JPH08234457A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 有機系光導電性物質と各種バインダー樹脂と
を使用する電子写真感光体にみられる残留電位上昇など
の帯電特性の問題や耐磨耗性などを向上させた電子写真
感光体を提供する。 【構成】 導電性基体上に、感光相を有する電子写真感
光体において、該感光相のバインダー樹脂として、下記
一般式（Ａ）および下記一般式（Ｂ）で表される構造単
位から構成され、一般式（Ａ）で表される構造単位が全
構成中５〜９０mol % であり、かつ極限粘度 [η] が
０．３０〜２．０ dl/g であるポリカーボネート樹脂を
含有することを特徴とする電子写真感光体。 【化１】 【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体に関す
るものである。更に詳しくは、特定の構造を有するポリ
カーボネート樹脂を感光層のバインダー樹脂として使用
した電子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、電子写真技術は、その高速性、高
画質である事等により、複写機、レーザープリンター、
ファクシミリ等に広く応用されている。

【０００３】この電子写真技術における電子写真感光体
としては、従来は、セレン、セレン／テルル合金、セレ
ン／砒素合金、硫化カドミウム等の無機系光導電性物質
が主に用いられてきた。しかし、毒性、安全性、価格、
生産性、等の点から、最近では、有機系光導電性物質を
使用した電子写真感光体が開発されている。

【０００４】この有機系光導電性物質が低分子物質の場
合、バインダー樹脂と混合して塗膜を形成することが通
常行われている。バインダー樹脂としてはポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニ
ル重合体、及びその共重合体、ポリカーボネート、ポリ
エステル、ポリスルフォン、フェノキシ樹脂、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂等の各種の熱可塑性樹脂や熱硬化
性樹脂が用いられてきている。

【０００５】これら各種樹脂のうち、ポリカーボネート
樹脂が比較的優れた特性を有しており、良く用いられて
いる。バインダー樹脂として各種のポリカーボネート樹
脂を用いることが報告されており、例えば特開昭６０−
１７２０４４号公報にはビスフェノールＺからのポリカ
ーボネート樹脂が、特開昭６３−１７０６４７号公報に
はビスフェノールＡからのポリカーボネート樹脂が、特
開昭６３−１４８２６３号公報にはジメチルビスフェノ
ールＡからのポリカーボネート樹脂が、また特開平４−
４４０４８号公報にはビスフェノールＡＰからのポリカ
ーボネート樹脂が、それぞれバインダー樹脂として使用
することが開示されている。

【０００６】これらの公知の有機系光導電性物質（ＯＰ
Ｃ）と各種バインダー樹脂とを使用する電子写真感光体
（ＯＰＣ感光体）においては、感度等の点では無機系光
導電性物質を使用した電子写真感光体に匹敵するものが
得られている。これらＯＰＣ感光体は、キャスト製膜法
により容易に薄膜とすることが可能で、大量生産に向い
ており、価格も比較的安価である。ＯＰＣ感光体はこの
ように優れた面がある反面、残留電位上昇などの帯電特
性問題や耐摩耗性などの問題があり、改善が要求されて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機系光導
電性物質と各種バインダー樹脂とを使用する電子写真感
光体にみられる残留電位上昇などの帯電特性の問題や耐
摩耗性などを解消した電子写真感光体を提供するにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定な構造を有
するポリカーボネート樹脂をバインダーとして用いた電
子写真感光体は、耐摩耗性と良好な帯電特性とを兼ね備
えた良質の電子写真感光体となることを見いだし、本発
明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、導電性基体上に感光
層を有する電子写真感光体において、該感光層のバイン
ダー樹脂として下記一般式（Ａ）および下記一般式
（Ｂ）で表される構造単位で構成されており、一般式
（Ａ）で表される構造単位が全構成中5 〜90mol ％で、
かつ極限粘度が0.30〜2.0dl/g であるポリカーボネート
樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体を提供
するものである。

