリール、アルキルアリール基などを有するホスホ
ニウムヒドロキシド類、あるいはテトラメチルホスホニ
ウムボロハイドライド(Me4PBH4)、テトラブチル
ホスホニウムボロハイドライド(Bu4PBH4)、テト
ラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート(Bu4
PBPh4)、テトラメチルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート(Me4PBPh4)などの塩基性塩などを挙
げることができる。
【0063】上記塩基性窒素化合物およびまたは塩基性
リン化合物は、塩基性窒素原子あるいは塩基性リン原子
が芳香族ジヒドロキシ化合物、1モルに対し、1×10
-5〜5×10-4モルとなる割合で用いるのが好ましい。
より好ましい使用割合は同じ基準に対し2×10-5〜5
×10-4モルとなる割合である。特に好ましい割合は同
じ基準に対し5×10-5〜5×10-4モルとなる割合で
ある。
【0064】触媒として使用するアルカリ金属化合物と
しては、所望により周期律表第14族元素のアート錯体
アルカリ金属塩または周期律表第14族元素のオキソ酸
のアルカリ金属塩を用いることができる。ここで周期律
表第14族の元素とは、ケイ素、ゲルマニウム、スズの
ことをいう。かかるアルカリ金属化合物を重縮合反応の
触媒として用いることにより、重縮合反応を迅速にかつ
十分に進めることができる利点を有する。また重縮合反
応中に進行する分岐反応のような好ましくない副反応を
低いレベルに押さえることができる。
【0065】周期律表第14族元素のアート錯体アルカ
リ金属塩としては、特開平7−268091号公報に記
載のものが用いられる。例えばNaGe(OMe)5
NaGe(OPh)5、LiGe(OMe)5、LiGe
(OPh)5、NaSn(OMe)3、NaSn(OM
e)5、NaSn(OPh)5などを挙げることができ
る。
【0066】また周期律表第14族元素のオキソ酸のア
ルカリ金属塩としては、例えばケイ酸、スズ酸、ゲルマ
ニウム(II)酸、ゲルマニウム(IV)酸のアルカリ
金属塩を好ましいものとして挙げることができる。
【0067】これらの具体例としてはオルトケイ酸ジナ
トリウム、モノスズ酸ジナトリウム、モノスズ酸テトラ
ナトリウム、ゲルマニウム(II)酸モノナトリウム
(NaHGeO2)、オルトゲルマニウム(IV)酸ジ
ナトリウム、オルトゲルマニウム(IV)酸テトラナト
リウムを挙げることができる。
【0068】重縮合反応には、アルカリ金属化合物であ
る上記触媒と一緒に、必要により周期律表第14属元素
のオキソ酸、酸化物および同元素のアルコキシド、フェ
ノキシドよりなる群から選ばれる少なくとも、1種の化
合物を助触媒として共存させることができる。
【0069】これらの助触媒を用いることにより分子末
端の封鎖反応、重縮合反応速度を損うことなく重縮合反
応中に生成しやすい分岐反応、主鎖開裂反応や、成形加
工時における装置内での異物の生成、焼けといった好ま
しくない現象を効果的に抑止できる。
【0070】周期律表第14族のオキソ酸としては、例
えばケイ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げることがで
きる。
【0071】周期律表第14族の酸化物としては、例え
ば二酸化ケイ素、二酸化スズ、一酸化ゲルマニウム、二
