JP2006127850A - 荷電粒子ビーム装置及び試料作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】FIB照射系16の照射軸とSTEM観察用電子ビーム照射系5の照射軸をほぼ直交させ、その交差位置に試料7を配置して、試料のFIB断面加工面をSTEM観察用試料の薄膜面にとる。透過・散乱ビーム検出手段9a,9bは、電子ビーム照射軸上で電子ビーム照射方向からみて試料の後方に配置する。
【選択図】 図1
Description
z=ax2+by2+cxy+dx+ey+f (aからf:係数)
Claims (10)
- 電子銃から放出した電子を電子ビームとして細く絞り、走査しながら試料上に照射する電子ビーム照射系と、
試料を透過した電子ビームを検出する透過電子検出器と、
試料によって散乱された電子ビームを検出する散乱電子検出器と、
イオン銃から放出したイオンをイオンビームとして細く絞り、走査しながら試料上に照射して試料を加工するイオンビーム照射系と、
前記電子ビームと前記イオンビームの少なくとも一方のビーム照射により試料から放出された二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記透過電子検出器、散乱電子検出器及び/又は前記二次電子検出器による検出信号を輝度信号とした試料のビーム走査画像を表示する画像表示手段と、
試料を保持する試料ホルダーとを備え、
前記イオンビームの照射軸と前記電子ビームの照射軸はほぼ直角に交差し、その交差位置に前記試料ホルダーが配置されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 電子銃から放出した電子を電子ビームとして細く絞り、走査しながら試料上に照射する電子ビーム照射系と、
試料を透過した電子ビームを検出する透過電子検出器と、
試料によって散乱された電子ビームを検出する散乱電子検出器と、
イオン銃から放出したイオンをイオンビームとして細く絞り、走査しながら試料上に照射して試料を加工するイオンビーム照射系と、
前記電子ビームと前記イオンビームの少なくとも一方のビーム照射により試料から放出された二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記透過電子検出器、散乱電子検出器及び/又は前記二次電子検出器による検出信号を輝度信号とした試料のビーム走査画像を表示する画像表示手段と、
試料を保持する試料ホルダーとを備え、
前記イオンビームの照射軸と前記電子ビームの照射軸は直角を越えた角度で交差し、その交差位置に前記試料ホルダーが配置されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム装置において、前記電子ビーム照射系は磁界型の対物レンズを有し、前記対物レンズのレンズ磁界が前記試料ホルダーの位置に漏洩していることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項3記載の荷電粒子ビーム装置において、前記対物レンズは磁気ヨークにてレンズ磁場を形成するタイプの対物レンズであり、前記磁気ヨークが前記試料ホルダーに対し前記電子ビームの入射側にのみに配置されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の荷電粒子ビーム装置において、前記試料ホルダーの軸は、前記電子ビームの照射軸と前記イオンビームの照射軸に垂直で、かつ両照射軸の交点を通る軸上にあることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項記載の荷電粒子ビーム装置において、前記イオンビームの照射軸と前記電子ビームの照射軸が形成する平面と直交し、前記イオンビームの照射軸を含む面に対してほぼ面対称に、前記二次電子検出器の二次電子入り口面が配置されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1〜6のいずれか1項記載の荷電粒子ビーム装置において、前記画像表示手段は前記イオンビームによる試料走査像と前記電子ビームによる試料走査画像を1枚の表示画枠の中に領域を分けて表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項7記載の荷電粒子ビーム装置において、前記画像表示手段は、前記電子ビームによる試料走査画像の輝度、コントラスト、SN比、像分解能のうち少なくとも一つを試料の加工の進行とともに時系列的に表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項8記載の荷電粒子ビーム装置において、
輝度、コントラスト、SN比又は像分解能の閾値を登録する登録手段と、
前記イオンビームの照射を制御する制御手段を備え、
前記制御部は、前記電子ビームによる試料走査画像の輝度、コントラスト、SN比又は像分解能が前記登録手段によって登録された閾値に達したとき前記イオンビームの照射を停止することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム装置を用いた試料作製方法において、
前記イオンビームによる試料走査画像と前記電子ビームによる試料走査画像を前記画像表示手段に表示する工程と、
前記電子ビームによる試料走査画像の輝度、コントラスト、SN比又は像分解能を演算する工程と、
演算した輝度、コントラスト、SN比又は像分解能が予め設定した閾値に達したとき前記イオンビームの照射による試料の加工を止める工程とを有することを特徴とする試料作製方法。
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