【００１０】

【化４】

【００１１】（式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は水素原子、フッ素、
塩素、臭素原子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの
基の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜
５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のア
ルコキシ基、フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン
原子、ジメチルポリシロキシ基である。）

【００１２】

【化５】

【００１３】（式中、Ｒ₅ 〜Ｒ₈ はそれぞれ、水素、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有しても
よい、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のア
リール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５
のアルコキシ基、炭素数７〜１７のアラルキル基であ
り、これらの基の炭素にいずれも有してもよい置換基
が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素から選ばれるハロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示
す。Ｘは、下記で表される基の一種である。

【００１４】

【化６】

【００１５】ここにＲ₉ 、Ｒ₁₀はそれぞれ、水素、各々
置換基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、アル
コキシ基又は炭素数６〜１２アリール基を表すか、 Ｒ
₉ 及びＲ₁₀が一緒に結合して、炭素環または複素環を形
成する基を表し、これらの基の炭素に有してもよい置換
基が、炭素数１〜５のアルキル基またはアルケニル基、
炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素から選ばれるハロゲンである。a は０〜２０の整
数、b およびc は１〜１００の整数を表す。）

【００１６】ところで、本発明のポリカーボネート樹脂
を構成する一般式（Ａ）で表される構造を有するポリカ
ーボネート樹脂自体は公知であり、このようなポリカー
ボネート樹脂を光ディスクのような光記録媒体等に使用
することが、特開昭６３−３１４２３５号公報、特開平
６−３１０３５号公報に示されている。

【００１７】本発明の電子写真感光体は導電性支持体上
に単一層の光導電層を有するものでも、機能分離した積
層型のものでも良い。最近は、露光により電荷を発生す
る電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層との二層か
らなる積層型の電子写真感光体が主流となっている。
又、必要に応じて下引き層、保護層、接着層等を設けて
も良い。

【００１８】本発明の導電性支持体とは、アルミニウ
ム、ステンレス鋼、ニッケル等の金属材料や、又、表面
にアルミニウム、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウ
ム等の導電性層を設けたポリエステルフィルム、フェノ
ール樹脂、紙等が使用される。

【００１９】本発明の電荷発生層は、たとえば浸漬法、
スプレー法、塗布などそれ自体公知の方法により、導電
性支持体上に形成される。電荷発生物質としては、例え
ば、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、
ベンズイミダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイ
ド系、キナクリドン系、フタロシアニン系、ペリレン
系、メチン系等の有機顔料が使用できる。これらの電荷
発生物質は、その微粒子をポリビニルブチラール樹脂、
ポリビニルホルマール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、各種セルロ
ース等のバインダー樹脂に分散させた形で使用される。

【００２０】本発明の電荷輸送層は、電荷発生層上に、
たとえば浸漬法、スプレー法、塗布など公知の方法によ
り、本発明のポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂と
して、電荷輸送物質を分散させることにより形成され
る。電荷輸送物質としては、例えば、ポリテトラシアノ
エチレン；２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン
等のフルオレノン系化合物；ジニトロアントラセン等の
ニトロ化合物；無水コハク酸；無水マレイン酸；ジブロ
モ無水マレイン酸；トリフェニルメタン系化合物；２，
５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；９−
（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチ
リル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等のカル
バゾール系化合物；１−フェニル−３−（ｐ−ジメチル
アミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物；
４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
トリフェニルアミン等のアミン誘導体；１、１ービス
（４−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル
−１，３−ブタジエン等の共役不飽和化合物；４−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物；イン
ドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾ
ール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系
化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、
ピラゾリン系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素
環式化合物；縮合多環式化合物等が挙げられる。上記電
荷輸送物質は単独で使用しても、複数種併用しても良
い。