酸化ゲルマニウム、シリコンテトラメトキシド、シリコ
ンテトラブトキシド、シリコンテトラフェノキシド、テ
トラエトキシスズ、テトラノニルオキシスズ、テトラフ
ェノキシスズ、テトラメトキシゲルマニウム、テトラブ
トキシゲルマニウム、テトラフェノキシゲルマニウムお
よびこれらの縮合体を挙げることができる。
【0072】これらの助触媒は重縮合反応触媒中のアル
カリ金属元素1モル原子当り、周期律表第14族の元素
が50モル原子以下となる割合で存在せしめるのが好ま
しい。同金属元素が50モル原子を超える割合で助触媒
を用いると、重縮合反応速度が遅くなり好ましくない。
助触媒は、重縮合反応触媒のアルカリ金属元素1モル原
子当り助触媒としての周期律表第14族の元素が0.1
〜30モル原子となる割合で存在せしめるのがさらに好
ましい。
【0073】本発明で製造される芳香族ポリカーボネー
トは、さらに、下記式(3) A1−SO31 (3)
【0074】[ここで、A1は置換基を有していてもよい
炭素数1〜30の1価の炭化水素基であり、X1はアン
モニウムカチオン、ホスホニウムカチオンまたは炭素数
1〜10の1価の炭化水素基である。]で表わされるス
ルホン酸化合物を含有するのが好ましい。
【0075】これを含有することで、エステル交換触媒
として使用したアルカリ金属またはアルカリ土類金属化
合物の活性を低下もしくは失活させることができ、色
相、耐熱性、耐加水分解性などの品質に優れたポリカー
ボネートを得ることができる。スルホン酸化合物として
は、下記式(3)−1
【0076】
【化11】
【0077】[ここで、A2、A3、A4、A5およびA
6は、互いに独立に、炭素数1〜20の1価の炭化水素
基である。]で表わされるスルホン酸ホスホニウム塩が
特に効果が大きく、好ましい。
【0078】なお、上記式(3)−1におけるA2は、
例えば、水素原子、メチル基、ヘキシル基、ドデシル
基、A3〜A6は、それぞれ独立に、メチル基、ブチル
基、オクチル基から選ばれる基が好ましい。
【0079】このようなスルホン酸化合物は、ポリマー
中に残存するエステル交換触媒の失活剤として機能する
もので、触媒失活剤としては、例えば特開平8−599
75号公報記載のような公知の剤も有効に使用される
が、この中でもスルホン酸のアンモニウム塩、スルホン
酸のホスホニウム塩が好ましい。さらに具体的は、ドデ
シルベンゼンスルホン酸のアンモニウム塩、ホスホニウ
ム塩、パラトルエンスルホン酸のアンモニウム塩、ホス
ホニウム塩やベンゼンスルホン酸のアンモニウム塩、ホ
スホニウム塩が好ましい。
【0080】本発明においては、これらの触媒失活剤の
うち、上記式(3)−1のスルホン酸化合物(とりわけ
ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩や、パラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウ
ム塩)が最も好ましく使用される。
【0081】触媒失活剤は触媒の活性を著しく低下させ
るものであり、このような触媒失活剤はそれだけでポリ
カーボネート樹脂に添加してもよく、水と触媒失活剤の
混合液として同時にポリカーボネート樹脂に添加しても
よい。
【0082】溶融重合で得られるポリカーボネート樹脂
に対する触媒失活剤の添加量は、アルカリ金属化合物、
アルカリ土類金属化合物より選ばれた前記主重縮合触媒
1モル当り0.5〜50モルの割合で、好ましくは0.