【００２１】前述の一般式（Ａ）および一般式（Ｂ）で
表される構造単位を有する本発明のポリカーボネート樹
脂は、従来のビスフェノールＡからポリカーボネートを
製造する際に用いられている公知の方法、例えば二価フ
ェノールとホスゲンとの直接反応（ホスゲン法）、ある
いは二価フェノールとビスアリールカーボネートとのエ
ステル交換反応（エステル交換法）などの方法を採用す
ることにより製造できる。

【００２２】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ａ）で表される構造単位を誘導するスピロビインダン
構造含有二価フェノールの反応性を考慮した場合、ホス
ゲン法の方が好ましい。また、反応性と物性の観点か
ら、一般式（Ａ）の構造単位が全構成中5 〜90mol ％で
あることが好ましく、さらには10〜70mol%がより好まし
い。

【００２３】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、一般式（Ｂ）を誘導す
る二価フェノールと一般式（Ａ）で表される構造単位を
誘導するスピロビインダン構造含有二価フェノールとホ
スゲンを反応させる。

【００２４】酸結合剤としては、例えばピリジンや、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物などが用いられる。

【００２５】また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いら
れる。さらに縮重合反応を促進するために、トリエチル
アミンのような第三級アミンまたは第四級アンモニウム
塩などの触媒が使用される。

【００２６】また重合度の調節には、従来から使用され
ている、フェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-ク
ミルフェノール、長鎖アルキル置換フェノール等一官能
基化合物が分子量調節剤として使用される。 また、所
望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイトなど
の酸化防止剤や、フロログルシン、イサチンビスフェノ
ールなど分岐化剤を小量添加してもよい。

【００２７】反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜
４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温
度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好
ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系
のpHを１０以上に保持することが望ましい。

【００２８】一方後者のエステル交換法においては、一
般式（Ａ）で表される構造単位を誘導するスピロビイン
ダン構造含有二価フェノールと、一般式（Ｂ）で表され
る構造単位を誘導する二価フェノールとビスアリールカ
ーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応させ
る。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜
３００℃の範囲の温度において行われ、減圧度は反応の
最終段階では好ましくは１mmHg以下にして、エステル交
換反応により生成したフェノール類を系外へ留去させ
る。

【００２９】反応時間は反応温度や減圧度などによって
左右されるが、通常１〜４時間程度である。反応は窒素
やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ま
しい。また、所望に応じ、酸化防止剤や分岐化剤を添加
して反応を行ってもよい。

【００３０】本発明のポリカーボネート樹脂の製造に使
用される一般式（Ｂ）で表される構造単位を誘導する二
価フェノールとしては、具体的にはビフェノール、 ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、 ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル、 ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルホン、 ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、 ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルファイド、 ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケト
ン、 1,1-ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
2,2-ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフ
ェノ−ルＡ；BPA）、 2,2-ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、 1,1-ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロペンタン、 1,1-ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン（ビスフェノ−ルZ ；BPZ ）、 1,
1-ビス（４−ヒドロキシフェニル）-3,3,5- トリメチル
シクロヘキサン、 2,2-ビス（４−ヒドロキシ−3,5-ジ
ブロモフェニル）プロパン、 2,2-ビス（４−ヒドロキ
シ−3,5-ジクロロフェニル）プロパン、 2,2-ビス（４
−ヒドロキシ−3-ブロモフェニル）プロパン、 2,2-ビ
ス（４−ヒドロキシ−3-クロロフェニル）プロパン、
2,2-ビス（４−ヒドロキシ−3-メチルフェニル）プロパ
ン、 2,2-ビス（４−ヒドロキシ−3-アリルフェニル）
プロパン、 2,2-ビス（４−ヒドロキシ−3,5-ジメチル
フェニル）プロパン、 1,1-ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）-1- フェニルエタン、 ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ジフェニルメタン、 9,9-ビス（4-ヒドロキシ
フェニル）フルオレン、 9,9-ビス（4-ヒドロキシ-3-
メチルフェニル）フルオレン、 4,4'-[1,4-フェニレン
ビス（1-メチルエチリデン）] ビスフェノール、 4,4'
-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）] ビス
（2-メチルフェノール）、 4,4'-[1,3-フェニレンビス
（1-メチルエチリデン）] ビスフェノール、 α, ω-
ビス［２−（p −ヒドロキシフェニル）エチル］ポリジ
メチルシロキサン、 α, ω- ビス［３−（O −ヒドロ
キシフェニル）プロピル］ポリジメチルシロキサンなど
が例示される。これらは、２種類以上併用して用いても
よい。