5〜10モルの割合で、さらに好ましくは0.8〜5モ
ルの割合で使用する。これは通常、ポリカーボネート樹
脂100重量部に対し1×10-2〜1×10-5重量部の
割合で使用することに相当する。
【0083】次に、エステル化合物(B)は、脂肪族カ
ルボン酸と多価アルコールがエステル結合を有し、かつ
少なくとも一つの脂肪族カルボン酸が分岐状脂肪族カル
ボン酸である脂肪族エステル化合物である。
【0084】脂肪族エステル化合物(B)は炭素数1〜
25の脂肪族カルボン酸と炭素数2〜14の2〜6価の
脂肪族アルコールとの部分エステル化合物であり、かつ
少なくとも一つの脂肪族カルボン酸が分岐状脂肪族カル
ボン酸である脂肪族エステル化合物であることが好まし
いエステル化合物(B)のうち、下記式(2)
【0085】
【化12】
【0086】[ここでR5、R6、R7は、それぞれ独立し
て水素原子、炭素数1〜25の直鎖状脂肪族カルボン酸
残基、分岐状脂肪族カルボン酸残基、脂肪族炭化水素
基、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基のいずれかで
あり、かつR5、R6、R7の少なくとも一つは分岐状脂
肪族カルボン酸残基であり、かつR5、R6、R7の少な
くとも一つは水素原子である。またl、m、nは、それ
ぞれ独立して0〜5の整数である。]で表されるエステ
ル化合物、または1分子内に水酸基を2つまたは4つ有
する多価アルコールのエステル化合物がさらに好まし
い。さらに上記式(2)で表されるエステル化合物は、
下記式(2)−1
【0087】
【化13】
【0088】[ここでR5、R6、R7はそれぞれ独立して
水素原子もしくは炭素数1〜25の分岐状脂肪族カルボ
ン酸残基であり、かつR5、R6、R7の少なくとも一つ
は分岐状脂肪族カルボン酸残基であり、かつR5、R6
7の少なくとも一つは水素原子である。]で表わされる
エステル化合物を特に好ましく使用しうる。
【0089】かかるエステル化合物(B)は分岐状脂肪
族カルボン酸残基を有することが本発明の大きな特徴で
ある。該エステル化合物を使用することにより、これま
で通常用いられてきた飽和直鎖状脂肪族モノカルボン酸
と多価アルコールの部分エステルなどで問題となってい
た溶融成形時の熱安定性等の品質を著しく向上させ、ま
た良好な離型性をもバランスよく有するポリカーボネー
ト樹脂組成物を得る事ができる。これはこれまで知られ
ていなかった事であり、革新的な知見であると言う事が
できる。
【0090】上記のエステル化合物(B)としては、例
えばグリセリンモノイソステアレート、グリセリンジイ
ソステアレート、グリセリントリイソステアレート、プ
ロピレングリコールモノイソステアレート、プロピレン
グリコールジイソステアレート、プロピレングリコール
トリイソステアレート、グリセリンモノイソパルミテー
ト、グリセリンジイソパルミテート、グリセリントリイ
ソパルミテート、プロピレングリコールモノイソパルミ
テート、プロピレングリコールジイソパルミテート、プ
ロピレングリコールトリイソパルミテート、エリスリト
ールモノイソステアレート、エリスリトールジイソステ
アレート、ペンタエリスリトールモノイソステアレー
ト、ペンタエリスリトールジイソステアレートなどを挙
げることができる。上記エステル化合物は単独であるい
は2種以上組合せてエステル化合物(B)として用いる
ことができる。
【0091】上記エステル化合物は、慣用の有機反応に
よって容易に得ることができる。一般に反応生成物はモ
ノエステル等の部分エステル化合物と、エステル化率1
00%の完全エステル化合物との混合物になる場合が多
く、本発明の目的を満たす事ができれば混合物のままで
使用しても良く、また再結晶もしくは蒸留等により単離
精製後使用しても良い。
【0092】エステル化合物(B)は芳香族ポリカーボ
ネート(A)100重量部に対し5×10-4〜0.5重
量部の割合で用いられる。この範囲外では、得られるポ
リカーボネート組成物の耐熱性が低下しまた十分な離型
性が確保できない。エステル化合物(B)は、同じ基準
に対し、好ましくは5×10-4〜0.3重量部であり、
より好ましくは5×10-4〜0.1重量部未満であり、
さらに好ましくは7×10-4〜8×10-2重量部であり
そして特に好ましくは1×10-3〜7×10-2重量部で
ある。
【0093】本発明に用いられるエステル化合物(B)
は芳香族ポリカーボネートの離型性を改善する。エステ
ル化合物(B)のこのような離型性改善剤としての用途
は新規であり、本発明によって初めて提供される。
【0094】また、本発明は、任意成分として、塩酸、
リン酸、亜リン酸、ホウ酸、これらのアミン塩およびア
ンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種の
化合物を、芳香族ポリカーボネート(A)100重量部
当り、1×10-5〜1×10 -2重量部さらに含有するこ
とができる。
【0095】これらの任意成分の使用はポリカーボネー
ト樹脂組成物における高温時特に300℃以上の高温で
の溶融成形時の着色や品質劣化あるいはシルバーストリ
ークの発生等の不具合を解消するのに有効である。
【0096】上記アミン塩を構成するアミンとしては、
例えばジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミ
ン、ジオクチルアミン、ジラウリルアミン、ピペラジ
ン、ピペリジンおよびシクロブチルアミンのごとき2級
アミン;並びにトリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリブチルアミンおよびピリジンのごとき3級アミンが
挙げられる。さらに上記アンモニウム塩を構成するアン
モニウムとしては、例えばテトラメチルアンモニウム、
テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等があげられる。任意成
分としてのこれらの化合物は、芳香族ポリカーボネート
100重量部当り、好ましくは1×10-4〜5×10-3
重量部である。
【0097】さらに本発明は、亜リン酸エステルおよび
/またはリン酸エステルを芳香族ポリカーボネート
(A)100重量部に対し、1×10-4〜0.1重量部
でさらに含有することができる。
【0098】亜リン酸エステルとしては、例えばトリメ
チルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリブチ
ルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリス
(2-エチルヘキシル)ホスファイト、トリノニルホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシル
ホスファイト、トリステアリルホスファイトなどのトリ
アルキルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイ
トなどのトリシクロアルキルホスファイト、トリフェニ
ルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス
(エチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4-ジ-
t-ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(ノニルフ
ェニル)ホスファイト、トリス(ヒドロキシフェニル)
ホスファイトなどのトリアリールホスファイト、フェニ
ルジデシルホスファイト、ジフェニルデシルホスファイ
ト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニルイ
ソオクチルホスファイト、2-エチルヘキシルジフェニ
ルホスファイトなどのアリールアルキルホスファイトな
どを挙げることができる。
【0099】さらに、亜リン酸エステルとして、ジステ
アリルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス(2,
4-ジ-t-ブチルフェニル)ペンタエリスリチルジホス
ファイトなどを挙げることができる。
【0100】リン酸エステルとしては、例えばトリメチ
ルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチル
ホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリデシル
ホスフェート、トリオクタデシルホスフェート、ジステ
アリルペンタエリスリチルジホスフェート、などのトリ
アルキルホスフェート、トリシクロヘキシルホスフェー
トなどのトリシクロアルキルホスフェート、トリフェニ
ルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス
(ノニルフェニル)ホスフェート、2-エチルフェニル
ジフェニルホスフェートなどのトリアリールホスフェー
トなどを挙げることができる。
【0101】これらの化合物は1種のみ、あるいは2種
以上組み合わせて用いることができる。これらのうち芳
香族亜リン酸エステルが好ましく用いられる。
【0102】亜リン酸エステルおよび/またはリン酸エ
ステルは、芳香族ポリカーボネート(A)100重量部
に対し、好ましくは1×10-3〜5×10-2重量部で含
有される。
【0103】本発明の組成物には、本発明の目的を損わ
ない範囲で通常のその他の添加剤、例えば加工安定剤、
耐熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤、金
属不活性化剤、金属石鹸類、造核剤、帯電防止剤、滑
剤、難燃剤、離型剤、防黴剤、着色剤、防曇剤、天然
油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系充填剤な
どを添加してもよい。
【0104】これらの添加剤のうちの幾つかについて、
具体的には次のようなものが挙げられる。加工安定剤と
しては、例えば2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル
−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチル
フェニルアクリレート、2−[1−(2−ヒドロキシ−
3,5−ジ−t−ペンチルフェニル)エチル]−4,6
−ジ−t−ペンチルフェニルアクリレートが挙げられ
る。
【0105】光安定剤としては、例えば2−(3−t−
ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−5−
クロロベンゾトリアゾール、2−(3,5−ジ−t−ブ
チル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、
2−(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ベンゾト
リアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−t−オクチル
フェニル)ベンゾトリアゾール、2−(3,5−ジ−t
−ペンチル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾ
ール、2−〔2−ヒドロキシ−3−(3,4,5,6−
テトラヒドロフタルイミドメチル)フェニル〕ベンゾト
リアゾール、2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス
(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]ベンゾトリア
ゾールのごときベンゾトリアゾール系化合物;2−ヒド
ロキシ−4−オクチルオキシベンゾフェノン、2−ヒド
ロキシ−4−メトキシベンゾフェノンのごときベンゾフ
ェノン系化合物;2,4−ジ−t−ブチルフェニル、
3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンゾエート
のごときヒドロキシベンゾフェノン系化合物;エチル−
2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレートのごとき
シアノアクリレート系化合物などの紫外線吸収剤:ニッ
ケルジブチルジチオカーバメート、[2,2’−チオビ
ス(4−t−オクチルフェノラート)]−2−エチルヘ
キシルアミンニッケルのごときニッケル系クエンチャー
などが挙げられる。
【0106】金属不活性化剤としては、例えばN,N’
−[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオニル]ヒドラジン等が挙げられる。金
属石鹸類としては例えばステアリン酸カルシウム、ステ
アリン酸ニッケル等が挙げられる。
【0107】造核剤としては、例えばジ(4−t−ブチ
ルフェニル)ホスホン酸ナトリウム、ジベンジリデンソ
ルビトール、メチレンビス(2,4−ジ−t−ブチルフ
ェノール)アシッドホスフェートナトリウム塩のごとき
ソルビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。
【0108】帯電防止剤としては、例えば(β−ラウラ
ミドプロピル)トリメチルアンモニウムメチルスルフェ
ートのごとき第4級アンモニウム塩系、アルキルホスフ
ェート系化合物が挙げられる。
【0109】難燃剤としては、例えばトリス(2−クロ
ロエチル)ホスフェートのごとき含ハロゲンリン酸エス
テル類;ヘキサブロモシクロドデカン、デカブロモフェ
ニルオキサイドのごときハロゲン化物;三酸化アンチモ
ン、五酸化アンチモン、水酸化アルミニウムなどの金属
無機化合物類並びにこれらの混合物が挙げられる。
【0110】上記の各成分から本発明の樹脂組成物を製
造する方法に特に制限はない。各成分の配合順序も、任
意である。例えば、溶融状態にある芳香族ポリカーボネ
ートに必須成分および任意的成分を加えて混練してもよ
く、また、芳香族ポリカーボネートの溶液に必須成分お
よび任意的成分を加えて混練してもよい。より具体的に
は、重合反応が終了して得られる溶融状態にある反応器
内または押出機内の反応生成物である芳香族ポリカーボ
ネートに、直接、必須成分および任意的成分を別々にま
たは同時的に加えて混練する方法、あるいは、得られた
芳香族ポリカーボネートをペレット化し、このペレット
を必須成分および任意的成分と共に一軸または二軸押出
機などに供給して溶融混練する方法、さらに、得られた
芳香族ポリカーボネートを適当な溶媒(例えば塩化メチ
レン、クロロホルム、トルエン、テトラヒドロフラン
等)に溶解させ、この溶液に必須成分および任意的成分
を別々にまたは同時的に加えて攪拌する方法などを挙げ
ることができるが、溶融状態の熱履歴時間および再溶融
回数を減らすという点から、溶融重合で得られた溶融状
態の芳香族ポリカーボネートにスルホン酸化合物、必須
成分等の成分を添加混練し、ペレット化するのが好まし
い。
【0111】このようにして得られるポリカーボネート
組成物は、成形時の分子量低下、色相保持等の熱安定性