【００３１】これらの中でも特に2,2-ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、 1,1-ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、 2,2-ビス（４−ヒドロキ
シ−3-メチルフェニル）プロパン、 1,1-ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）-1- フェニルエタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル、 ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルファイド、 α, ω−ビス［２−（p −
ヒドロキシフェニル）エチル］ポリジメチルシロキサ
ン、 α, ω−ビス［３−（O −ヒドロキシフェニル）
プロピル］ポリジメチルシロキサンから選ばれることが
好ましい。

【００３２】一方、炭酸エステル形成性化合物として
は、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−
ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボ
ネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフ
チルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げ
られる。これらの化合物は２種類以上併用して使用する
ことも可能である。

【００３３】前記一般式（Ａ）で表される構造単位を誘
導するスピロビインダン構造含有二価フェノールは、公
知の化合物であって、たとえば、特開昭６３−３１４２
３５号公報に記載の方法により得ることができる。

【００３４】具体的には、下記に示される化合物が挙げ
られ、たとえば、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，
３’，３’−テトラメチルフェニル−１，１’−ビスピ
ロインダン、 ６，６’−ジヒドロキシ−５，５’−ジ
メチル−３，３，３’，３’−テトラメチルフェニル−
１，１’−ビスピロインダン、 ６，６’−ジヒドロキ
シ−５，５’−ジクロロ−３，３，３’，３’−テトラ
メチルフェニル−１，１’−ビスピロインダン、 ６，
６’−ジヒドロキシ−５，５’−ジブロモ−３，３，
３’，３’−テトラメチルフェニル−１，１’−ビスピ
ロインダン、 ６，６’−ジヒドロキシ−７，７’−ジ
メチル−３，３，３’，３’−テトラメチルフェニル−
１，１’−ビスピロインダン、６，６’−ジヒドロキシ
−７，７’−ジブチル−３，３，３’，３’−テトラメ
チルフェニル−１，１’−ビスピロインダン、 ６，
６’−ジヒドロキシ−７，７’−ジクロロ−３，３，
３’，３’−テトラメチルフェニル−１，１’−ビスピ
ロインダン、 ６，６’−ジヒドロキシ−７，７’−ジ
プロペニロ−３，３，３’，３’−テトラメチルフェニ
ル−１，１’−ビスピロインダン、などが例示される。

【００３５】

【化７】

【００３６】これらの化合物は２種類以上併用して使用
することも可能である。これらのうち６，６’−ジヒド
ロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’
−スピロビインダン、 ６，６’−ジヒドロキシ−５，
５’−ジメチル−３，３，３’，３’−テトラメチル−
１，１’−スピロビインダン、 ６，６’−ジヒドロキ
シ−７，７’−ジメチル−３，３，３’，３’−テトラ
メチル−１，１’−スピロビインダンが反応性の面から
好ましい。

【００３７】このようにして合成されたポリカーボネー
ト樹脂は、湿式成形で容易に成形可能である。湿式成形
で成形された電子写真感光体が十分な膜強度を得るため
には極限粘度が0.30〜2.0dl/g であることが好ましく、
さらに成膜性を重視した場合、0.3 〜1.5dl/g であるこ
とが好ましい。

【００３８】電荷発生層及び電荷輸送層は、上記の電荷
発生物質、又は、電荷輸送物質を、それぞれバインダー
樹脂と、適当な溶媒に溶解させ、その溶液を浸漬塗布法
やスプレー法等により塗布し、乾燥させることにより形
成できる。