および離型性、転写性等の成形性にも優れたものである
ことから、光学材料用途、特に光記録用ディスク基板用
途に好ましく用いることができる。つまり本発明で得ら
れるポリカーボネート組成物は、熱安定性に優れ、ディ
スクに成型した際の離型性に大変優れているので、特に
光記録用ディスク基板用途に好ましく用いることができ
る。
【0112】
【発明の効果】本発明によれば、本発明のポリカーボネ
ート組成物からなる光記録媒体用基板、および上記の光
記録媒体用基板および該基板の片面上に直接または中間
層を介して存在する光記録層からなる光記録媒体が同様
に提供される。
【0113】この光記録媒体は、公知の光記録媒体と同
様に、必要により誘電体層および反射層を備えることが
できる。
【0114】
【実施例】以下実施例に基づき、本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【0115】[実施例1〜4および比較例1〜2]ビス
フェノールA(以下BPA)228重量部、ジフェニル
カーボネート(以下DPC)223重量部およびテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド0.009重量部、ビ
スフェノールAジナトリウム塩0.00014重量部を
攪拌装置、蒸留塔及び減圧装置を備えた反応槽に仕込み
窒素置換した後、140℃で溶解した。30分間攪拌
後、内温を180℃に昇温し、内圧100mmHg30
分間反応させ、生成するフェノールを溜去した。
【0116】ついで内温を200℃に昇温しつつ徐々に
減圧し50mmHgで30分間フェノールを溜去しつつ
反応させた。更に0℃、30mmHgまで徐々に昇温、
減圧し、同温度、同圧下で30分間、更に、240℃、
10mmHg、260℃、1mmHgまで上記と同じ手
順で昇温、減圧を繰り返し反応を続行した。最終的に2
70℃の温度でポリカーボネートの重縮合を継続した。
得られたポリカーボネートの粘度平均分子量は15,5
00であった。
【0117】次いで溶融状態のままで、このポリマーを
ギアポンプにて二軸押出機(L/D17.5、バレル温
度270℃)に挿入し、ポリマーに対して下記表1およ
び表2記載のエステル化合物、酸/酸とのアミン塩、ス
ルホン酸化合物、亜リン酸エステル/リン酸エステルを
それぞれ所定量添加混練し、ダイを通してストランド状
とし、カッターで切断しペレットとした。
【0118】[得られたペレットの評価]上記実施例1
〜4および比較例1〜2により得られたペレットについ
て以下の評価を行った。評価結果を下記表1および表2
に示す。 (1)離型性 ニッケル製のスタンパーを用い、シリンダー温度340
℃、金型温度80℃、1サイクル7秒の条件で、CD成
型機にて、φ120のコンパクトディスク基板を連続1
00ショット成形し、ディスク又はスプルーの金型への
残りを不良率(%)として評価した。 (2)転写性 (1)の方法にて得たディスク基板に転写されたピット
を光学顕微鏡(800倍)で観察し、評価した。実施例
及び比較例のそれぞれについて、ディスク基板10枚を
評価した。 (3)熱安定性 得られたペレットを射出成形機内(シリンダー温度34
0℃、金型温度80℃)で12分滞留させた後、厚さ2
mmの成形板を作製した。滞留前後の色差(△E)を日
本電色工業(株)製のColor and Color
Deference Meter ND−1001D
Pを用いて測定した。なお色差(△E)はJIS872
2、Z8730に従い測定を実施した。
【0119】
【表1】
【0120】
【表2】
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 526 G11B 7/24 526G (72)発明者 佐々木 勝司 山口県岩国市日の出町2番1号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Fターム(参考) 4J002 CG001 EH046 EN007 EN137 EW009 EW048 EW068 FD166 GS02 5D029 KA07

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 芳香族ジヒドロキシ化合物と、該芳香族
    ジヒドロキシ化合物1モルに対し1.0〜1.1モルの
    炭酸ジエステルとを、アルカリ金属化合物およびアルカ
    リ土類金属化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1
    種のエステル交換触媒1×10-8〜1×10-5モルの存
    在下で反応せしめて得られた芳香族ポリカーボネート
    (A)100重量部および脂肪族カルボン酸と多価アル
    コールがエステル結合を有し、かつ少なくとも一つの脂
    肪族カルボン酸が分岐状脂肪族カルボン酸であるエステ
    ル化合物(B)5×10-4〜0.5重量部からなる芳香
    族ポリカーボネート樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 芳香族ポリカーボネート(A)が下記式
    (1) 【化1】 [ここで、R1、R2、R3およびR4は互いに独立に水素
    原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10の
    アリール基または炭素数7〜10のアラルキル基であり
    そしてWはメチレン基、炭素数2〜10のアルキレン
    基、炭素数2〜10のアルキリデン基、炭素数6〜10
    のシクロアルキレン基、炭素数6〜10のシクロアルキ
    リデン基、炭素数8〜15のアルキレン−アリーレン−
    アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基ま
    たはスルホン基である。]で表される繰返し単位から主
    としてなる請求項1に記載の芳香族ポリカーボネート樹
    脂組成物。
  3. 【請求項3】 エステル化合物(B)が炭素数1〜25
    の脂肪族カルボン酸と炭素数2〜14の2〜6価の脂肪
    族アルコールとの部分エステル化合物であり、かつ少な
    くとも一つの脂肪族カルボン酸が分岐状脂肪族カルボン
    酸である請求項1に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂
    組成物。
  4. 【請求項4】 エステル化合物(B)が下記式(2) 【化2】 [ここでR5、R6、R7は、それぞれ独立して水素原
    子、炭素数1〜25の直鎖状脂肪族カルボン酸残基、分
    岐状脂肪族カルボン酸残基、脂肪族炭化水素基、芳香族
    炭化水素基、脂環式炭化水素基のいずれかであり、かつ
    5、R6、R7の少なくとも一つは分岐状脂肪族カルボ
    ン酸残基であり、かつR5、R6、R7の少なくとも一つ
    は水素原子である。またl、m、nは、それぞれ独立し
    て0〜5の整数である。]で表される請求項1に記載の
    芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 上記式(2)で表わされる脂肪族エステ
    ル化合物(B)が下記式(2)−1 【化3】 [ここでR5、R6、R7はそれぞれ独立して水素原子も
    しくは炭素数1〜25の分岐状脂肪族カルボン酸残基で
    あり、かつR5、R6、R7の少なくとも一つは分岐状脂
    肪族カルボン酸残基であり、かつR5、R6、R7の少な
    くとも一つは水素原子である。]で表わされる請求項1
    に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
  6. 【請求項6】 塩酸、リン酸、亜リン酸、ホウ酸、これ
    らのアミン塩およびアンモニウム塩よりなる群から選ば
    れる少なくとも1種の化合物1×10-5〜1×10-2
    量部をさらに含有する請求項1に記載の芳香族ポリカー
    ボネート樹脂組成物。
  7. 【請求項7】 下記式(3) A1−SO31 (3) [ここで、A1は置換していてもよい炭素数1〜30の
    1価の炭化水素基でありそしてX1はアンモニウムカチ
    オン、ホスホニウムカチオンまたは炭素数1〜10の一
    価の炭化水素基である。]で表わされるスルホン酸化合
    物を1×10-5〜1×10-2重量部さらに含有する請求
    項1に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
  8. 【請求項8】 上記式(3)のスルホン酸化合物が下記
    式(3)−1 【化4】 [ここで、A2、A3、A4、A5およびA6は、互いに独
    立に、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。]で
    表わされる請求項1の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
    物。
  9. 【請求項9】 亜リン酸エステルおよび/またはリン酸
    エステルを1×10 -4〜0.1重量部でさらに含有する
    請求項1に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
  10. 【請求項10】 上記エステル化合物(B)の、芳香族
    ポリカーボネートと混合して芳香族ポリカーボネートの
    離型性を改善するための使用方法。
  11. 【請求項11】 上記エステル化合物(B)からなる、
    芳香族ポリカーボネートの離型性改善剤。
  12. 【請求項12】 請求項1の芳香族ポリカーボネート樹
    脂組成物からなる光記録媒体用基板。
  13. 【請求項13】 請求項12の基板および該基板の片面
    上に直接または中間層を介して存在する光記録層からな
    る光記録媒体。
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