【００３９】このような溶媒は、ハロゲン系有機溶媒と
非ハロゲン系溶媒の２種類に大別できるが、一般的に可
燃性が少ないハロゲン系溶媒が多用される。しかしなが
ら、近年、安全性や環境保全の観点から、非ハロゲン系
溶媒の使用の比率が増してきており非ハロゲン系溶媒へ
の溶解性および溶液安定性が必要とされており、本発明
で用いられるポリカーボネート樹脂は、ハロゲン系溶媒
は勿論、多くの非ハロゲン系溶媒に良好に溶解する。

【００４０】使用される非ハロゲン系溶媒はベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール
ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢
酸エチル、エチルセロソルブ等のエステル系溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
系溶媒、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルホルムアミド等が挙げられる。またハ
ロゲン系溶媒としては塩化メチレン、クロロホルム、四
塩化炭素、塩化エチレン、テトラクロロエタン、クロロ
ベンゼン等が挙げられ、これらの溶媒は非ハロゲン、ハ
ロゲンを問わず単独で使用しても良く、又は、２種以上
を併用し混合用溶媒として使用しても良い。

【００４１】電荷発生物質とバインダー樹脂の混合比
は、１０：１〜１：２０の範囲内が好ましい。この電荷
発生層の厚さは、一般には０．０１〜２０μｍ、好まし
くは０．１〜２μｍが好適である。

【００４２】また電荷輸送物質とバインダー樹脂との混
合比は、１０：１〜１：１０の範囲内が好ましい。この
電荷輸送層の厚さは、一般には２〜１００μｍ、好まし
くは５〜３０μｍが好適である。

【００４３】

【実施例】以下に実施例及び比較例によってさらに具体
的に説明する。

【００４４】合成例１ 水酸化ナトリウム５００ｇを水６リットルに溶解し、１
５℃に保ちながら、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン（以下「ＢＰＺ」と記す）５３６
ｇ、 ６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−
テトラメチル−１，１’−スピロビインダン（以下「Ｓ
Ｐ１」と記す）６１６ｇ、ハイドロサルファイト１ｇを
溶解した。これにメチレンクロライド５リットルを加え
て攪拌しつつ、ｐ−ｔ−ブチルフェノール（以下「ＰＴ
ＢＰ」と記す）１７ｇを加え、ついでホスゲン４８０ｇ
を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了
後、激しく攪拌して反応液を乳化させ、乳化後、１ｇの
トリエチルアミンを加え約１時間攪拌を続け重合させ
た。重合液を水相と有機相に分離し、有機相を硫酸で中
和した後、洗液のＰＨが中性となるまで水洗を繰り返し
た後、イソプロパノールを３５リットル加えて、重合物
を沈澱させた。沈澱物を濾過し、その後乾燥して粉末状
のポリカーボネート樹脂を得た（以下「Ｐ−１」と記
す）。このポリカーボネート樹脂の極限粘度は０．４７
dl/g（２０℃，ジクロロメタン溶液）であった

【００４５】合成例２ ＢＰＺのかわりに、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）プロパン（以下「ＢＰＣ」と記す）
５１２ｇに変更した以外は、合成例１と同様に行った。
得られた粉末状のポリカーボネート樹脂（以下「Ｐ−
２」と記す）の極限粘度は０．４５dl/gであった。

【００４６】合成例３ ＢＰＺのかわりに、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（以下「ＢＰＡ」と記す）４５６ｇに変
更した以外は、合成例１と同様に行った。得られた粉末
状のポリカーボネート樹脂（以下「Ｐ−３」と記す）の
極限粘度は０．４４dl/gであった。

【００４７】合成例４ ＢＰＺを８５７ｇ、ＳＰ１を２４６ｇに変更した以外は
合成例１と同様に行った。得られた粉末状のポリカーボ
ネート樹脂（以下「Ｐ−４」と記す）の極限粘度は０．
４５dl/gであった。

【００４８】合成例５ ＢＰＺを４０２ｇ、ＳＰ１を７７０ｇに変更した以外は
合成例１と同様に行った。得られた粉末状のポリカーボ
ネート樹脂（以下「Ｐ−５」と記す）の極限粘度は０．
５０dl/gであった。

【００４９】合成例６ ＰＴＢＰを５ｇに変更した以外は合成例１と同様に行っ
た。得られた粉末状のポリカーボネート樹脂（以下「Ｐ
−６」と記す）の極限粘度は１．１dl/gであった。

【００５０】合成例７ ＰＴＢＰを３０ｇに変更した以外は合成例１と同様に行
った。得られた粉末状のポリカーボネート樹脂（以下
「Ｐ−７」と記す）の極限粘度は０．３３dl/gであっ
た。

【００５１】合成例８ ＳＰ１の代わりに、６，６’−ジヒドロキシ−５，５’
−ジメチル−３，３，３’，３’−テトラメチルフェニ
ル−１，１’−スピロビインダン（以下「ＳＰ２」と記
す）６７２ｇ、ＢＰＺの代わりにビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル（以下「ＤＨＰＥ」と記す）４０４
ｇを用いた以外は合成例１と同様に行った。得られた粉
末状のポリカーボネート樹脂（以下「Ｐ−８」と記す）
の極限粘度は０．４３dl/gであった。

【００５２】合成例９ ＳＰ１を使用せず、ＢＰＺのみを１．０７ｋｇ用い、Ｐ
ＴＢＰを１６ｇに変更した以外は合成例１と同様に行っ
た。得られた粉末状のポリカーボネート樹脂（以下「Ｐ
−９」と記す）の極限粘度は０．４７１dl/gであった。

【００５３】合成例１０ ＳＰ１を使用せず、ＢＰＡのみ９１２ｇ使用し、ＰＴＢ
Ｐを１９ｇに変更した以外は合成例１と同様に行った。
得られた粉末状のポリカーボネート樹脂（以下「Ｐ−１
０」と記す）の極限粘度は０．４６dl/gであった。

【００５４】実施例１ アルミニウムを厚さ約５０ｎｍ蒸着したポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に、τ型銅フタロシアニン１０
部とフェノキシ樹脂５部、ポリビニルブチラール樹脂５
部、ジメトキシエタン１００部とを混合し、サンドグラ
インドミルにて粉砕分散処理を行った塗布液を用いて塗
布し、乾燥し、厚さ約０．５μｍの電荷発生層を設け
た。次に、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアル
デヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾンを５０部、合成
例−１により得られたポリカーボネート樹脂Ｐ−１を５
０部、テトラヒドロフランを３５０部、使用した塗布液
を作製し、上記電荷発生層上に塗布し、風乾後１００
℃、８時間乾燥し、厚さ約２０μｍの電荷輸送層を設け
て、積層型電子写真感光体を作製した。この電子写真感
光体の評価を、（株) 川口電気製作所製ＥＰＡ−８１０
０静電気帯電試験装置により、帯電特性を調べた。また
耐摩耗性については、スガ試験機株式会社製テーバ摩耗
試験機を用いて削れ量を測定した。

【００５５】実施例２〜８ ポリカーボネート樹脂Ｐ−１の代わりにＰ−２〜Ｐ−８
のポリカーボネート樹脂を用いた以外は実施例１と同様
に行った。

【００５６】比較例１〜２ ポリカーボネート樹脂Ｐ−１の代わりにＰ−９、Ｐ−１
０を用いた以外は実施例１と同様に行った。これらの結
果を表１に示す。

【００５７】

【表１】

【００５８】なお、表記載の原料モノマーの略号は下記
の通り。 ＳＰ１：６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’
−テトラメチル−1,1'−スピロビインダン ＳＰ２：６，６’−ジヒドロキシ−５，５’−ジメチル
−３，３，３’，３’−テトラメチル−1,1'−スピロビ
インダン ＢＰＺ：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン ＢＰＣ：２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）プロパン ＢＰＡ：２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン ＤＨＰＥ：ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル

【００５９】極限粘度：２０℃、０．５％ジクロロメタ
ン溶液にて測定。

【００６０】初期電位：ＤＣ帯電器にて印加電圧を調整
し、感光体表面電位約-700Ｖに設定。

【００６１】残留電位：露光（除電10Lux ）後、４秒後
の残留電位。

【００６２】摩耗量 ：荷重300g、CS-17 輪、トルエン
雰囲気、１０００回往復運動後のテーバ摩耗試験を行っ
た際の摩耗量。

【００６３】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、前記一般式
（Ａ）で示されるスピロビインダン構造を有するポリカ
ーボネート樹脂をバインダーとして使用することによ
り、電子写真感光体の残留電位上昇を抑え、耐摩耗性も
向上する。そのため電子写真画像の安定化や感光体寿命
延長効果が期待される。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性基体上に、感光層を有する電子写真
   感光体において、該感光層のバインダー樹脂として、下
   記一般式（Ａ）および下記一般式（Ｂ）で表される構造
   単位で構成されており、一般式（Ａ）で表される構造単
   位が全構成中5〜90mol ％であり、かつ極限粘度が0.30
   〜2.0dl/g であるポリカーボネート樹脂を含有すること
   を特徴とする電子写真感光体。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は水素原子、フッ素、塩素、臭素原
   子、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数１〜５のア
   ルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５
   のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数
   ７〜１７のアラルキル基であり、これらの基の炭素にい
   ずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５のアルキル
   基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、
   フッ素、塩素、臭素から選ばれるハロゲン原子、ジメチ
   ルポリシロキシ基である。） 【化２】 （式中、Ｒ₅ 〜Ｒ₈ はそれぞれ、水素、フッ素、塩素、
   臭素、ヨウ素、それぞれ置換基を有してもよい、炭素数
   １〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭
   素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
   基、炭素数７〜１７のアラルキル基であり、これらの基
   の炭素にいずれも有してもよい置換基が、炭素数１〜５
   のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５のアル
   コキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハ
   ロゲン、ジメチルポリシロキシ基を示す。Ｘは、下記で
   表される基の一種である。 【化３】 ここにＲ₉ 、Ｒ₁₀はそれぞれ、水素、各々置換基を有し
   てもよい炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基又は
   炭素数６〜１２アリール基を表すか、 Ｒ₉ 及びＲ₁₀が
   一緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表
   し、これらの基の炭素に有してもよい置換基が、炭素数
   １〜５のアルキル基またはアルケニル基、炭素数１〜５
   のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ば
   れるハロゲンである。a は０〜２０の整数、b およびc
   は１〜１００の整数を表す。）
2. 【請求項２】一般式（Ａ）の構造単位が全構成中10〜70
   mol ％である請求項１の電子写真感光体。
3. 【請求項３】一般式（Ａ）の構造単位が、６，６’−ジ
   ヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，
   １’−スピロビインダン、 ６，６’−ジヒドロキシ−
   ５，５’−ジメチル−３，３，３’，３’−テトラメチ
   ル−１，１’−スピロビインダン、または６，６’−ジ
   ヒドロキシ−７，７’−ジメチル−３，３，３’，３’
   −テトラメチル−１，１’−スピロビインダンから誘導
   される請求項１記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】一般式（Ｂ）の構造単位が、２，２−ビス
   （４−ヒドロキシフェニル）プロパン、 １，１−ビス
   （４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−
   ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
   ン、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−
   フェニルメタン、 ビス（４−ヒドロキシフェニル）エ
   ーテル、 ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルファイ
   ド、 α，ω−ビス〔２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）
   エチル〕ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス〔３−
   （ｏ−ヒドロキシフェニル）プロピル〕ポリジメチルシ
   ロキサンから誘導される請求項１記載の電子写真感光
   体。